「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

In the ink jet recording sheet where an undercoat layer and an ink receiving layer are provided in an substrate composed of a resin film, the undercoat layer contains a water insoluble resin and at least one kind of pigment selected from calcium carbonate and zinc oxide, and the ink receiving layer contains synthetic amorphous silica, and a water soluble resin and the water insoluble resin, which serve as a binding agent.例文帳に追加

樹脂フィルムからなる支持体にアンダーコート層とインク受容層を設けてなるインクジェット記録用シートであり、前記アンダーコート層が炭酸カルシウム及び酸化亜鉛から選ばれる顔料の少なくとも１種と、水不溶性樹脂を含有し、前記インク受容層が合成非晶質シリカ及び、結着剤として水溶性樹脂と水不溶性樹脂を含有するインクジェット記録用シートである。 - 特許庁

A polyethylenic laminated film is constituted by laminating an (A) layer comprising an amorphous poly α-olefin containing 20-80 wt.% of a cold xylene soluble component with an intrinsic viscosity of 0.8-2.5 dl/g and 50 wt.% or more propylene and a (b) layer comprising polyethylene produced by using a metallocene catalyst.例文帳に追加

（Ａ）層は冷キシレン可溶成分が２０〜８０重量％で、該冷キシレン可溶成分は極限粘度が０．８〜２．５ｄｌ／ｇであり、かつ、プロピレンの含有率が５０重量％以上である非晶性ポリα−オレフィンからなり、（Ｂ）層はメタロセン触媒で製造されたポリエチレンからなり、（Ａ）層と（Ｂ）層とが積層されたポリエチレン系積層フィルムである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor, capable of obtaining an indium-containing metal oxide having stable characteristics by a comparatively easy control while maintaining the characteristics such that it can be formed by a non-heating sputter depositing method and includes both high mobility and high amorphous performance, and obtaining a TFT element having stable characteristics.例文帳に追加

無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a microscopic crystal silicon thin film solar battery, which can be formed using a deposition process that can be utilized at this point of time by forming an n-type hydrogenated amorphous silicon layer on the side of the reflection electrode of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer, and improved output characteristic can be exhibited.例文帳に追加

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側にさらにｎ型水素化アモルファスシリコン層を形成することによって、現時点で利用可能な堆積プロセスを使用して形成されることができる、改善された出力特性を発揮できる微結晶シリコン薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

In the electric equipment having an active matrix type display device forming plural pixels on a substrate, each pixel has a thin film transistor(TFT) having amorphous silicon and the display device is connected to an external driving circuit for driving respective pixels by a TAB system and allowed to display the operating method or operating state of the electric equipment.例文帳に追加

複数の画素が基板上に形成されたアクティブマトリクス型表示装置を有する電気機器であって、前記画素は、アモルファスシリコンを有する薄膜トランジスタを有しており、前記表示装置は、前記画素を駆動する外部駆動回路とＴＡＢ方式によって接続されており、前記表示装置は、前記電気機器の操作方法または前記電気機器の動作状態を表示することを特徴とする電気機器。 - 特許庁

This is an X-ray mask which has an X-ray absorber made selectively on an X-ray transmitting film 2, and as this X-ray absorber 1, amorphous structure of TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeCr, TaSiMo, or TaGeCu is used.例文帳に追加

Ｘ線透過膜２上に選択的に形成されたＸ線吸収体１を有するＸ線マスクであって、このＸ線吸収体１として、アモルファス構造のＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＧｅＣｕを用いる。 - 特許庁

The surface of an aluminum alloy base material is collided with a quasicrystal-dispersed alloy or an amorphous substance-dispersed alloy having strength higher than that of the aluminum alloy base material as a solid phase state together with an inert gas at a supersonic flow by a cold spray process, so as to form a strengthening film, thus the aluminum alloy base material is strengthened.例文帳に追加

アルミニウム合金基材の表面に、前記アルミニウム合金基材よりも高強度を有する準結晶分散合金またはアモルファス分散合金からなる粉末を、コールドスプレー法により固相状態のまま不活性ガスと共に超音速流で基材に衝突させて強化皮膜を形成させ前記アルミニウム合金基材を強化する。 - 特許庁

A plurality of cathode arc type evaporation sources 13 and 16 and a plurality of sputter evaporation sources 14 and 15 are provided in one vacuum tank 10, and the amorphous carbon film is precipitated by using the sputter evaporation source 15 and the cathode arc type evaporation source 16 after irradiation of metal ions on the base material 28 by the cathode arc type evaporation source 13.例文帳に追加

複数の陰極アーク式蒸発源１３、１６と、複数のスパッタ蒸発源１４、１５をひとつの真空槽１０に備えさせ、陰極アーク式蒸発源１３による基材２８への金属イオン照射後に、スパッタ蒸発源１５や陰極アーク式蒸発源１６を用いて非晶質炭素被膜の析出を行えるようにした。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming the lower electrode 20 made of an amorphous silicon on the contact electrode 17 made of a polycrystalline silicon and a sidewall film 15, then etching the electrode 20 through wet etching, by using an aqueous solution containing NH4OH and H2O2 as an etching liquid, and removing the surface layer.例文帳に追加

非晶質シリコンからなる下部電極２０を多結晶シリコンからなるコンタクト電極１７およびサイドウォール膜１６の上に形成した後、ＮＨ_4 ＯＨとＨ_2 Ｏ_2 とを含む水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングにより下部電極２０をエッチングし、その表面層を除去する。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is constituted of at least a first magnetic layer, nonmagnetic layer, and second magnetic layer: the first magnetic layer is a ferromagnetic material having a low coercive force and parpendicular magnetic anisotropy, and the second magnetic layer is a ferromagnetic material having a high coercive force and parpendicular magnetic anisotropy and constituted of an amorphous alloy film made of rare-earth- transition metal having small saturation magnetism.例文帳に追加

少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層から構成され、第１の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第２の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第２の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類−遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。 - 特許庁

A mixture gas, containing a chlorinated silane gas such as hydrogen and dichloro-silane and having an H/Cl ratio of 1 to 50 as a ratio of the number of hydrogen atoms to the number of chlorine atoms is used as a material gas, polycrystalline silicon is deposited on a substrate, such as a glass substrate through a plasma chemical vapor deposition method to form a polycrystalline silicon film which does not substantially contain amorphous silicon phase.例文帳に追加

水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比（Ｈ／Ｃｌ）が１〜５０である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

In this perpendicular magnetic recording medium configured by sequentially stacking a magnetic domain control layer 12, an amorphous soft magnetic underlayer 13, an intermediate layer 14 and a perpendicular recording layer 15 on a substrate 11, the magnetic domain control layer 12 is composed of a three-layer film wherein a first polycrystalline soft magnetic layer, a random antiferromagnetic layer and a second polycrystalline soft layer are stacked.例文帳に追加

基板１１上に磁区制御層１２、非晶質軟磁性下地層１３、中間層１４、垂直記録層１５を順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、磁区制御層１２を基板側から第一多結晶軟磁性層、不規則系反強磁性層および第二多結晶軟磁性層が積層された三層膜とする。 - 特許庁

Since at least part of the hydrogen atoms contained in the i-layer 14 terminates the dangling bond of silicon atoms and/or iron atoms in the i-layer 14, many trap levels which may occur in the amorphous iron silicide film can be dissolved and, accordingly, the i-layer 14 reveals the characteristics of an intrinsic semiconductor layer.例文帳に追加

ｉ層１４においては、そこに含まれる水素原子の少なくとも一部がケイ素原子及び／又は鉄原子のダングリングボンドを終端することにより、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る多数のトラップ準位を解消でき、これによりｉ層１４が真性半導体層としての特性を発現する。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester-based film includes ethylene terephthalate as the principal constituent and at least 13 mole% of one or more monomer components serving as an amorphous component, in the total components of polyester-based resin, and has specific heat shrinking properties and specific mechanical characteristics after heat shrinkage, transparency, and glossiness.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１３モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなる熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性、特定の熱収縮処理後の力学的特性、透明度、及び光沢度を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing.例文帳に追加

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された１導電型層１０４と、結晶配向性制御層１１６と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層１０５と、逆導電型層１０６とを含み、その１導電型層１０４は、３５０℃以下の下地温度の下でプラズマＣＶＤ法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing ferroelectric thin film comprises a process to form a fine crystal core 40 of an oxide, by irradiating an amorphous oxide thin film 30 formed on a substrate 10 with pulse layer beam or lamp beam and a process to form a ferroelectric 50, through crystallization of the oxide by irradiating the thin film including fine crystal core 40 with the pulse laser beam or a lamp beam.例文帳に追加

本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板１０上に形成された非晶質の酸化物薄膜３０にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核４０を形成する工程と、前記微結晶核４０を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体５０を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A production method of a ferroelectric thin film of this invention comprises a step of forming a fine crystalline core 40 of an oxide by irradiating laser pulses or light of a lamp on the amorphous oxide thin film 30 formed on the substrate 10 and a step of forming a ferroelectric substance 50 by irradiating laser pulses or light of lamp on the thin film including the fine crystalline core 40 to crystalize the oxide.例文帳に追加

本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板１０上に形成された非晶質の酸化物薄膜３０にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核４０を形成する工程と、前記微結晶核４０を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体５０を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The forming method comprises a film forming step of forming a thin film 73 of an amorphous or polycrystalline semiconductor having a comparatively small grain size on a substrate 71, and a step of intermittently irradiating a laser beam having a specified energy area density distribution on the semiconductor thin film 73 with laser beam irradiating regions moving, relative to the substrate 71.例文帳に追加

基板７１の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜７３を形成する成膜工程と、エネルギー面積密度に所定の分布を有するレーザ光の照射領域を基板７１に対して相対的に移動しながら、レーザ光を半導体薄膜７３に間欠的に照射して、非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程とを行なう。 - 特許庁

A base material is obtained by laminating a second film layer having a lower stress relaxation than that of the first film layer made of a thermoplastic resin except one or more types of olefin thermoplastic elastomer on any of a polymer alloy of an amorphous polyolefin, an olefin resin and a thermoplastic elastomer, a copolymer and an acrylic urethane copolymer so that the first film layer made of the olefin thermoplastic elastomer becomes the skin laminating side outermost layer.例文帳に追加

非晶質ポリオレフィン、オレフィン系樹脂と熱可塑性エラストマーとのポリマーアロイや共重合物、アクリル／ウレタン共重合体の何れかに一種以上のオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる第１のフィルム層が皮膚貼付側最外層となるように、前記オレフィン系熱可塑性エラストマー以外の熱可塑性樹脂からなり前記第１のフィルム層よりも応力緩和性の低い第２のフィルム層を積層して、基材フィルムを得る。 - 特許庁

In the method for making the silicon casting mold in which the releasing agent film is formed on its inner surface, the releasing agent film contains silicon nitride 201 and amorphous fine silica 202 obtained by heating treatment by jetting silicon tetrachloride into high temperature flame of hydrogen gas and oxygen gas, and the fine silica 202 is mixed with the above silicon nitride 201 to be 10 to 90 wt.% in the mixture.例文帳に追加

鋳型内表面に離型材皮膜を形成するシリコン鋳造用鋳型の製造方法であって、上記離型材皮膜は窒化珪素２０１と、水素ガスと酸素ガスとの高温火炎中に四塩化珪素を噴射して加熱処理して得られる非晶質微細シリカ２０２とを含有してなり、この微細シリカ２０２を上記窒化珪素２０１との総量の１０〜９０重量％となるように混合してなることを特徴とする。 - 特許庁

The method also includes a step (d) of forming a crystalline 3C-SiC film on the amorphous SiC film through epitaxial growth at the crystallization temperature of SiC or higher.例文帳に追加

（ａ）Ｓｉ基板上にｃ−ＢＰ（立方晶リン化ホウ素）をバッファー層として成膜する工程、（ｂ）ＳｉＣが結晶化する温度よりも低い温度でアモルファスＳｉＣ膜をバッファー層の上にエピタキシャル成長により成膜させる工程、（ｃ）原料ガスの供給を停止して、ｃ−ＢＰの成膜温度以下でアニール処理をおこう工程、（ｄ）ＳｉＣが結晶化する温度以上の高い温度で３Ｃ−ＳｉＣ結晶膜をアモルファスＳｉＣ膜の上にエピタキシャル成長により成膜させる工程。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.例文帳に追加

本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The micropore-containing monolayer polyester film contains 2-30 wt.% amorphous polyolefin incompatible with a polyester and has an apparent density of 0.60-1.30 g/cm3 and a factor of heat shrinkage at 120°C for 30 minutes of ≤3.0%, and the imaging paper for video printers has the fine cell- containing monolayer polyester film as the substrate.例文帳に追加

ポリエステルに非相溶な非晶質ポリオレフィンを２〜３０重量％含有する微細気泡含有ポリエステル単層フィルムであって、見掛け密度が０．６０〜１．３０ｇ／ｃｍ^３ 、かつ１２０℃−３０分での熱収縮率が３．０％以下であることを特徴とする微細気泡含有単層ポリエステルフィルム、および当該微細気泡含有単層ポリエステルフィルムを基材とすることを特徴とするビデオプリンター用受像紙。 - 特許庁

The laminated film with an adhesive for electric materials comprises a substrate made of a plastic film and at least one adhesive layer provided onto at least one face of the substrate, wherein at least the surface layer of the adhesive layer has a polyester-based hot-melt adhesive containing a crystalline polyester based resin and an amorphous polyester based resin in a mass ratio of 80:20-99:1.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる基材、及び該基材の少なくとも一方の面に設けられた少なくとも１層の接着剤層を有する電気資材用接着剤付き積層フィルムであって、該接着剤層の少なくとも表層が、結晶性ポリエステル系樹脂と非晶性ポリエステル系樹脂とを質量比で８０：２０〜９９：１の割合で含有するポリエステル系ホットメルト型接着剤を含有する電気資材用接着剤付き積層フィルム。 - 特許庁

An underlayer 12 which is an inorganic compound film containing grains based on at least one oxide selected from among cobalt oxide, chromium oxide, iron oxide and nickel oxide and at least one oxide present in an amorphous state on the grain boundaries of the grains and selected from among silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, tantalum oxide and zinc oxide is formed on a substrate 11 and a magnetic film 13 is formed on the underlayer 12.例文帳に追加

基板上１１に、酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を主体とする結晶粒と、該結晶粒の粒界に非晶質として存在する酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を含む無機化合物膜の下地膜１２を形成し、その上に磁性膜１３を形成する。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

The sliding member comprises a base material, and an amorphous carbon film which is formed on a surface of the base material and slides on a counter member.例文帳に追加

本発明の摺動部材は、基材と、該基材の表面に形成され相手材と摺動する非晶質炭素膜と、を備える摺動部材であって、前記非晶質炭素膜は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種からなる０．５〜２０ａｔ％の金属元素と、１〜１０ａｔ％のモリブデン（Ｍｏ）および／またはタングステン（Ｗ）と、１〜２０ａｔ％の硫黄（Ｓ）と、を含み残部が実質的に炭素（Ｃ）からなることを特徴とする。 - 特許庁

The forming method of the amorphous resin film has a stretching process of conducting stretching to at least the transverse direction and a cooling process in this order.例文帳に追加

本発明の製造方法は、少なくとも横方向への延伸を行う延伸工程と冷却工程とをこの順に有する非晶性樹脂フィルムの製造方法であって、該冷却工程の入口温度をＴ_ｓｔａｒｔ（℃）、出口温度をＴ_ｅｎｄ（℃）、該冷却工程の全長さをＬ_ａｌｌ（ｍ）としたときに、８０＞（Ｔ_ｓｔａｒｔ−Ｔ_ｅｎｄ）＞０であり、該冷却工程中の任意の地点の温度Ｔ（℃）と冷却工程入口からの距離Ｌ（ｍ）とが実質的に式（１）を満たすように直線勾配関係で該冷却工程を行う。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the display device including the optical sensor, each pixel part of a TFT (TFT: thin film transistor) array substrate 40a is provided with: a pixel driving TFT 22 composed of a fine crystal silicon TFT; a first photoelectric conversion TFT 20 composed of fine crystal silicon TFT; and a second photoelectric conversion TFT 21 composed of an amorphous silicon TFT and connected to the first photoelectric conversion TFT 20 in parallel.例文帳に追加

この光センサ内蔵表示装置は、ＴＦＴ（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）アレイ基板４０ａの各画素部に、微結晶シリコンＴＦＴで構成された画素駆動用ＴＦＴ２２と、微結晶シリコンＴＦＴで構成された第１の光電変換用ＴＦＴ２０と、非晶質シリコンＴＦＴで構成され、第１の光電変換用ＴＦＴ２０と並列接続された第２の光電変換用ＴＦＴ２１とを備える。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film is made of a polyester based resin which includes ethylene terephthalate as essential constitutional component and contains at least 13 mol% of at least one kind of monomer component which may be turned into an amorphous component in the total polyester resin component, has a monolayer or a two-kind three-layer structure and has a specified heat-shrinkage characteristic and a specified dynamic characteristic after heat-shrinkage treatment.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１３モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなり、単層又は２種３層構成の熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

When the phase varying film of the means 25 becomes an amorphous state i.e. a second switching state, the light beams L1 being inputted into the section 21 are led to the section 24 and the light beams L2 being inputted into the section 22 are led to the section 23.例文帳に追加

光スイッチ２０は、光路切替手段２６の相変化膜が結晶状態となったときには、第１の入力コネクタ部２１に入力される光Ｌ１を第１の出力コネクタ部２３に導くとともに、第２の入力コネクタ部２２に入力される光Ｌ２を第２の出力コネクタ部２４に導く第１の切替状態となり、光路切替手段２５の相変化膜がアモルファス状態となったときには、第１の入力コネクタ部２１に入力される光Ｌ１を第２の出力コネクタ部２４に導くとともに、第２の入力コネクタ部２２に入力される光Ｌ２を第１の出力コネクタ部２３に導く第２の切替状態となる。 - 特許庁

The laser beam has a stepwise energy profile having a region of a dimension Ln in its widthwise direction, the laser light is scanned at a pitch D in the widthwise direction relatively over the amorphous silicon film, where a relation Ln≥D is satisfied.例文帳に追加

基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射し、前記レーザー光が照射された珪素膜をパターニングして薄膜トランジスタの活性層を形成し、前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する薄膜トランジスタの作製方法において、前記レーザー光は幅方向に寸法Ｌ_nの領域でなる段階的なエネルギープロファイルを有しており、前記非晶質珪素膜に対して相対的に前記レーザー光を前記幅方向にピッチＤで走査し、Ｌ_n≧Ｄとすることを特徴とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法である。 - 特許庁