「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In a trench formed in a silicon substrate 2, a first amorphous silicon film 26 is formed and then a silicon oxide film is formed on the first amorphous silicon film 26.例文帳に追加

シリコン基板２に形成されたトレンチ内に第１の非晶質シリコン膜２６を形成し、この第１の非晶質シリコン膜２６上にシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Further in the method, the amorphous semiconductor film is annealed by being irradiated with a micro wave on the substrate, thereby forming a polycrystalline semiconductor film from the amorphous semiconductor film.例文帳に追加

さらに、前記方法では、前記基板上にマイクロ波を照射することにより、前記アモルファス半導体膜をアニールして、前記アモルファス半導体膜から多結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a crystalline dielectric thin film includes a stage for forming an amorphous dielectric thin film on a substrate, and a stage for dipping the amorphous dielectric thin film into water for hydrothermal treatment.例文帳に追加

本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。 - 特許庁

Thereafter, the silicon oxide film is removed and then a second amorphous silicon film 30 is formed on the first amorphous silicon film 26 to fill the trench.例文帳に追加

そして、前記シリコン酸化膜を除去し、前記第１の非晶質シリコン膜２６上に第２の非晶質シリコン膜３０を形成してトレンチ内を埋め込む。 - 特許庁

Subsequently, an annealing process 16 is effected in the non-oxidizing atmosphere to irradiate laser against the amorphous silicon film and obtain a polysilicon film by heating the amorphous silicon film.例文帳に追加

次に、非酸化雰囲気においてアニール工程１６を行ない、アモルファスシリコン膜にレーザを照射してアモルファスシリコン膜を加熱してポリシリコン膜にする。 - 特許庁

On a crystalline silicon film 103b obtained by enhancing crystallization of the crystalline silicon film 103a, a second amorphous silicon film composed of amorphous silicon films 107, 108 is provided.例文帳に追加

この結晶性ケイ素膜１０３ａの結晶性を向上させることで得た結晶性ケイ素膜１０３ｂ上に、非晶質ケイ素膜１０７，１０８からなる第２の非晶質ケイ素膜を設ける。 - 特許庁

An amorphous silicon film 16 is formed on an upper surface of the silicon oxide film 15 and spacer processing is carried out to leave an amorphous silicon film 16a at a sidewall.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５の上面に非晶質シリコン膜１６を形成してスペーサ加工を行うことで側壁部に非晶質シリコン膜１６ａを残存させる。 - 特許庁

In a method for manufacture, when catalyst elements are introduced into an amorphous semiconductor film 103, or after introduction, a first heat treatment for crystallization of a part of the amorphous semiconductor film 103 is performed to obtain a semiconductor film 105.例文帳に追加

非晶質半導体膜１０３内に触媒元素を導入する際、または導入した後、非晶質半導体膜１０３の一部を結晶化させる第１加熱処理を行い、半導体膜１０５を得る。 - 特許庁

A part of a silicon film of the amorphous phase is dissolved with radiation of a first laser beam flux group to the silicon film of the amorphous phase in order to generate silicon crystal grains by cooling the diffused silicon film.例文帳に追加

アモルファス相のシリコン膜に第１のレーザ光束群を照射してアモルファス相のシリコン膜の一部を溶融し、溶融した部分のシリコン膜を冷却させてシリコン結晶粒を発生させる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then providing a substance containing any element selected from the group consisting of nickel, iron, cobalt and platinum on the part of the amorphous silicon film, and heating to convert the amorphous silicon film to a crystalline silicon film.例文帳に追加

続いて前記アモルファスシリコン膜の一部にニッケル、鉄、コバルト及び白金のいずれかの元素を有する物質を設け、加熱することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶性シリコン膜とする。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

ＲＦスパッタ法によりシリコン基板１上に室温でアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜２を６００℃から８５０℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁

Further, an n^+ amorphous silicon film, an intrinsic amorphous silicon film, and a gate insulating film 4 are etched through a first opening part 12a of a resist layer 12.例文帳に追加

続いて、レジスト層１２の第１開口部１２ａを介してｎ^+アモルファスシリコン膜、真性アモルファスシリコン膜及びゲート絶縁膜４をエッチングする。 - 特許庁

To provide a coating composition excellent in close adhesion to an amorphous polyolefin substrate and also capable of obtaining a cured film excellent in surface hardness, scratch resistance and wear resistance, and an amorphous polyolefin film or sheet having such the cured film.例文帳に追加

非晶性ポリオレフィン基材への密着性に優れ、表面硬度、耐擦傷性、耐摩耗性に優れた硬化皮膜を得ることができる塗料組成物、及びその硬化皮膜を有する非晶性ポリオレフィンフィルムまたはシートを得る。 - 特許庁

Contact resistance generated between the amorphous transparent conductive film and an anisotropic conductive film (ACF) and between the amorphous transparent conductive film and an inspecting probe can be set at a small value.例文帳に追加

この非晶質透明導電膜と異方導電フィルム（ＡＣＦ）との間、及びこの非晶質透明導電膜と検査用プローブとの間、等に生じる接触抵抗を小さな値にすることができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device having a field effect transistor, wherein an amorphous silicon film is formed, and then a dielectric (e.g. silicon oxide film) is formed thereon and heat-treated to crystallize the amorphous silicon film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、 非晶質シリコン膜を形成し、その上に絶縁膜（例えば酸化シリコン膜）を形成してから、熱処理して非晶質シリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

Electrostatic charges can be prevented from remaining in the polysilicon film, which is caused by eximer-laser-annealing applied to the amorphous silicon film with the active fluorine adhered to the surface of the amorphous silicon film.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の表面に活性フッ素が付着した状態でエキシマレーザアニールすることで生じるポリシリコン膜中の電荷の残留を防止できる。 - 特許庁

An amorphous Si film where short distance order structure of the semiconductor thin film is improved significantly is thereby attained, and a high efficiency low photodegradation rate photoelectric converter can be realized by employing the amorphous Si film.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜の短距離秩序構造が大幅に改善された非晶質系Ｓｉ膜が得られ、それを用いる光電変換装置の高効率化、および光劣化率の低減を図ることができる。 - 特許庁

A microcrystal silicon film 62 is formed in contact with the Ar-containing layer 52, and an i-type amorphous silicon film 63 and an N-type amorphous silicon film 61 are further formed to form an active layer 37.例文帳に追加

Ａｒ含有層５２に接するように、微結晶シリコン膜６２を形成し、さらにｉ型非晶質シリコン膜６３およびＮ型非晶質シリコン膜６１を形成して、活性層３７を形成する。 - 特許庁

This substrate is a substrate 3 for thin film magnetic head in which an amorphous alumina film 2 is deposited on the upper surface of a ceramic substrate 1, and the quantity of Cu in the amorphous alumina film 2 is 0.04 KCPS or less in a fluorescent X-ray count ratio.例文帳に追加

セラミック基板１の上面にアモルファスアルミナ膜２を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板３であって、該アモルファスアルミナ膜２中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下とする。 - 特許庁

In this method, the amorphous silicon film formation step and the oxidizing protective film formation step are continuously performed in a chamber which is used for the amorphous silicon film formation step.例文帳に追加

この方法では、非晶質シリコン膜形成工程と酸化保護膜形成工程とが、非晶質シリコン膜形成工程で使用されるチャンバー内で連続して行われる。 - 特許庁

Further, the substrate 11 includes an amorphous film 17 being a hardly deformable part whose linear expansion coefficient is decreased by means of processing, and the thin film resonator 12 is joined with the substrate 11 at the amorphous film 17.例文帳に追加

さらに、基板１１は、加工により線膨張係数が小さくされた難変形部位である非晶質膜１７を備えており、薄膜共振体１２は、非晶質膜１７において基板１１に接合されている。 - 特許庁

To provide a device for forming an amorphous diamond film capable of forming an amorphous diamond film of high quality large in film thickness by reducing the content of moisture and to provide a method for forming it.例文帳に追加

水分の含有率を低くすることで、高品質で膜厚の大きなアモルファスダイヤモンド膜を形成することができるアモルファスダイヤモンド膜の形成装置および形成方法を提供すること。 - 特許庁

The resistance changing layer includes a lamination of a polycrystalline oxide film and an amorphous oxide film thicker than the polycrystalline oxide film.例文帳に追加

前記抵抗変化層は、多結晶酸化物膜と、前記多結晶酸化物膜よりも厚いアモルファス酸化物膜との積層を含む。 - 特許庁

An amorphous PLZT film is formed as a ferroelectric film 10a on a lower electrode film 9 by a sol-gel method.例文帳に追加

下部電極膜９上に、アモルファス状のＰＬＺＴ膜を強誘電体膜１０ａとしてゾルゲル法により形成する。 - 特許庁

Consequently, the amorphous semiconductor film at a part of an interface with a gate insulating film 3 is converted into a microcrystal semiconductor film 4 having crystallinity.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。 - 特許庁

An organic resin film 2 of a prescribed shape is formed on a substrate 1, and an inorganic insulating film 3 and an amorphous semiconductor film are formed.例文帳に追加

基板１上に所定の形状を有する有機樹脂膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 14 as a gate insulating film and an amorphous silicon film 16 are formed on the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０の上にゲート絶縁膜用のシリコン酸化膜１４およびアモルファスシリコン膜１６を形成する。 - 特許庁

On the lower surface of the shading film 29, a hydrogen supply layer 28 composed of a plasma SiN film or an amorphous silicon film is provided.例文帳に追加

この遮光膜２９の下面には、プラズマＳｉＮ膜やアモルファスシリコン膜などからなる水素供給層２８が設けられている。 - 特許庁

To form a polycrystalline silicon film whose electric characteristics are excellent from an amorphous silicon film having a plurality of areas whose film thickness is different.例文帳に追加

膜厚が異なる複数の領域を有する非晶質シリコン膜から、電気的特性に優れた多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

THIN-FILM MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, THIN FILM OF AMORPHOUS SEMICONDUCTOR, THIN FILM OF INSULATOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

薄膜製造方法、半導体デバイス製造方法、非晶質半導体薄膜、絶縁体薄膜、及び半導体装置 - 特許庁

The first resist pattern is removed, and a transition metal film is formed on the amorphous film and the exposed upper layer insulating film.例文帳に追加

前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。 - 特許庁

A first resist film is formed on the amorphous film, and a first resist pattern is formed on the first resist film.例文帳に追加

前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。 - 特許庁

The amorphous film is processed using the first resist film as a mask and the upper layer insulating film is exposed.例文帳に追加

前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。 - 特許庁

An amorphous silicon film 3 is deposited on this film 2 in a film thickness of 0.3 μm or thereabouts by deposition.例文帳に追加

このアルミニウム膜２の上にアモルファスシリコン膜３を蒸着により０．３μｍ程度の膜厚で成膜する（同図（ｂ））。 - 特許庁

A protective film (Al_2O_3 protective film) 107 which is divided into a plurality of layers with different compositions is formed on the channel layer of the amorphous oxide film.例文帳に追加

非晶質酸化物膜のチャネル層の上に組成の異なる複数の層に分かれた保護膜（Ａｌ_2Ｏ_3保護膜）１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a film forming device capable of forming a high hardness and fine amorphous carbon film and also capable of executing efficient film formation.例文帳に追加

高硬度且つ精細な非晶質炭素膜を形成でき、且つ、効率の良い成膜を行なえる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To further miniaturize a thin-film transistor panel having an amorphous silicon thin-film transistor, and to provide a polysilicon thin film transistor.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。 - 特許庁

On an Si wafer on which a silicon-based insulating film which becomes an interlayer insulating film is formed, an amorphous silicon film which becomes a capacity electrode is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜となるシリコン系絶縁膜が形成されたＳｉウェーハ上に、容量電極となるアモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁

A laminate of a metal oxide film 15 and an amorphous silicon film 19 are subjected to film formation on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。 - 特許庁

This low-friction carbon film is obtained by forming a carbon film consisting essentially of an amorphous structure and then heat-treating the formed carbon film at 150-500°C for ≥10 min.例文帳に追加

非晶質構造を主体とする炭素膜を成膜した後、１５０〜５００℃で１０分間以上熱処理して得られる低摩擦性炭素膜である。 - 特許庁

A columnar-crystallized Ir oxide film 54a is formed on an Ir film 53 and then an amorphous Ir oxide film 54b is formed.例文帳に追加

Ｉｒ膜５３上に柱状晶化しているＩｒ酸化膜５４ａを形成した後、アモルファス状のＩｒ酸化膜５４ｂを形成する。 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

A film 2 having an island shape and tapered surfaces at its ends is formed on a substrate 1, whereuponan inorganic insulating film 3 and an amorphous semiconductor film are formed.例文帳に追加

基板１上に、島状で且つ端部にテーパーを有する膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。 - 特許庁

The target substance for generating protons includes a support thin film and a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film formed on the support thin film.例文帳に追加

陽子発生用のターゲット物質は、支持薄膜と、支持薄膜上に形成された、水素化されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）薄膜から成る。 - 特許庁

The first base layer consists of an amorphous film such as Hf or a crystal film such as Cr, and it reduces the total film thickness and enhances the adhesion strength between the board and the magnetic layer.例文帳に追加

第1下地層は、Hf等の非晶質膜あるいはCr等の結晶質膜で、全体の膜厚を減らし、基板と磁性層の接着力を強める。 - 特許庁