「YN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

clip-rectangles x1,y1,x2,y2 [...,xn,yn] Sets a list of rectangles to the clip mask.例文帳に追加

clip-rectangles x1,y1,x2,y2 [.,xn,yn]マスクでクリップを行う矩形のリストを設定する。 - XFree86

draw-points x1,y1 [...,xn,yn] Draws a list of points at the specified coordinates.Example: 例文帳に追加

draw-points x1,y1 [.,xn,yn]複数個の点を指定された座標に描画する。 - XFree86

Then, d'n+3=Yn+3+α.(Yn+2+Yn+4) is calculated (S2905) and d'n+3 is stored into the array H1 (S2907).例文帳に追加

そして、ｄ’n+3＝Ｙn+3＋α・（Ｙn+2＋Ｙn+4）を演算し（Ｓ２９０５）、ｄ’n+3を配列Ｈ１に格納する（Ｓ２９０７）。 - 特許庁

fill-polygon x1,y1 [...,xn,yn] Like draw-lines, but fills the enclosed polygon and joins the first and last point, if they are not at the same position.Example:例文帳に追加

fill-polygon x1,y1 [.,xn,yn]draw-lines と似ているが、閉じた多角形を塗りつぶす点が異なる。 - XFree86

Then, on the basis of the coordinates yn, a mask table is referred to.例文帳に追加

そして、座標ｙnに基づいてマスクテーブルを参照する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING AlxGayIn1-x-yN CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶の製造方法 - 特許庁

The scanning drive part 223 drives scanning electrodes Y1-Yn.例文帳に追加

走査駆動部２２３は、走査電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動する。 - 特許庁

Then, the composite value computing part 61 computes the difference ΔX (=Xn-Xn-1), ΔY (=Yn-Yn-1), and ΔZ (=Zn-Zn-1) between the acceleration values Xn, Yn and Zn sampled by the sampling part 60 and the acceleration values Xn-1, Yn-1 and Zn-1 of the last time.例文帳に追加

その後、合成値算出部６１は、サンプリング部６０でサンプリングされた各加速度Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎと前回の各加速度Ｘｎ−１，Ｙｎ−１，Ｚｎ−１との差分ΔＸ（＝Ｘｎ−Ｘｎ−１），ΔＹ（＝Ｙｎ−Ｙｎ−１），ΔＺ（＝Ｚｎ−Ｚｎ−１）を算出する。 - 特許庁

In a method of filtering, image data Yn+2, Yn+3 and Yn+4 to be processed are read out (S 2901), three grid points data d'n+1, S'n, and dn-1 are read out from arrays H1, H2 and H3 equivalent to line buffers storing each of these date (S 2903).例文帳に追加

処理する画像データＹn+2，Ｙn+3，Ｙn+4を読み出し（Ｓ２９０１）、３つの格子点データｄ’n+1，Ｓ’n、ｄn-1の夫々を格納する、ラインバッファに相当する配列Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３から読み出す（Ｓ２９０３）。 - 特許庁

In any case, addition 34 is conducted alternately for 1st and 2nd output samples Yn-1, Yn-2 and adder circuits 30; 72; 215; 320 of same precision may be used to add signal inputs xn and signal outputs yn.例文帳に追加

どちらの場合も加算（３４）は第１および第２の出力サンプル値（ｙ_n-1，ｙ_n-2）について交互に行い、信号入力（ｘ__n）および信号出力（ｙ_n）と同じ精度の加算回路（３０；７２；２１５；３２０）で加算を行ってよい。 - 特許庁

All the scanning lines Y1-Yn are selected respectively twice each in this one circuit.例文帳に追加

この１順で全ての走査線Ｙ１〜Ｙｎがそれぞれ２回ずつ選択される。 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is disposed on the Al_YGa_1-YN epitaxial layer 15.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。 - 特許庁

AlxGayIn1-x-yN CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

A Y-coordinate of front end operating surface 59 of the cutting tool 30 at the contact position is fixed as Yn.例文帳に追加

接触した位置での刃具３０の先端作用面５９のＹ座標が（Ｙｎ）と定まる。 - 特許庁

A plasma display panel 100 includes first electrodes Y1 to Yn and second electrodes Z1 to Zn.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル１００は、第１電極Ｙ１〜Ｙｎ及び第２電極Ｚ１〜Ｚｎを含む。 - 特許庁

For another way, when an AlxInyGa1-x-yN layer (x>0) is used, the layer can be used in the undoped state.例文帳に追加

あるいはまた、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（ｘ＞０）を使用する場合、その層はアンドープでよい。 - 特許庁

The light-emitting layer can be characterized by, for example, In_xGa_1-xN, Al_xGa_1-xN, or In_xAl_yGa_1-x-yN.例文帳に追加

発光層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ、又はＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮとすることができる。 - 特許庁

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

Thereafter, the controller reads an ordinate Yn of a point R on the broken line G corresponding to an abscissa Xn of the input electric current and outputs it to a proportional electromagnet as the output electric current Yn.例文帳に追加

そして、コントローラ２０は、入力電流の横座標Ｘｎに対応する折れ線Ｇ上の点Ｒの縦座標Ｙｎを読んで、それを出力電流Ｙｎとして、比例電磁石３に出力する。 - 特許庁

AlxXGayIn1-x-yN SUBSTRATE AND CLEANING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ基板とＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ基板の洗浄方法 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor is expressed by formula: Al_xIn_yGa_1-x-yN(where, 0≤x+y≤1).例文帳に追加

窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。 - 特許庁

To provide an Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate which is large and has a suitable dislocation density as a substrate for a semiconductor device, a semiconductor device containing the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体デバイスの基板として大型で好適な転位密度を有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板、そのＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板を含む半導体デバイスおよびその製造方法を提案する。 - 特許庁

Then, the DAC value Xn is turned back to the prescribed value X0 (S105), and the DAC value Xn is reduced by a fixed value till the equation Yn-Y0≥B is satisfied while the jitter value Yn is measured every time the reduction is made (S106, S107 and S108).例文帳に追加

次に、ＤＡＣ値Ｘｎを所定値Ｘ０に戻し（Ｓ１０５）、Ｙｎ−Ｙ０≧Ｂとなるまで、ＤＡＣ値Ｘｎを一定値ずつ減少させ、その都度、ジッター値Ｙｎを測定する（Ｓ１０６、Ｓ１０７、Ｓ１０８）。 - 特許庁

A 2DEG 38 is formed on the interface of the GaN buffer layer 26 and the Al_yGa_1-yN layer 28.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層２６とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８との間の界面に２ＤＥＧ３８が形成されている。 - 特許庁

Inclination angle data θx and θy corresponding to the positional data Xn and Yn are stored in a storage means 21.例文帳に追加

記憶手段２１には、位置データＸｎ，Ｙｎに対応する傾斜角度データθｘ，θｙが記憶されている。 - 特許庁

The n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11 is exposed by etching, or the like, to form an N electrode 30.例文帳に追加

この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。 - 特許庁

The planned supply amounts Yn and Zn are calculated by changing the distribution ratio αn successively, income index is calculated, and the planned supply amounts Yn and Zn with the distribution ratio of αn providing the maximum income index are set as planned values.例文帳に追加

分配比αｎを逐次変更して供給計画量Ｙｎ，Ｚｎを計算すると共にその際の収益指標を計算し、収益指標が最大となる分配比αｎの供給計画量Ｙｎ，Ｚｎを計画値とする。 - 特許庁

The pixel electrode PE overlaid on the scanning line Yn at the nth row is electrically connected to TFT 14 which is connected to the scanning line Yn+1 at the (n+1)th row and forms the same pixel PX along with the TFT.例文帳に追加

ｎ行目の走査線Ｙｎに重ねられた画素電極ＰＥは、ｎ＋１行目の走査線Ｙｎ＋１に接続されたＴＦＴ１４に電気的に接続され、上記ＴＦＴとともに同一の画素ＰＸを形成している。 - 特許庁

Since an influence of an electric field from an address electrode Am on an electric field generated between the electrodes Xn, Yn is small, it is possible to form a surface discharge DC2 even if a voltage to be applied between the electrodes Xn, Yn is reduced.例文帳に追加

その分、アドレス電極Ａｍからの電界が電極Ｘｎ，Ｙｎ間の電界に及ぼす影響が小さいので、電極Ｘｎ，Ｙｎ間に印加する電圧を低減しても、面放電ＤＣ２を起こすことができる。 - 特許庁

According to the difference (Δ2-Δ1), the Al composition of Al_ZGa_1-ZN having distortion capable of growing on Al_YGa_1-YN having distortion can be increased, and the difference of the Al composition between Al_YGa_1-YN and Al_ZGa_1-ZN can be set at 0.5 or more.例文帳に追加

差分（△２−△１）に応じて、歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ上に成長可能な歪んだＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮのＡｌ組成を増加でき、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮとＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮのＡｌ組成差を０．５以上にできる。 - 特許庁

Denoting the Y-directional position of a base point (Bn) of each prism (Qn) of the prism array (100) as Yn and the X-directional position as Xn, Yn is on a curved line (shown by the dashed line in the figure) of a nonlinear function Y=f(X).例文帳に追加

プリズムアレイ（１００）の各プリズム（Ｑｎ）の谷底点（Ｂｎ）のＹ方向の位置をＹｎ、Ｘ方向の位置をＸｎとすると、ＹｎはＹ＝ｆ（Ｘ）の非線型関数の曲線（図中一点鎖線で示す）の上にある。 - 特許庁

An Al_YGa_1-YN epitaxial layer 15 has full width at half maximum of (0002) face XRD with 150 sec or below.例文帳に追加

Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５は、１５０ｓｅｃ以下である（０００２）面ＸＲＤの半値全幅を有する。 - 特許庁

A scanning line driving circuit 3 selects a scanning line Y by outputting a scanning signal to the scanning lines Y1 to Yn.例文帳に追加

走査線駆動回路３は、走査線Ｙ1〜Ｙnに走査信号を出力することにより、走査線Ｙを選択する。 - 特許庁

The three-dimensional coordinate values (Xn, Yn, Zn) of an indicator's position to be periodically detected are serially stored (step S103).例文帳に追加

周期的に検出される指示具の位置の３次元座標値（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎ）を逐次記憶する（ステップＳ１０３）。 - 特許庁

The equalization error detector 12 calculates an equalization error from a target equalization level and the equalized waveform sample Yn.例文帳に追加

等化誤差検出器12は、等化目標レベルと等化後波形サンプルから等化誤差検出器12で等化誤差を算出する。 - 特許庁

A GaN epitaxial layer 17 is arranged between a gallium nitride support substrate and the Al_YGa_1-YN epitaxial layer (0<Y≤1).例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層１７は、窒化ガリウム支持基体とＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層（０＜Ｙ≦１）との間に設けられる。 - 特許庁

In another embodiment, The light-emitting semiconductor device includes the group III nitride light-emitting layer, In_xAl_yGa_1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), and a spacer layer disposed between the light-emitting layer and the In_xAl_yGa_1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明の別の態様において、発光半導体デバイスは、ＩＩＩ族窒化物発光層と、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）と、該発光層と該Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ層との間に置かれるスペーサ層とを含む。 - 特許庁

A lattice constant d (13) of Al_YGa_1-YN of the first semiconductor layer 13 having distortion has an intermediate value between a lattice constant d0 (13) inherent to Al_YGa_1-YN having no distortion and a lattice constant d (21) of Al_XGa_1-XN.例文帳に追加

第１の半導体層１３の歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮの格子定数ｄ（１３）は、無歪みのＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮに固有の格子定数ｄ０（１３）とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの格子定数ｄ（２１）との間の中間値を有する。 - 特許庁

A photon detectable wavelength area by the array, i.e. a subrange is different in every of the y-directional positions Y1, Yn, YN, and a cell group existing in the each y-directional position, i.e. a subrange cell group can detect photons within the subrange of representative wavelengths λ1, λn, λN.例文帳に追加

アレイ４２による光子検知可能波長域即ちサブレンジはｙ方向位置Ｙ１，Ｙｎ，ＹＮ毎に異なり、各ｙ方向位置に存するセル群即ちサブレンジセル群は代表波長λ１，λｎ，λＮのサブレンジ内の光子を検知できる。 - 特許庁

Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1).例文帳に追加

ガイド層１５，１７はＩｎＧａＮからなり、クラッド層１４，１８は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｘ＋ｙ＜１）からなる。 - 特許庁

The distance between the photographing position (Xm, Ym) of the image Pm being displayed and the current position (Xn, Yn) of the digital camera 10 is displayed.例文帳に追加

表示中の画像Ｐｍの撮影位置（Ｘｍ，Ｙｍ）とデジタルカメラ１０の現在位置（Ｘｎ，Ｙｎ）との距離を表示する。 - 特許庁

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域１２には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yＮ（但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1）で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

A detecting signal generating part 11 applies a pulse signal while successively providing a time difference for lateral electrodes y1, y2...yn.例文帳に追加

検出信号発生部１１は、横方向電極ｙ１、ｙ２、…、ｙｎと順番に時間差を設けてパルス信号を印加する。 - 特許庁

Namely, the scanning lines are selected in order of Y1(s)→Y3(r)→Y2(s)→Y4(r)→Y3(s)→Y5(r)→ to Yn(s)→Y2(r) and a circuit is made.例文帳に追加

すなわち、Ｙ１（ｓ）→Ｙ３（ｒ）→Ｙ２（ｓ）→Ｙ４（ｒ）→Ｙ３（ｓ）→Ｙ５（ｒ）→・・・、Ｙｎ（ｓ）→Ｙ２（ｒ）の順に選択されて１順する。 - 特許庁