「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A dent track 60 placed in a channel 52 gives a noncontact area in the measurement region.例文帳に追加

チャネル５２内に設けられた窪んだトラック６０が測定領域における非接触エリアを与える。 - 特許庁

A region which is surrounded by the annular groove 11 and a retaining plate is a border channel.例文帳に追加

この環状溝１１とリテーニングプレートとによって囲まれた領域が、境界流路である。 - 特許庁

The surface side of the single-crystal silicon layer 3 between the source region 10 and the drain region 11 functions as a channel layer 3a.例文帳に追加

ソース領域１０とドレイン領域１１との間の単結晶シリコン層３の表面側はチャネル層３ａとして機能する。 - 特許庁

By implanting ions onto a semiconductor substrate 1, a low concentration impurity region 3 to be a channel region is formed.例文帳に追加

半導体基板１上にイオン注入することでチャネル領域となる低濃度不純物領域３を形成する。 - 特許庁

Only in a region which includes a channel-forming region on the (100) face orientation, a silicon epitaxial growth layer 15 of low concentration is formed.例文帳に追加

上記（１００）面方位上のチャネル形成領域を含む領域にのみ、低濃度のシリコンエピタキシャル成長層１５を形成する。 - 特許庁

In addition, germanium is not diffused into a channel-region formation region 1i and its peripheral regions such as 1k and 1m.例文帳に追加

また、ゲルマニウムは、チャネル領域形成予定領域１ｉやその周辺の領域１ｋ、１ｍなどに拡散しない。 - 特許庁

Further, the transistor may have a source or drain formed in the region where the semiconductor film is deformed in addition to the channel formation region.例文帳に追加

また上記トランジスタは、チャネル形成領域に加え、ソースまたはドレインが半導体膜の歪んでいる領域に形成されていても良い。 - 特許庁

The patterned silicon layer 206a includes a polysilicon channel region 212 and an amorphous-silicon hot-carrier inhibiting region 216.例文帳に追加

パターン化シリコン層２０６ａは、ポリシリコンチャネル領域２１２及びアモルファスシリコンホットキャリア抑制領域２１６を含んでいる。 - 特許庁

To enable a portion corresponding to a base region and including a set channel region among trench side surfaces to be in a desired surface azimuth.例文帳に追加

トレンチ側面のうちチャネル領域が設定されるベース領域と対応する部分を所望の面方位にできるようにする。 - 特許庁

An edge portion 302 of a polysilicon layer 301 that becomes a channel layer, becomes an amorphous region or a microcrystal region.例文帳に追加

チャネル層となるポリシリコン層３０１のエッジ部３０２は、非結晶領域又は微結晶領域となる。 - 特許庁

The n-type source/drain region 4 is formed in such a manner as to pinch the n-channel region on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a p-type semiconductor region to form a channel of nMIS for memory cell selection is formed onto the forming region of the recess 13.例文帳に追加

その後、その窪み１３の形成領域にメモリセル選択用のｎＭＩＳのチャネル形成用のｐ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

A source 13a and a drain 13d are formed on both sides of the channel region 7 on the surface of the n-well region 5.例文帳に追加

Ｎウエル領域５表面部のチャネル領域７の両側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが形成されている。 - 特許庁

A channel region 52 having gate electrode 32 brought in a Schottky- contact therewith is not separated by the transistors 6 and 7 and formed as a common continuous region.例文帳に追加

ゲート電極３２がショットキー接触するチャネル領域５２は各トランジスタ６、７で分離せず、連続した共通の領域で構成する。 - 特許庁

Thereafter, when a gate oxide film 23 and a gate electrode 23 are formed, the gate electrode 23 is never sneaked to the side of an active region (channel region).例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜２２やゲート電極２３を形成しても、ゲート電極２３が活性領域（チャネル領域）の側方に回り込むことがない。 - 特許庁

Information is written by using not channel dope but implantation ion seed into an impurity region of an active region.例文帳に追加

チャネルドープではなく、活性層の不純物領域への注入イオン種によって情報を書き込む。 - 特許庁

Portions of the stress control film 5 located at both sides in a gate widthwise direction from a channel region 8 form a stress control film working region 6.例文帳に追加

応力制御膜５のうちチャネル領域８からゲート幅方向の両側方に位置する部分は、応力制御膜加工領域６となっている。 - 特許庁

A P-type region 19a functioning as a channel stopper of the insulating film 2a is formed between the insulating film 2a and the photoelectric conversion region 3.例文帳に追加

また、絶縁膜２ａと光電変換領域３との間には、絶縁膜２ａのチャネルストッパとして機能するＰ型領域１９ａを形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory in which a magnetic field can be applied uniformly and perpendicularly for a semiconductor region such as a channel region or the like.例文帳に追加

チャネル領域などの半導体領域に対して、一様に、垂直に磁界をかけられるような磁気メモリを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 has a source region 13 and a drain 15, and a channel region 17 is arranged between the source 13 and the drain 15.例文帳に追加

半導体基板１１はソース領域１３とドレイン１５をもっており、ソース１３とドレイン１５の間にチャンネル領域１７がある。 - 特許庁

An n-channel MISFET 24 is formed in an MISFET forming region 1A adjacent to the capacitor forming region 1B.例文帳に追加

キャパシタ形成領域１Ｂの隣のＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ａにはｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ２４が形成されている。 - 特許庁

Then, an insulating film thinner than the silicon oxide film in the contact region is formed in a channel region of the silicon substrate.例文帳に追加

次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The gate region is formed as the p-type AlGaAs layer, and a channel region as the n-type AlGaAs layer.例文帳に追加

ゲート領域はｐ型ＡｌＧａＡｓ層として形成され、チャネル領域はｎ型ＡｌＧａＡｓ層として形成されている。 - 特許庁

The channel stopper layer 6 is terminated at a specified position around a light receiving region between the receiving region and a semiconductor circuit element 41.例文帳に追加

このとき、チャネルストッパ層６は、受光領域の周囲であって、半導体回路素子４１との間である位置にて終焉させる。 - 特許庁

The semiconductor film is so formed on the substrate as to include each source region and each drain region which adjoin to each other via each of channel regions 7b-7d.例文帳に追加

半導体膜は基板上に形成され、チャネル領域７ｂ〜７ｄを介して隣接するソースおよびドレイン領域を含む。 - 特許庁

In a cell transistor TC, a source drain region BL is formed at a part lower than a part of the channel region.例文帳に追加

セルトランジスタＴＣは、ソース・ドレイン領域ＢＬがチャネル領域の一部よりも下方に形成される。 - 特許庁

A p^+-region 35 is formed in a portion that is to function as a channel region facing the planer gate electrode 31 in the p-base regions 20 and 21.例文帳に追加

Ｐベース領域２０，２１におけるプレーナゲート電極３１と対向するチャネル領域となる部位にＰ^+領域３５が形成されている。 - 特許庁

The extension region 16 is formed on the surface layer of the semiconductor substrate and the both ends of the channel region 10.例文帳に追加

エクステンション領域１６は、半導体基板の表層に形成され、チャネル領域１０の両端に形成される。 - 特許庁

The second region has a bandgap larger than that of the first region, and induces a 2D electron gas (2DEG) in the channel.例文帳に追加

第２の領域は第１の領域のバンドギャップより大きなバンドギャップを有し、チャネル内に２Ｄ電子ガス（２ＤＥＧ）を引き起こす。 - 特許庁

A gate insulating layer 5 is formed on the channel region between the source region 2 and third insulating layer 6.例文帳に追加

また、ソース領域２と第３の絶縁層６との間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜５が形成される。 - 特許庁

A p-well 111 as a MOSFET channel region is formed in one side of an n^--layer 110, and an n^+-drain region 118 is formed on the other side.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。 - 特許庁

First and second channel regions C are formed between the source region 20A and the drain region 20B.例文帳に追加

前記ソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に第１及び第２チャンネル領域Ｃが配置される。 - 特許庁

An insulation layer 35 is made larger in thickness on a window region 28 than on the channel region 29 inside the p well 21.例文帳に追加

絶縁層３５の厚みは、ｐウェル２１の内部に位置するチャネル領域２９上よりも、ウインドウ領域２８上において大きくなっている。 - 特許庁

A channel region of the p^- type region 12 adjacent to the gate insulating film 14 is formed along the trench 13.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４に隣接するＰ^−型領域１２のチャネル領域が溝部１３に沿って形成されることになる。 - 特許庁

A channel connecting region 4 is formed on the predetermined position of the surface of a drift region 2 that is formed on an SiC substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に形成されたドリフト領域２の表層部の所定位置に、チャネル接続領域４を形成する。 - 特許庁

The thin-film transistor includes a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and channel forming regions 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

An active region 7a is encircled with a fixed potential diffused layer 16, and channel regions 15 are formed in the region 7a.例文帳に追加

固定電位拡散層１６で能動領域７ａを取り囲み、能動領域７ａ内にチャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

A high concentration channel injection region 42 containing the N-type impurity at a higher concentration than the substrate 36 is provided at a center of the gate region 40.例文帳に追加

ゲート領域４０の中央に、基板３６に比して高い濃度でＮ型不純物を含む高濃度チャネル注入領域４２を設ける。 - 特許庁

A floating gate 19 is arranged on a channel region L_1 region, this is separated by a gate oxide 21.例文帳に追加

チャンネル領域Ｌ_１部分の上にフローティングゲート１９があり、これは、ゲート酸化物２１により分離されている。 - 特許庁

A gate electrode 14 is constituted on a channel region 13 in the P^- region of the body through a gate oxidized film (not illustrated).例文帳に追加

ボディーのＰ^-領域におけるチャネル領域１３上にゲート酸化膜（図示せず）を介してゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

The impurity region in contact with an arbitrary connection terminal is in contact only with any one channel forming region.例文帳に追加

任意の接続端子に接する不純物領域は、チャネル形成領域のいずれか１つとのみ接している。 - 特許庁

To apply a sufficient stress to a channel region to materialize an embedded S/D (source-drain) region by an epitaxial growth having no shape abnormality.例文帳に追加

チャネル領域に十分な応力を与え、形状異常のないエピタキシャル成長による埋め込みＳ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域を実現する。 - 特許庁

In this invention, impurity ions are implanted into the opening while the photoresist is left, and the second body region constituting a channel region is formed.例文帳に追加

本発明は、フォトレジストを残したまま開口内に不純物イオンを注入し、チャネル領域を構成する第２ボディー領域を形成する。 - 特許庁

A second region 20B other than the channel region 20A in the semiconductor layer 20 has a non-crystalline phase.例文帳に追加

また、半導体層２０における、このチャネル領域２０Ａ以外の第２の領域２０Ｂは、非結晶相とされている。 - 特許庁