「Selective etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In embodiments, the etching is highly selective between the material of the insulation layer and the material of the substrate.例文帳に追加

実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS FOR CUTTING AMORPHOUS METAL SHAPE, AND COMPONENT MADE THEREBY例文帳に追加

非晶質金属形状を切断するための選択的エッチングプロセスおよびそれから作られた構成要素 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS OF SILICON NITRIDE THIN FILM AND INDIUM OXIDE THIN FILM FOR FERROELECTRIC RAM DEVICE APPLICATION例文帳に追加

ＦｅＲＡＭデバイスアプリケーションのための窒化シリコン薄膜および酸化インジウム薄膜の選択的エッチングプロセス - 特許庁

A crystal defect of the first silicon-germanium thin film 11 is removed by a selective etching (hydrogen fluoride/nitric acid).例文帳に追加

第１のシリコンゲルマニウム薄膜１１の結晶欠陥を選択エッチング（フッ酸／硝酸）によって除去する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SILICON-ON-NOTHING (SON) MOSFET USING SELECTIVE ETCHING OF Si1-xGex LAYER例文帳に追加

Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層の選択的エッチングを用いるシリコンオンナッシング（ＳＯＮ）ＭＯＳＦＥＴの製造 - 特許庁

To provide a ridge type semiconductor laser allowing a ridge to be formed by selective etching without separately adding an etching stopper layer, small in threshold current and excelling in efficiency.例文帳に追加

別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。 - 特許庁

Consequently, the distance of the etching region from the mask end is sufficiently obtained when the mask width is 1 μm or larger in a selective etching of the present invention.例文帳に追加

そのため、本発明の選択エッチングにおいてはマスクの幅は１μｍ以上あればエッチング領域のマスク端からの距離を十分に得られる。 - 特許庁

In a preferred forming process, the electrodeposition mold fabrication technology (e.g., selective deposition, bulk deposition, etching process and flattening process) and post deposition process (e.g., selective etching and/or final backfill process) are employed.例文帳に追加

好ましい形成プロセスでは、電着成型加工技術（例えば、選択的堆積、バルク堆積、エッチング作業、および平坦化作業）、及び、後堆積プロセス（例えば、選択的エッチング作業、および／または、裏込め作業）が用いられる。 - 特許庁

To provide a dry etching method for preventing borderless etching by using new materials as an etching reducing film in the selective etching method of a silicon oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン酸化膜の選択エッチング方法において、エッチング抑制膜として新規な材料を用いることにより、ボーダレスなエッチングにならないドライエッチング方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

With such a composition, while high-speed etching of Si layer is prevented, the etching residue of the SiGe layer 13a and the like, selective etching is made possible in the SiGe layers 12a and 13a of multilayer structure.例文帳に追加

このような構成であれば、Ｓｉ層の増速エッチングや、ＳｉＧｅ層１３ａのエッチング残り等を防止しつつ、多層構造のＳｉＧｅ層１２ａ、１３ａの選択エッチングが可能である。 - 特許庁

To provide a wet etching method having excelling operational efficiency and having a large selective range of materials for an etched board.例文帳に追加

作業効率がよく、エッチングされる基板の材料の選択範囲も大きい、ウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method using selective polymer deposition and a method of forming contact holes using the same.例文帳に追加

選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

The resist film 11 is removed and then an inner wiring circuit pattern is formed by selective etching.例文帳に追加

上記レジスト膜１１を除去し、続いて、選択エッチングすることにより、内層配線回路パターンを形成する。 - 特許庁

SELECTIVE FIXATION OF CHLORINE AND FLUORINE IN CHLOROFLUOROCARBON DECOMPOSITION GAS OR DRY ETCHING EXHAUST GAS AND RECYCLING OF COLLECTED SUBSTANCES例文帳に追加

フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩素およびフッ素の選択的固定化と回収物のリサイクル - 特許庁

A selective etching possible layer 14 is formed on the semiconductor substrate 12 by the method for forming the deep trench.例文帳に追加

深いトレンチを形成する方法は、半導体基板１２上に選択エッチング可能層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a selective etching technology for the thin films of SiO_2, titanium and In_2O_3 used for MFMox.例文帳に追加

ＭＦＭｏｘに用いられるＳｉＯ_２、チタンおよびＩｎ_２Ｏ_３の薄膜の選択的エッチング技術を提供する。 - 特許庁

In this case, the contact spacer 106a is made of a substance with an etching selective ratio with the contact electrode 108a.例文帳に追加

この際、コンタクトスペーサ１０６ａはコンタクト電極１０８ａとエッチング選択比を有する物質で形成される。 - 特許庁

The method uses a mask (e.g., a mask that has been previously used for etching features into a device) for selective epitaxial growth or selective ion implantation.例文帳に追加

この発明に従った方法は、マスク（たとえば機構を素子にエッチングするために以前使用されたマスク）を選択的エピタキシャル成長または選択的イオン注入用に使用する。 - 特許庁

Furthermore, selective etching can be used for a formation of an emitter mesa, that of a base mesa, that of a ledge in the unit HBT, and gate recess etching in the unit FET for improved reproducibility.例文帳に追加

更に、単位ＨＢＴのエミッタメサ、ベースメサ形成、レッジ形成および単位ＦＥＴのゲートリセスエッチングに選択エッチングを採用でき、再現性が良好となる。 - 特許庁

After that, selective anisotropic etching treatment is performed using the etching window, thereby forming the equivalent surface to the {110} surface or {100} surface on the semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor storage device, highly selective anisotropic etching SAS(self-aligned source) etching is performed on a silicon oxide by using a resist 56, laminated gates 46, and thermally oxidized films 58 as a mask.例文帳に追加

レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field-effect transistor which does not need selective etching after siliciding a source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域のシリサイド化後に選択的エッチングを不要とする電界効果トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching treatment method which brings about high selectivity by controlling water concentration inside a reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の水分濃度を制御することにより高い選択性をもたらす選択エッチング処理方法を与える。 - 特許庁

Exposed both sides surfaces of a first pattern 311 of the first length setting layer 310 are recessed by selective side surface etching.例文帳に追加

第１長さ設定層３１０の第１パターン３１１の露出した両側面を選択的側面エッチングでリセスする。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus in which the selection ratio of selective etching can be enhanced.例文帳に追加

選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The hot melt etching resist is selectively applied to an anti-reflective coating or a selective emitter on a semiconductor wafer.例文帳に追加

ホットメルトエッチングレジストが、半導体ウェハ上の反射防止コーティングもしくは選択的エミッタに選択的に適用される。 - 特許庁

A groove 6 is formed on the silicon substrate 1 thinned by selective etching and the silicon substrate 1 is divided into chips.例文帳に追加

そして、選択エッチングにて薄肉化させたシリコン基板１に溝６を形成し、シリコン基板１をチップ単位に分割する。 - 特許庁

Then, the selective etching which is selectively carried out is performed on the face orientation including at least the {111} B face.例文帳に追加

次いで、少なくとも｛１１１｝Ｂ面を含んだ面方位に対して選択的に行われる選択性エッチングを行う。 - 特許庁

To provide a dry etching process using a selective polymer mask formed by CO gas on a photoresist pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターン上にＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then, an insulating film 21 covering these electrodes 20P and 20 is formed, and the insulating film 21 is subjected to selective dry etching.例文帳に追加

その後、それらの電極２０Ｐ，２０を覆う絶縁膜２１を形成し、絶縁膜２１を選択的にドライエッチングする。 - 特許庁

Polymer forming, selective polymer removing, and etching stages are carried out in order to obtain an excellent side wall profile.例文帳に追加

良好な側壁プロファイルを有するようにポリマ形成、選択的なポリマ除去及びエッチング段階を順次に実行する。 - 特許庁

To obtain a display of a high grade by increasing auxiliary capacitors without lowering an aperture ratio and well maintaining the writing potential of respective pixels without the impairment of the brightness and contrast of display images and further to permit the selective etching of only the necessary materials by a dry etching method without requiring intricate etching control.例文帳に追加

開口率を低下する事無く補助容量の増大を図り、表示画像の明るさ及びコントラストを損なう事無く各画素の書き込み電位を良好に保持して、高品位の表示を得る。 - 特許庁

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

To provide a silicon oxide film selective wet etching solution that can effectively remove a BPSG (silicon) oxide film by suppressing etching of a metal silicide film to increase the etching selectivity of a silicon oxide film.例文帳に追加

金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。 - 特許庁

A first material 14 that achieves selective etching without eroding a silicon substrate 12 is provided on the silicon substrate 12 and a second material 16 that achieves selective etching without eroding the silicon substrate 12 or the first material 14 is deposited.例文帳に追加

シリコン基板１２の上に、シリコン基板１２を侵食せずに選択的なエッチングが可能である第１材料１４を設け、シリコン基板１２または第１材料１４を侵食せずに選択的なエッチングが可能である第２材料１６を蒸着する。 - 特許庁

To surely remove an oxide film on the surface of an AlGaAs layer generated by a selective etching, in a recess-gate type FET.例文帳に追加

リセスゲート型のＦＥＴにおいて、選択エッチングにより生じたＡｌＧａＡｓ層表面の酸化膜を確実に除去する。 - 特許庁

By positive charges due to the holes thus converged, electrolytic polishing, i.e., selective etching proceeds in this portion.例文帳に追加

このようにして集まったホールによる正電荷によって、この部分でシリコンの電解研磨すなわち選択的なエッチングが進行する。 - 特許庁

In a semiconductor device manufacturing process, a connection hole 6 is provided to an interlayer film 5 by selective etching fill a stopper film 4.例文帳に追加

半導体装置製造プロセスでは、層間膜５を選択的にエッチングしてストッパ膜４に達する接続孔６を開口する。 - 特許庁

To obtain a selective cleaning composition for removing residues such as photoresist, etching residue, etc., and to provide a cleaning method.例文帳に追加

フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon-on-nothing (SON) MOSFET using selective etching of a Si_1-xGe_x layer.例文帳に追加

Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の選択的エッチングを用いるシリコンオンナッシング（ＳＯＮ）ＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

The vias may be formed by, for example, etching, ion implantation, or selective growth of the layer of second conductivity type.例文帳に追加

これらのヴィアは、例えば、エッチング、イオン注入、又は、第２導電型層の選択的な成長によって形成することができる。 - 特許庁

Thereby, it is possible to cause crystallization of carbon and selective etching effect according to the reaching speed.例文帳に追加

これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。 - 特許庁

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。 - 特許庁

A sublithographic feature 135a is formed in the vicinity of at least one intereconnection by performing etching on the insulating layer through the sublithographic template mask using a selective etching step.例文帳に追加

選択的なエッチング・ステップを用いて、サブ・リソグラフィ・テンプレート・マスクを介して絶縁層をエッチングして、少なくとも１つの相互接続の付近にサブ・リソグラフィ・フィーチャ１３５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method using less fluorine gas, while selective etching is performed, without the use of fluorine gas of high GWP.例文帳に追加

フッ素系ガスの使用量の低減を図ることが出来るとともに、ＧＷＰの高いフッ素系ガスを用いずとも選択エッチングを行うことが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁