「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor power device which includes an edge terminal structure isolating an active cell from a die edge, by surrounding the active cell in the internal region of an epitaxial layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１２上のエピタキシャル層１６の内部領域におけるアクティブなセルを包囲しダイ・エッジ４８から分離するエッジ終端構造を含む半導体電力デバイス１００を提供する。 - 特許庁

To manufacture active-matrix type organic EL display bodies which use transistors (each of transistors which has a single-crystal semiconductor as the active layer) having little variations in characteristics on a transparent substrate having a large area, at low cost.例文帳に追加

特性のばらつきの少ないトランジスタ（単結晶半導体を活性層とするトランジスタ）を用いたアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体を大面積の透明基板上に安価で作製する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminating substrate includes positioning a wafer 11 for a small-diameter supporting substrate to a wafer 12 for a large-diameter active layer by first pressing a pushing board 35 against the orientation flat part 12a, and moving the wafer 12 substantially horizontally.例文帳に追加

小径な支持基板用ウェーハ１１と大径な活性層用ウェーハ１２との位置合わせは、まず押圧板３５をオリフラ部１２ａに押し当て、ウェーハ１２を略水平に移動させる。 - 特許庁

After the surface of the silicon substrate is cleaned, the substrate is immersed in an aqueous solution HF of 0.5 vol% concentration, to remove impurities and a natural oxide film 9 on an active area 4.例文帳に追加

シリコン基板１の表面を洗浄した後、濃度０．５vol.％のＨＦ水溶液に５分間浸漬し、活性領域４上の不純物及び自然酸化膜９を除去する。 - 特許庁

Points and a surface area for supplying an electric charge to an opposite substrate are made richer on a scanning signal supplying end side than on the center side of an another substrate having at least an active element.例文帳に追加

対向基板に対する電荷供給ポイント及び面積を、少なくともアクティブ素子を有するもう一方の基板における中央より走査信号供給端側に多くする。 - 特許庁

To provide an analyzer for biologically active substance, capable of spraying electrostatically a sample comprising different components onto a substrate, and detecting only a sample having a specific component from the substrate having the sample applied thereto.例文帳に追加

異なる成分から成る試料を基板に静電噴霧して、塗布された基板から特定の成分を持つ試料のみを検出できる生物活性物質分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single-crystal substrate having an extremely flat surface such that a surface of an active layer of the SiC single-crystal substrate has a center-line average roughness of approximately 0.1 nm.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の活性層表面の中心線平均粗さが、０．１ｎｍ程度と、極めて平坦な表面を持つＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する - 特許庁

Connection terminals 12 are electrically connected with the signal line of an electronic circuit formed on the active surface 10a of a substrate 10 and arrayed and formed at the peripheral part of the substrate 10.例文帳に追加

接続端子１２は基板１０の能動面１０ａに形成された電子回路の信号線と電気的に接続されており、基板１０の周辺部に配列形成されている。 - 特許庁

The electrode for the electrochemical element comprises an organic compound which is the active material, and a substrate carrying the organic compound, and the substrate and the organic compound are bonded by covalent bonding.例文帳に追加

電気化学素子用電極が、活物質である有機化合物、および有機化合物を担持する基材からなり、基材と有機化合物とが共有結合により結合されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a composite substrate of a type of having at least one thin final insulation layer interposed between a support substrate and an active layer of a semiconductor material.例文帳に追加

支持基板と半導体材料の活性層との間に介在させた少なくとも１つの薄い最終絶縁層を備えるタイプの複合基板の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective active matrix substrate which has a sufficiently small number of film defects, and thereby has a sufficiently high reliability, and can easily be manufactured, and to provide a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

膜欠陥の数が十分に少なく、従って、信頼性が十分に高く、また、製造が簡便で効率的なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate for making the level shift generated in the pixel potential caused by the distribution of resistance and capacity in each signal line substantially uniform in the substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板において各信号線に存在する抵抗や容量の分布に起因して画素電位に生じるレベルシフトを当該基板内で略均一とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel active matrix display capable of preventing static electricity from intruding into a substrate via a flexible printed wiring board, and capable of preventing an electronic element on the substrate from being damaged.例文帳に追加

静電気が可撓性のプリント配線板を介して基板に進入するのを防止し、基板上の電子素子の損傷を回避する新たなアクティブマトリクス表示装置が必要となる。 - 特許庁

An electrode plate for the battery includes a current collector having a substrate and a plurality of protrusions that are carried on the substrate; and an active material layer that is carried on the current collector.例文帳に追加

本発明の電池用電極板は、基材と前記基材上に担持された複数の突起部とを含む集電体、および前記集電体の上に担持された活物質層を備える。 - 特許庁

Insulation is maintained by making a columnar spacer (133) provided in a counter substrate (130) abut on a wiring layer, specially on an auxiliary capacity line (152) of an active matrix substrate (140).例文帳に追加

対向基板（１３０）に設けられた柱状スペーサ（１３３）をアクティブマトリクス基板（１４０）の配線層、特に補助容量線（１５２）上に当接させることにより、絶縁の維持を図っている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate that is manufactured with higher efficiency than before, and prevents disconnection of a pixel electrode in a level difference of a contact hole, and also to provide a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

従来よりも高い効率で製造することが可能な、コンタクトホールの段差部における画素電極の断線を防止したアクティブマトリクス基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An alignment film 43 is formed on the active matrix substrate 20 having a TFT 14 in each pixel, and an insulating film 44 having dispersion of conductive fine particles is formed on the counter posed substrate 40.例文帳に追加

画素毎にＴＦＴ１４を備えたアクティブマトリクス基板２０には配向膜４３を形成し、対向基板４０には、導電性微粒子を分散させた絶縁膜４４を形成する。 - 特許庁

In addition, since only the protective layer 4c is thus formed on the active surface 4f of the substrate 4a, the substrate is not bulky and numerous substrates 4 with the protective layer can be packed at a time.例文帳に追加

また、このように基板４ａの能動面４ｆに保護層４ｃを形成しただけであるため、嵩張らず、一度に多くの保護層付基板４を梱包することも可能である。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

A plurality of STIs (shallow trench isolations) 17 are formed on a silicon substrate 11 of a nonvolatile semiconductor memory device 1, and an upper layer of the silicon substrate 11 is divided into a plurality of active areas AA.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板１１に複数本のＳＴＩ１７を形成して、シリコン基板１１の上層部分を複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

The active layer 5 comprises InGaAsP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2 while the p-type clad layer 7 comprises AlGaInP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

活性層５は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＩｎＧａＡｓＰより成り、また、ｐ型クラッド層７は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＡｌＧａＩｎＰより成る。 - 特許庁

A base substrate 50 having rigidity and thermal conductivity is stuck to an active matrix substrate 20 beforehand through a gel sheet 40 of a viscoelastic body having thermal conductivity.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板２０に、剛性および熱伝導性を有するベース基板５０を、熱伝導性を有する粘弾性体であるゲルシート４０を介して予め貼り合わせておく。 - 特許庁

The left half of a pixel electrode 14 provided on an active substrate 11 is deviated to some degree upward with respect to a counter electrode 17 extending in the right and left directions of an counter substrate 12.例文帳に追加

アクティブ基板１１に設けられた画素電極１４の左半分は、対向基板１２に左右方向に延びて設けられた対向電極１７に対して上側にある程度ずれている。 - 特許庁

A dummy gate electrode 16c is formed on the semiconductor substrate 11 between the active region of the first access transistor TrA1 and the substrate contact region Rsub.例文帳に追加

そして、第１のアクセストランジスタＴｒＡ１の活性領域と基板コンタクト領域Ｒｓｕｂとの間に位置する半導体基板１１上にはダミーゲート電極１６ｃを形成する。 - 特許庁

In this semiconductor device of SOI structure using an SOI substrate 100, a lattice strain layer 4 is formed by injecting Ar ions into a silicon substrate acting as an active layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。 - 特許庁

The thin-film transistor substrate includes a base substrate 110, a gate electrode G, a gate insulating film 120, a first surface treatment film 130, an active layer A, a source electrode S and a drain electrode D.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板は、ベース基板１１０、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１２０、第１表面処理膜１３０、活性層Ａ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含む。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

The laminate is obtained by forming a primer layer composed of an acrylic polymer on a substrate, such as a film or sheet-like substrate, and by forming a hard coat layer which is formed by irradiating the coated film of the active energy ray-curable composition with active energy rays.例文帳に追加

フィルム・シート状基材等の基材にアクリル系ポリマーからなるプライマー層を形成し、このプライマー層上に、活性エネルギー線硬化性組成物の塗膜への活性エネルギー線の照射によって形成されるハードコート層を形成して積層体を得る。 - 特許庁

This biosensor comprises a substrate, constituted of a metal surface or a metal film coated with a hydrophilic polymer compound and has a surface for holding the physiologically active substance, and a surface for holding no physiologically active substance on the same plane of the substrate.例文帳に追加

親水性高分子化合物でコーティングした金属表面又は金属膜で構成される基板から成り、かつ基板上の同一面上に、生理活性物質を保持するための表面と生理活性物質を保持しない表面とを有しているバイオセンサー - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mounted substrate capable of preventing mounting-related defects due to voids inside the active resin adhesive in the manufacturing of a double-sided substrate wherein an active resin adhesive is used.例文帳に追加

活性作用を有する樹脂接着材を用いて両面実装基板を対象として行われる実装基板の製造において、樹脂接着材内部のボイドに起因して生じる実装不具合を防止することができる実装基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate, capable of improving display quality without forming an inspection wiring for inspecting short circuit between connection wirings, in a terminal arrangement area, along with a display device, a method for inspecting the active matrix substrate, and a method for inspecting the display device.例文帳に追加

接続配線間の短絡を検査するための検査配線を端子配置領域に形成することなく、しかも、表示品質を向上できるアクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method is used to manufacture the semiconductor device 1 having a second wiring board 50 that has an active matrix substrate body 14 and a first electrode terminal 13 provided on the active matrix substrate body 14, and a first IC chip 30 having a salient electrode.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板本体１４と、アクティブマトリクス基板本体１４上に設けられた第１電極端子１３とを有する第２配線基板５０と、突起電極を有する第１ＩＣチップ３０とを備えた半導体装置１を製造する方法に関する。 - 特許庁

The printing apparatus includes a discharge head 49 for discharging droplets of a liquid relatively moving to a substrate and cured by active rays, and an irradiation part 48 provided on a rear side of the relative movement direction to the discharge head and irradiating the droplets on the substrate with the active rays.例文帳に追加

基材に対して相対移動して、活性光線で硬化する液体の液滴を吐出する吐出ヘッド４９と、吐出ヘッドに対して相対移動方向後方側に設けられ基材上の液滴に活性光線を照射する照射部４８とを備える。 - 特許庁

To detect an existing defect on a substrate or a panel, a defect confirmed after a mounting process, or a possible future defect, and to correct them according to detected defect modes, in an active matrix substrate or an active matrix liquid crystal display panel.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにおいて、基板又はパネルに発生している欠陥、実装工程後に確認される欠陥、或いは将来欠陥となる恐れのある欠陥を検出し、検出した欠陥モードに応じた修正を行う。 - 特許庁

The light emitting diode is constituted of a substrate, an n-type semiconductor layer formed on the substrate, an active layer formed on the n-type semiconductor layer, a p-type clad layer formed on the active layer, and a hydrogen occlusion layer formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

発光ダイオードは、基板と、基板上に形成されるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成されるｐ型クラッド層と、ｐ型クラッド層上に形成される水素吸蔵層とから構成される。 - 特許庁

An electrode active material layer 4 composed of a radical polymer, an electrolyte layer 6, and an electrolyte layer 5 are interposed between a pair of electrode substrates 1a, 1b, the electrode active material layer 4 is formed on the electrode substrate 1a, and the electrochromic layer 5 is formed on the electrode substrate 1b.例文帳に追加

一対の電極基板１ａ，１ｂの間に、ラジカルポリマーからなる電極活物質層４と、電解質層６と、エレクトロクロミック層５とを挟持し、電極基板１ａに電極活物質層４を形成し、電極基板１ｂにエレクトロクロミック層５を形成した。 - 特許庁

To provide an active matrix board in which a resin substrate is prevented from being warped during a process or after finishing assembling as a display device when an active matrix element is layered on the resin substrate, production is stably performed, and reliability is enhanced in the display device.例文帳に追加

樹脂基板にアクティブマトリクス素子を積層する場合に、プロセス途中や表示装置として組み上がった段階において、樹脂基板の反りを防止し、ひいては製造を安定して行い、表示装置の信頼性を高め得るアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

Next, a contact plug 4a is formed in the first insulating film to connect to an active area 2 formed in the substrate, and a dummy contact plug 4b is formed in the first insulating film to connect to the active area formed in the substrate.例文帳に追加

次に、基板中に形成された活性領域２に接続するように、第１の絶縁膜中にコンタクトプラグ４ａを形成するとともに、基板中に形成された活性領域に接続するように、第１の絶縁膜中にダミーコンタクトプラグ４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a transferred layer that causes less damage to a device and reduces costs, and also to provide a method for manufacturing a thin-film device using the same, the thin-film device, a method for manufacturing an active matrix substrate, the active matrix substrate, and an electrooptical device.例文帳に追加

デバイスへのダメージが少なく、またコスト低減を可能にした被転写層の剥離方法と、これを用いた薄膜デバイス装置の製造方法、さらには薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置を提供する。 - 特許庁

The optical detecting substrate 1 is manufactured by a process for forming a thin film, which changes the affinity with water by irradiation with an active energy beam, on the surface of the substrate and by a step for selectively irradiating the thin film with the active energy beam.例文帳に追加

光学検出用基板１は、基板１の表面上に、活性エネルギー線の照射により水との親和性が変化する薄膜を形成する工程と、該薄膜に対して活性エネルギー線を選択的に照射する工程を有する方法で製造できる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 11, an active layer 13 formed on the substrate 11 with a drain electrode 14a, and a source electrode 14b formed on the front side of the active layer 13 and with a gate electrode 12 formed on the back side.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された活性層１３とを備え、活性層１３の表面側にドレイン電極１４ａ及びソース電極１４ｂ、裏面側にゲート電極１２が夫々形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

This biosensor is made of a solid substrate obtained by thereto bonding a polymer, having primary or secondary amino group capable of chemically fixing the physiologically active substance, after preconcentrating the active substance with a pH equal to or higher than that of the isoelectric point of the active substance.例文帳に追加

生理活性物質を生理活性物質の等電点以上のｐＨでプレコンセントレーションさせた後に、該生理活性物質を化学的に固定化することが可能な１級または２級アミノ基を有するポリマーが結合した固体基板からなるバイオセンサー。 - 特許庁

In such a case, the substrate is preferably in the form of the substrate which is further laminated with a light transparent optical semiconductor thin film on the light transparent conductive film or the substrate which has an active element to be joined to the light transparent conductive film.例文帳に追加

前記基板が、光透過性の導電膜上にさらに光透過性の光半導体薄膜を積層した基板、又は光透過性の導電膜と接合する能動素子を備えた基板である態様が好ましい。 - 特許庁

To provide a test method for a substrate capable of confirming the connection state of a circuit pattern formed on the substrate by confirming the connection state of an interlocking circuit layer between active elements built in the substrate without providing an additional test circuit layer.例文帳に追加

付加のテスト回路層を備えずに基板に内蔵された能動素子間の連結回路層の接続状態を確認し、基板に形成された回路パターンの接続状態を確認する基板のテスト方法を提供する。 - 特許庁