「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

FILM PATTERN FORMATION METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加

膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法 - 特許庁

A reflecting insulating layer is formed covering the transparent electrode layer, and reflects light traveling from the active layer to the support substrate side.例文帳に追加

反射絶縁層が透明電極層を覆って形成され、活性層から支持基板側に向かう光を反射する。 - 特許庁

An underfill resin layer 200 seals the space between the active surface of the semiconductor device 100 and the mounting substrate 10.例文帳に追加

アンダーフィル樹脂層２００は、半導体装置１００の能動面と実装基板１０の間の空間を封止している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a device isolation layer arranged on a predetermined region of a semiconductor substrate to define active regions.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板の所定領域に形成されて活性領域を区画する素子分離膜を有する。 - 特許庁

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, TWO-DIMENSIONAL IMAGE DETECTOR PROVIDED THEREWITH, AND PIXEL DEFECT CORRECTION METHOD OF TWO-DIMENSIONAL IMAGE DETECTOR例文帳に追加

アクティブマトリクス基板及びそれを備えた二次元画像検出器並びに二次元画像検出器の画素欠陥修正方法 - 特許庁

The alignment layer 3, formed on the active matrix substrate 1, is prebacked (at 50°C for 15 minutes) for leveling.例文帳に追加

次に、アクティブマトリクス基板１上に形成された配向膜３をプリベーク（５０℃、１５分間）することにより、レベリングを行う。 - 特許庁

A collector layer 102, a base layer 103, an active layer 105, and an emitter layer 106 are formed on the surface of a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上には、コレクタ層１０２、ベース層１０３、活性層１０５、及びエミッタ層１０６が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor region 2 containing an n-type clad layer 7, and active layer 8, and a p-type clad layer 9 is provided on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にｎ型クラッド層７、活性層８、ｐ型クラッド層９を含む半導体領域２を設ける。 - 特許庁

The mentioned structure can suppress diffusion of Zn from the p-type InP substrate 1 to the InGaAsP MQW active layer 6.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型InP基板１からInGaAsP MQW活性層６へのZnの拡散を抑制することができる。 - 特許庁

A mark 100 is formed on an element substrate which constitutes a liquid crystal device by utilizing a fabrication process of an active element.例文帳に追加

液晶装置を構成する素子基板には、能動素子の形成工程を利用してマーク１００が形成されている。 - 特許庁

An active layer 2 of In_xGa_yAl_zN (0≤x, y, z≤1) is directly formed on a Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。 - 特許庁

The active matrix display includes a substrate SUB, a plurality of video signal lines VL and a plurality of pixels PX.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置は、基板ＳＵＢと、複数の映像信号線ＶＬと、複数の画素ＰＸとを備えている。 - 特許庁

PATTERN AND PATTERNING METHOD, DEVICE AND ITS FABRICATING PROCESS, ELECTROOPTIC DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND PROCESS FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加

パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 - 特許庁

MOSFET 1 comprises a silicon carbide substrate 10, an active layer 20, a gate oxide film 30 and a gate electrode 40.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１０と、活性層２０と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device formed of a nitride material has an active region 5 arranged above a substrate 1.例文帳に追加

窒化物材料系で製造された半導体発光デバイスは、基板（１）上に配置された活性領域（５）を有する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 are formed in the active region 10 of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の活性領域１０に、ゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

To increase the occupation area of an incorporated gate resistor being formed on a semiconductor substrate without decreasing the active region.例文帳に追加

活性領域を減らすことなく、半導体基板上に形成される内蔵ゲート抵抗の専有面積を大きくする。 - 特許庁

A collector layer 2 containing an active region 2a surrounded by an element separation film 3 is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを含むコレクタ層２を形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND INSPECTING PROGRAM AND INFORMATION RECORDING MEDIUM TO BE USED FOR THEM例文帳に追加

アクティブマトリクス基板の検査方法及び検査装置並びにそれに用いる検査用プログラム及び情報記録媒体 - 特許庁

To provide a low-cost display device, provided with an active matrix substrate having a thin film transistor circuit of high performance.例文帳に追加

高性能の薄膜トランジスタ回路を有するアクティブ・マトリクス基板を備えた表示装置を経済的に提供する。 - 特許庁

To provide a display device which enables high density packaging by reducing the area of a driving circuit on an active matrix substrate.例文帳に追加

アクティブ・マトリクス基板上の駆動回路面積を縮小して高密度実装を可能とした表示装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of crystal defects formed in an active layer in a SOI substrate manufactured by a SIMOX method.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法で作成するＳＯＩ基板において、活性層内に形成される結晶欠陥を低減する。 - 特許庁

To highly accurately and easily form a protrusion part regulating cell thickness in an active matrix substrate of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に対し、セル厚を規定する突出部を高精度且つ容易に形成する。 - 特許庁

First, a semiconductor mesa part 2B including an active layer 30 is formed on a first conducting type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

まず、第１導電型の半導体基板１０上に活性層３０を含む半導体メサ部２Ｂ上を形成する。 - 特許庁

The semiconductor multilayer film includes a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer sequentially integrated from the substrate side.例文帳に追加

半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。 - 特許庁

A material containing As exists in an interface of the active layer 2 and a single crystal layer of the Si substrate 1, in an island shape.例文帳に追加

この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。 - 特許庁

For the silicon electrode 31, metal is used which comes into ohmic contact with both the silicon substrate 21 and active layer 25.例文帳に追加

ソース電極３１には、シリコン基板２１および能動層２５の両方にオーミック接合する金属を用いている。 - 特許庁

Lead wiring BLL constitutes a terminal section for connecting an external circuit at the end, not shown in figure, of an active substrate SUB1.例文帳に追加

引出し配線ＢＬＬは、アクティブ基板ＳＵＢ１の図示しない端部で、外部回路を接続する端子部を構成する。 - 特許庁

As a result, a plurality of semiconductor element parts comprising GaInAsP-group crystal layers 2 and 4 as an active layer are formed on the substrate.例文帳に追加

これにより、活性層としてGaInAsP 系結晶層２，４を有する複数の半導体素子部を基板１上に形成する。 - 特許庁

The electronic ink display panel 100 includes an active device array substrate 200, a front plane laminate 300 and an electronic-ink layer 400.例文帳に追加

電子インク表示パネル１００は、アクティブデバイスアレイ基板２００、前面板３００及び電子インク層４００を備える。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed through a gate insulating film 4A of a high dielectric constant on an active area of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の活性領域上に高誘電率ゲート絶縁膜４Ａを介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

A common electrode 15 and a pixel electrode which are in an interdigital shape are formed on an active matrix substrate 11.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１１上に、櫛型形状の共通電極１５及び画素電極１４が形成されている。 - 特許庁

An active layer (18) is formed on a semiconductor substrate having a pair of end faces (15A, 15B) that face the opposite directions mutually.例文帳に追加

相互に反対方向を向く一対の端面(15A,15B)を有する半導体基板の上に、活性層(18)が形成されている。 - 特許庁

The image sensor has a main pixel array area of an active pixel area formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のイメージセンサは半導体基板上に形成された活性画素アレイ領域のメイン画素アレイ領域を備えている。 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, PROCESS FOR MANUFACTURING DISPLAY UNIT, AND LASER CRYSTALLIZATION APPARATUS例文帳に追加

半導体素子の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び、レーザー結晶化装置 - 特許庁

A semiconductor light emitting device 1 includes: a group III nitride substrate 3; an active region 5; and a III-V compound semiconductor layer 7.例文帳に追加

半導体発光素子１は、III族窒化物基板３と、活性領域５と、III−Ｖ化合物半導体層７とを備える。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate, an electrophoretic display device, and an electronic device that are capable of high-speed driving.例文帳に追加

駆動を高速化させることが可能なアクティブマトリクス基板、電気泳動表示装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

The method includes the steps of cleaning the substrate, reforming the surface of the substrate with a hydroxyl group, making use of vapor of an organic silane compound under an atmospheric pressure to reform the surface of the substrate, and immobilizing the active material on an end of the surface of the substrate.例文帳に追加

本発明では、基板をクリーニングし、ヒドロキシル基で前記基板の表面を改質し、大気圧下で有機シラン化合物の蒸気を利用して前記基板の表面を改質し、前記基板の表面末端に活性物質を固定する。 - 特許庁

To make it possible to inspect the electric characteristics in the state in which plural element substrate devices such as an active matrix substrate device are formed on a mother substrate, and to step injecting an electro-optical material at the right time after having stuck them to a counter substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板装置等の素子基板装置がマザー基板に複数形成された状態で、それらの電気的特性検査を行え、且つ対向基板と貼り合わせた後に電気光学物質の注入を適時に停止できるようにする。 - 特許庁

To cut laminated substrates after an active substrate and a counter substrate are laminated, without cutting one of the substrates, by preliminarily forming an aperture that penetrates the thickness direction of the counter substrate at the desired position of the counter substrate.例文帳に追加

予め、対向基板側に厚さ方向に貫通する開口部を対向基板の所望の位置に形成することで、アクティブ基板と対向基板とを張り合わせた後に一方の基板のみを切断することなく、張り合わせた基板の切断を可能とする。 - 特許庁

An interposing portion 10 penetrating through the semiconductor substrate 2 and the insulating layer 6 from the second surface 2b and reaching inside the support substrate 8 is provided between the outer peripheral surface S of a junction 9 of the semiconductor substrate 2 and the support substrate 8 and the active layer 3.例文帳に追加

半導体基板２と支持基板８との接合体９の外周面Ｓと活性層３との間には、第２の面２ｂから半導体基板２と絶縁層６を貫通し、支持基板８内に達する介在部１０が設けられている。 - 特許庁

A color filter substrate 10 has a transparent substrate 1, the light shielding layer (BM) which is formed on the transparent substrate 1 and arranged opposite the active element (TFT), and color filters 2R and 2B of at least two colors which are formed on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１０は、透明基板１と、透明基板１上に形成され、かつアクティブ素子（ＴＦＴ）に対向する位置に配置される遮光層（ＢＭ）と、透明基板１上に形成された少なくとも２色のカラーフィルタ２Ｒ，２Ｂとを有する。 - 特許庁

In addition, since no conventional granular spacers are used, no stress is caused in the drive circuit TFT when bonding the active matrix substrate and the opposite substrate together.例文帳に追加

また、従来の粒形のスペーサを用いないので、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせ時に、駆動回路ＴＦＴには応力が生じることがない。 - 特許庁

Young's modulus of an active layer substrate 25 of a SOI substrate constituting a vibration plate 10 is made smaller in crosswise direction of the vibration plate 10 than in lengthwise direction.例文帳に追加

振動板１０を形成するＳＯＩ基板の活性層基板２５は振動板１０短手方向のヤング率が振動板長手方向のヤング率より小さくした。 - 特許庁

The active matrix substrate 15 is provided with a counter region opposite to the counter substrate and an extended region 140 extended from the counter region with the terminal part 81 formed thereon.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１５は、対向基板に対向する対向領域と、対向領域から延在し端子部８１が形成された張り出し領域１４０とを備えている。 - 特許庁