「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

First, a heat-insulating film 102, a silicon oxide film 103, and an amorphous silicon film 104 are successively formed on a glass substrate 101, and the laser beam 105 of an excimer laser is irradiated on the amorphous silicon film 104, from the upside of the film 104.例文帳に追加

まず、ガラス基板１０１上に、断熱膜１０２、酸化シリコン膜１０３及び非晶質シリコン膜１０４を順次形成し、非晶質シリコン膜１０４の上方からエキシマレーザのレーザ光１０５を照射する。 - 特許庁

To solve problems wherein, when forming an ITO film on a plastic base material by a normal vacuum film formation method, a film with a crystalline material mixed in an amorphous material is formed, and a method of obtaining an amorphous film by introducing water and a reducing gas such as hydrogen in film formation requires separate devices for using the respective gases.例文帳に追加

通常の真空成膜法によりプラスチック基材上にＩＴＯ膜の成膜を行うと、非晶質の中に結晶質が混在した膜になってしまう問題が発生する。 - 特許庁

A cylinder core film, having an aperture for forming a capacitor electrode, is formed on a semiconductor substrate 1 formed via a prescribed semiconductor manufacturing process and thereafter, a first non-doped amorphous Si film 9a, a second impurity-containing amorphous Si film 9b and a third non-doped amorphous Si film 9c are formed, in order to form an amorphous Si film 9 on the silicon core film.例文帳に追加

所定の半導体製造プロセスを経た半導体基板１上に、キャパシタ電極形成用の開口を有するシリンダコア膜を形成した後、ノンドープの第１の非晶質Ｓｉ膜９ａ、不純物を含む第２の非晶質Ｓｉ膜９ｂおよびノンドープの第３の非晶質Ｓｉ膜９ｃを順次形成して、非晶質Ｓｉ膜９を形成する。 - 特許庁

The titanium oxide film of rutile crystal structure is obtained by forming an amorphous titanium oxide film on an amorphous zirconium oxide film by ALD method by using methyl cyclopentadienyl tris dimethylamino titanium as a titanium precursor, and then annealing the amorphous titanium oxide film at a temperature of 300°C or higher thereby crystallizing.例文帳に追加

非晶質の酸化ジルコニウム膜上に、チタンプリカーサとしてメチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いてＡＬＤ法により非晶質の酸化チタン膜を形成し、３００℃以上の温度でアニールして結晶化することでルチル結晶構造を有する酸化チタン膜が得られる。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor mounting substrate includes in order the steps of: forming an amorphous oxide thin film 13 to become the active layer on or above the plastic substrate 10; patterning the amorphous oxide thin film 13; and Joule-heating the amorphous oxide thin film 13.例文帳に追加

プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をパターニングする工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３をジュール加熱する工程とをその順で少なくとも有する。 - 特許庁

There is provided the patterned crystalline semiconductor thin film, obtained by forming an amorphous thin film comprising indium oxide as a main component, crystallizing a part of the amorphous thin film to allow the part to be a semiconductor, and removing an amorphous part of the partially crystallized thin film by etching.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。 - 特許庁

A first amorphous silicon film 104 in prescribed thickness is formed on the capacitative contact 103 and a surrounding oxide film 102, and a second amorphous silicon film 105 in prescribed thickness is laminated on the first amorphous silicon film 104 so that a stack electrode 100 can be constituted.例文帳に追加

容量コンタクト１０３及びこの周囲の酸化膜１０２上には第１のアモルファスシリコン膜１０４が所定の厚みに設けられ、この第１のアモルファスシリコン膜１０４上に第２のアモルファスシリコン膜１０５が所定の厚みに積層されてスタック電極１００が構成される。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step S21 of forming an amorphous film on a silicon single-crystal substrate, a step S22 of drying the amorphous film, and a step S23 of heat-treating to crystallize the amorphous film, thereby forming an oxide crystalline film.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に非晶質膜を形成するステップＳ２１と、非晶質膜をステップＳ２２で乾燥させた後、その非晶質膜を結晶化させる熱処理を行って酸化物結晶質膜を形成するステップＳ２３とを複数回繰り返して、複数層の酸化物結晶質膜を製造する。 - 特許庁

There are provided an amorphous silicon film 14 functioning as a channel region, a source region 15 and a drain region 16 formed on the amorphous silicon film 14, and an insulating film 19 formed between the source region 15 and the drain region 16 on the amorphous silicon film 14.例文帳に追加

チャネル領域として機能する非晶質シリコン膜１４と、非晶質シリコン膜１４上に形成されたソース領域１５およびドレイン領域１６と、非晶質シリコン膜１４上であってソース領域１５とドレイン領域１６との間に形成された絶縁膜１９とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out through a manner where a groove 52 is provided to a silicon oxide film 50, an amorphous silicon film is formed along the inner surface of the groove 52, the surface of the amorphous silicon film is subjected to silicon nucleation and thermally treated to accelerate the growth of grains, and a granular silicon crystal 76 is grown in grains from the amorphous silicon film.例文帳に追加

シリコン酸化膜５０に形成された溝５２の内面に沿うように非晶質シリコン膜を形成し、非晶質シリコン膜の表面にシリコン核づけおよび粒成長促進のための熱処理を施して、非晶質シリコン膜から粒状シリコン結晶７６を粒成長させる。 - 特許庁

A catalyst element for promoting crystallization of an amorphous semiconductor thin film is added to the amorphous semiconductor thin film, and heat treatment is performed on the film so as to obtain a crystalline semiconductor thin film 102.例文帳に追加

非晶質半導体薄膜に対して当該非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、熱処理を行うことにより結晶性半導体薄膜１０２を得る。 - 特許庁

An amorphous silicon film 105a is formed on the insulating film 130, and a polysilicon film is formed by annealing the amorphous silicon film 105a by irradiating an excimer laser beam L.例文帳に追加

絶縁膜１３０上にアモルファスシリコン膜１０５ａを形成し、エキシマレーザ光Ｌの照射によってアモルファスシリコン膜１０５ａをアニールしてポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

To efficiently provide a microcrystalline semiconductor film on an amorphous semiconductor film in a solar cell panel wherein an amorphous semiconductor film and a microcrystalline semiconductor film are arranged in tandem.例文帳に追加

非晶質の半導体膜と微結晶の半導体膜とをダンデムした構成の太陽電池パネルにおいて、上記非晶質の半導体膜に上記微結晶の半導体膜を効率良く設ける。 - 特許庁

The insulating film is selectively etched, to form a first region of the amorphous semiconductor film covered with the insulating film and a second region of exposed amorphous semiconductor film.例文帳に追加

前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記非晶質半導体膜が前記絶縁膜に覆われている第１の領域および露出している第２の領域を形成する。 - 特許庁

The amorphous silicon film 16 is formed on a silicon oxide film 15, and the silicon oxide film 17 is formed on the amorphous silicon film 16.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５の上にアモルファスシリコン膜１６を形成すると共に、アモルファスシリコン膜１６の上にシリコン酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

Both the amorphous semiconductor film and the amorphous semiconductor are crystallized, a polycrystalline semiconductor film and a polycrystalline semiconductor 16a are formed and the polycrystalline semiconductor film is oxidized thermally to form a thermal oxidation film 17.例文帳に追加

次いで、非晶質半導体膜及び非晶質半導体を共に結晶化し、多結晶半導体膜及び多結晶半導体１６ａにし、さらに多結晶半導体膜を熱酸化して熱酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor apparatus includes steps of: forming an amorphous silicon film on a silicon oxide film; and annealing the amorphous silicon film to form a single crystal silicon film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜をアニールして単結晶シリコン膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The second insulating film 5 is formed by depositing an amorphous silicon film on the first insulating film 2, followed by supplying nitrogen radicals 4 activated by microwave discharge or the like to the amorphous silicon film.例文帳に追加

また第二絶縁膜形成には、非晶質シリコン膜を堆積した後、マイクロ波放電などにより活性化された窒素ラジカル４を用いて形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film 26A is deposited inside a channel 25 formed at a silicon oxide film 24, and a photoresist film 30 is spin-coated at the upper part of the amorphous silicon film 26A.例文帳に追加

酸化シリコン膜２４に形成した溝２５の内部にアモルファスシリコン膜２６Ａを堆積し、続いてアモルファスシリコン膜２６Ａの上部にフォトレジスト膜３０をスピン塗布する。 - 特許庁

The thin-film piezoelectric element comprises an amorphous metal film 22 on a substrate 11 and a piezoelectric film 15 oriented perpendicularly to the surface of the amorphous metal film 22.例文帳に追加

基板１１上の非晶質金属膜２２と、非晶質金属膜２２の上で、非晶質金属膜２２表面に垂直な方向に配向した圧電膜１５とを備える。 - 特許庁

A laser beam 5 is made incident on the glass film 3, whose intensity distribution is modulated with the glass film 3 and made incident on the amorphous silicon film 2, so that the amorphous silicon film is poly-crystallized.例文帳に追加

ガラス膜３にレーザ光５を入射させてその強度分布をガラス膜３で変調させて非晶質シリコン膜２に入射させ、非晶質シリコン膜を多結晶化させる。 - 特許庁

For example, a transparent amorphous silica film or a transparent amorphous silicate film each of which includes nanopores or no nanopores, or a transparent inorganic/organic hybrid material film which includes nanopores or no nanopores, is employed as the transparent SOG material film.例文帳に追加

透明ＳＯＧ材料膜は、例えばナノポアを含むあるいは含まない透明な非晶質シリカ膜や非晶質シリケート膜、または、無機・有機ハイブリッド材料の膜とされる。 - 特許庁

Then, a portion of the high dielectric amorphous film covered with the gate electrode formation film is left by wet etching using the gate electrode formation film 62 as a mask, and a portion of the exposed high dielectric amorphous film is removed.例文帳に追加

次に、ゲート電極形成用膜６２をマスクとしたウェットエッチングにより、ゲート電極形成用膜で覆われた高誘電体非結晶膜の部分を残存させ、露出した高誘電体非結晶膜の部分を除去する。 - 特許庁

An oxide semiconductor film 40 is made as a laminated structure of an amorphous film 41 and a crystallized film 42, wherein high uniformity electrical characteristics are obtained by the amorphous film 41.例文帳に追加

酸化物半導体膜４０を、非晶質膜４１および結晶化膜４２の積層構造とし、非晶質膜４１により、均一性の高い電気特性を得る。 - 特許庁

In a second transparent-conductive-film removing step, the peripheral part of the transparent conductive film 39 protruding in a direction from the amorphous silicon film 35 to the surface of the circuit board 17 is removed accompanying with the removal of the amorphous silicon film 35.例文帳に追加

２回目の透明導電膜除去工程で、アモルファスシリコン膜35を除去に伴ってこのアモルファスシリコン膜35より回路基板17の面方向に突出する透明導電膜39の周辺部を除去する。 - 特許庁

Moreover, a polycrystalline silicon film (first layer) is formed, an amorphous silicon film (second layer) is formed thereon at a low temperature, and then a dielectric (e.g. silicon oxide film) is formed thereon and heat-treated, to crystallize the amorphous silicon film.例文帳に追加

また、多結晶シリコン膜（１層目）を形成し、その上に低温で非晶質シリコン膜（２層目）を形成し、その上に絶縁膜（例えば酸化シリコン膜）を形成してから、熱処理して非晶質シリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

An amorphous Si thin film in film thickness of 35 nm is formed with reference to a substrate 2, it is patterned to be in a prescribed shape, and then an amorphous Si thin film in a film thickness of 50 nm is formed additionally.例文帳に追加

基板２に対して３５ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を形成し、これを所定形状にパターニングしてから５０ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を更に形成する。 - 特許庁

The area of a transparent conductive film 39 is made larger compared with the area of an amorphous silicon film 35 and the peripheral part 39a of the transparent conductive film 39 is projected than the side surface of the amorphous silicon film 35.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜35の面積に比べて透明導電膜39の面積を大きくし、アモルファスシリコン膜35の側面より透明導電膜39の周辺部39aを突出させる。 - 特許庁

To provide a film forming method that attains the formation of a good amorphous carbon film using a power supply for a bipolar PBII device at a low vacuum atmosphere, and to provide an amorphous carbon film that is obtained by the film forming method.例文帳に追加

バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。 - 特許庁

The amorphous conductive film on the metal conductive film is subjected to plasma treatment in a CF_4/O_2 gas atmosphere so as to make the amorphous conductive film easily etched, and then the layered film is patterned by using the etching liquid.例文帳に追加

金属導電膜上の非晶質導電膜に対し、ＣＦ_4 ／Ｏ_2 ガス雰囲気中でプラズマ処理を行って該非晶質導電膜をエッチングされやすくし、しかる後、エッチング液を用いて積層膜をパターニングする。 - 特許庁

The silicon nitride film 22 is formed on the upper surface of the formed genuine amorphous silicon film 21, and a resist film 23 is formed on the upper surface of the silicon nitride film 22.例文帳に追加

成膜された真性アモルファスシリコン膜21の上面には窒化シリコン膜22が成膜され、その上面にはレジスト膜23が形成されている。 - 特許庁

The carbon film 38, such as a hydrogen amorphous carbon film, a DLC (diamond like carbon) film or a hard carbon film is used.例文帳に追加

炭素膜３８としては、水素アモルファス炭素膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜、または硬質炭素膜などがある。 - 特許庁

An amorphous silicon film or the like whose etching selectivity with respect to the photoresist film 124 is larger than a nitride film is used as the dummy film 122.例文帳に追加

ダミー膜１２２としてフォトレジスト膜１２４とのエッチング選択比が窒化膜よりも大きなアモルファスシリコン膜等の材料を用いる。 - 特許庁

An amorphous Ir oxide film 54 as a part of a lower electrode film is formed and then a Pt film 91 is formed on the film 54.例文帳に追加

下部電極膜の一部であるアモルファス状のＩｒ酸化膜５４を形成した後、その上にＰｔ膜９１を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film is heated at a temperature of 600°C or below to crystallize the silicon film and the crystallization of the silicon film is accelerated by irradiating the silicon film with a laser beam or strong light.例文帳に追加

非晶質珪素膜を６００℃以下の温度で加熱して結晶化し、レーザ光又は強光を照射することで、結晶化を助長する。 - 特許庁

An Ni film 13 is formed to be brought into contact with a low rank crystal semiconductor thin film 12 constituted of an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film.例文帳に追加

非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる低級結晶性半導体膜１２に接してＮｉ膜１３を形成する。 - 特許庁

Moreover, the insulating film contacts with the barrier film and an amorphous layer containing Si, C is formed between the conductive film and the barrier film.例文帳に追加

また、絶縁膜とバリア膜は接しており、導電膜とバリア膜の間にはＳｉ，Ｃを含むアモルファス層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

An Ni film 13 is formed in contact with a semiconductor film 12 that is made of an amorphous silicon film, a microcrystalline silicon film, or the like.例文帳に追加

非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる半導体膜１２に接してＮｉ膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus that can form an amorphous silicon film having uniform film quality over the entire film, without lowering film formation rate.例文帳に追加

製膜レートを下げることなく、膜全体に亘って膜質が均一なアモルファスシリコン膜を形成することができるＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

As for the material of the electrode disposed in the lower layer, a transparent conductive film of amorphous indium zinc oxide, amorphous indium germanium oxide or amorphous oxide essentially comprising the above oxides is used.例文帳に追加

下層に配置される電極の材料として、アモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜を用いる。 - 特許庁

After the deposition of the amorphous hafnium oxide by ALD method, the amorphous hafnium oxide is re-oxidized by an oxygen radical generated by low temperature remote plasma, etc., to obtain an amorphous hafnium oxide film having little dopant.例文帳に追加

ＡＬＤ法により堆積させた後、低温リモートプラズマなどで生成される酸素ラジカルにより再酸化させることにより、非晶質で、不純物の少ない酸化ハフニウム膜を実現することが可能である。 - 特許庁

The manufacturing method comprises: an amorphous laminate formation step for forming an amorphous film of indium-based complex oxide containing indium and tetravalent metal on a long length of transparent film base material by sputtering; and a crystallization step for continuously transporting the long length of transparent film base material with the amorphous film formed thereon into a heating furnace, and crystallizing the amorphous film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。 - 特許庁

In crystallizing an amorphous thin film (a-silicon thin film 2), the amorphous thin film is placed in an environment containing a catalyst for promoting crystallization (solution applied layer 3), and then laser light 21 from a laser light source 20 is cast on the amorphous thin film to introduce the catalyst obtained from the environment into the amorphous thin film.例文帳に追加

アモルファス薄膜（ａ−シリコン薄膜２）を結晶化させる際に、結晶化を助長する触媒が含まれる環境下（溶液塗布層３）に該アモルファス薄膜を置いて該アモルファス薄膜に、レーザ光源２０から照射されたレーザ光２１を照射して、前記環境から得られる触媒を前記アモルファス薄膜中に導入する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device includes a step of forming an amorphous semiconductor film 15 on an insulating substrate 1, a step of dehydrogenating the amorphous semiconductor film 15, a step of forming a protective layer 5 on the dehydrogenated amorphous semiconductor film 15, and a step of transforming the amorphous semiconductor film 15 into a polycrystal film via the protective layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、絶縁性基板１上に非晶質半導体膜１５を成膜する工程と、非晶質半導体膜１５を脱水素処理する工程と、脱水素処理された非晶質半導体膜１５に保護層５を形成する工程と、保護層５を介して非晶質半導体膜１５を多結晶化する工程とを備える。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: depositing a amorphous silicon film; forming a seed crystal on the side surfaces of the amorphous silicon film; and crystal-growing silicon toward the inside of the amorphous silicon film in a direction perpendicular to the film thickness direction of the amorphous silicon film by annealing using microwave.例文帳に追加

実施形態による半導体装置の製造方法は、非晶質シリコン膜を成膜する工程と、該非晶質シリコン膜の側面に種結晶を作成する工程と、マイクロ波を用いたアニーリングにより上記非晶質シリコン膜の膜厚の方向に直交する方向で上記非晶質シリコン膜の内部へシリコンを結晶成長させる工程と、を持つ。 - 特許庁