「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin-film solar cell 100 includes a light-reflective metal electrode layer 2 formed on a substrate 1 and having an uneven structure, a first transparent conductive layer 3 including an amorphous transparent conductive material, the semiconductor layer 5, and a front transparent conductive layer 6.例文帳に追加

本発明のある実施形態において、基板１に形成され凹凸構造を有する光反射性の金属電極層２と、非晶質の透明導電性材料を含む第１の透明導電層３と、半導体層５と、前面透明導電層６とを備えている薄膜太陽電池１００が提供される。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion film contains a p-type organic photoelectric conversion material having a glass transition point (Tg) of ≥100°C and forming an amorphous layer, and the blocking layer contains a blocking material having a Tg of ≥140°C.例文帳に追加

有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor which has an active layer formed of an amorphous metal oxide semiconductor as a principal component, an improved TFT characteristic feature even if a TFT is applied with heat treatment at a relatively low temperature of 200°C or lower, a small shift in a threshold value for driving, and high reliability.例文帳に追加

アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層を有し、２００℃以下の比較的低温の熱処理でもＴＦＴ特性が効果的に向上し、駆動時の閾値シフトが小さく、信頼性の高い薄膜トランジスタを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Because of the highly erosion-resistant amorphous film densely formed on the contact surface of with molten solder, even when used in lead-free solder, the member suffers from only very little attack at a high temperature and can therefore achieves a markedly prolonged life.例文帳に追加

部材の溶融はんだに接触する接触面に緻密な高耐食性アモルファス皮膜を形成されているため、鉛フリーはんだを使用した場合であっても、高温における侵食が非常に少なく、寿命を大幅にアップすることができる。 - 特許庁

Thus, the oxygen coordination number of the base metal is increased and the relative dielectric constant is increased to ≥30 in spite of an amorphous, so that the storage device can be applied to the capacitor dielectric film of the DRAM of F65 nm and after this.例文帳に追加

ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２を母材とし、ＹやＬａなどのイオン半径の大きい元素の酸化物を添加すれば、母材の酸素配位数が増大して非晶質でも比誘電率が３０以上に増大するため、Ｆ６５ｎｍ以降のＤＲＡＭのキャパシタ誘電体膜に適用することができる。 - 特許庁

The photocatalytic sheet is produced either by kneading titanium oxide powder to amorphous polyolefin, followed by making a melt molding to afford a sheet shaped product, or by applying onto a plastic sheet less prone to be decomposed by titanium oxide a coating liquid wherein tanium oxide powder is dispersed into plastic less prone to be decomposed by titanium oxide, followed by caring the coated film.例文帳に追加

非晶性ポリオレフィンに酸化チタン粉末を練り込み、シート状に成型したもの、及び酸化チタンによって分解されにくいプラスチックに酸化チタン粉末を分散させた塗布液を、酸化チタンによって分解されにくいプラスチックシート上に塗布し硬化させもの。 - 特許庁

The decoration molding comprises a resin composition made by combining 1 to 220 pts.wt. of carbon fiber (B) based on 100 pts.wt. of a thermoplastic resin (A) which contains an amorphous resin more than 50 pts.wt. and 95 pts.wt. or less, wherein the decorating film (C) is tightly integrated on the surface.例文帳に追加

（Ａ）非晶性樹脂５０重量部を超え、９５重量部以下を含む熱可塑性樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）炭素繊維１〜２２０重量部を配合してなる樹脂組成物からなる成形品において表面に（Ｃ）加飾用フィルムが密接に一体化していることを特徴とする加飾成形品。 - 特許庁

The photonic liquid crystal is a transparent and amorphous metal oxide thin film including fine pores inside, and the refractive index (a refractive index to the light of λ = 500 nm) is ≥1.8, and the diameter of the fine pores occupying 80 vol% or more of the whole fine pores is 5 nm or less.例文帳に追加

透明でかつ、内部に微細な空隙を含む非晶質金属酸化物薄膜であって、屈折率（λ＝５００ｎｍの光の屈折率）が１．８以上であり、微細空隙全体の８０体積％以上を占める微細空隙の直径が５ｎｍ以下である非晶質金属酸化物薄膜からなるフォトニック液晶。 - 特許庁

It is desirable that the boiling point of the first solvent medium is higher than that of the second solvent medium, and by using this ink solvent series, generation of crystalline nuclei and coagulation can be suppressed, and a uniform amorphous thin film formation becomes possible because a ratio of the first solvent medium in the ink increases along with drying.例文帳に追加

第１溶媒の沸点は第２溶媒の沸点よりも高い方が望ましく、このインク溶剤系を用いることによって、インク中の第１溶媒の比率が乾燥と共に増加することから、結晶核や凝集の発生を抑制でき、均一な非晶質薄膜形成が可能となる。 - 特許庁

An antenna device 30A is provided with: a core 31; a core case 34 made of a synthetic resin to house the core 31; a coil 37; and an amorphous thin film 38 stuck to both ends 34a of the core case 34 so as to be protruded in the outer direction of the core 31.例文帳に追加

アンテナ装置３０Ａは、コア３１と、このコア３１を収納する合成樹脂製のコアケース３４と、コイル３７と、コアケース３４の両端部３４a、３４aに該コア３１の外方向に突出するように貼り付けられたアモルファス薄膜３８とを備えている。 - 特許庁

Between the highly doped silicon films 6s and 6d which are in contact with a source electrode 8s and a drain electrode 8d, respectively, and the polycrystalline silicon film 4, non-doped or lightly doped (100 ppm or less) hydrogenated amorphous silicon layers 5s and 5d are formed by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄにそれぞれ接する高濃度不純物添加シリコン膜６ｓ，６ｄと、多結晶シリコン膜４との間に、無添加または低濃度（１００ｐｐｍ以下）不純物添加水素化非晶質シリコン層５ｓ，５ｄを化学気相成長法により形成する。 - 特許庁

The method generally includes a step for positioning the substrate in a treatment chamber, a step for introducing an inert gas into the treatment chamber, a step for introducing a silicon source gas into the treatment chamber, a step for generating high-density plasma, and a step for depositing an amorphous silicon film.例文帳に追加

方法は、一般的に、処理チャンバ内に基板を位置決めするステップ、処理チャンバ内へ不活性ガスを導入するステップ、処理チャンバ内へシリコンソースガスを導入するステップ、高密度プラズマを生成するステップ、およびアモルファスシリコン膜を堆積するステップを包含する。 - 特許庁

The amorphous film forming apparatus 1 sprays flame F including particles of a material onto a base material M by a thermal spraying gun 10 to melt the particles of the material with the flame F and cools the particles of the material and the flame F with a cooling gas G before they reaches the base material M.例文帳に追加

アモルファス皮膜形成装置１は、材料粒子を含む火炎Ｆを母材Ｍに向けて溶射ガン１０より噴射させ、当該材料粒子を火炎Ｆによって溶融させたうえ、材料粒子および火炎Ｆを母材Ｍに達する前から冷却ガスＧにて冷却する。 - 特許庁

The layers 2, 3 and 4 are separated into solar cells along separating grooves, which are rectilinear and parallel with each other and running vertical to the long side of the substrate 1, and the thin-film photoelectric conversion layer 3 is equipped with a layer, which partially contains at least partially silicon other than amorphous silicon.例文帳に追加

これらの各層２、３、４は直線状で互いに平行な複数の分離溝によって基板の長辺方向と垂直方向に分離されることで複数の太陽電池セルを構成し、かつ薄膜光電変換層３は、少なくとも一部に非晶質以外のシリコンを含む層を有している。 - 特許庁

To provide amorphous polyester resin excellent in heat and moisture resistance, with sufficient hardness and adhesiveness, when it is made into a coating film, in which high glass transition temperature is achieved despite that a biomass raw material is used, and to provide a resin composition using the same.例文帳に追加

バイオマス原料を使用しているにも関わらず、高いガラス転移温度を実現し、塗膜にした際の耐湿熱性および硬度や密着性を両立させることのできる非晶性ポリエステル樹脂およびこれを用いた塗料用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A driving element QD consists of an amorphous silicon thin-film transistor (TFT), is connected to both terminals of the storage capacitor CST and supplies the current for causing the organic electroluminescent element to emit light by controlling the level of the bias voltage to be applied.例文帳に追加

駆動素子ＱＤはアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなってストレージキャパシターＣＳＴ両端に連結され、印加されるバイアス電圧レベルを制御して有機電界発光素子を発光させるための電流を供給する。 - 特許庁

A magnetic head includes; a metal substrate 18; an amorphous adhesion layer 26 which is formed on the metal substrate 18, has a thickness of less than about 8 Å, and has composition of a carbon-silicon carbide or a carbon-silicon nitride; and a diamond-state carbon film 24 formed on the adhesive layer.例文帳に追加

金属基板１８、金属基板上に形成された非晶質接着層２６であって、約８Å未満の厚さであり、かつ炭素ケイ素炭化物又は炭素ケイ素窒化物の組成を有する接着層２６と、接着層上に形成されたダイヤモンド状炭素被膜２４を含む磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistive device and a nonvolatile memory device having a phase change film of low power consumption which is capable of high-speed resistance change and is excellent in the preservation stability of an amorphous phase, and a semiconductor memory utilizing them.例文帳に追加

低消費電力で、高速抵抗変化が可能であり、かつアモルファス相の保存安定性が良好である相変化膜を有する可変抵抗素子および不揮発性メモリ素子およびこれらを利用した半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a low permeability Fe-Co-based alloy target material having satisfactory sputtering properties, the target material being used for forming an amorphous or microcrystal soft magnetic film of an Fe-Co-based alloy for use in a perpendicular magnetic recording medium or the like.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ基合金の非晶質もしくは微結晶軟磁性膜を成膜するためのＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材を提供する。 - 特許庁

The volume-reduced object is manufactured by making a surface cover film of the crashed amorphous thermoplastic resin foam rubber-like with hot water or heated steam in an apparatus (such as an autoclave) capable of treating the crashed object at a high temperature under high pressure to remove internal foaming gas.例文帳に追加

非結晶性熱可塑性樹脂発泡体破砕物を高温高圧処理できる装置（オートクレーブ等）内で加熱水或いは加熱蒸気により発泡体表面被膜をゴム状化し、内部の発泡ガスを排除することにより減容発泡体を製造することを手段とした。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-indium oxide transparent conductive film which is excellent in surface smoothness and low resistance properties and comprises an amorphous homologous compound represented by Zn_kIn_2O_k+3 (wherein k is an integer of 1-4), and to provide its production method.例文帳に追加

表面平滑性と低抵抗性に優れたＺｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

After that, the surfaces are coated with the amorphous hard carbon film.例文帳に追加

摺動面に非晶質硬質炭素皮膜（２）を被覆したバルブリフター（１）及びシム（３）の製造方法において、ショットブラスト処理により基材表面（下地）の算術平均粗さをＲａ０．０１〜０.０３μｍかつキズの最大長さを２５０μｍ以下とし、その後に非晶質硬質炭素皮膜を被覆する。 - 特許庁

A laminated sheet integrated by bonding a stretched A-PET (amorphous PET) sheet 7 primary-heat-set after heating an A-PET sheet 1 to be uniaxial-primary-stretched, and an OPP film, is secondary-heat-set in a molding die of a thermoforming machine, after thermoformed by the same molding die of the thermoforming machine to be secondary-stretched by molding.例文帳に追加

Ａ−ＰＥＴシート１を加熱して一軸一次延伸後、一次熱固定した延伸Ａ−ＰＥＴシート７と、ＯＰＰフィルムとを貼合して一体化した積層シートを、熱成形機の金型で加熱成形し成形による二次延伸後、同じ金型内で二次熱固定する。 - 特許庁

The sliding layer 82 is composed of a first layer 82a which is formed on the base material 81, and is composed of an amorphous hard carbon film (diamond-like carbon (DLC-Si)) containing Si, and a second layer 82b which is formed on the first layer 82a, and is composed of polyamideimide (PAI) containing solid lubricant, such as MoS_2.例文帳に追加

摺動層８２は、基材８１上に形成され、Ｓｉを含有する非晶質硬質炭素膜（ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ−Ｓｉ））からなる第１層８２ａと、第１層８２ａ上に形成され、ＭｏＳ_2等の固体潤滑剤を含有するポリアミドイミド（ＰＡＩ）からなる第２層８２ｂとからなる。 - 特許庁

A superconductive wire material 12 is formed by placing an aluminum-stabilizing coat 11 on a superconductive wire, which has been prepared by laying a group of superconductive filaments 7 in a matrix made of copper or copper alloy, and forming an amorphous aluminum oxide film 10 on the surface of the coat 11.例文帳に追加

銅あるいは銅合金のマトリクス内に超電導フィラメント群７を埋め込んだ超電導線の周囲にアルミニウム安定化材被覆１１を設け、この被覆１１の表面にアモルファス状の酸化アルミニウム皮膜１０を生成させて超電導線材１２を構成する。 - 特許庁

To provide an article coated with a thin film on an amorphous polyolefin resin, while taking advantage of the properties of the resin, thereby imparting mar resistance and, if necessary, an anti-reflection function, glare protection properties, water repellency, hydrophilic nature, stain proofness and the like, and a method for manufacturing the article.例文帳に追加

非晶質ポリオレフィン樹脂に薄膜被覆することにより、耐擦傷性および必要に応じて反射防止機能、防眩性、撥水性、親水性、防汚性等を付与して、非晶質ポリオレフィン樹脂基材の特性を生かした当該樹脂被覆物品とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Nitrides of at least one kind of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, B, Al or Si are uniformly dispersed and incorporated at a concentration of ≥1 to ≤20% into an amorphous film of a rare earth-transition metal alloy constituting a magnetic recording layer.例文帳に追加

磁気記録層を構成する希土類−遷移金属合金非晶質膜中に、少なくとも１種類のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、又はＳｉの窒化物を、濃度１％以上２０％以下で膜中に均一に分散させて含有させる。 - 特許庁

The brittle material film structure having a polycrystalline structure in which the content volume fraction of an amorphous phase is ≤30% and the mean grain size is ≤50 nm is formed by pulverizing brittle material particles into ones of the particle size of ≤100 nm, blowing them on a substrate, and depositing them on the substrate.例文帳に追加

脆性材料粒子を粒子径１００ｎｍ以下に粉砕後、基板に吹き付け、これを基板上に堆積することにより形成された、アモルファス相の含有体積分率３０％以下で、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下の多結晶構造である脆性材料膜構造体。 - 特許庁

The amorphous carbon film 110 does not exist in a region (diminishing region 140) at a distance of 10 μm or less from a cutting edge ridge in a direction substantially vertical to the ridge on a rake face of the tool, but is provided in a region out of the above region and contributing to the cutting.例文帳に追加

非晶質炭素膜110は、前記工具のすくい面のうち、切刃稜線から同稜線に実質的に垂直な方向に10μm以下の領域に存在せず（消失領域140）、この領域以外で切削に関与する領域に設けられている。 - 特許庁

The combination of sliding members comprises a first sliding member in which a film composed of an amorphous carbon material is formed on a sliding face and a second sliding member provided with an alloy material including at least silver of 1-20 weight% on the sliding face to slide with the sliding face of the first sliding member.例文帳に追加

摺動面に非晶質炭素材料からなる被膜を形成した第一摺動部材と、該第一摺動部材の摺動面と摺動する摺動面に、少なくとも銀を１〜２０重量％含有した合金材料を備えた第二摺動部材と、を有してなる。 - 特許庁

A quartz board 11 with an Ag layer 12 formed on its surface is used, an amorphous silicon thin film is formed thereon, and the quartz board 11 is thermally treated under the influence of a high-frequency electric field, by which a silicon layer 13 of columnar crystal grain grown in the direction vertical to the surface of the quartz board 11 can be obtained.例文帳に追加

表面がＡｇ層１２から成る石英基板１１を用い、その上に形成したアモルファスシリコン薄膜に、高周波電界を作用させながら熱処理することにより、石英基板１１表面に垂直な方向に成長した柱状結晶粒のシリコン層１３を得る。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 150 is formed of an amorphous thin film having, as principal components, indium oxide and zinc oxide the same material as the transparent electrode layer 160, wherein a difference in a work function is less than 0.3 eV and a difference in an energy bandgap is less than 0.2 eV.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。 - 特許庁

The lamination type photoelectric transfer device 1 has a dye-sensitized photoelectric transfer body 3 including an electrolyte, a catalyst layer 15 to lower overvoltage, and a thin-film photoelectric transfer body 2 which is composed of an amorphous semiconductor and has a light transmission property, laminated in the order on the main surface of a conductive substrate 11.例文帳に追加

積層型光電変換装置１は、導電性基板１１の主面に、電解質を含む色素増感型光電変換体３と、過電圧を下げる触媒層１５と、非晶質の半導体から成るとともに光透過性を有する薄膜光電変換体２とが順次積層されている構成である。 - 特許庁

To provide an amorphous silicon crystallization system, capable of improving productivity of a flat plate display by increasing the cooling speed of a substrate after heat treatment, when manufacturing a polycrystalline silicon thin film for TFT that is used for the flat plate display, such as LCD.例文帳に追加

ＬＣＤなどの平板ディスプレーに使用されるＴＦＴのための多結晶シリコン薄膜を製造する際に、熱処理後の基板の冷却速度を速め、平板ディスプレーの生産性を向上させることができる非晶質シリコン結晶化システムを提供する。 - 特許庁

The engine valve system component used in the wet condition using the lubricating oil comprises a valve system component main body and an amorphous hard carbon film formed on at least part of a sliding face of the other material relative to the valve system component main body.例文帳に追加

潤滑油を用いた湿式条件で使用されるエンジン動弁系部品を、動弁系部品本体と、該動弁系部品本体の相手材との摺動面の少なくとも一部に形成された非晶質硬質炭素膜と、からなるよう構成する。 - 特許庁

The temperature at this time is high enough to partially melt crystal grains of silicon having a {100} plane orientation in the vertical direction to a substrate 11, and also melt amorphous crystal grains of silicon or crystal grains having plane orientations other than {100}, in the noncrystalline film 14.例文帳に追加

このときの温度は、非晶質膜１４において、基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または｛１００｝以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。 - 特許庁

A separator 2 for a fuel cell forming a gas flow pass 7 in cooperation with a flat plate electrode 6 of a cell 1 consists of a low electric resistance metal plate 9 and an amorphous carbon film 10 constituting a gas flow forming surface (a) by covering the metal plate 9.例文帳に追加

単電池１の平板状電極６と協働してガス流路７を形成する燃料電池用セパレータ２は、低電気抵抗性金属板９と、その金属板９を被覆してガス流路形成面ａを構成する非晶質炭素膜１０とよりなる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a polycrystalline silicon film in which a lightly doped metal layer having a uniform distribution of metal particles is formed on a glass substrate, and in which crystallization of amorphous silicon is accelerated by the metal to fundamentally reduce contamination due to the metal particles while lowering the temperature of crystallization.例文帳に追加

低濃度でかつ均一な金属粒子分布度を持つ金属層をガラス基板上に形成し、この金属により非晶質シリコンの結晶化速度を増大して結晶化温度を低減しながら金属粒子による汚染を根本的に軽減する多結晶シリコン薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

This transparent conductive thin film lamination comprises a substrate on which ITO(indium/tin oxide) is formed by sputtering, featuring that the thin films are amorphous in crystal structure and the specific resistance of the films is 5×10-4 Ωcm or less.例文帳に追加

基材上にＩＴＯ（酸化インジウム／酸化スズ）薄膜が積層された透明導電性薄膜積層体おいて、該薄膜の結晶形態が無定型であり、且つ該薄膜の比抵抗値が５×１０^−４Ωcm以下であることを特徴とする、スパッタリング法によって形成された透明導電性薄膜積層体。 - 特許庁

To provide a crystallization mask capable of removing a protrusion formed in a process for crystallizing a amorphous silicon into a poly-crystalline silicon and a crystallizing method using the same and the manufacturing method of a thin film transistor mimetic diagram containing the same.例文帳に追加

非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化する工程で形成される突起を除去することができる結晶化用マスク、これを利用した結晶化方法及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the ND filter where light absorption films 3, 5 and dielectric films 2, 4, 6 are stacked on a transparent base material 1, the transparent base material 1 is an amorphous transparent film which is synthesized with norbornenes as a monomer and which has alicyclic structure in a main chain.例文帳に追加

光吸収膜３，５と誘電体膜２，４，６を透明基材１上に積層したＮＤフィルタにおいて、透明基材１は、ノルボルネン類をモノマーとして合成され主鎖に脂環構造を持つ非晶質透明フィルムである。 - 特許庁

In this case, energy distribution in the longitudinal direction and width direction in the beam spot of laser beams is Gaussian distribution, and scanning is made with laser beams so that the laser beams are applied to one region of the amorphous semiconductor film for not less than 5 micro seconds and not more than 100 micro seconds.例文帳に追加

このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質半導体膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 - 特許庁

An amorphous oxide transparent conductive film material is an oxide whose main component is zinc oxide-tin oxide and in which its electromotive force is -0.6 V or below on the basis of an Ag/AgCl standard electrode in a 2.4% water solution of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) at 30°C.例文帳に追加

酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする酸化物であって、 ３０℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．４％水溶液中のＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極を基準とした起電力が−０．６Ｖ以下であることを特徴とする非晶質酸化物透明導電膜材料。 - 特許庁

The protective film 25 is formed on one face 21a of the base 21 by PVD (physical vapor deposition) and CVD (chemical vapor deposition), it has mainly an amorphous structure having carbon as its main component and silicon added thereto, and has crystalline crystallized partially.例文帳に追加

保護被膜２５は、ＰＶＤやＣＶＤ等によって台金２１の一面２１ａ上に形成されるものとし、その構成は、炭素を主体として珪素が添加された主としてアモルファス構造をなし一部に結晶質を析出させたものとする。 - 特許庁