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active substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3576件
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された埋込み絶縁膜2と、埋込み絶縁膜2上に形成された活性領域30と、活性領域30の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜4と、活性領域30に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a TFT which is enhanced in transistor characteristics, even if a polycrystalline semiconductor film obtained by making an amorphous semiconductor undergo laser annealing process is used as an active layer, a method of manufacturing an active matrix substrate, and an electro-optic device provided with an active matrix substrate formed by this method.例文帳に追加
非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するTFTの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
The aluminum nitride-metal joint substrate 6 is formed by joining a metallic plate 5 to the treated surface (substrate surface) 4a of the aluminum nitride substrate 4 surface-treated in this way by, for example, an active metal method.例文帳に追加
このようにして表面処理した窒化アルミニウム基板4の処理表面(基板面)4aに金属板5を例えば活性金属法で接合することによって、窒化アルミニウム−金属接合基板6を作製する。 - 特許庁
The active elements are arranged in a region on the substrate except for the region where the movable face of the micro structural body overlaps with the substrate and in the region extended from the above region along the direction where the angle of the movable face varies with respect to the substrate.例文帳に追加
アクティブ素子は、マイクロ構造体の可動面と基板面とが重なる領域と、該可動面が基板に対して角度を変える方向に該領域を延長した領域と以外の基板上に配置される。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate comprising a peripheral circuit part constituted of TFTs wherein a current supplying amount per unit time is increased and capability is enhanced and a pixel part and to attain miniaturization and electric power saving of electronic equipment by using the active matrix substrate.例文帳に追加
単位時間当たりの電流供給量を増大させ、能力の向上を図かったTFTにより構成される周辺回路部及び画素部よりなるアクティブマトリクス基板を提供し、これにより電子機器の小型化、及び省電力化を実現する。 - 特許庁
In the active matrix liquid crystal display element, a scanning electrode 4 and a signal electrode 5 are disposed in a matrix shape, and a liquid crystal is charged between an active matrix array substrate 26 on which thin film transistors 2 are formed at intersection points and a counter substrate.例文帳に追加
走査電極4と信号電極5とがマトリクス状に配置されその交点に薄膜トランジスタ2が形成されたアクティブマトリクスアレイ基板26と対向基板との間に液晶が充填されたアクティブマトリクス型液晶表示素子である。 - 特許庁
On the active matrix substrate 1, both the plurality of scanning signal lines 5 and the plurality of display signal lines 6 have the other ends on the side end of the identical edge of the active matrix substrate 1 and, at the same time, the side end is covered with the insulating coating material 8.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板1は、複数の走査信号線5及び複数の表示信号線6のいずれもがアクティブマトリクス基板1の同一の辺の側端に他端を有すると共に、その側端が絶縁被覆材8で被覆されている。 - 特許庁
The epitaxial film 30 includes a substrate 32, a first conductivity-type clad layer formed on the substrate 32; an active layer 35 formed on the first conductivity-type clad layer; and a second conductivity-type clad layer formed on the active layer 35.例文帳に追加
エピタキシャル膜30は、基板32と、基板32上に形成された第1導電型クラッド層と、第1導電型クラッド層上に形成された活性層35と、活性層35上に形成された第2導電型クラッド層とを備えている。 - 特許庁
An isolation region defining an active region of the bulk body element region of the substrate and defining first sacrificial patterns and first active patterns, which are sequentially stacked on a first element region of the floating body element regions of the substrate is formed.例文帳に追加
バルクボディ素子領域の基板の活性領域を画定するとともに、フローティングボディ素子領域のうち第1素子領域の基板上に順に積層された第1犠牲パターン及び第1活性パターンを画定する素子分離膜を形成する。 - 特許庁
In the active matrix substrate integrated with the color filter, a first electrode layer ITO1 electrically connected to the driving output terminal (1) of an active element TFT is deposited in the pixel region of a first substrate SUB1, and a color filter layer CF having a hole CFH is formed in the pixel region.例文帳に追加
第1基板SUB1の画素領域に、アクティブ素子TFTの駆動出力端子(1)に電気的に接続した第1の電極層ITO1を設け、画素領域内に開孔部CFHを有するカラーフィルタ層CFを形成する。 - 特許庁
An active matrix substrate 450, a photoconductive layer 404 and a protection member 442 are sandwiched and fixed by a support 460 and a fixing member 462 having a smaller linear expansion coefficient than the active matrix substrate 450, the photoconductive layer 404 and the protection member 442 of the radiation detector body 430.例文帳に追加
放射線検出器本体430のアクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442よりも線膨張係数が小さい支持体460及び固定部材462で、アクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442を挟んで固定する。 - 特許庁
One of the wafer 11 for active layer and the wafer 12 for support substrate is made of a silicon wafer having both surfaces polished, and the other of the wafer 11 for active layer and the wafer 12 for support substrate is made of a silicon wafer having one surface polished.例文帳に追加
活性層用ウェーハ11又は支持基板用ウェーハ12のいずれか一方が両面研磨されたシリコンウェーハからなり、活性層用ウェーハ11又は支持基板用ウェーハ12のいずれか他方が片面研磨されたシリコンウェーハからなる。 - 特許庁
In the process for producing the electro-optic panel 1, a rubbing treatment is executed after the position and direction of an active matrix substrate 30 are aligned on the basis of alignment marks 38A, 38B, 38C and 38D for assembly formed on the active matrix substrate 30.例文帳に追加
電気光学パネル1の製造方法において、アクティブマトリクス基板30に形成されている組み立て用のアライメントマーク38A、38B、38C、38Dを基準にして、アクティブマトリクス基板30の位置や向きを合わせてからラビング処理を行う。 - 特許庁
At least one of the first electrode and the second electrode includes electrode active material, combined with a collector substrate and at least a part of the collector substrate, and at least a part of the electrode active material is dispersed in an ionomer binder.例文帳に追加
第1電極および第2電極の少なくとも一方が、集電基板および集電基板の少なくとも一部に結合した電極活性材料とを含み、電極活性材料の少なくとも一部がアイオノマーバインダー中に分散している。 - 特許庁
The semiconductor optical device has a groove at least in a part of a semiconductor substrate or an epitaxial growth layer formed on a semiconductor substrate, and has an active layer and a clad layer formed above and below the active layer inside the groove.例文帳に追加
半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層の少なくとも一部に溝を有し、該溝の内側に活性層と該活性層の上下に形成されたクラッド層を有することを特徴とする半導体光デバイス装置。 - 特許庁
Active material paint 2 is exhausted from each exhaust nozzle 4, stripe-shaped coating patterns between which two or more active material layer forming parts 12 are positioned through an active material noncoated part 13 are simultaneously formed on the both sides of the substrate 1.例文帳に追加
各吐出ノズル4から活物質塗料2を吐出させて、基材1の両面にそれぞれ、複数の活物質層形成部12がこれらの間に活物質未塗工部13を介在して位置するストライプ状の塗工パターンを同時に形成する。 - 特許庁
An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.例文帳に追加
この基板に、活性層5を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層5の表面に異種伝導型の半導体活性層6を形成して、立体的構造を持つPN接合面を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of alkaline battery in which by adding non-ion surface-active agent or an amphoteric surface-active agent in the active material paste of the conductive substrate, the condensation of cobalt hydride or cobalt oxide is separated into the original fine particles and the utilization ratio of the active material is increased.例文帳に追加
導電性基板への活物質ペースト中へ非イオン界面活性剤又は両性界面活性剤を添加することにより水酸化コバルト又は一酸化コバルトの凝集体を基の微細な粒子に分離して活物質の利用率を高めることができるアルカリ蓄電池の電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.例文帳に追加
この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクROM活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁
In the negative electrode plate for the lead storage battery, a material formed by adding and mixing conductive carbon and active carbon to a negative electrode active material is supported by a substrate for current collection, and as the active carbon, the active carbon of 44.5° or less of a gravity point angle of 10 faces by X-ray diffraction is used.例文帳に追加
負極活物質に導電性カーボンと活性炭を添加混合して成るものを集電用基板に支持せしめた鉛蓄電池用負極板において、該活性炭として、X線回折による10面の重心点角度が44.5°以下である活性炭を用いることを特徴とする鉛蓄電池用負極板。 - 特許庁
The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.例文帳に追加
素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるCMOSイメージ素子。 - 特許庁
METHOD OF FORMING PATTERN, DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, ELECTROOPTIC DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加
パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 - 特許庁
To provide an active matrix substrate having a high numerical aperture and also improved contrast.例文帳に追加
高開口率で、かつコントラストが向上したアクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁
An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10.例文帳に追加
基板10上に順次n−SLS層20、活性層22、p−ブロック層24、p−SLS層26を積層する。 - 特許庁
The active matrix type display device includes a substrate, a plurality of video signal lines VL, and a plurality of pixels PX connected to the respective video signal lines.例文帳に追加
基板と、複数の映像信号線VLと、各映像信号線に接続された複数の画素PXと、を備えている。 - 特許庁
The first light emitting element 90 has an active layer 23 on the supporting basic body 17 side of a first sapphire substrate 91.例文帳に追加
第1の発光素子90は、サファイアよりなる第1の基板91の支持基体17側に活性層23を有している。 - 特許庁
In addition, the active region including the first portion, the second portion, and the third portion is limited to the semiconductor substrate.例文帳に追加
また、前記第1部分と、前記第2部分と、前記第3部分とを含む活性領域を半導体基板上に限定する。 - 特許庁
To provide an active energy ray curable coating material composition having excellent scratch resistance, weatherability and adhesion to a substrate.例文帳に追加
良好な耐擦傷性、耐侯性、基材との密着性が両立できる活性エネルギー線硬化性被覆材組成物を提供する。 - 特許庁
A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加
これらの領域間には、p=1(AlN)となっている領域(高Al組成領域123)が設けられている。 - 特許庁
On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子において、半導体基板105は、素子分離膜110により限定された活性領域112を備える。 - 特許庁
A first conductivity type layer 102, an active layer 104 and a p-type clad layer 107 are formed in order on a substrate 101.例文帳に追加
基板101上に第1導電型層102、活性層104及びp型クラッド層107が順次形成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an active matrix substrate capable of forming a pattern with high accuracy, and providing a high productivity.例文帳に追加
高いパターン形成が可能で、かつ生産性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加
基板11にn型半導体層22〜24、活性層25およびp型半導体層26〜28が順次積層されている。 - 特許庁
METHOD FOR PEELING TRANSFERRED LAYER, THIN-FILM DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTROOPTICAL DEVICE例文帳に追加
被転写層の剥離方法、薄膜デバイス装置とその製造方法、アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置 - 特許庁
Active regions 42 and field regions 43 mutually repetitively disposed in a first direction are demarcated on a substrate 40.例文帳に追加
基板40には第1方向へ互いに反復的に配置されるアクティブ領域42とフィールド領域43とが画定される。 - 特許庁
A first semiconductor layer 2, an active layer 4, a second semiconductor layer 6 and a contact layer 7 are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加
基板1上に第一半導体層2、活性層4、第二半導体層6及びコンタクト層7が順次積層されている。 - 特許庁
A gap is formed along an interface between the element isolation insulating film and the semiconductor substrate from a circumference line of the active region.例文帳に追加
活性領域の外周線から、素子分離絶縁膜と半導体基板との界面に沿って隙間が形成されている。 - 特許庁
Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加
C面サファイア基板1上にn型GaN層2、活性層3及びp型GaN層4の各半導体層を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an array substrate of active elements, which can easily restore dot defects caused by the pattern deficit of a pixel electrode.例文帳に追加
画素電極のパターン欠損に起因する点欠陥を容易に修復できるアクティブ素子アレイの製造方法を提供する。 - 特許庁
A plurality of pixels P are placed in arcs on an active matrix substrate 3 according to an arc outside shape of a display panel.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板3において、表示パネルの円弧状の外形形状に応じて、円弧状に複数の絵素Pを設置する。 - 特許庁
In the manufacturing process of an active matrix thin film transistor element substrate, a gate insulation film is formed after a gate electrode is patterned.例文帳に追加
アクティブマトリックス型薄膜トランジスタ素子基板の製造工程において、ゲート電極をパターンニング後、ゲート絶縁膜を成膜する。 - 特許庁
A memory cell region of a NAND flash memory is formed isolated from an active region 3 in a silicon substrate 1 by an STI 2.例文帳に追加
NANDフラッシュメモリのメモリセル領域は、シリコン基板1がSTI2により活性領域3に分離形成されている。 - 特許庁
To provide active agent capable of peeling a resist film with a wide area in substrate processing with multiphase fluid of water vapor and water.例文帳に追加
水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。 - 特許庁
Metal wiring layers 7 are formed via an insulating layer 5 on the active element surface of a semiconductor substrate 3.例文帳に追加
ウエハ1を構成する半導体基板3の能動素子面上に絶縁層5を介してメタル配線層7が形成されている。 - 特許庁
For the active layer 15, the strain amount in c-axis direction to the substrate 12 is larger than that in a-axis direction.例文帳に追加
この単結晶基板12に対する活性層15のc軸方向の歪み量がa軸方向の歪み量に比べて大きい。 - 特許庁
The one liquid type active energy ray-curable coating material composition for a plastic substrate contains specified three kinds of silicon compounds.例文帳に追加
特定の3種類のケイ素化合物を含むプラスチック基材用の一液型活性エネルギー線硬化性塗料組成物である。 - 特許庁
All of the time division multiplex buses connected to the active system substrates 20A1-20An are connected to the standby system substrate 20S as well.例文帳に追加
運用系基板20A1〜20Anに接続される時分割多重バスは、いずれも待機系基板20Sにも接続される。 - 特許庁
METHOD OF FORMING THIN FILM PATTERN, DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTROOPTIC DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加
薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法 - 特許庁
To provide an active matrix substrate, in which a conductive film is prevented from being peeled or shaved off caused by stress at the time of packaging peripheral circuits.例文帳に追加
周辺回路実装時のストレスによる導電膜の剥がれや削り取られを防止するアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁
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