「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first channel region 2 and second channel region 3 are separated by the trench 11.例文帳に追加

第１のチャネル領域２および第２のチャネル領域３はトレンチ１１により分離されている。 - 特許庁

The first channel region and the second channel region are arranged in series in a current pathway.例文帳に追加

第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 - 特許庁

The first channel region and second channel region are disposed in series in a current path.例文帳に追加

第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 - 特許庁

Further, in the channel region, the channel has a ridge-shaped fin region.例文帳に追加

また、上記チャネル領域では、該チャネルがリッジ状の形をなしたフィン領域を有している。 - 特許庁

The isolating region provides the corner region of channel along the interface between the channel region and the isolating region.例文帳に追加

分離領域は、チャネル領域と分離領域との間の界面に沿って、チャネルの角部領域を与える。 - 特許庁

The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region.例文帳に追加

バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。 - 特許庁

Carbon is injected into the channel region 10 or the halo region 17.例文帳に追加

チャネル領域１０又はハロー領域１６に炭素が注入される。 - 特許庁

The channel region (1a') of the TFT is arranged in the intersection region.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）は、交差領域内に配置されている。 - 特許庁

A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加

Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。 - 特許庁

An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2.例文帳に追加

ｎ型のチャネル領域５が、ゲート領域２の下部に設けられる。 - 特許庁

The channel region 14 is provided on the body region.例文帳に追加

チャネル領域１４は、ボディ領域上に設けられている。 - 特許庁

A source region 212 is formed while being adjoined to the control channel region 208, an LDD region 216 is inserted between the auxiliary channel region 210 and a drain region 218 and an internal drain region 214 is inserted between the control channel region 208 and the auxiliary channel region 210.例文帳に追加

ソース領域２１２を制御チャネル領域２０８に近接して形成し、ＬＤＤ領域２１６は、補助チャネル領域２１０とドレイン領域２１８との間に挿入され、内部ドレイン領域２１４は、制御チャネル領域２０８と補助チャネル領域２１０との間に挿入される。 - 特許庁

A gate region 19 is provided inside the channel region 14.例文帳に追加

また、チャンネル領域１４の内部にゲート領域１９が設けられている。 - 特許庁

An n^- region is provided on the channel region and a portion of the n- region is removed so that a portion of the n^- region remains on the channel region to provide reduction in a surface roughness of the channel region.例文帳に追加

ｎ”領域は、チャネル領域上に設けられ、＆領域の一部分が除去され、それにより、ｎ”領域の一部分が、チャネル領域上に残って、チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす。 - 特許庁

a region of northern France on the English Channel 例文帳に追加

フランス北部の地方で、英仏海峡に面する - 日本語WordNet

The channel forms an arcuate funnelling region.例文帳に追加

チャンネルは弧状の漏斗領域を形成している。 - 特許庁

The channel region is formed of a germanium layer.例文帳に追加

チャンネル領域は、ゲルマニウム層で構成される。 - 特許庁

Threshold voltage of a transistor is set at a desired level by controlling the overlap of channel region and source region in the direction of channel length and the overlap of channel region and drain region in the direction of channel length.例文帳に追加

チャネル領域とソース領域のチャネル長方向の重なり量、及びチャネル領域とドレイン領域のチャネル長方向の重なり量に制御することでトランジスタのしきい値電圧を所望の値に設定する。 - 特許庁

The side surfaces include a channel region.例文帳に追加

当該側面はチャネル領域を含む。 - 特許庁

DEVICE FOR SETTING BROADCASTING CHANNEL BY REGION例文帳に追加

地域別放送チャンネル設定装置 - 特許庁

A second channel region (C2) has a channel length shorter than the channel length of a first channel region (C1), and the second polycrystalline region (P2) has an average crystal grain size smaller than the average crystal grain size of the first polycrystalline region (P1).例文帳に追加

第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 - 特許庁

A p+ layer 10 is formed in a channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４にはｐ＋層１０が形成されている。 - 特許庁

Thus, the channel region is doubly light shielded.例文帳に追加

これらにより、チャネル領域を二重に遮光する。 - 特許庁

The transistor has a source region, drain region, and channel region, formed of polysilicon.例文帳に追加

トランジスタは、ポリシリコンで形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有する。 - 特許庁

A source region 17 and a drain region 18 are formed on both sides of the channel region 13.例文帳に追加

チャネル領域１３の両側には、ソ−ス・ドレイン領域１７，１８が形成されている。 - 特許庁

The channel region is electrically separated from the gate electrode region by the gate dielectric region.例文帳に追加

チャネル領域は、ゲート誘電体領域によってゲート電極領域から電気的に分離している。 - 特許庁

A first impurity region 15 and a second impurity region 16 are disposed at both sides of the channel region 14.例文帳に追加

第１、第２不純物領域１５、１６が、チャネル領域１４の両側に配設されている。 - 特許庁

A channel region 24 is provided between the source region 22 and drain region 23.例文帳に追加

チャンネル領域２４は、ソース領域２２とトレイン領域２３の間に設けた構成となっている。 - 特許庁

A first channel region that is continuous is defined between the first region and the second region.例文帳に追加

連続した第１チャネル領域が、上記第１領域と上記第２領域との間に定められる。 - 特許庁

A memory cell includes a source region and a drain region separated by a channel region.例文帳に追加

本メモリセルはチャネル領域で分離されたソース領域及びドレイン領域を備える。 - 特許庁

The body region 25 of the non-channel region 10B includes no emitter region 26.例文帳に追加

非チャネル区域１０Ｂのボディ領域２５には、エミッタ領域２６が設けられていない。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region (5 and 6) and source/drain regions 3 formed in a region outside the channel region (5 and 6).例文帳に追加

その半導体層は、チャネル領域５，６と、チャネル領域５，６の外側の領域に形成されるソース／ドレイン領域３とを備えている。 - 特許庁

A channel region is formed over the first layer, and a second source/drain region 235 is formed over the channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、第１の層上に形成され、第２のソース／ドレイン領域２３５はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁

A channel region of the transistor is formed on a first layer, and a corresponding second source/drain region is formed on the channel region.例文帳に追加

トランジスタのチャネル領域は、第１の層上に形成され、付随した第２のソース／ドレイン領域はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁

The charge storage region 250 is disposed straddling a part of a channel region 273 and a part of diffusion regions 212 and 213 arranged at both sides of the channel region.例文帳に追加

電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。 - 特許庁

The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region.例文帳に追加

そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。 - 特許庁

An n-type impurity region is provided continuously at the bottom part of the channel region at the lower parts of the source region, gate region, and drain region.例文帳に追加

ソース領域下方、ゲート領域下方およびドレイン領域下方のチャネル領域底部に連続したｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes an active region 30 composed of a silicon semiconductor layer having a drain region 21, a channel region 20 stacked on the drain region 21, and a source region 16 stacked on the channel region 20.例文帳に追加

半導体装置１は、ドレイン領域２１と、ドレイン領域２１に積層されたチャネル領域２０と、チャネル領域２０に積層されたソース領域１６とを有するシリコン半導体層からなる活性領域３０を含む。 - 特許庁

The thin film transistor 10 is provided with a source region 14, a drain region 15, a channel forming region corresponding to both the source region 14 and the drain region 15, and a gate electrode 12 corresponding to the channel forming region.例文帳に追加

本薄膜トランジスタ１０は、ソース領域１４と、ドレイン領域１５と、ソース及びドレイン領域１４、１５の双方に対応するチャネル形成領域と、該チャネル形成領域に対応するゲート電極１２とを備えている。 - 特許庁

In the channel region 111, an impurity density in a first region near the drain region 107 is lower than an impurity density in a second region other than the first region in the channel region 111.例文帳に追加

チャネル領域１１１において、ドレイン領域１０７近傍の第１領域における不純物濃度は、チャネル領域１１１における第１領域以外の第２領域における不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

A channel proximity region 8, an intermediate region 9, a contact forming region 10, an intermediate region, and a channel proximity region are arranged in this order in the drain region 5 of the MOS-type ESD protecting device 1.例文帳に追加

ＭＯＳ型のＥＳＤ保護素子１のドレイン領域５に、チャネル近接領域８、中間領域９、コンタクト形成領域１０、中間領域、チャネル近接領域をこの順に配列する。 - 特許庁

In a thin film transistor 1, a lightly doped impurity region 3d is formed between a source region 3a and a channel region 3c and a lightly doped region 3e is formed between a drain region 3b and a channel region 3c.例文帳に追加

ソース領域３ａとチャネル領域３ｃとの間に低濃度不純物領域３ｄが形成され、ドレイン領域３ｂとチャネル領域３ｃとの間に低濃度不純物領域３ｅが形成さている。 - 特許庁

A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加

フィン層４には、Ｐ型フィンＦＥＴ２０のソース領域２１、チャネル領域２２、ドレイン領域２３と、Ｎ型フィンＦＥＴ３０のドレイン領域２４、チャネル領域２５、ソース領域２６とが形成される。 - 特許庁

The gate includes a region where the gate dopant is substantially depleted at least in a region where the channel region and the isolating region overlap and the threshold voltage in the channel corner region beneath the depletion region 34 increases as compared with the channel region between corner regions.例文帳に追加

ゲートは、少なくともチャネル領域及び分離領域とオーバラップする領域に、ゲート・ドーパントが実質的に空乏状態にされた領域３４を含み、空乏領域３４の下方のチャネル角部領域のしきい値電圧が、角部領域間のチャネル領域に比較して増加する。 - 特許庁