「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The channel region 103 forms a part of the surface of semiconductor substrate 100 with its upper surface.例文帳に追加

チャネル領域１０３は、その上面が半導体基板１００の表面の一部を構成する。 - 特許庁

NON-PLANAR TRANSISTOR HAVING GERMANIUM CHANNEL REGION, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

For example, the channel region 102 is obtained by laminating one to four layers or so of the graphene.例文帳に追加

例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。 - 特許庁

A semiconductor channel region is formed on the N and P ground layer regions.例文帳に追加

ＮおよびＰグラウンド層領域の上に半導体チャネル領域を形成する。 - 特許庁

METHODS FOR FABRICATING SILICON CARBIDE DEVICES HAVING SMOOTH SURFACE OF CHANNEL REGION例文帳に追加

チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法 - 特許庁

The organic layer between the source and the drain functions as a channel region of the thin-film transistor.例文帳に追加

ソースとドレインの間の有機層は、薄膜トランジスタのチャネル領域として機能する。 - 特許庁

A gate insulation film is provided between the channel region and the gate electrode.例文帳に追加

チャネル領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が配置されている。 - 特許庁

To suppress the dependence of the stress acting on a channel region on the layout of a gate electrode.例文帳に追加

チャネル領域に作用するストレスがゲート電極のレイアウトに依存するのを抑制する。 - 特許庁

Then, the channel region 109 and the semiconductor substrate 101 ranges via the semiconductor regions 110a, 110b and 111a, 111b.例文帳に追加

チャネル領域１０９と半導体基板１０１とが半導体領域１１０ａ，１１０ｂ；１１１ａ，１１１ｂを介して連なっている。 - 特許庁

A drain region 14 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 10 so that no channel 11 is formed.例文帳に追加

溝１１が形成されていない半導体基板１０表面側にドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

A channel region and a capacitor opening are formed in a substrate by this method.例文帳に追加

この方法は、基板中にチャネル領域およびキャパシタ開口を形成する。 - 特許庁

A pair of source/drain diffusion layers 11 pinch a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン拡散層１１は、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む。 - 特許庁

Further, a light shielding film is not formed in the region of channel polysilicon overlapping the pixel electrode.例文帳に追加

また、画素電極と重なるチャネルポリシリコンの領域に遮光膜を形成しない。 - 特許庁

The control gate electrode is formed on the other surface of the channel region through the insulating film.例文帳に追加

チャネル領域の他方の面上には絶縁膜を介して制御ゲート電極を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on a channel region defined between them.例文帳に追加

両者の間に画定されたチャネル領域の上にゲート電極が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。 - 特許庁

Ion implantation for regulating the threshold voltage is limited to a part of a channel region 15.例文帳に追加

また、しきい値電圧調節用のイオン注入をチャネル領域１５の一部に限定して行っている。 - 特許庁

A channel region reducing member 20 is arranged between adjacent jet pumps 1a, 1b.例文帳に追加

隣り合うジェットポンプ１ａ，１ｂの間に流路面積低減部材２０を配置している。 - 特許庁

A trench gate type n channel MOS transistor is formed in the element region.例文帳に追加

素子領域には、トレンチゲート型のｎチャネルＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a recessed channel region, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

リセスされたチャネル領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A single insulator layer is formed above the channel region and the capacitor conductor at the same time.例文帳に追加

本発明は、チャネル領域とキャパシタ導体の上方に単一の絶縁体層を同時に形成する。 - 特許庁

After a channel region is formed, a process for forming a nitride film for liftoff is added.例文帳に追加

チャネル領域形成後、リフトオフ用の窒化膜を形成する工程を追加する。 - 特許庁

The charge storage layer 14 is formed above a channel region of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

電荷蓄積層１４は、半導体基板１０のチャネル領域上方に形成されている。 - 特許庁

The inverted portion of the channel region ends at a pinch-off point before reaching the drain.例文帳に追加

チャネル領域の反転部分は、ドレインに達する前にピンチオフ点で終わる。 - 特許庁

Each transistor cell has a substantially constant doping concentration in the channel region.例文帳に追加

各トランジスタ・セルは、チャネル領域においてほぼ一定のドーピング濃度を有する。 - 特許庁

A gate insulating film 15 and a gate electrode 16 are formed on the channel region 13.例文帳に追加

チャネル領域１３の上には、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１６とが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high carrier mobility in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域における高いキャリア移動度を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The channel region reducing member 20 is mounted on each throat 17 of the jet pumps 1a, 1b.例文帳に追加

流路面積低減部材２０はジェットポンプ１ａ，１ｂの各スロート１７に取り付けられる。 - 特許庁

To provide a non-planar transistor having a germanium channel region and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is disposed on a channel region mutually between the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３がソース／ドレイン領域相互間のチャネル領域上に配設される。 - 特許庁

The heat generated in a channel region is dissipated from the electrode pads 20, 22, 24.例文帳に追加

チャネル領域で発生した熱は、電極パッド２０，２２，２４から放熱される。 - 特許庁

A tunnel oxide film (218) is interposed between the memory gate and the channel region.例文帳に追加

メモリゲート及びチャネル領域の間にトンネル酸化膜(218)が介在される。 - 特許庁

To make steep impurity density distribution in a channel direction, in an extension region.例文帳に追加

エクステンション領域におけるチャネル方向の不純物濃度分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on the channel region of the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

多結晶シリコン膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The channel region is arranged between the first and second source/drain regions.例文帳に追加

チャネル領域は、第１および第２のソース／ドレイン領域間に配置されている。 - 特許庁

A portion where the heavily doped region 22 is in contact with the channel layer 7 functions as a diode.例文帳に追加

高濃度領域２２が、チャネル層７と接触している部分がダイオードとなる。 - 特許庁

A gate electrode 15 is arranged on the upper position of the channel region 11 via a gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域１１の上方には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極１５が配置されている。 - 特許庁

The doped channel region 124 modulates a threshold voltage for switching on and off the transistor.例文帳に追加

ドープ済みチャンネル領域１２４はトランジスタのオン・オフを切り替える閾値電圧を変調する。 - 特許庁

The device further comprises upper shielding film (300, 6a) covering the channel region from the upper side.例文帳に追加

また、電気光学装置は、チャネル領域を上側から覆う上側遮光膜（３００、６ａ）を備える。 - 特許庁

A gate insulating film 21 is formed on a semiconductor layer 22 so as to cover a channel region 42.例文帳に追加

チャネル領域４２を覆うようにゲート絶縁膜２１を半導体層２２上に設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can apply high tensile stress to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に高い引張応力を加えることのできる、半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A conductive floating gate is formed on the channel region while being insulated from a part thereof.例文帳に追加

導電性浮遊ゲートがチャンネル領域の一部から絶縁されてその上に形成される。 - 特許庁

For the switching element, a transistor including an oxide semiconductor in a channel formation region is used.例文帳に追加

上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。 - 特許庁

The n^- layer 6 directly contacts the p^- layer 7 and directly contacts the channel stopper region 14.例文帳に追加

ｎ^-層６は、ｐ^-層７と直接接触し、チャネルストッパ領域１４と直接接触する。 - 特許庁

A second region of the semiconductor layer is provided with a second trench having a second channel surface.例文帳に追加

半導体層の第２の領域は、第２のチャネル面を有する第２のトレンチが設けられている。 - 特許庁