「breakdown strength」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

高耐圧半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN STRENGTH DIODE AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

高耐圧ダイオードとその製造方法 - 特許庁

To give a semiconductor element for electric power a high breakdown strength.例文帳に追加

電力用の半導体素子を高耐圧化させる。 - 特許庁

To provide a protective circuit having a high electrostatic breakdown strength.例文帳に追加

静電気耐量の高い保護回路を提供する。 - 特許庁

To prevent leakage defect of a normal breakdown strength MOS transistor and a high breakdown strength MOS transistor made on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上に形成される通常耐圧ＭＯＳトランジスタと高耐圧ＭＯＳトランジスタのリーク不良を防止する。 - 特許庁

To provide a highly reliable high breakdown strength semiconductor device at a low cost in which a high breakdown strength element and a drive circuit or a protection circuit, etc., are formed integrally.例文帳に追加

高耐圧素子及びドライブ回路や保護回路等を一体化した高耐圧半導体装置を信頼性高く低コストで提供すること。 - 特許庁

To decrease the number of fabrication steps required for forming a high breakdown strength transistor and an ordinary breakdown strength transistor on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと通常耐圧トランジスタとを同一半導体基板上に形成する際に工程数を削減する。 - 特許庁

To provide a high integration semiconductor device in which breakdown strength of a high breakdown strength PMOS transistor is ensured.例文帳に追加

高耐圧ＰＭＯＳトランジスタの耐圧を確保した高集積化された半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance the breakdown strength and the durability of lightweight golf club shaft.例文帳に追加

軽量ゴルフクラブシャフトの折損強度および耐久性を高める。 - 特許庁

To easily obtain a semiconductor device of high breakdown strength and low on-voltage.例文帳に追加

高耐圧及び低オン電圧の半導体装置を容易に得る。 - 特許庁

To improve avalanche breakdown strength and element reliability simultaneously.例文帳に追加

アバランシェ破壊耐量と素子の信頼性を同時に向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having large breakdown strength as compared with conventional one.例文帳に追加

従来よりも大きな破壊耐量を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To precisely test equipment for harmonic breakdown strength.例文帳に追加

機器の高調波耐量について正確に試験できるようにする。 - 特許庁

To realize an electrostatic chuck which is high in dielectric breakdown strength, shallow, and excellent in covering properties.例文帳に追加

絶縁破壊し難く、浅くて被覆性も良い静電チャックを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose conductive resistance is low and whose breakdown strength is high.例文帳に追加

導通抵抗が低い高耐圧の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide coil parts which are superior in insulation and breakdown strength and are easy to assemble.例文帳に追加

絶縁性、耐圧性に優れ、且つ、組立容易なコイル部品を提供する。 - 特許庁

Moreover, high breakdown strength can be obtained by forming a depletion layer by the opening of a stripe.例文帳に追加

また、ストライプの開口により空乏層を形成して高耐圧を得る。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING COLLECTOR-EMITTER BREAKDOWN STRENGTH OF BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧の測定方法 - 特許庁

EDGE STRUCTURE WITH HIGH BREAKDOWN STRENGTH FOR SEMICONDUCTOR MODULE例文帳に追加

半導体モジュ—ル用の高電圧耐性を有する縁部構造体 - 特許庁

To provide the nitride system semiconductor device of a high breakdown strength and a low ON resistance.例文帳に追加

高耐圧／低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。 - 特許庁

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting a threshold value of a low breakdown-strength MISFET, with a polycrystal silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown-strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength semiconductor device, along with its manufacturing method, capable of shortening a turn-off time slower than that of an MOS transistor of high breakdown strength to improve breakdown strength while maintaining on-voltage, in IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、高耐圧のＭＯＳトランジスタに比べて遅いターンオフ時間を短縮し、オン電圧を維持しながら、耐圧を向上させることができる高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting the threshold of a low breakdown strength MISFET, with a polycrystalline silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high-breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

To freely set a potential difference between a high level and a middle level within the range of the breakdown strength of a high breakdown-strength element even when the high breakdown-strength element at 100 V or higher is used and a capacitive load is driven.例文帳に追加

１００Ｖ超の高耐圧素子を用い、かつ容量性負荷を駆動させる場合でも、ハイレベルとミドルレベルの間の電位差を高耐圧素子の耐圧の範囲内で、自由に設定することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a limiter circuit which can output selectively one-level data from a binary high voltage value utilizing difference between surface breakdown characteristics of a high breakdown strength MOS transistor and a low breakdown strength transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタと低耐圧ＭＯＳトランジスタの表面ブレイクダウン特性の違いを利用し、二値の高電圧値を選択的に一値出力することができるリミッタ回路を有する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

The breakdown value of the rectifier element 28 is set not less than the breakdown strength of the switch element 18.例文帳に追加

整流素子２８のブレークダウン値がスイッチング素子１８の耐圧値に等しいかそれ以上である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

To provide a piezoelectric power generating element which can improve the breakdown strength of a ceramics composition remarkably and restrain the occurrence of element breakdown caused by deformation.例文帳に追加

セラミックス組織の破壊強度を飛躍的に向上させ、変形による素子破壊の発生を抑制できる圧電発電素子を提供すること。 - 特許庁

To suppress degradation in breakdown strength by suppressing oxygen diffusion in a semiconductive film.例文帳に追加

本発明は、半導電性膜中の酸素の拡散を抑え、耐圧劣化を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a polypropylene oriented film excellent in breakdown strength as a capacitor film.例文帳に追加

コンデンサー用フィルムとして絶縁破壊強度に優れたポリプロピレン延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

To form a Zener diode of high quality at a high yield by suppressing variation in breakdown strength of Zener.例文帳に追加

ツェナー耐圧のばらつき幅を抑え、高品質のツェナーダイオードを高歩留まりで形成する。 - 特許庁

To provide an input protection circuit device capable of improving breakdown strength without enlarging a pattern size.例文帳に追加

パターンサイズを大きくすることなく破壊耐量を向上できる入力保護回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of improving the breakdown strength of an electronic circuit utilizing a polysilicon resistor.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗を活用した電子回路を高耐圧化できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce an on voltage and ensure a high breakdown strength in an insulation gate type semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧を低減すると共に高破壊耐量を確保する。 - 特許庁

To easily materialize high breakdown strength and high reliability for a semiconductor element for power.例文帳に追加

電力用半導体素子の高耐圧化と高信頼性化を容易に実現すること。 - 特許庁

To improve ESD breakdown strength of an input protecting circuit in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、入力保護回路のＥＳＤ耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a structure capable of improving a breakdown strength.例文帳に追加

耐圧を向上できる構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF HIGH BREAKDOWN STRENGTH MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a horizontal HEMT having a high avalanche breakdown strength, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高いアバランシュブレークダイン強度を有する横型ＨＥＭＴと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated semiconductor circuit device which maintains high integration and whose electrostatic breakdown strength is improved.例文帳に追加

高集積度を維持しつつ、静電耐圧の強化を実現した半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To increase an improvement effect of breakdown strength by a surf layer circulating around a semiconductor element formation region.例文帳に追加

半導体素子形成領域を一巡するリサーフ層による破壊耐量の向上効果を増大させる。 - 特許庁

To provide a polarizing process of a piezoelectric element which hardly lowers the breakdown strength of the piezoelectric element.例文帳に追加

圧電素子の破壊強度を低下させ難い圧電素子の分極処理方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the breakdown strength of a component of the power conversion circuit 10 can be lowered.例文帳に追加

従って、電力変換回路１０の構成部品の耐圧を下げることができる。 - 特許庁