「Si substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).例文帳に追加

グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁

POLISHING METHOD OF Si SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

Ｓｉ基板表面の研磨方法 - 特許庁

An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加

結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁

Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加

また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

Each constituting element is prepared on one Si substrate.例文帳に追加

以上の各構成要素は１枚のSi基板上に作成されている。 - 特許庁

To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching.例文帳に追加

Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。 - 特許庁

An LD 1 is fixed to an Si substrate 3 and 3 the Si substrate 3 is fixed to a frame 6.例文帳に追加

ＬＤ１をＳｉ基板３に固定し、このＳｉ基板３をフレーム６に固定する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED SI-SOI SUBSTRATE例文帳に追加

歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁

The substrate is preferably one or more kinds selected form a Si-substrate, a SiO_2/Si substrate and a quartz glass substrate.例文帳に追加

基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY例文帳に追加

Ｓｉ系結晶の成長方法、Ｓｉ系結晶、Ｓｉ系結晶基板及び太陽電池 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

The InP substrate may be an n-InP or SI-InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板はｎ−ＩｎＰでもＳＩ−ＩｎＰでもよい。 - 特許庁

The substrate 7 includes at least the Si layer 21, the SiO_2 layer 22, and a photoresist mask 24.例文帳に追加

基板７はSi層２１、SiO_2層２２、フォトレジストマスク２４を少なくとも備える。 - 特許庁

CRYSTALLINE Si LAYER CONTAINING SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CRYSTALLINE Si DEVICE USING CRYSTALLINE Si LAYER-CONTAINING SUBSTRATE例文帳に追加

結晶性Ｓｉ層含有基板及びその製造方法、並びに結晶性Ｓｉ層含有基板を用いた結晶性Ｓｉデバイス - 特許庁

METHOD FOR FORMING MONOMOLECULAR FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への単分子膜の形成方法 - 特許庁

Alternatively, an Si-rich SiN-based protective film is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。 - 特許庁

First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.例文帳に追加

まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING STRAINED Si-SOI SUBSTRATE AND STRAINED Si-SOI SUBSTRATE PRODUCED BY THAT METHOD例文帳に追加

歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板の製造方法および該方法により製造された歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAIN SI-SOI SUBSTRATE AND STRAIN SI-SOI SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板の製造方法及び該方法により製造された歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

Next, the support for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the trench h is filled and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基材１上で支持する支持体を、トレンチｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基材１上に形成する。 - 特許庁

Then, a support 7' for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the hole (h) is buried and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７´を、穴ｈが埋め込まれ且つ当該Ｓｉ層５が覆われるようにして該Ｓｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

Owing to this, a hollow part is formed between the Si substrate and the Si layer 13.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

Thus the surface of the Si substrate 10, facing the etching system 102, is etched, and the thickness of the substrate 10 becomes smaller from its central part 10c (Fig. c).例文帳に追加

こうして、Si基板１０のエッチング系統１０２に面した側がエッチングされ、中央部付近１０ｃからSi基板１０は薄くなっていく(c)。 - 特許庁

Fe is deposited through a sputtering method on an Si substrate 1 heated up to a temperature of 1,000°C, Si contained in the Si substrate is made to react with Fe to form an α-FeSi2 layer 17 on the Si substrate 1.例文帳に追加

１１００℃に加熱したｎ型のＳｉ基板１上に、スパッタ法によりＦｅを堆積し、Ｓｉ基板１のＳｉとＦｅとを反応させて、Ｓｉ基板上にα−ＦｅＳｉ_2層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a joining method between an insulating body and an Si substrate of different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加

熱膨張係数の異なる絶縁体とSi基板との接合方法を提供する。 - 特許庁

To form a strain Si film on a semiconductor substrate with high producibility efficiency and at a low cost.例文帳に追加

半導体基板上に歪Si膜を生産効率よく低コストで形成すること。 - 特許庁

Subsequently, an Si thin film 39 is grown epitaxially at the exposed part of the Si substrate 31.例文帳に追加

そして、Ｓi基板３１の露出部分にＳi細線３９をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A hole h for exposing the Si substrate 1 is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3, and a support 7 for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 to cover the Si layer 5 while filling the hole h.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成し、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７を、穴ｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

To suppress reduction of a resistance value of an Si substrate when growing AlN and GaN on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。 - 特許庁

An Si substrate 12 having a hollow part 17 is arranged.例文帳に追加

空洞部１７を有するＳｉ基板１２を設ける。 - 特許庁

HEAT TREATMENT METHOD FOR GaN-BASED DEVICE ON Si SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＮ系デバイスの熱処理方法 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator includes an Si substrate 12.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１０はＳｉ基板１２を含む。 - 特許庁

The piezoelectric resonator 10 includes a {100} Si substrate 12.例文帳に追加

圧電共振子１０は｛１００｝Ｓｉ基板１２を含む。 - 特許庁

In this state, the temperature of the Si substrate 2 is kept at about 1000°C, and Mg is doped into the Si substrate 2.例文帳に追加

この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。 - 特許庁