「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

A gasket 13 made of rubber or resin material, which is fitted to the tip of the plunger 12 of a disposable syringe 10 and can be moved freely slidably with respect to the inner wall of a resin cylinder 11 to be combined with this plunger, is provided with an amorphous carbon film 16 at least at a sliding space within the cylinder 11.例文帳に追加

ディスポーサブル注射器１０のプランジャ１２先端に取付けられ、このプランジャ１２に組み合わされる樹脂材よりなるシリンダ１１の内壁に対して摺動自在に移動可能なゴムや樹脂材よりなるガスケット１３において、上記ガスケット１３は、少なくとも上記シリンダ１１との摺動部位に非晶質炭素膜１６を設ける。 - 特許庁

The coating composition for forming the stain-resistant layer comprises an aqueous solution of an amorphous titanium oxide containing at least one selected from the group consisting of a surfactant and a water soluble solvent and the stain-resistant layer is formed by applying the coating composition for forming the stain-resistant layer on the surface of a substrate or a coated film.例文帳に追加

アモルファス酸化チタン水溶液に、界面活性剤および水溶性溶剤からなる群より選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする防汚層形成用塗布剤組成物；ならびに、基材または塗膜の表面に、該防汚層形成用塗布剤組成物を塗布することにより形成された防汚層。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT which is enhanced in transistor characteristics, even if a polycrystalline semiconductor film obtained by making an amorphous semiconductor undergo laser annealing process is used as an active layer, a method of manufacturing an active matrix substrate, and an electro-optic device provided with an active matrix substrate formed by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In the carbon-containing unburned refractory containing a refractory raw material, a carbonaceous raw material, metallic aluminum and a binder as essential structural components, the surface of the carbonaceous raw material has an amorphous metal oxide thin film covered with oxide colloid and at least a part of the binder is an organic binder.例文帳に追加

即ち、本発明の炭素含有不焼成耐火物は、耐火性原料、炭素質原料、金属アルミニウム及びバインダーを必須の構成成分とする炭素含有不焼成耐火物において、炭素質原料の表面が酸化物コロイドにより被覆された非晶質金属酸化物薄膜を有し、且つバインダーの少なくとも一部が有機バインダーであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for achieving superior boron concentration uniformity, and to provide a substrate treatment apparatus in the manufacturing method of the semiconductor device for film-forming boron-doped polysilicon germanium or boron-doped amorphous silicon germanium in a reduced pressure CVD apparatus, and to provide a substrate treatment apparatus.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法および基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性の実現をを可能とする半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

A mixture comprising graphite, metallic lithium, and a suitable organic solvent is subjected to high energy ball milling treatment to form a compound film comprising lithium and carbon on the surface of the graphite, and especially by making the surface layer part of the compound comprising lithium and carbon amorphous, initial charge discharge efficiency is enhanced and cycle stability is also enhanced.例文帳に追加

黒鉛、金属リチウム及び適切な有機溶媒で構成される混合物に、高エネルギーボールミリング処理を行い、黒鉛表面にリチウムと炭素からなる化合物膜を形成させること、特にリチウムと炭素からなる化合物膜の表層部を非晶質とすることによって、高い初期充放電効率とサイクル安定性を示し、課題を達成することができる。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film made of a polyester resin containing ethylene terephthalate as a main component and at least 13 mol.% of at least one monomeric component can be an amorphous component in all the components of the polyester resin and also has specific thermal shrinkage characteristics and specific dynamic characteristics after thermal shrinkage treatment.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１３モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなる熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film is made of a polyester resin which consists essentially of ethylene terephthalate and contains one or more kinds of monomer components serving as an amorphous component by 13 mol% or more in the whole polyester resin components, and has a specified heat-shrinkable characteristic and a specified mechanical characteristic after heat-shrinking processing.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１３モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなる熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

Substrate dimples 11a are formed on an edge face forming the sliding face of a substrate material 11 made of a sintered ceramic material and covered with a film of a hard material such as amorphous carbon, diamond- like carbon, titanium carbide, titanium nitride, titanium carbonitride and silicon nitride evaporated by plasma CVD or PVD process.例文帳に追加

焼結されたセラミックスからなる下地材１１の摺動面となる端面１１ａに、下地ディンプル１１ａを加工し、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭窒化チタン、窒化珪素等の硬質材料をプラズマＣＶＤ又はＰＶＤにより蒸着して成膜する。 - 特許庁

In this case, the films 3, 4 are capable of being at least one of strontium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, zirconium oxide, yttrium stabilized zirconium oxide, and a strontium titanate, the inorganic amorphous layer or the organic solid layer 2 are capable of being silicon oxide, and a piezoelectric or ferroelectric material, for example, is used as the thin film 5.例文帳に追加

ここで前記酸化物薄膜層３、４は酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、イットリウム安定化酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムのうち少なくとも一つであり得、また上記無機アモルファス層又は有機固体層２は酸化シリコンであり得、また前記ペロブスカイト型酸化物薄膜５には、例えば圧電材料又は強誘電体を用いる。 - 特許庁

The ceramic valve 10 comprises a fixed ceramic valve element 11 and a movable ceramic valve element 12, one sliding surface 12a of the valve elements 11 and 12 is covered with a hard carbon film mainly consisting of an amorphous carbon, and the arithmetic average roughness Ra of both sliding surfaces of the fixed and movable valve elements is set to be ≤0.08 μm.例文帳に追加

セラミックバルブ１０、各々セラミック製の固定弁体１１と可動弁体１２とを備え、それら弁体１１，１２の一方の摺動面１２ａを主に非晶質炭素からなる硬質炭素被膜にて覆うとともに、固定弁体と可動弁体との両摺動面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以下とする。 - 特許庁

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2.例文帳に追加

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。 - 特許庁

An amorphous carbon film is formed by supplying the mixed gas between the supporting electrode 14 and the counter electrode 16 such that the percentage of the acetylene gas relative to the carrier gas is 0.05-10 vol%, and generating plasma in a state where a DC pulse voltage having a pulse width of 0.1-5.0 μsec is applied to the counter electrode 16.例文帳に追加

アモルファス炭素膜を生成するときには、対向電極１６にパルス幅が０．１μｓｅｃ以上５．０μｓｅｃ以下の直流パルス電圧を印加した状態で、キャリアガスに対するアセチレンガスの割合が０．０５体積％以上１０体積％以下となるように混合ガスを支持電極１４及び対向電極１６との間に供給してプラズマを発生させることにより、アモルファス炭素膜を生成する。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with amorphous silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is 70 or more) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入するすることで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide toner for MICR capable of continuously forming good identification marks for MICR of excellent accuracy at the time of reading by a reader stably for a long period of time without rapid dielectric breakdown of an amorphous silicon photosensitive layer of a thin-film type in spite of repetition of image formation, and an image forming method using the same.例文帳に追加

画像形成を繰り返しても薄膜型のアモルファスシリコン感光層が短期間で絶縁破壊されず、より長期に亘って安定して、読取装置によって読み取る際の精度に優れた良好なＭＩＣＲ用の識別マークを形成し続けることができるＭＩＣＲ用トナーと、それを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a variation of a crystal state due to a change of a collecting beam shape (width of minor axis) of radiating laser beam caused from a heat lens effect of an objective lens produced when forming a belt polycrystal, by scanning a continually oscillating laser beam onto a desired area of an amorphous or granular polycrystal silicon film formed on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、連続発振レーザ光を走査して帯状多結晶領域を形成するに際の対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化による結晶状態の変動を防止する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of heat treatment of glass substrate, capable of forming amorphous silicon film on a glass, using a glass having a low strain point (strain point: about 650°C) as a polycrystalline silicon, avoiding deformation due to softening of the glass substrate, markedly reducing the processing time for forming the polycrystalline silicon and significantly improving productivity.例文帳に追加

歪点の低いガラス（歪点：約６５０℃）を用いて、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化することができ、かつガラス基板の軟化による変形を回避し、多結晶シリコン化のための処理時間を大幅に短縮でき、生産性を大幅に高めることができるガラス基板の熱処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This dye-sensitized solar cell is characterized by that a wavelength conversion film where a fluorescent substance for converting, in terms of wavelength by a dye-sensitized semiconductor layer, light in a short-wavelength region in sunlight to light in a long-wavelength of 500-600 nm enabling photoelectric conversion is dispersed in an amorphous fluorine-containing polymer is arranged as the outermost layer on the sunlight side.例文帳に追加

太陽光中の短波長領域の光を色素増感半導体層により光電変換可能な５００ｎｍ〜６５０ｎｍの長波長領域の光に波長変換する蛍光物質が非晶性含フッ素ポリマー中に分散している波長変換膜が、太陽光側の最外層として配設されていることを特徴とする色素増感太陽電池。 - 特許庁

A negative electrode plate 12 has amorphous carbon coated as an active material on its negative electrode collector 4 made of copper foil, and a positive electrode plate 11 has an LixMnO2 film 2 with discharge potential lower than LiCoO2 formed between a positive electrode collector 1 made of titanium foil and a positive electrode active material layer 3 with LiCoO2 as an active material.例文帳に追加

負極板１２には銅箔からなる負極集電体４上に無定形炭素が活物質として塗着されており、正極板１１にはチタン箔からなる正極集電体１とＬｉＣｏＯ_２を活物質とする正極活物質層３との間に、ＬｉＣｏＯ_２よりも放電電位が低いＬｉ_ｘＭｎＯ_２膜２が形成されている。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step to form a semiconductor film 3 made of amorphous Si wherein an impurity P (phosphorus) is introduced in high-concentration n^+ source area 3a and n^+ drain area 3b, and a step to disperse the impurity in an area wherein low-concentration n^- source area 3d and n^- drain area 3e are formed.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、高濃度のｎ^+ソース領域３ａおよびｎ^+ドレイン領域３ｂに不純物Ｐ（リン）が導入された非晶質Ｓｉからなる半導体膜３を形成する工程と、その後、不純物を低濃度のｎ^-ソース領域３ｄおよびｎ^-ドレイン領域３ｅが形成される領域側に拡散させる工程とを備える。 - 特許庁

A thermal adhesive resin layer using an amorphous polyester copolymer resin containing spherical and monodisperse inactive grains of 1-15 wt.% as a main ingredient is laminated on at least one surface of a polyester film, and sealing energy strength at a time when thermal adhesive resin layer surfaces are superposed mutually and thermal adhesion is conducted is 20-100 gf.cm/15 mm.例文帳に追加

ポリエステル系フィルムの少なくとも一方の面に、球状かつ単分散の不活性粒子を１〜１５重量％含有する非晶性ポリエステル系共重合樹脂を主たる構成成分とする熱接着性樹脂層を積層してなり、前記熱接着性樹脂層面同士を重ね合わせて熱接着した際のシールエネルギー強度が２０〜１００ｇｆ・ｃｍ／１５ｍｍであることを特徴とする。 - 特許庁

In a method for forming a polycrystalline silicon layer on the glass substrate, a thin film layer is formed on the glass substrate 50 by preheating the glass substrate 50, depositing an amorphous silicon precursor layer on the substrate at a primary temperature, and annealing the substrate in thermal processing chambers 52, 54, 56, 58 at a secondary temperature sufficiently higher than the primary temperature to substantially reduce hydrogen concentration in the precursor layer.例文帳に追加

ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a support substrate (1), an embedded insulating layer (2) provided on the substrate, semiconductor elements (3, 5 and 6) provided on the insulating layer, a trench (T) provided in the insulating layer so as to surround the elements, and a passivation film (8) made of an amorphous insulator provided to embed the trench and to cover the elements.例文帳に追加

支持基板（１）と、前記支持基板の上に設けられた埋め込み絶縁層（２）と、前記埋め込み絶縁層の上に設けられた半導体素子（３、５、６）と、前記半導体素子を取り囲むように前記埋め込み絶縁層に設けられたトレンチ（Ｔ）と、前記トレンチを埋め込み且つ前記半導体素子の上を覆うように設けられた非晶質の絶縁体からなるパッシベーション膜（８）と、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

An amorphous thin film comprising the aimed substance and a flux of a substance which produces a eutectic with the aimed substance but no compound is deposited on a substrate at a low temperature, and the substrate is heat treated at a temperature at the eutectic temperature of the aimed substance and the flux or higher and lower than the lower melting point of the aimed substance or of the flux.例文帳に追加

基板上に、目的物質との間で共晶を形成し且つ化合物を形成しない物質からなるフラックスと、目的物質とからなるアモルファス薄膜を低温で堆積し、この基板を目的物質とフラックスの共晶温度以上、且つ、目的物質或いはフラックスの何れか低い方の融点未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

In the polyester resin sheet having the metal thin film layer formed thereon by the hot press transfer method, the sheet comprises a composition prepared by adding 0.1-2 pts.wt. of at least one kind of a lubricant, which is selected from a fatty acid ester, a fatty acid amide, a metal salt of an organic acid and hydrocarbon wax, to 100 pts.wt. of an amorphous polyester resin.例文帳に追加

熱プレス転写法にて金属薄膜層が形成されたポリエステル系樹脂シートにおいて、該シートが、非晶性ポリエステル樹脂１００重量部に対し、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、有機酸の金属塩、炭化水素系ワックスの中から選ばれる少なくとも１種以上の滑剤を０．１〜２重量部含有する組成物よりなる。 - 特許庁

The amorphous hard carbon film is formed on the sliding surface of the sliding member of the compressor by accommodating the sliding member in a holding electrode so that the sliding surface of the sliding member and the electrode surface of the holding electrode are located in nearly same plane, and generating glow discharge plasma between the holding electrode and a gas supply electrode body by applying an alternating current voltage at a pressure close to atmospheric pressure.例文帳に追加

保持電極に圧縮機の摺動部材を圧縮機の摺動部材の摺動面と保持電極の電極面とが略同一面状に収容させ、大気圧近傍で交流電圧を印可して保持電極とガス供給電極体との間にグロー放電プラズマを発生させ、摺動面に非晶質硬質炭素皮膜を成膜する。 - 特許庁

In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子１００において、ガスバリア層２０は、ＡｌとＴｉの金属酸化物であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなるアモルファス薄膜であり、且つこのＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌに対するＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上のものである。 - 特許庁

This optical film comprises an amorphous polyolefin which is (i) a copolymer comprising ethylene units and norbornene units, has (ii) a glass transition temperature in a range of 100 to 180°C, and has (iii) a meso type/racemo type existence ratio in a range of 0.2≤[meso type]/[racemo type]≤4 in respect to the stereoregularity of the diad sites of the norbornene units.例文帳に追加

i)エチレン単位とノルボルネン単位からなる共重合体であり、ii)ガラス転移温度が１００℃から１８０℃の範囲にあって、かつiii)ノルボルネン単位の２連鎖部位（ダイアド）の立体規則性に関してメソ型とラセモ型の存在比率が０．２≦[メソ型]／[ラセモ型] ≦４の範囲にある、非晶性ポリオレフィンからなる光学用フィルム。 - 特許庁

The stacked photoelectric converter has such a structure that a color sensitizing photoelectric converter 2 which performs photoelectric conversion by a sensitizing action of pigments, and a thin-film photoelectric converter 3 including an amorphous semiconductor layer which performs photoelectric conversion, are stacked in this order on a principal plane of a conductive substrate 11 into which light is incident from the principal plane side.例文帳に追加

主面側から光を入射させる導電性基板11の主面上に、色素の増感作用により光電変換を行なう色素増感型光電変換体２と、光電変換を行なう非単結晶の半導体層を有する薄膜光電変換体３とが、この順で積層されている積層型光電変換装置とする。 - 特許庁

For manufacturing the electrophotographic photoreceptor, the cylindrical base body mainly consisting of the aluminum is machined, and then, coating film whose surface roughness Ra in the area of 10 μm X 10 μm is set to ≤2.5 nm is formed by cleaning with water incorporating silica salt, and the amorphous silicon layer is heaped by a plasma CVD method.例文帳に追加

電子写真用感光体の製造としてアルミニウムを主成分とする円筒状基体を切削加工し、その後、珪酸塩を含んだ水により洗浄をおこなうことで１０μｍ×１０μｍ範囲における表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下の範囲である被膜を形成し、その後、プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層を堆積させる。 - 特許庁

In a plasma CVD method using high frequency discharge, the amorphous silicon nitride film is formed by using mixed gas containing silane gas, hydrogen gas, and at least one of ammonium gas or nitrogen gas while the distance between electrodes is 50-100 mm, and the flow rate ratio (H_2/SiH_4) of hydrogen gas to silane gas is 0.5-3.0.例文帳に追加

高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ_2／ＳｉＨ_4）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

The anti-blocking polyolefin film is formed from a composition composed of (A) 100 parts by mass of a polyolefin polymer or copolymer and (B) 0.01-10 parts by mass of spherical silica obtained by crushing natural crystalline silica, subjecting the crushed silica to flame treatment to make the silica amorphous and treating the surface of the silica with an organosilicon compound.例文帳に追加

（Ａ）ポリオレフィン重合体あるいは共重合体、１００質量部（Ｂ）天然結晶性シリカを粉砕した後に火炎処理して非晶質化し、更に有機ケイ素化合物で表面処理した球状シリカ、０．０１〜１０質量部（Ａ）と（Ｂ）からなる組成物から成形されたことを特徴とする耐ブロッキング性ポリオレフィンフィルム。 - 特許庁

By a device and a method for crystallization, the phase shifter 1 is used for crystallizing an amorphous semiconductor film 11 so that the diameters of crystallized grains may become uniform by fixing the distance between the phase shifter 1 and the substrate 2 to be treated by disposing spacers 3 respectively at a plurality of places where no crystallized silicon 7 is produced between the shifter 1 and the substrate 2.例文帳に追加

本発明は、位相シフタ１と被処理基板２との間で、結晶化シリコン７が生成されない複数の箇所にそれぞれスペーサ３を配置して、位相シフタ１と被処理基板２との間の距離を一定にすることにより、非晶質な半導体膜１１を結晶化された粒径が揃うように結晶化処理を行う位相シフタを用いた結晶化装置及び結晶化方法である。 - 特許庁

To solve the problem that when a thin film transistor on the TFT substrate side of a liquid crystal display device is irradiated with back light, the light is repeatedly reflected between the source-drain electrode and gate electrode of a TFT while transmitted through an amorphous silicon semiconductor area to impinge on a front channel, thereby generating a light off-leak current in the TFT.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ基板側の薄膜トランジスタにバックライト光が照射されると、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極との間で、アモルファスシリコン半導体領域を透過しながら多重反射し、フロントチャネルに光が入射され、ＴＦＴに光オフリーク電流が発生する。 - 特許庁

After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111.例文帳に追加

そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。 - 特許庁

After a spin on glass material containing silicon and/or silicon compound and organic solvent is applied on a substrate, an amorphous spin on glass film is formed by raising the density of the spin on glass material under the condition that crystallization does not occur in a plasma formed by a gas whose main component is oxygen.例文帳に追加

シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。 - 特許庁

This device is used to crystalize an amorphous semiconductor film with a laser light, and it is provided with a chamber 4 for emitting laser light and at least one heating chamber 3, and further it has such a structure that a sample to be treated can be moved, without being exposed in an outside air between the chambers 4 and 3.例文帳に追加

非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー４以外に、少なくとも一つの加熱処理チャンバー３を有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバー４と加熱処理チャンバー３の間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置。 - 特許庁

The white heat-shrinkable polyester film contains a polyester resin containing ethylene terephthalate as a main component and at least 15 mol.% of at least one monomer component which can be an amorphous component in all the components of the polyester resin and has a specific thermal shrinkage characteristics, light cutting properties, and specific dynamic characteristics.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１５モル％以上含有しているポリエステル系樹脂を含んでなる白色熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性、光線カット性と特定の力学的特性を有する白色熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

Th heat-shrinkable polyester film includes a polyester resin containing ethylene terephthalate as a main constituent component and containing at least 15 mol% of at least one of a monomer component capable of becoming an amorphous component in the total polyester resin component, and includes specific heat-shrinkage characteristics and specific dynamical characteristics after heat shrinkage treatment.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１５モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなる熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

To obtain an amorphous polyethylene terephthalate-containing resin composition which has a sufficiently achieved softened property, can be calendered, gives a calendered film having excellent thermal blocking resistance and tensile strength, and can be calendered into a resin sheet sufficiently preventing the temporal deterioration of stretchability, and to prepare a resin sheet comprising the resin composition.例文帳に追加

本発明は、軟質化が十分に達成されてカレンダー成形が可能なものであり、成形されたフィルムが、耐熱ブロッキング性及び引裂強度に優れ、且つ、経時による伸びの低下が十分に抑制された樹脂シートをカレンダー加工により形成可能な非結晶性ポリエチレンテレフタレート含有樹脂組成物、並びに、当該樹脂組成物からなる樹脂シートを提供することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of recessed parts 25 forming a part of the molding cavity 11 and having smooth surfaces are formed to the DLC film 25 having an amorphous structure not having crystal orientation properties by a converged ion beam capable of being converged up to several nm so as to be accurately matched with a desired molding shape.例文帳に追加

この結晶方位性のないアモルファス構造のＤＬＣ被膜２５に数ｎｍまで集束可能な集束イオンビームによって、成形キャビティ１１の一部をなす複数の凹部２５を形成することで、所望の成形形状に合わせて正確に凹部２５を形成することができると共に、表面がなめらかな凹部２５を形成することができる。 - 特許庁