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active substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3576件
To improve a pixel aperture ratio of a thin film semiconductor device to be used as a driving substrate of an active matrix liquid crystal display apparatus.例文帳に追加
アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板として使われる薄膜半導体装置の画素開口率を改善する。 - 特許庁
To control gas activated with plasma to reach a substrate provided within a reaction chamber as much as possible under the active condition.例文帳に追加
プラズマにより活性化されたガスを活性な状態のまま、より多く反応管内の基板に到達させることを可能とする。 - 特許庁
A VCSEL 10 comprises a substrate 12, an n-type lower DBR 14, an active region 16, and a p-type upper DBR 18.例文帳に追加
VCSEL10は、基板12と、n型の下部DBR14と、活性領域16と、p型の上部DBR18とを含む。 - 特許庁
To improve the opening rate of a pixel of a thin film semiconductor device used as a driving substrate of an active matrix liquid crystal display.例文帳に追加
アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板として使われる薄膜半導体装置の画素開口率を改善する。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes a step for preparing a semiconductor substrate having a first and a second active regions.例文帳に追加
この半導体素子の製造方法は第1及び第2活性領域を有する半導体基板を準備する工程を含む。 - 特許庁
On this active matrix substrate, TFTs 1, 2 and pixel electrodes 11 are provided on both sides of each data line 7.例文帳に追加
本発明のアクティブマトリクス基板では、各データ線7の両側にTFT1、2および画素電極11が設けられている。 - 特許庁
These active species are reflected near the surface of a substrate, and an insulating film having a siloxane structure having a predetermined thickness is formed.例文帳に追加
これらの活性種を基板の表面近傍で反応させ、所定厚さのシロキサン構造を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁
A silicon oxide film 13 containing a nitrogen element is formed on an active area 12 of a silicon substrate 10 in a pretreatment step.例文帳に追加
前処理工程で、シリコン基板10の能動領域12上に窒素成分を含むシリコン酸化膜13が形成される。 - 特許庁
A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加
サファイア基板10上に、バッファ層11、ノンドープの窒化ガリウム層12及びn型窒化ガリウム活性層13を形成する。 - 特許庁
An element separation insulating film 1 and a P-type active region 2 regulated by the film are formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基板10上に素子分離絶縁膜1および、それによって規定されるP型の活性領域2を形成する。 - 特許庁
A through electrode 16 electrically connected to the active region extends from the top surface to the rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
また、活性領域と電気的に接続された貫通電極16は、半導体基板の上面から裏面まで延在している。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory unit having a high voltage endurance between an active region of a substrate and a control gate electrode.例文帳に追加
基板の活性領域と制御ゲート電極との間の高い耐電圧特性を有する不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁
Next, the mounting face 312 of the transparent substrate 310 is mounted on the active region 322 of the chip by the frame 330 under negative pressure.例文帳に追加
次に、透明基板310の取付け面312をチップの活性領域322に、フレーム330により負圧下で取付ける。 - 特許庁
Further, the active layer has a higher dislocation density with a Burgers vector in direction [0001] than the dislocation density of the substrate 2.例文帳に追加
また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[0001]である転位の密度は、基板2における当該転位の密度より高い。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate for providing a liquid crystal display device having a color display function without performing alignment.例文帳に追加
カラー表示機能を有する液晶表示装置をアライメントなしに提供することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。 - 特許庁
A detecting circuit is constituted by forming circuit constitutive elements 3a, 3b, 3c, 3d, such as active elements and wiring layers 33, 35, on a substrate 2.例文帳に追加
基板2の上に能動素子などの回路構成要素3a,3b,3c,3dと配線層33,35を形成して検出回路を構成する。 - 特許庁
Then, the stage supports the semiconductor substrate so as to be oblique to the diffusing direction of the active species from the heat catalyst body.例文帳に追加
そして、ステージは、熱触媒体からの活性種の拡散方向に対して斜めになるように半導体基板を支持する。 - 特許庁
A gate electrode 7A is formed on an active region 1a of a substrate 1 via a high dielectric gate insulating film 4.例文帳に追加
基板1の活性領域1a上に高誘電率ゲート絶縁膜4を介してゲート電極7Aが形成されている。 - 特許庁
And a space between the mask substrate of the photomask and the pellicle film is purged by the inert gas mixed with a small amount of the active gas.例文帳に追加
また、フォトマスクのマスク基板とペリクル膜の間の空間を微量の活性ガスを混合した不活性ガスによりパージする。 - 特許庁
A MOSFET is manufactured as an SOI(silicon on insulator) having the intermediate layer of oxide and a comparatively thin active layer overlapped on the layer of a substrate.例文帳に追加
MOSFETを、酸化物の中間層及び基板の層上に重なる比較的薄い活性層を有するSOI(silicon on insulator)素子として製造する。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate which can be manufactured at a low cost and allows the reduction in off-leak current of TFTs.例文帳に追加
低コストに製造することができ、TFTのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。 - 特許庁
A photovoltaic device includes a substrate, a first electrode, a second electrode, and an active layer between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加
基材と、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に活性層とを備えている。 - 特許庁
The nonaqueous lithium secondary battery is constituted by applying a mixture having the binder and the active material to a substrate (collector) surface.例文帳に追加
かかるバインダと活物質とを有する混合物を基体(集電体)面に塗布して、非水系リチウム二次電池を構成する。 - 特許庁
Planarization layers 28, 29 for planarizing a surface are formed on the surface on which a pixel electrode 9 of an active matrix substrate 3 is formed.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板3の画素電極9が設けられた表面に、その表面を平坦化する平坦化層28,29を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加
活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁
The equipment investment relating to the manufacturing apparatus may thus be reduced and the cost reduction of the active matrix substrate itself may be realized.例文帳に追加
こうして、製造装置に拘わる設備投資を削減すると共に、アクティブマトリックス基板自身の低価格化も実現できる。 - 特許庁
DEVELOPER, IMAGE FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
現像液、画像形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ付アクティブマトリックス基板の製造方法、及び液晶表示素子 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can be manufactured by less number of processes regardless of the thickness of an active element mounted on a substrate.例文帳に追加
基板上に搭載した能動素子の厚さに係らず、少ない工程数で製造が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
The active matrix type display device has a plurality of pixel portions PX arranged in matrix in a display region on a substrate.例文帳に追加
アクティブマトリクス型表示装置は、基板上の表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素部PXを備えている。 - 特許庁
The active matrix substrate is provided with a substrate 401, a plurality of adhesive layers provided on the substrate 401 with a practically uniform height, and a plurality of active elements 301 provided on respective adhesive layers, and each adhesive layer includes a height control member 402 and an adhesive 403.例文帳に追加
本発明は、基板401と、基板401上に実質的に等しい高さで設けられる複数の接着層と、各々の接着層上に設けられる複数のアクティブ素子301と、を具備し、夫々の接着層が、高さ制御部材402と、接着剤403とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁
The liquid crystal display device 1 includes: an active matrix substrate 2 having pixel electrodes 25, gate bus lines 27 and source bus lines 23 which are arrayed like a matrix; and a counter substrate 4 opposed to the active matrix substrate 2 through a liquid crystal layer 6 and having a black matrix 44 and a counter electrode 43.例文帳に追加
本発明に係る液晶表示装置1は、マトリクス状に配置されている画素電極25ならびにゲートバスライン27およびソースバスライン23を有するアクティブマトリクス基板2と、アクティブマトリクス基板2と液晶層6を挟んで対向しており、ブラックマトリクス44と対向電極43とを有する対向基板4とを備えている。 - 特許庁
To provide a casting mold film which is obtained by using a film having a rugged layer formed by coating a substrate with an active energy ray polymerizable composition in order to impart a rugged shape onto the substrate and which is easily released after curing the active energy ray polymerizable composition between the casting mold film and the substrate in use.例文帳に追加
基材に凹凸形状を付与するため、活性エネルギー線重合性組成物をコーティングして作製した凹凸層を有するフィルムを鋳型用フィルムとして用いた場合、鋳型用フィルムと基材間の活性エネルギー線重合性組成物を硬化して後、鋳型用フィルムの剥離を容易とする。 - 特許庁
A value obtained by subtracting an LAP value (B) in the case using a synthetic substrate as a substrate from an LAP value (A) in the case using L-leucineamide or its salt as a substrate is used as an aminopeptidase active value which is not dependent on allylamidase activity and the aminopeptidase active value is used as an index of activation and/or cell death of lymphocyte.例文帳に追加
基質としてL−ロイシンアミドまたはその塩を用いた場合のLAP値(A)から、基質として合成基質を用いた場合のLAP値(B)を差し引いた値をアリルアミダーゼ活性に依存しないアミノペプチダーゼ活性値とし、該アミノペプチダーゼ活性値をリンパ球の活性化および/または細胞死の指標として用いる。 - 特許庁
The light, entering the counter substrate 30 along direction inclined to the bright view direction, exits from the active matrix substrate 20, while the light entering along the direction inclined against the bright view direction which causes decrease in the contrast does not exit from the active matrix substrate 20 so that the light will not involve the display.例文帳に追加
このため、明視方向に傾いた方向から対向基板(30)に入射した光はアクティブマトリクス基板(20)から出射されるが、コントラストを低下させる原因となる逆明視方向に傾いた方向から入射した光は、アクティブマトリクス基板(20)から出射されず、表示に関与しない。 - 特許庁
This land grid array module is configured of a substrate 101, a plurality of passive and active elements mounted on the both sides of the substrate 101 and a molding compound 106 for molding the both sides of the substrate 101 mounted with the passive and active elements 102, 103a, and 103b.例文帳に追加
本発明は、ランドグリッドアレイモジュールであって、基板101と、該基板101の両面にそれぞれ実装される複数の受動及び能動素子と、受動及び能動素子102、103a、103bが実装された基板101の両面を成形させる成形コンパウンド106とを含んで構成される。 - 特許庁
The liquid crystal display 89 includes a liquid crystal display panel with a liquid crystal 21 sandwiched by an active matrix substrate 11 having a light guide function and an opposed counter substrate 12, and an LED 41 for supplying light reaching the liquid crystal display panel, and the active matrix substrate 11 includes an opening hole HL for embedding the LED 41.例文帳に追加
導光機能を有するアクティブマトリックス基板11と対向基板12とで液晶21を挟み込む液晶表示パネル、および、液晶表示パネルに到達する光を供給するLED41、を含む液晶表示装置89では、アクティブマトリックス基板11には、LED41を埋没させる開孔HLが含まれる。 - 特許庁
To provide an active energy ray-curing ink composition for inkjet recording, the composition curable in a short time with high sensitivity to active energy rays, in particular, excellent in adhesiveness of the cured product with a substrate upon printing on a resin substrate that does not absorb ink such as an acrylic plate and a polyvinylchloride plate or on an iorganic substrate such as glass.例文帳に追加
活性エネルギー線に対して高感度でかつ短時間で硬化すると共に特にアクリル板やポリ塩化ビニル板等のインク非吸収性樹脂基材やガラス等の無機基材への印字に際しての硬化物と基材との密着性に優れる活性エネルギー線硬化型インクジェット記録用インク組成物の提供。 - 特許庁
A MOS transistor comprises a substrate, an active region within the substrate, an interface oxide thin film on the substrate, a WSiN_y gate dielectric thin film formed on the interface oxide thin film, and a gate separated from the active region by the WSiN_y gate dielectric thin film.例文帳に追加
本発明のMOSトランジスタは、基板と、前記基板内にあるアクティブ領域と、前記基板上にある界面酸化物薄膜と、前記界面酸化物薄膜上に形成されるWSiN_yゲート誘電体薄膜と、前記WSiN_yゲート誘電体薄膜によって前記アクティブ領域から分離されるゲートとを含む。 - 特許庁
The kit for the cell culture is composed by using the substrate for the cell culture composed of immobilized regions of the biologically active substances having different combinations and/or different densities of the plurality of biologically active substances and a transfer sheet for the biologically active substances liberating the biologically active substances composed of regions of different combinations and/or different densities of the plurality of biologically active substances.例文帳に追加
複数の生物活性物質の組み合わせかつ/または密度が異なる生物活性物質の固定化領域からなる細胞培養用基板および、複数の生物活性物質の組み合わせかつ/または密度が異なる領域からなる生物活性物質を遊離可能な生物活性物質移送シートを用いて細胞培養用キットを構成する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises the substrate (a lightly-doped substrate 11), an insulating layer (an oxide film 12) formed on the substrate, an active layer 13 formed on the insulating layer, and the metal layer (a metal thin film 15) formed on the backside of the substrate, the substrate and the metal layer having ohmic contact with each other.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、基板(低濃度基板11)と、基板上に形成された絶縁層(酸化膜12)と、絶縁層上に形成された活性層13と、基板の裏面に形成された金属層(金属薄膜15)と、を有し、基板と金属層はオーミック接触する、ことを特徴とする。 - 特許庁
In the IGBT 10, a crystal defect layer 25 is formed in an n-type layer 102 in an active region 20 and a crystal defect layer 25 is formed in a p-type substrate 101 in a non-active region 40.例文帳に追加
このIGBT10においては、結晶欠陥層25が、活性領域20においてはn層102中に、非活性領域40においてはp型基板101中に形成されている。 - 特許庁
In the semiconductor optical amplifier 10 with an active layer 14, which has an optical amplifying function by current injection onto a substrate 11 made of InP, the active layer 14 contains InGaAsSb.例文帳に追加
InPからなる基板11上に電流注入による光増幅機能を有する活性層14を備えた半導体光増幅器10において、活性層14が、InGaAsSbを含有している。 - 特許庁
In some of the process steps, electrically non-active inks are printed onto areas of receiving substrates, and in other steps, electrically active inks are printed onto different areas of the substrate.例文帳に追加
いくつかの工程ステップにおいて、電気的に不活性なインクが受容基板の領域上に印刷され、他のステップにおいて、電気的に活性なインクが基板の異なる領域上に印刷される。 - 特許庁
In the method for manufacturing a nonaqueous electrolyte battery, a positive electrode layer 1 forming a positive electrode active material layer 12 including lithium composite oxide to be a positive electrode active material is prepared on a metal substrate as a positive electrode collector 11.例文帳に追加
正極集電体11となる金属基板の上に、正極活物質となるLi複合酸化物を含有する正極活物質層12を形成した正極層1を作製する。 - 特許庁
A DRAM cell is formed in an active region 7 specified by a separation trench 40 formed at an upper part of a silicon substrate 1 and capacitors C1, C2 are formed at an end part of the relevant active region 7.例文帳に追加
DRAMセルは、シリコン基板1の上部に形成された分離トレンチ40により規定される活性領域7に形成され、当該活性領域7の端部にキャパシタC1,C2が形成される。 - 特許庁
An active region 1 for construction of the MIS transistor and an element isolation region 2 surrounding the active region 1 are formed on a surface region of a silicon semiconductor substrate taking crystal plane (100) as a principal surface.例文帳に追加
(100)結晶面を主面とするシリコン半導体基板の表面領域に、MISトランジスタを構成するための活性領域1と、活性領域1を囲む素子分離領域2とが形成されている。 - 特許庁
An electronic element (solid-state image pickup element 11) is formed on an active surface of a semiconductor substrate 10, and a pad electrode 12 is formed around the electronic element on the active surface while being connected to the electronic element.例文帳に追加
半導体基板10のアクティブ面に電子素子(固体撮像素子11)が形成され、アクティブ面上で電子素子の周辺部に電子素子に接続してパッド電極12が形成されている。 - 特許庁
To provide an active energy ray-curing ink composition for inkjet recording cured highly sensitively to an active energy ray and in a short time and having excellent adhesiveness upon printing to a glass substrate.例文帳に追加
活性エネルギー線に対して高感度でかつ短時間で硬化すると共にガラス基材への印字に際しての密着性に優れる活性エネルギー線硬化型インクジェット記録用インク組成物の提供。 - 特許庁
To adopt a substrate bias technique in an active mode enabling a high yield on a manufacture while reducing the fluctuation of the operation consumption power and quantity of signal delay of signal processing in the active mode.例文帳に追加
高い製造歩留を可能とするアクティブモードでの基板バイアス技術を採用すると伴に、アクティブモードでの信号処理の動作消費電力と信号遅延量の変動を軽減すること。 - 特許庁
The active matrix substrate has drain leading-out wiring of an active element and a holding capacity upper electrode connected to each other, and the drain leading-out wiring has two or more paths.例文帳に追加
アクティブ素子のドレイン引出し配線と保持容量上電極とが接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記ドレイン引出し配線は、2以上の経路を有するものであるアクティブマトリクス基板である。 - 特許庁
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