「Single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The inter-layer insulating film 132 and capacitor insulating film 142 can be formed of a single insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜１３２とキャパシタ絶縁膜１４２とを単一の絶縁膜から形成することも可能である。 - 特許庁

The base body 2 is constituted of a substrate 11, and an epitaxial layer 12 which both consist of an N-type single crystal silicon film.例文帳に追加

基体２は、ともにｎ型単結晶シリコンからなる基板１１とエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

A part in which the impurity of the single crystal semiconductor layer is not introduced is used for an emitter area 11.例文帳に追加

前記単結晶半導体層の不純物が導入されない部分をｎ型のエミッタ領域１１とする。 - 特許庁

To provide a single-layer injection molded product having excellent falling-impact resistance, transferability of a metal mold, recyclability, etc.例文帳に追加

耐落下衝撃性、金型の転写性、リサイクル性等に優れた単層射出成形品を提供すること。 - 特許庁

The conductive endless belt consists of a single layer principally comprising thermoplastic resin and has the back surface formed roughly more than the surface.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を主成分とする単一の層からなり、裏面が、表面よりも粗く形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer of silicon single crystal formed on a buried oxide film 11 is constituted as a body.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１１上に形成されたシリコン単結晶の半導体層をボディーとして構成されている。 - 特許庁

To provide a decorative sheet having a sufficient antifouling property without generating a pinhole in a single OP(overprint) layer.例文帳に追加

単一層のＯＰ（オーバープリント）層で、ピンホールが生じず十分な防汚性を有する化粧紙を提供する。 - 特許庁

Lastly, the abrasive grains 2a are regularly fixed by electrolytic plating to provide the single layer fixed abrasive grain wire saw.例文帳に追加

最後に、電解めっきにより砥粒２ａを本固着させることにより、単層固定砥粒ワイヤーソーを得る。 - 特許庁

A gate eletrode 12 is formed on the main front surface of the single crystal silicon layer through a gate insulating film 11.例文帳に追加

ゲート電極１２は単結晶シリコン層の主表面上にゲート絶縁膜１１を介して形成されている。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

The load supporting layer 2 comprises a number of single wood members laminated to form a prescribed cross sectional area.例文帳に追加

荷重支持層２は、木材単材５をその断面積となるよう多数の単材を集成してなるものである。 - 特許庁

Further, the nanowire includes a single-crystal nanowire core covered with an amorphous layer having a thickness of less than 10 Å.例文帳に追加

さらに、ナノワイヤは１０Å未満の厚さを有するアモルファス層で覆われた単結晶ナノワイヤコアを備える。 - 特許庁

The single layer part 12a is inserted into a through anchor 6 and connected to a retractor 7 so as to be rewound or drawn out freely.例文帳に追加

単層部１２ａはスルーアンカ６に挿通され、リトラクタ７に巻取り及び引出し可能に連結されている。 - 特許庁

To simplify manufacturing processes of an optical recording medium by conducting recording for more layers with a single recording layer.例文帳に追加

１つの記録層により多くの層の記録を行って、光記録媒体の製造工程を簡略化可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced.例文帳に追加

単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wrapping film for household, having both of excellent adhesive sealing properties, and easily drawn out properties by a single layer.例文帳に追加

単一層で優れた密着シール性と引き出し容易性を両立したハウスホールド用ラッピングフィルムの提供。 - 特許庁

This enables a large-sized display panel and the like to be manufactured regardless of the size of a manufacturable single crystal silicon layer.例文帳に追加

これにより、製造可能な単結晶シリコン層のサイズに関係なく大型のディスプレイパネルなどを製造できる。 - 特許庁

Each of windings 37, 47 are wound around circumferences of cylindrical bodies 33, 43 of bobbins 32, 42 in a single layer.例文帳に追加

巻線３７，４７の各々は、ボビン３２，４２の筒状胴部３３，４３の外周に単層巻きされている。 - 特許庁

In the common mode choke coil 31, a winding 36 is densely wound in a single layer on the outer periphery of the cylindrical body 33 of a bobbin 32.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル31において、巻線36はボビン32の筒状胴部33の外周に単層密巻きされている。 - 特許庁

To provide a refining method for obtaining a single layer carbon nanotube having high purity by removing a metallic catalyst.例文帳に追加

金属触媒を除去して高純度の単層カーボンナノチューブを得ることができる精製方法を提供する。 - 特許庁

To grow a II-VI compound semiconductor single crystal layer of the high completeness of its crystallizability on a ZnTe substrate.例文帳に追加

ＺｎＴｅ基板上に結晶性の完全性高いII-VI族化合物半導体単結晶を成長する。 - 特許庁

A diaphragm 4 is formed by etching a prescribed amount of a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 3.例文帳に追加

ｎ型単結晶Ｓｉ層３の感圧領域を所定の量だけエッチングしてダイアフラム４を形成する。 - 特許庁

The gas barrier layer is formed at one stretch by low temperature sputtering to a bundle formed by stacking a plurality of single cells.例文帳に追加

このガスバリア層は複数の単個セルを積み重ねた束にたいし低温スパッターで一気に形成される。 - 特許庁

To provide a single-layer container made from polyethylene terephthalate, which has excellent oxygen barrier properties and wherein a volatile constituent quantity is made small.例文帳に追加

酸素バリア性に優れ、かつ揮発成分量が少ないポリエチレンテレフタレート製単層容器を提供すること。 - 特許庁

SINGLE OR MULTI-LAYER PRINTED CIRCUIT BOARD WITH RECESSED OR EXTENDED BREAKAWAY TABS, AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

窪んだかまたは広がったブレイクアウェイタブを有する単層または多層のプリント回路基板およびその製造方法 - 特許庁

To produce a positive charge type single-layer electrophotographic photoreceptor including a 1, 3, 5-triazine derivative as an electron transport material.例文帳に追加

１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体を作製する。 - 特許庁

The stator winding for a slotless motor is formed by turning magnet wire 22 onto a single layer coil 24.例文帳に追加

スロットレスモータのための固定子巻線は、マグネットワイヤ２２を単一層コイル２４へと巻くことにより形成される。 - 特許庁

The electron emission element has layers, preferably a single layer, of the microbodies (C) formed on an electron emission electrode.例文帳に追加

また、この微小体（Ｃ）の層を、好ましくは単層に、電子放出電極上に形成した電子放出素子。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ELECTRODE LAYER FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

単結晶半導体基板の表面処理方法、および単結晶半導体基板の電極層形成方法 - 特許庁

Afterwards, the MISFET is formed on the silicon layer 3, and a bipolar transistor is formed on the single crystal silicon film 8.例文帳に追加

その後、シリコン層３にＭＩＳＦＥＴを形成し、さらに単結晶シリコン膜８にバイポーラトランジスタを形成する。 - 特許庁

The multilayer pad 104 is formed on the I/O buffer 102 and provided separately from the single layer pad 103.例文帳に追加

多層パッド１０４は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成され、単層パッド１０３と分離して設けられている。 - 特許庁

To form a semiconductor element having good ohmic electrode on a p type ZnO single crystal layer.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ系単結晶層に対して良好なオーミック電極を有する半導体素子を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an epitaxial layer 7 is formed on a P type single-crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にエピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

A fukusa is made with silk or crepe in single or double layer and either plain or with embroidery of good omens. 例文帳に追加

絹、ちりめんなどで一重または表裏二重に作り、無地や吉祥柄などの刺繍を施したもの。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Mainframes use a software layer known as a hypervisor to let a single processor run multiple operating systems. 例文帳に追加

メインフレームはハイパーバイザとして知られるソフトウェア層を使って、単一のプロセッサで複数のOSを走らせるようにする。 - コンピューター用語辞典

The single layer part 12a is inserted through the through anchor 6 and connected to the rectractor 7 so as to be wound and pulled out.例文帳に追加

単層部１２ａはスルーアンカ６に挿通され、リトラクタ７に巻取り及び引出し可能に連結されている。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD, ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE AND PROCESS CARTRIDGE FOR ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - 特許庁

A roller 40 which presses the rope 30 is provided so that the rope 30 can be wound and arrayed around the drum in a single layer.例文帳に追加

ドラム20にロープ30を一層に巻回でき、かつ整列巻きできるよう、ロープ30を押さえるローラ40を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large area thin film on which nano-particles are regularly arranged in a single layer.例文帳に追加

ナノ粒子が単層で規則性をもって配列した大面積の薄膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To make a double glazing glass from an existing single layer glass window by a relatively simple work such as attaching a board to the glass.例文帳に追加

複層用板の取り付けという比較的簡単な作業により、既存の単層ガラス窓を複層化する。 - 特許庁

The element 16 has a seamless porous single layer structure of which the porocity is 40-60%.例文帳に追加

エレメント１６は、継ぎ目のない多孔質単層構造となっており、空隙率が４０〜６０％に形成されている。 - 特許庁

In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。 - 特許庁

This epitaxial silicon single crystal wafer is obtained according to the following procedure: a nitrogen-doped silicon single crystal rod is grown by Czochralski method and then sliced into silicon single crystal wafers, and an epitaxial layer is formed on the surface layer of each of the above silicon single crystal wafers.例文帳に追加

エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。 - 特許庁

Through the buffer layer, a second single crystal semiconductor substrate is adhered to a first single crystal semiconductor substrate, the second single crystal semiconductor substrate is bonded to the first one, the first single crystal semiconductor substrate is heated to crack the damaged region, and one portion of the first single crystal semiconductor substrate is separated from the first single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

バッファ層を介して、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板を密着させ、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第１の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第１の単結晶半導体基板の一部を第１の単結晶半導体基板から分離する。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁