「amorphous film」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH INTEGRATED AMORPHOUS SILICON THIN FILM TRANSISTOR DRIVE ARRAY例文帳に追加

集積アモルファスシリコン系薄膜トランジスタドライブ列を有する液晶表示装置 - 特許庁

To provide a roll coater device which can increase the strength of an amorphous carbon film, and can be reduced in size.例文帳に追加

非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

The amorphous film 1 is formed on a substrate, laser light is applied to the amorphous film 1 to crystallize a laser light irradiation area 1a and the amorphous film 1 is subjected to heat treatment to crystallize the amorphous film 1 other than the laser light irradiation area.例文帳に追加

本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 - 特許庁

The coating (c) is a precise and nondefective amorphous inorganic compound film comprising Si and O as main components.例文帳に追加

被覆膜（ｃ）は、緻密で欠陥のないＳｉとＯとを主成分とする非晶質の無機化合物膜である。 - 特許庁

The method includes a process of modifying the amorphous silicon layer 70 into a thermal oxide film 71 through thermal oxidation.例文帳に追加

アモルファスシリコン層７０を、熱酸化により熱酸化膜７１へ変質させる工程を備える。 - 特許庁

To provide a method for improving adhesion between an underlayer and an amorphous carbon film.例文帳に追加

下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。 - 特許庁

After deposition of an amorphous semiconductor film, it is subjected to heat treatment under the acidic atmosphere.例文帳に追加

非晶質半導体膜堆積後、酸化性雰囲気下にて熱処理を施す。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

The maximum thickness of the film of the amorphous carbon at the cutting edge is made not less than 0.05 μm and not more than 0.5 μm.例文帳に追加

非晶質カーボン膜の刃先における最大厚みは0.05μm以上0.5μm以下とする。 - 特許庁

To provide a technique capable of making a gate oxide film, high in purity and amorphous, by a CVD.例文帳に追加

高純度で非晶質のゲート酸化膜をＣＶＤで作成できる技術を提供する。 - 特許庁

In a beam irradiator, a processing object in which an amorphous silicon film is formed on a ground member is prepared.例文帳に追加

下地部材上にアモルファスシリコン膜が形成された加工対象物を準備する。 - 特許庁

MEMBER COATED WITH FILM OF AMORPHOUS HYDROCARBON SOLID MATTER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

アモルファス状炭素水素固形物皮膜被覆部材およびその製造方法 - 特許庁

To provide a novel compound which has a high lowest excited triplet level and forms a stable amorphous film.例文帳に追加

最低励起三重項準位が高く、安定なアモルファス膜を形成する新規な化合物の提供。 - 特許庁

To enhance the electric characteristics of an amorphous silicon film deposited by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによって堆積されたアモルファスシリコン膜の電気的特性を改善すること。 - 特許庁

Then, the film of amorphous SiC or GaN is formed at a temperature range of 300 to 600°C.例文帳に追加

そのとき、アモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を３００〜６００℃の温度で形成する。 - 特許庁

To improve an initial conformability of an amorphous hard carbon film formed on the surface of a sliding member.例文帳に追加

摺動部材表面に形成される非晶質硬質炭素膜の初期馴染み性を改善する。 - 特許庁

To provide a batch forming system for an amorphous silicon thin film, which can improve a production speed.例文帳に追加

生産スピードを向上できるアモルファスシリコン薄膜の一括生成システムを提供する。 - 特許庁

P-TYPE AMORPHOUS SILICON THIN FILM, PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

ｐ型アモルファスシリコン薄膜、光起電力装置及びそれらの製造方法 - 特許庁

AMORPHOUS SOFT MAGNETIC THIN FILM AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING IT例文帳に追加

非晶質軟磁性薄膜及びこの非晶質軟磁性薄膜を用いた垂直磁気記録媒体 - 特許庁

The thin-film transistor having the channel layer of the amorphous substance has an high electric mobility.例文帳に追加

該非晶質のチャンネル層を備えた薄膜トランジスタは、優れた電気移動度を有する。 - 特許庁

The positive electrode active material film 40 comprises a material of an amorphous positive electrode active material.例文帳に追加

正極活物質膜４０は、アモルファス正極活物質材料で構成される。 - 特許庁

To form an amorphous carbon film having a relatively low hardness at a pressure of more than 10 Torr and smaller than or equal to atmospheric pressure.例文帳に追加

１０Ｔｏｒｒを超え常圧以下において、比較的低硬度の炭素膜を生成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

As the crystalline shielding film 19, a material with an amorphous texture can be used.例文帳に追加

結晶性遮断膜１９としては、アモルファス構造を持った材料を用いることができる。 - 特許庁

HIGH-FREQUENCY Co-BASED METALLIC AMORPHOUS MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC ELEMENT, INDUCTOR AND TRANSFORMER USING THE SAME例文帳に追加

高周波用Ｃｏ基金属アモルファス磁性膜とそれを用いた磁気素子、インダクタ、トランス - 特許庁

MATERIAL FOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AMORPHOUS FILM AND ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子用材料、アモルファス膜、及びエレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁

AMORPHOUS POLYMER OF DIANTHRACENE AND OPTICAL INFORMATION RECORDING THIN FILM MATERIAL USING IT例文帳に追加

ジアントラセンのアモルファスポリマーおよびそのポリマーを用いた光情報記録薄膜材料 - 特許庁

To obtain a finely structured or amorphous alloy film of good quality excellent in corrosion resistance.例文帳に追加

耐食性に優れた良質の微細組織又はアモルファスの合金膜を得る。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF OBSERVING AND FORMING POROUS AMORPHOUS FILM例文帳に追加

多孔質アモルファス膜の観察方法及び成膜方法ならびに観察装置及び成膜装置 - 特許庁

COATING LIQUID FOR FORMATION OF AMORPHOUS SILICA-BASED COATING FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT AND METHOD FOR PREPARING THE SAME COATING LIQUID例文帳に追加

低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法 - 特許庁

MATERIAL FOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AMORPHOUS FILM, AND ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子用材料、アモルファス膜、及びエレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁

To provide an amorphous high dielectric film without being crystallized in activation heat treatment.例文帳に追加

活性化熱処理で結晶化しない非晶質高誘電体膜を提供する。 - 特許庁

In one integrated circuit fabrication process, the amorphous carbon film is used as a hardmask.例文帳に追加

１つの集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜はハードマスクとして使用される。 - 特許庁

On a side face 8f on the outer periphery side of a retainer ring, an amorphous hard carbon film 81 is formed.例文帳に追加

外周側の側面８ｆに、非晶質の硬質炭素膜８１を形成する。 - 特許庁

To increase the adhesion of an amorphous carbon film which has high hardness close to that of diamond.例文帳に追加

ダイヤモンドに近い高硬度のアモルファス状の炭素膜の密着性を高める。 - 特許庁

To provide an amorphous tin oxide-based transparent conductive film which has low resistance and has excellent chemical resistance.例文帳に追加

低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。 - 特許庁

Then an amorphous silicon film is formed on the entire surface of the substrate 11 using a low-pressure CVD method.例文帳に追加

次に、減圧ＣＶＤ法で基板１１全面に非晶質珪素膜を成膜する。 - 特許庁

To form an insulating film of amorphous carbon which has lower dielectric constant and proper thermal resistance.例文帳に追加

より低誘電率で耐熱性のよいアモルファスカーボンの絶縁膜を形成する。 - 特許庁

On formation of the tetrahedral amorphous carbon film, an FCA (Filtered Cathodic Arc) method is used.例文帳に追加

テトラヘドラルアモルファスカーボン膜の形成にあたってＦＣＡ法は用いられる。 - 特許庁

An amorphous ceramics film is formed on at least one part of the surface of the heat exchanger.例文帳に追加

熱交換器の表面の少なくとも一部に非晶質セラミックス皮膜を形成する。 - 特許庁

The maximum thickness of the film of the amorphous carbon at the cutting edge is made to be not less than 0.05 μm and not more than 0.5 μm.例文帳に追加

非晶質カーボン膜の刃先における最大厚みは0.05μm以上0.5μm以下とする。 - 特許庁

The thickness of the amorphous silicon film is measured to obtain a shape of the side surface of the second part.例文帳に追加

第２の部分の側面形状を得るためにアモルファスシリコン膜の厚みを測定する。 - 特許庁

The spiral coil (2) is preferably made of an amorphous thin-film metallic glass that softens in the supercooled liquid domain.例文帳に追加

前記コイル（２）は、過冷却液体域で軟化する非晶質薄膜金属ガラスからなるのが好ましい。 - 特許庁

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 4 and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 4 is polycrystallized, thus a second polycrystalline semiconductor film 5 is formed.例文帳に追加

アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。 - 特許庁

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 3A and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 3A is polycrystallized, thus forming a second polycrystalline semiconductor film 4.例文帳に追加

次に、アモルファス半導体膜３Ａの中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜３Ａを多結晶化することにより、第２の多結晶半導体膜４を形成する。 - 特許庁