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X-rays diffraction methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 22件
METHOD AND APPARATUS FOR HIGHLY ACCURATE X-RAY DIFFRACTION USING LOW-PHOTON-DENSITY X-RAYS例文帳に追加
低フォトン密度X線を使用する高精度X線回折方法及び装置 - 特許庁
To provide a transmission type X-ray diffraction device capable of excluding an effect of scattered X rays in an incident part to the utmost to detect the diffracted X rays generated in a sample, and an X-ray diffraction method.例文帳に追加
入射部での散乱X線の影響を極力排して試料で生じた回折X線を検出できる透過型のX線回折装置とX線回折方法とを提供する。 - 特許庁
SAMPLE HOLDER FOR MEASURING DIFFRACTION OF OBLIQUELY EMITTED X-RAYS AND APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING DIFFRACTION OF OBLIQUELY EMITTED X-RAYS USING THE SAME例文帳に追加
斜出射X線回折測定用試料ホルダ及びこれを用いた斜出射X線回折測定装置、並びに、これを用いた斜出射X線回折測定方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING DIFFRACTION OF OBLIQUELY EMITTED X-RAYS例文帳に追加
斜出射X線回折測定装置及びこれを用いた斜出射X線回折測定方法 - 特許庁
To calibrate the intensity of X-rays with high accuracy for a short time in quantitative analysis by an X-ray diffraction method using a monochromator.例文帳に追加
モノクロメータを用いたX線回折法での定量分析において、短時間で高精度なX線強度の較正を実現する。 - 特許庁
In the method, triaxial stress components are measured on the basis of a diffraction ring obtained by irradiating a specimen with X rays.例文帳に追加
被検物にX線を照射して得られる回折環に基いて3軸応力を測定する方法である。 - 特許庁
To provide a sample position adjusting device, capable of detecting the diffraction peaks of radiation, such as X rays, neutron beams, etc. with high accuracy in short time, a radiation diffraction device and a radiation diffraction method.例文帳に追加
X線及び中性子線等の放射線の回折ピークを高精度且つ短時間で検出可能とする試料位置調整装置、放射線回折装置及び放射線回折法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and device for preventing a water-containing crystal from drying to appropriately freeze a sample during diffraction measurement by X-rays etc.例文帳に追加
本発明は、X線等による回折測定時の含水結晶の乾燥を防ぎ、適切な試料凍結を行う方法及びそのための装置の提供を目的とする。 - 特許庁
This optical lever method allows the Young's modulus to be measured with the laser beam without deforming the measuring object because measurement is performed with X-rays in the in-plane X-ray diffraction method.例文帳に追加
光てこ方式ではレーザ光によって、in-planeX線回折法ではX線によって測定を行うため被測定物を変形させることなくヤング率Εを測定することができる。 - 特許庁
In the sample fixing method of X-ray diffraction measurement, a sample is pasted to one surface of a base having a hollow exceeding an X-ray irradiation area for irradiating the sample with X rays from a target and capturing and counting diffracted X rays from the sample.例文帳に追加
X線回折測定における試料固定方法は、ターゲットからX線を試料に照射し、試料からの回折されたX線を捕捉して計数するために、X線照射面積を越える中空を有する土台の片面に試料を貼るものである。 - 特許庁
The method for X-ray analysis of the sample includes directing of a beam of X-rays to impinge on an area of the periodic feature on the surface of the sample, and receiving the X-rays scattered from the surface in a reflection mode so as to detect a diffraction spectrum in the scattered X-rays as a function of the azimuth.例文帳に追加
試料をX線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにX線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱X線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したX線を受け取ることを含む。 - 特許庁
To provide a method of measuring lattice constants, which can correctly and easily discriminate between the intensity peak of diffraction X-rays from a semiconductor substrate and the intensity peak of diffraction X-rays from a cladding layer, and which prevents the lattice constant of the semiconductor substrate and the lattice constant of the cladding layer from being changed wrongly.例文帳に追加
半導体基板からの回折X線の強度のピークとクラッド層からの回折X線の強度のピークとを、正しくかつ容易に識別することができ、半導体基板の格子定数とクラッド層の格子定数とを取り違えない格子定数の測定方法を提供することである。 - 特許庁
This X-ray diffraction measuring method is provided for measuring X-ray diffraction by transmitting incident X-rays through a sample 48 in a direction almost along a predetermined rotation axis Zs while rotating the sample 48 around the rotation axis Zs.例文帳に追加
本発明のX線回折測定方法は、所定の回転軸線Zsまわりに試料48を回転させながらこの回転軸線Zsに略沿った方向の入射X線を試料48に透過させることにより、X線回折が測定される。 - 特許庁
A method for analysis includes: a step of directing a converging beam 30 of X-rays 26 toward a surface of a sample 22 having an epitaxial layer formed thereon; and a step of sensing the X-rays that are diffracted from the sample while resolving the sensed X-rays as a function of angle so as to generate a diffraction spectrum including a diffraction peak and fringe spectrum due to the epitaxial layer.例文帳に追加
X線26の集束するビーム30を、エピタキシャル層がその上に形成されたサンプル22の表面に配向するステップと、1つの回折ピークとエピタキシャル層に起因する周辺スペクトルを有する回折スペクトルを生成するため、サンプルから回折されたX線を検知し、同時に、検知されたX線を角度の関数として解析するステップと、からなる分析方法。 - 特許庁
To provide an apparatus for correcting deviation of an irradiation position and precisely measuring strain through diffraction, when a position irradiated with electromagnetic waves is deformed by the movement and deformation of an object to be measured, during measurement in measurement of strain by a diffraction method of electromagnetic waves, such as X-rays.例文帳に追加
X線など電磁波の回折法によるひずみ測定において、測定中に被測定物の移動や変形により電磁波照射位置が変化した場合に、照射位置のずれを補正し、回折によるひずみ測定を精度良くする装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus which enable measuring of the adhesion of an alloy phase in a plated layer with a higher accuracy against any change in the distance between a diffraction position of X rays and a detection system as caused by the vibration of a steel plate.例文帳に追加
鋼板の振動によりX線の回折位置と検出系との距離が変動するような場合に、めっき層中の合金相の付着量を精度よく測定する測定装置および方法の提供。 - 特許庁
To reduce with superior reproducibility in-plane uniformity of a TaN film to be used as a barrier layer of a semiconductor element by a method wherein the peak intensity in a specified direction measured by an X rays diffraction method is specified on the surface of a sputtering target composed of high pure TaN.例文帳に追加
Cu配線のバリア層などとして用いられるTaN膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなTaN膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁
To provide a method that readily obtains the distribution of crystal nonuniform structure of a measuring sample, using a speckle diffraction light generated by irradiating a crystalline measuring sample with coherent X-rays.例文帳に追加
コヒーレント性を有するX線を、結晶性のある測定試料に照射することによって得られるスペックル状の回折光を用いて、該測定試料の結晶の不均一構造の分布を、容易に得ることができる方法を提供する。 - 特許庁
In the method for measuring the structure of the silicon surface, soft X-rays are made incident onto a wafer surface under condition of total reflection, and intervals between peaks in the intensity of diffraction (especially the interval between a maximum peak and the following peak) are measured to identify a step width.例文帳に追加
シリコン表面構造を計測する方法において、軟X線をウェーハ表面に全反射条件で入射し、回折強度のピーク間隔(とくに最大ピークとその次のピークとの間隔)を測定することによりステップ幅を同定する。 - 特許庁
An X-ray residual stress measuring method, which comprises a means for depositing a metal film of a known X-ray diffraction angle over a surface of a measured object, and a means for measuring a residual stress by irradiating the measured object surface with X rays, executes the X-ray residual stress measurement as holding the metal film deposit over the measured object surface.例文帳に追加
測定対象物の表面にX線回折角度が既知の金属の膜を付着させる手段と、測定対象物表面にX線を照射して残留応力を測定する手段とからなるX線残留応力測定方法において、測定対象物表面に金属膜を付着させた状態でX線により残留応力測定することを特徴とするX線残留応力測定方法。 - 特許庁
The electrostatic charge image developing toner used in an image forming method in which an electrostatic charge image formed on a photoreceptor containing oxy-titanium phthalocyanine having the maximum diffraction peak at 27.3° Bragg angle (2θ±0.2°) in its X-ray diffraction spectrum with CuKα rays is developed with toner, contains a calix arene compound of formula (1).例文帳に追加
CuKα線によるX線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2°)27.3°に最大回折ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンを含有する感光体上に形成された静電荷像をトナーにより現像する画像形成方法に用いられるトナーであって、該トナーが下記構造式(1)で表されるカリックスアレン化合物を含有する静電荷像現像用トナー。 - 特許庁
The internal stress measuring method, which is for a molding using an epoxy resin composition including no inorganic fillers with a crystal structure, and sealing in a crystal, computes an internal stress acting on the crystal in the molding from a difference between diffraction angles obtained when the crystal is irradiated with X rays before and after the sealing.例文帳に追加
結晶構造を有する無機充填材を含まないエポキシ樹脂組成物を用い、結晶体を封止してなる成形品の内部応力の測定方法において、X線を封止前後の結晶体に照射して得られる回折角の差から成形品内の結晶体に作用する内部応力を算出することを特徴とする内部応力の測定方法。 - 特許庁
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