「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

In a laser annealing method of the present invention, a continuous-wave laser beam having a wavelength range (600 to 900 nm) of red light to near-infrared light and a pulse laser beam having a wavelength range (100 to 550 nm) of visible light to ultraviolet light are overlappingly scanned to transform an amorphous silicon thin film formed on a substrate into a polycrystalline silicon thin film.例文帳に追加

本発明によるレーザアニール方法は、赤色から近赤外線領域（６００〜９００ｎｍ）の連続発振レーザビームと、可視光線から紫外線領域（５５０〜１００ｎｍ）のパルスレーザビームを重畳走査し、基板上に形成された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換する。 - 特許庁

The ceramic film producing method using aerosol comprises a process (a) for producing the aerosol by dispersing ceramic raw material powder containing an amorphous component in a gas and a process (b) in which the aerosol produced in the process (a) is supplied into a chamber in which a substrate is arranged, and the ceramic raw material powder is deposited on the substrate to form the film.例文帳に追加

この製造方法は、エアロゾルを利用したセラミックス膜の製造方法であって、非結晶性の成分を含有するセラミックス原料粉をガスに分散させることによってエアロゾルを生成する工程（ａ）と、工程（ａ）において生成されたエアロゾルを基板が配置されたチャンバ内に供給して、上記セラミックス原料粉を基板に堆積させることにより膜を形成する工程（ｂ）とを含む。 - 特許庁

Moreover, the charged particle beam forming material 300 is constituted by forming the conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface, side surface and rear surface of the charged particle beam forming material 40, where an aperture 33 is formed to the thin film (membrane) 31a joined to the supporting frame 11a via a silicon oxide 21a.例文帳に追加

また、本発明の荷電粒子線成形体３００は、支持枠部１１ａに酸化シリコン２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに開口部（アパーチャ）３３が形成された荷電粒子線成形体４０の表面、側面及び裏面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the material for the anisotropic exchange spring magnet comprises the steps of: forming a ribbon having an amorphous structure by rapidly quenching a magnet alloy; coating the surface of the ribbon with a film having a different composition from that of the ribbon; and heat-treating the ribbon coated with the film.例文帳に追加

磁石合金を超急冷法によりアモルファスの組織を有する薄帯とする工程と、前記薄帯の表面にこの薄帯とは組成が異なる皮膜を被覆する工程と、この皮膜を被覆した薄帯に熱処理を行う工程からなることを特徴とする異方性交換スプリング磁石材料の製造方法。 - 特許庁

This coating film comprising a diamond-like carbon hard multi- layered film 3 which has an amorphous structure containing carbon as a main component and is obtained by alternately laminating low hardness hard carbon layers 4 containing graphite clusters having an average diameter of ≥2 nm and high hardness hard carbon layers 5 containing graphite clusters having an average diameter of ≤1 nm.例文帳に追加

本発明のコーティング膜は、炭素を主成分としたアモルファス構造体であって、平均径２ｎｍ以上からなるグラファイトクラスターを含む低硬度硬質炭素層４と平均径１ｎｍ以下からなるグラファイトクラスターを含む高硬度硬質炭素層５が交互に積層されたＤＬＣ硬質多層膜３である。 - 特許庁

By adopting the layer consisting of the simple compound of silicon nitride as one of the multilayer film of the antireflection film, the plastic lens which takes advantage of characteristics of amorphous silicon having high durability, can suppress the effect of ultraviolet ray and moisture to the lens base material and the other layers and has high heat resistance and light resistance can be provided.例文帳に追加

反射防止膜の多層膜の１つとして、窒化シリコンの単純化合物からなる層を採用することにより、耐久性が高く、非晶質の窒化シリコンの特性を活かして、レンズ基材やその他の層に対する紫外線および水分の影響を抑制でき、耐熱性および耐光性の高いプラスチックレンズを提供できる。 - 特許庁

The semiconductor crystal film in a semi-molten state is obtained by locally exciting a phonon in a thermal nonequilibrium condition in an amorphous semiconductor layer on the insulating substrate such as a glass, a quartz, a plastic film, a stainless steel, a polymer series fiber, a paper or the like, or the flexible substrate to move the atom existing in an irregular position to a regular position.例文帳に追加

ガラス、石英、プラスチックフィルム、ステンレススチール、高分子系繊維、紙などの絶縁性、又は柔軟性基板上の非晶質半導体層内で、フォノンを非熱平衡状態で局所的に励起させ、不規則位置に存在する原子を規則位置に移動させることにより、非溶融状態で半導体結晶膜を得る。 - 特許庁

Therein, when the array part of the top gate type thin film transistor including the color filter 130 is formed, a source electrode 106, a drain electrode 108 and an impurity amorphous silicon layer are patterned at the same time, and a gate electrode 124, an active layer 120 and a gate insulating film are patterned and formed at the same time.例文帳に追加

この時、カラーフィルター１３０を含むトップゲート型薄膜トランジスタのアレイ部を形成する時、ソース電極１０６及びドレイン電極１０８と不純物非晶質シリコン層を同時にパターニングし、ゲート電極１２４、アクティブ層１２０、ゲート絶縁膜を同時にパターニングして形成する。 - 特許庁

Further, the observation method for observing the cross section of the semiconductor device includes a process for observing the cross section of the specific place of the semiconductor device by a scanning microscope and a process for forming the protective film of an amorphous structure to the cross section and further observing the cross section by the transmission type electron microscope through the protective film.例文帳に追加

また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

After a TiN barrier layer 6 and an Ru lower electrode 4 are successively formed on an Si substrate 7, the substrate 7 is introduced to a film forming chamber and an amorphous perovskite type oxide film 1 composed of (Ba, Sr)TiO3(BST) is deposited on the electrode 4.例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物薄膜を、酸化物を一般式ＡＢＯ_3 （但し、Ａは２価金属元素、鉛およびランタンから選ばれる１種以上の元素、Ｂは４価金属元素から選ばれる１種以上の元素である。）で表記したときのＡ元素／Ｂ元素比が１．１〜２．０であり、かつそのグレイン構造がグラニュラー構造であるものとする。 - 特許庁

To uniformly maintain the physical characteristics and electrical characteristics of a high permittivity insulating thin film by phase transferring an amorphous phase to a crystal phase or without phase separation even when a heat treatment is conducted by conducting a simple means after the high permittivity insulating thin film is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、高誘電率絶縁薄膜を成膜した後、簡単な手段を施すことで、熱処理を行っても非晶質相が結晶相に相転移したり、或いは、相分離を生じることがないようにして、高誘電率絶縁薄膜の物理的特性及び電気的特性を均一に維持できるようにする。 - 特許庁

The lamination type photoelectric converter is formed by laminating a thin-film photoelectric conversion body 2 having an amorphous semiconductor layer performing photoelectric conversion; and a dye sensitized photoelectric conversion body 3 performing photoelectric conversion by sensitization of dye absorbing the light transmitted through the thin-film photoelectric conversion body 2 on the other main surface of a transparent substrate 11, on one surface of which light is made incident; in this sequence.例文帳に追加

一方主面側から光を入射させる透光性基板11の他方主面上に、光電変換を行なう非単結晶の半導体層を有する薄膜光電変換体２と、薄膜光電変換体２を透過した光を吸収する色素の増感作用により光電変換を行なう色素増感型光電変換体３とが、この順で積層されている積層型光電変換装置とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

This polyamide multi-layer film has at least five layers, out of which a first layer and a fifth layer contain a crystalline polyamide and an amorphous polyamide; a second layer and a fourth layer contains the crystalline polyamide and a polyamide copolymer; and a third layer contains a barrier layer.例文帳に追加

少なくとも５層を有するポリアミド系多層フィルムであって、第１層及び第５層が結晶性ポリアミドと非晶性ポリアミドとを含み、第２層及び第４層が結晶性ポリアミドとポリアミド共重合体とを含み、第３層がバリア層を含むことを特徴とする耐ピンホール性に優れたポリアミド系多層フィルム及びその製造方法。 - 特許庁

In a combination of the cylinder and the piston ring, the inner circumference slide surface is composed of metal composite reinforced by ceramic fiber and hard particle, and an outer circumference slide surface of the piston ring combined with the cylinder is formed out of amorphous carbon film.例文帳に追加

シリンダとピストンリングの組み合わせにおいて、シリンダの内周摺動面がセラミックス繊維および硬質粒子により強化された金属基複合材料より構成され、該シリンダと組み合わされるピストンリングの外周摺動面がアモルファス炭素皮膜で形成されていることを特徴とするシリンダとピストンリングの組合わせ。 - 特許庁

A multilayer SOI substrate having an amorphous or polycrystal semiconductor layer formed beneath an SOI layer through a gate insulation film is employed, the semiconductor layer is implanted with ions in a pattern reverse to that of an upper gate electrode, and a buried gate is formed in self- alignment with the upper gate.例文帳に追加

ＳＯＩ層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層ＳＯＩ基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a calender molding polyester resin composition improved in the peeling from a metal roll while keeping transparency being the feature of an amorphous polyester resin, not almost generating the plateout to the metal roll and not generating the longitudinal streaks due to the involution of air in a sheet or film obtained by calender molding.例文帳に追加

非結晶性ポリエステル系樹脂の特徴である透明性を維持した上で、金属ロールからの剥離が良好で、且つ金属ロールへのプレートアウトの発生がほとんどなく、しかもカレンダー成形によって得られたシートやフィルムにエアーの巻き込みによる縦筋が発生しないカレンダー成形用ポリエステル系樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A composition containing 25-100 pts.mass of an inorganic filler based on 100 pts.mass of a resin composition containing a crystalline polyaryl ether ketone resin having a crystal melting peak temperature of ≥260°C and an amorphous polyether imide resin of a specific structure is used as a component constituting a white film.例文帳に追加

白色フィルムを構成する成分として、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂と、特定構造の非晶性ポリエーテルイミド樹脂とを含有してなる樹脂組成物１００質量部に対し、無機充填材２５〜１００質量部を含有する組成物を用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a film depositing step of forming an amorphous silicon layer 3 on a substrate 1, a crystallizing step of polycrystallizig the formed layer 3, and a quick heat treating step of heat treating a polysilicon layer 4 by blowing heated gas to the layer 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板１上にアモルファスシリコン層３を形成する成膜工程と、形成したアモルファスシリコン層３を多結晶化させる結晶化工程と、ポリシリコン層４に対して加熱した気体を吹き付けて熱処理を行う急速熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film is made of a polyester resin including ethylene terephthalate as a main constituent and containing 15 mol% or more of at least one monomer capable of forming an amorphous component in the whole components of the polyester resin, and exhibits specific heat shrinkage properties and specific mechanical properties after the heat shrinkage.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１５モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなる熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

To provide a contact probe pin for a semiconductor inspection apparatus which prevents tin as a major component of a solder from adhering to a contact section in the probe pin when the probe pin contacts with the solder, and comprises an amorphous carbon conductive film excellent in an anti-tin-adhesion property and formed on a surface of a probe pin substrate.例文帳に追加

プローブピンがはんだと接触した際に、はんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着するのを防ぐ、耐スズ凝着性に優れた非晶質炭素系導電性皮膜をプローブピン基材表面に形成して成る半導体検査装置用コンタクトプローブピンを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an essentially amorphous, non-chlorinated polymer film, which is an effective barrier to odors and organic molecules, thereby particularly useful for ostomy bags (colostomy, ileostomy), trans-dermal delivery system (TDDS), cosmetic patches, incontinence bags, medical collection bags, parenteral solution bags, and packaging of food or products, as well as for protective clothing applications or soil fumigation.例文帳に追加

臭気と有機分子に対する効果的なバリアであることにより造孔術袋（結腸フィステル形成術、回腸フィステル形成術）、経皮吸収搬送システム（ＴＤＤＳ）、化粧パッチ、失禁袋、医用採集袋、注射液袋および食品包装ならびに保護衣および土壌薫蒸用途に関して特に有用となる本質的に非晶質の非塩素化ポリマーフィルムが提供される。 - 特許庁

The easily peelable film contains: 80-99 wt.% isophthalic acid-modified polyethylene terephthalate resin which has 20-30 mol% copolymerization ratio of an isophthalic acid component and 70-75°C glass transition temperature (Tg); 1-20 wt.% amorphous polyester resin having 15-30°C glass transition temperature (Tg); and 0-19 wt.% ethylene-based copolymer containing an epoxy group.例文帳に追加

イソフタル酸成分の共重合比率が２０％〜３０モル％でガラス転移点（Ｔｇ）が７０〜７５℃のイソフタル酸変性ポリエチレンテレフタレート樹脂８０〜９９重量％と、ガラス転移点（Ｔｇ）が１５〜３０℃の非晶性ポリエステル樹脂１〜２０重量％と、エポキシ基含有エチレン系共重合体０〜１９重量％と、を含有することを特徴とするイージーピールフィルム。 - 特許庁

The manufacturing method includes a pre-purge process which deposits the amorphous silicon film on a substrate at a first container pressure and a deposit process which is the next process of the pre-purge process and deposits at a second container pressure; and the second container pressure serving as container pressure during the deposit process is lower than the first container pressure serving as container pressure during the pre-purge process.例文帳に追加

基板上にアモルファスシリコン膜を第１の炉内圧力で成膜するプリパージ工程と、プリパージ工程の次の工程であり第２の炉内圧力で成膜するデポ工程とからなり、前記デポ工程時の炉内圧力である第２の炉内圧力に関しては前記プリパージ工程の炉内圧力である第１の炉内圧力より低くしたことを特徴とする。 - 特許庁

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction.例文帳に追加

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

After bonding the buried insulating film 2 side to a supporting substrate 1, a part of the silicon substrate 20 is peeled off at the place of the ion implantation layer 21 by heat-treating, to form the active layer 3, and the amorphous layer 22 is turned polycrystalline by further heat-treating, to form a polycrystalline silicon layer 4 functioning as a gettering site.例文帳に追加

そして、埋込絶縁膜２側を支持基板１に貼り合せたのち、加熱処理することでイオン注入層２１の場所でシリコン基板２０の一部をスマートカット法にて剥離させることで活性層３を形成し、さらに加熱処理することでアモルファス層２１を多結晶化させてゲッタリングサイトとして機能する多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

A circumference of a channel formation area or a TFT formation area including the channel formation area, a source and drain area and the like to an amorphous silicon film is selectively irradiated with a laser, each TFT formation area is isolated, a metal element (representatively Ni) promoting crystallization is added, and the position of the collection (domain) of the crystal can be arbitrarily determined by performing heating treatment.例文帳に追加

非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁

A method, through which hemispherical grain silicons are formed, comprises these processes in which a film of polyslicon or amorphous silicon is formed, exposed to a vapor which contains halide-containing seeds for a time long enough to remove all oxides on it, and is then annealed at high temperature without exposing it to oxygen or an oxygen-containing gas, to be transformed into hemispherical grain silicons.例文帳に追加

ポリシリコンまたはアモルファスシリコン被膜を形成し；ハライド含有種を含む気相に該被膜を、その上の酸化物を全て除去するのに充分な時間暴露し；そして該被膜を酸素または酸素含有ガスに暴露することなく、該被膜を高温でアニーリングして、該ポリシリコンまたはアモルファスシリコンを半球形グレーンシリコンに変換する工程を含む半球形グレーンシリコンの形成方法。 - 特許庁

A laminate sheet in which an oriented A-PET (amorphous PET) sheet 7 subjected to the primary heat fixation after the primary orientation by heating an A-PET sheet is integrated with an unoriented A-PET film or an unoriented A-PET sheet through dry laminate is thermo-formed in molds 13 and 14 of a thermoformer to enhance the crystallization by the secondary oriented crystal by the forming.例文帳に追加

Ａ−ＰＥＴシートを加熱して一次延伸後一次熱固定した延伸Ａ−ＰＥＴシート７と、未延伸Ａ−ＰＥＴフィルム又は未延伸Ａ−ＰＥＴシートとをドライラミネートで一体化した積層シートを、熱成形機の金型１３，１４で加熱成形し成形による二次延伸配向結晶によって結晶化を高めている。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic light emitting display comprises step for: manufacturing a polycrystalline silicon substrate by crystallizing an amorphous silicon substrate; obtaining a Raman spectrum graph by irradiating the polycrystalline silicon substrate with a laser beam; examining a degree of the crystallinity of the polycrystalline silicon substrate from a peak area of the Raman spectrum graph; and manufacturing a thin film transistor by using the polycrystalline silicon substrate.例文帳に追加

有機発光表示装置の製造方法は、非晶質シリコン基板を結晶化して多結晶シリコン基板を製造する段階と、多結晶シリコン基板にレーザーを照射してラマンスペクトルグラフを得る段階と、ラマンスペクトルグラフのピーク面積から多結晶シリコン基板の結晶化度を算出する段階と、多結晶シリコン基板を使用して薄膜トランジスタを製造する段階と、を含む。 - 特許庁

The lithium secondary battery is composed of a cathode current collector 4 and a cathode activator layer 5, an anode formed on an anode current collector 1 including an anode activator layer 2, made of amorphous silicon, nonaqueous electrolyte 9, and a lithium carbonate film 10 formed on the surface of the anode activator layer 2.例文帳に追加

このリチウム二次電池は、正極集電体４および正極活物質層５と、負極集電体１上に形成され、非晶質シリコンからなる負極活物質層２を含む負極と、非水電解質９と、負極活物質層２の表面上に形成された炭酸リチウム被膜１０とを備えている。 - 特許庁

The adhesive film has an adhesive layer comprising (a) 20 to 80 pts.mass of an amorphous olefin copolymer, (b) 3 to 30 pts.mass of crystalline olefin polymer and (c) 10 to 50 pts.mass of block copolymer having crystalline olefin blocks (wherein the total pts.mass of (a)+(b)+(c) is set to 100).例文帳に追加

非晶性オレフィン共重合体（ａ）；２０〜８０質量部、結晶性オレフィン系重合体（ｂ）；３〜３０質量部および結晶性オレフィンブロックを有するブロック共重合体（ｃ）；１０〜５０質量部〔（ａ）（ｂ）および（ｃ）の合計で１００質量部とする〕からなる粘着層を有することを特徴とする粘着フィルム。 - 特許庁

In a process for forming the silicon nanocrystal structure, a nanometer-thick silicon thin film comprising silicon crystallites and amorphous silicon is formed on the substrate by heating the substrate to a predetermined temperature in a plasma-treatment chamber, controlling the atmosphere inside the chamber to achieve a vacuum atmosphere containing at least a hydrogenated silicon gas and a hydrogen gas and applying a high-frequency electric field.例文帳に追加

基板をプラズマ処理チェンバ内で所定の温度にした後、プラズマ処理チェンバ内を少なくとも水素化シリコンガスと水素ガスとを含む減圧雰囲気に制御し、高周波電界を印加してナノメータスケール厚のシリコン微結晶とアモーファスシリコンからなるシリコン薄膜を基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a combination of a sliding member and lubricating oil where, even in the case the surface of a film composed of an amorphous carbon material is rough in the initial stage, the reduction of wear and the reduction of friction are possible by reducing the surface roughness and approaching the lubrication from the boundary one to the fluid one in the initial stage of sliding.例文帳に追加

初期状態において、非晶質炭素材料からなる被膜の表面が粗い場合であっても、摺動初期の段階において、表面粗さを低減させて境界潤滑から流体潤滑に近づけることにより、低摩耗及び低フリクション化が可能な摺動部材と潤滑油の組合せを提供する。 - 特許庁

A plastic container 10 is stored in a plasma CVD device 1, the inside of the device 1 is kept at a predetermined degree of vacuum, a gaseous starting material containing carbon is supplied in the container 10, a predetermined energy is applied in the device 1 for generating plasma in the container 10 for forming a film containing amorphous carbon on the inside face of the container 10.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１にプラスチック容器１０を収容し、装置１内を所定の真空度に保持し、容器１０内に炭素を含むガス状の出発原料を供給し、装置１内に所定のエネルギーを付与して容器１０内にプラズマを発生させ、容器１０の内面にアモルファス炭素を含む被膜を形成する。 - 特許庁

This sliding member is formed by manufacturing, as a parent phase, an amorphous phase formed mainly of at least one element selected from group 3b elements and group 4b elements in the periodic table and putting, on a base material, a film formed by distributing, in the parent phase, micro crystal phase grains of nano size diameter formed mainly of a metal carbide.例文帳に追加

周期律表第ＩＩＩｂ族元素及び第ＩＶｂ族元素から選択される少なくとも１つの元素を主要構成成分とする非晶質相を母相とし、母相中に金属炭化物を主要構成成分とするナノサイズ径の微細結晶相粒を分散させた被膜を基材上に被覆してなる摺動部材。 - 特許庁

For an amorphous silicon film, laser irradiation is executed in the vicinity of a channel forming region or a TFT forming region including the channel forming region and a source/drain region, the TFT forming region is isolated, a metal element (represented by Ni) for promoting crystallization is added and heat processing is executed, thereby making it possible to arbitrarily define the position of the crystal aggregation (domain).例文帳に追加

非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁

A solar cell module 7, a flexible, sheet-like amorphous solar cell substantially more lightweight than a crystalline solar cell panel, is woven into a film material 6 for a tent and used as a principal material of a cover, and frame racks 2 and 3 which move over rails 4 provided for the periphery of a reservoir 20 are each covered with the solar cell module 7.例文帳に追加

結晶系太陽電池パネルと比較して格段に軽量で、かつ可撓性を有するシート状のアモルファス太陽電池である太陽電池モジュール７をテント用膜材６に編み着けたものを覆蓋の主材料に用い、貯水池２０周辺に設けたレール４上を移動するフレーム架台２，３のそれぞれに覆い被せた構造とする。 - 特許庁

After a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are grown by an epitaxial method on a backing substrate 1 in an epitaxial growth furnace, a dielectric layer (dielectric film) 5 having a form of an amorphous crystal is grown by an MOCVD method in succession to the electron supply layer 4 in the epitaxial growth furnace.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉内で下地基板１上にエピタキシャル法によってバッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４を成長後、該エピタキシャル成長炉内で電子供給層４に続けてＭＯＣＶＤ法によりアモルファス結晶形を有する誘電体層（誘電体膜）５を成長する。 - 特許庁

The semiconductor base material comprises: a base material of an amorphous, a polycrystal, a metal or the like; the crystal nucleus of SiGe or Ge formed on the base material by a heat CVD method using a germanium halide and silanes as raw materials; and a Si polycrystal film formed on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a metal member, a metal material containing aluminum as a main component is anodized in an anodization solution having a pH of 4 to 10 and containing a nonaqueous solvent having a dielectric constant smaller than that of water and capable of dissolving water, thereby forming a nonporous amorphous aluminum oxide passivation film on a surface of the metal member.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする金属材料を誘電率が水よりも小さくかつ水を溶解する非水溶媒を含むｐＨ４〜１０の化成液中で陽極酸化して金属材料の表面に無孔性非晶質膜アルミニウム酸化物不動態膜を形成する金属部材の製造方法であって、化成液の粘度を制御する工程を有することを特徴とする金属部材の製造方法。 - 特許庁

The thin ferroelectric films having uniaxial preferential orientability are manufactured by forming ≥2 kinds of the thin ferroelectric films having a plurality of kinds of the preferential orientability on a polycrystalline Pt film formed on a substrate of any among a single crystal, polycrystals, or amorphous material by using an a chemical solution deposition process and an arc discharge reactive ion plating process.例文帳に追加

化学溶液堆積法とアーク放電反応性イオンプレーティング法を用いて、単結晶、多結晶、非晶質の何れかの基体上に形成された多結晶のＰｔ膜上に、２種類以上の複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物薄膜を形成し、１軸優先配向性の強誘電体薄膜を作製する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display composed of a TFT structure in which oxidation of wiring material or the like is prevented by forming an oxide coating film having high adhesion with a semiconductor layer or a pixel electrode, and a source electrode or a drain electrode sandwiched between a semiconductor layer of amorphous silicon or the like and a passivation layer has stable ohmic joining property.例文帳に追加

半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極１８およびソース電極１９を、ｎ型アモルファスシリコン層３２上に成膜されたクロム層をレジストパターン３４、３５をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物３６が沈着する。 - 特許庁