「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing a semiconductor device includes an amorphous film formation step for forming an amorphous film 320 on a crystalline film 310 which is formed on a substrate 200 and a crystalline insulating film formation step for forming an insulating film 330 having a crystal structure controlled independently from the crystal structure of the crystalline film 310 on the amorphous film 320.例文帳に追加

基板２００の上に形成された結晶質膜３１０の上に非晶質膜３２０を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜３２０の上に結晶質膜３１０の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜３３０を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。 - 特許庁

The laser annealing device includes, as preprocessing device, a surface oxide film removing device 1 which removes a surface oxide film of the amorphous silicon thin film and a surface oxide film forming device 2 which forms an oxide film of predetermined thickness on a surface of the amorphous silicon thin film.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の表面酸化膜を除去する表面酸化膜除去装置１と、アモルファスシリコン薄膜の表面に所定の厚さの酸化膜を形成する表面酸化膜形成装置２とを前処理装置として有する。 - 特許庁

When an HfO_x film to be becoming the film 17 is formed on the electrode 16 by, for instance, an ALD method, because the substrate is the amorphous titanium nitride film 16B, the HfOx film to be becoming the film 17 is formed as an amorphous dielectric film without taking over a crystalline property of the substrate.例文帳に追加

下部電極１６上に例えばＡＬＤ法により容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜を成膜すると、下地が非晶質の窒化チタン膜１６Ｂであるため、容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜は下地の結晶性を受け継ぐことなく非晶質の誘電体膜として成膜される。 - 特許庁

Firstly, a peelable film 102, a silicon oxide film 103, and an amorphous silicon film 104 are successively formed on a glass substrate 101, and a polycrystalline silicon film 104' is obtained by having the laser beam 105 of an excimer laser irradiated on the amorphous silicon film 104 from the upside of the film 104.例文帳に追加

まず、ガラス基板１０１上に、剥離膜１０２、酸化シリコン膜１０３及び非晶質シリコン膜１０４を順次形成し、非晶質シリコン膜１０４の上方からエキシマレーザのレーザ光１０５を照射して多結晶シリコン膜１０４’を得る。 - 特許庁

A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.例文帳に追加

化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール（ＥＬＡ）法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

After a film of amorphous carbon 2 is formed, the film is heat treated so as to melt and crystallize the amorphous carbon 2 only in peripheral portions of graphite-forming nuclei which are dispersed in the amorphous carbon 2 to form graphite 3 in a predetermined size.例文帳に追加

アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。 - 特許庁

At this point, the wavelength of the laser light to be irradiated is selected so that the penetration depth (reciprocal number of the absorption coefficient) to the amorphous silicon is larger than the film thickness of the amorphous silicon film, and the absorption coefficient to the amorphous silicon is larger than the absorption coefficient to a crystal silicon.例文帳に追加

このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 - 特許庁

As for a hydrogen-containing amorphous carbon-covered member of which a relatively smooth surface is obtained, same amorphous carbon particles are dispersed in the hydrogen-containing amorphous carbon-covered film, and the chipping resistance thereof is improved while maintaining the smooth surface and the hardness of the entire film.例文帳に追加

比較的平滑な表面が得られる水素含有非晶質炭素被膜において、この水素含有非晶質炭素被膜中に同じ非晶質の炭素微粒子を分散して、平滑な表面と被膜全体の硬度を維持したまま耐欠け性を向上させる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a rare earth metal silicide film and an amorphous silicon film on an electrode layer; and performing crystallization of the amorphous silicon film by heating the rare earth metal silicide film and the amorphous silicon film with microwave so that it has crystal orientation according to the crystal structure of the rare earth metal silicide film.例文帳に追加

電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

When an amorphous semiconductor film is crystallized under laser beam irradiation, the front and rear surfaces of the amorphous semiconductor film are irradiated with laser beam.例文帳に追加

レーザー光を照射することで非晶質半導体膜を結晶化する際に、レーザー光を非晶質半導体膜の表面及び裏面に照射する。 - 特許庁

The method of manufacturing the TFT includes irradiating an amorphous semiconductor film with laser light 10 and reflecting it by a gate electrode 2 to irradiate the amorphous semiconductor film again.例文帳に追加

本発明にかかるＴＦＴの製造方法では、レーザー光１０を非晶質半導体膜に対して照射し、ゲート電極２によって反射させて再度非晶質半導体膜に照射する。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes a p-type amorphous silicon film 5, a reverse-surface electrode 7, and a current collection electrode 9 formed in order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

正極１００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｐ型非晶質シリコン膜５、裏面電極７および集電極９を含む。 - 特許庁

Subsequently, the entirety is heated in order to diffuse the catalytic substance into the amorphous silicon film and to crystallize the amorphous silicon thus obtaining a crystalline silicon film.例文帳に追加

その後、全体を加熱することによって、触媒物質を非晶質シリコン膜へ拡散させ、非晶質シリコンを結晶化し、結晶性シリコン膜を得る。 - 特許庁

The negative electrode 200 includes an n-type amorphous silicon film 4, a reverse-surface electrode 6, and a current collection electrode 8 forme din order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

負極２００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｎ型非晶質シリコン膜４、裏面電極６および集電極８を含む。 - 特許庁

This manufacturing method includes the steps of: forming the amorphous carbon coating film containing hydrogen on a surface of a substrate; and irradiating the surface of the amorphous carbon coating film with ultraviolet rays.例文帳に追加

基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a treatment method of an amorphous carbon film, which suppresses the deterioration of the amorphous carbon film by oxidization during wet washing after etching.例文帳に追加

エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。 - 特許庁

The solution coating method coats a glass substrate on which an amorphous silicon film is formed with a solution containing a catalyst metal by spin coating in a technique for crystallizing an amorphous film.例文帳に追加

溶液塗布方法は、非晶質膜を結晶化させる手法において触媒金属を含む溶液を、非晶質シリコン膜が形成されたガラス基板上にスピンコーティング法によって塗布する方法である。 - 特許庁

A part is formed as a seed for crystal growth on one corner of an amorphous silicon film formed on a substrate, from which laser light is scanned and emitted to crystallize the amorphous silicon film.例文帳に追加

基板上に形成された非晶質珪素膜の一隅に、結晶成長の種となる部分を形成し、その部分からレーザー光を走査して照射することにより、非晶質珪素膜を結晶化させる。 - 特許庁

To provide a film deposition method for uniformly and quickly depositing a mixed film of amorphous carbon and silicon oxide which has both characteristics of amorphous carbon and silicon oxide.例文帳に追加

非晶質炭素とシリコン酸化物の特性を兼ね備えた非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を均一且つ迅速に成膜可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCING METHOD, AMORPHOUS OXIDE FILM OBTAINED BY USING OXIDE SINTERED COMPACT AND LAMINATE CONTAINING AMORPHOUS OXIDE FILM例文帳に追加

酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and an antireflection film 3 composed of an amorphous silicon nitride or the like are formed successively on the main surface of an n-type single-crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成されている。 - 特許庁

In a following prescribed process, the left n-type amorphous silicon film and intrinsic amorphous silicon film are removed by dry etching.例文帳に追加

そこで、この後の所定の工程において、この残存されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

In this case, there are produced an intensity distribution of the laser beam to the first region and the second region of the amorphous semiconductor film, so that temperatures gradient is generated on the amorphous semiconductor film.例文帳に追加

前記第１の領域および前記第２の領域における非晶質半導体膜に対する前記レーザビームの実効的な強度分布が生じ、非晶質半導体膜中に温度勾配が生じる。 - 特許庁

An amorphous wire 8 having magnetic impedance effect is arranged between the thin film yokes 2, 4, and an amorphous wire 9 is arranged between the thin film yokes 3, 5.例文帳に追加

薄膜ヨーク２，４の間には磁気インピーダンス効果を有するアモルファスワイヤ８が配置され、薄膜ヨーク３，５の間にはアモルファスワイヤ９が配置されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

Although the ground real amorphous silicon film 21 is exposed and the exposed real amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, a selection ratio of the dry etching is about 7.例文帳に追加

この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 - 特許庁

An amorphous oxide thin film contains at least tin (Sn), and in the amorphous oxide thin film, a percentage of SnO is less than 30 mol%, when sum of SnO and SnO_2 is set to 100 mol%.例文帳に追加

少なくとも錫（Ｓｎ）を含み、ＳｎＯとＳｎＯ_２の合計を１００モル％としたときのＳｎＯの割合が３０モル％未満である非晶質酸化物薄膜。 - 特許庁

The uppermost surface of an amorphous silicon film 3 is etched through a reverse sputtering treatment, and the amorphous silicon film 3 is crystallized by excimer laser annealing.例文帳に追加

非晶質シリコン膜３の極表面を逆スパッタ処理によってエッチングし、続いて大気に晒すことなく、エキシマレーザアニールによる結晶化を行う。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus wherein energy density distribution on a glass substrate is changed according to differences in the quality or thickness of an amorphous film and in the wavelength or pulse width of the laser light projected onto the amorphous film.例文帳に追加

非晶質膜の膜質や膜厚、非晶質膜を照射するレーザ光の波長やパルス幅等の違いに応じてガラス基板上でのエネルギ密度分布を変更可能とするレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

Either copper or copper alloy pipe having this bent segment is manufactured by a method wherein the amorphous ceramics film is formed upon performing a bending work of the copper or copper alloy pipe or after the amorphous ceramics film is formed, the bending work is carried out.例文帳に追加

この曲げ部有する銅又は銅合金管は、銅又は銅合金管の曲げ加工を行ってから非晶質セラミックス皮膜を形成するか又は非晶質セラミックス皮膜を形成した後、曲げ加工を行うことにより製造する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of a principal plane of an n-type monocrystalline silicon substrate 11.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面の外周部の所定幅を除く領域にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成されている。 - 特許庁

The negative electrode 200 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 4, an n-type amorphous silicon film 6, a reverse surface electrode 8 and a collector electrode 10.例文帳に追加

負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface (surface side) of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, a side i-type amorphous silicon film 5, a p-type amorphous silicon film 7, a reverse surface electrode 9 and a collector electrode 11.例文帳に追加

正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。 - 特許庁

Subsequently, (e) the amorphous silicon film 44A and the amorphous silicon film 42A formed on a driving circuit region 6 are crystallized by laser beam irradiation, and polycrystalline silicon films 42P, 44P each having high mobility are formed.例文帳に追加

次に、（ｅ）レーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜４４Ａと、駆動回路領域６に形成された非晶質珪素膜４２Ａとを結晶化させ、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐを形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film is annealed by blowing substantially perpendicularly a plurality of high-temperature gas beams 2b and 2c on the amorphous silicon film on the surface of a glass substrate 1 supported in close contact on a supporting base 4.例文帳に追加

支持台４上に密着して支持されたガラス基板１の表面にあるアモルファスシリコン膜上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けてアモルファスシリコン膜をアニールする。 - 特許庁

The first amorphous silicon film formation step forms a first amorphous silicon film of a first conductivity type whose impurity density is higher than the high resistance layer on the rear face of the polished high resistance layer.例文帳に追加

第１のアモルファスシリコン膜形成工程では、研磨された高抵抗層の裏面に高抵抗層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第１のアモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁

To improve the low friction properties of a sliding member provided with a base material and an amorphous carbon film formed on the surface of the base material, and in which the amorphous carbon film is slid with a mating member.例文帳に追加

基材とその基材の表面に形成される非晶質炭素膜とを備え、前記非晶質炭素膜で相手部材と摺動する摺動部材において、低摩擦性を向上させることである。 - 特許庁

A metal element is introduced onto an amorphous semiconductor film, which is then heated to produce a first polycrystalline semiconductor film where a continuous crystallization region is dotted with amorphous regions.例文帳に追加

非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜を得る。 - 特許庁

In the sliding member, in order to exert more excellent abrasion resistance, as an effective hydrogenated amorphous carbon film, it is preferable to adopt a substance formed with the hydrogenated amorphous carbon film containing hydrogen of 5 to 40 atom.%.例文帳に追加

より優れた耐摩耗性を発揮させるべく、発揮前記非晶質炭素膜として、水素を５〜４０ａｔ％含む水素化非晶質炭素膜を形成させたものを好ましい形態とする。 - 特許庁

Even if the surface of the amorphous silicon film is cleaned by using hydrofluoric acid, an abnormal part is not formed in the amorphous silicon film and a glass hole is not formed in the glass substrate 3.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の表面をフッ酸で洗浄しても、アモルファスシリコン膜に異常部が形成されず、ガラス基板３にガラス穴が形成されない。 - 特許庁

The supporting base material forming the deep hole is formed by an amorphous carbon film, and a lower electrode is formed, and then the amorphous carbon film used as the supporting base material of the lower electrode is removed by dry etching.例文帳に追加

深孔を形成する支持母材を、非晶質炭素膜で形成し、下部電極を形成した後、前記下部電極の支持母材として用いた非晶質炭素膜を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

When an ITO is etched, amorphous carbon is deposited at the same time, and an amorphous carbon film 103 is formed in the ITO film etched part, that is, in a clearance between lower electrodes 101a formed in this process.例文帳に追加

ＩＴＯがエッチングされると同時にアモルファスカーボンを堆積し、ＩＴＯ膜がエッチングされた部分、すなわち形成される下部電極１０１ａの間に、アモルファスカーボンの膜１０３を形成する。 - 特許庁