「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The channel length direction size of the epitaxial layer, where the channel region of the second n channel type MOS transistor is formed, is smaller than the channel lengthwise direction size of the element region A1, where the first n channel MOS transistor channel region is formed.例文帳に追加

第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域Ａ１のチャネル長方向サイズよりも小さい。 - 特許庁

The first channel region (11a) includes a first floating gate side channel region (13a) and a first control gate side channel region (12a), and the first control gate side channel region (12a) includes a high concentration pocket region (10) having high impurity concentration.例文帳に追加

ここにおいて、第１チャネル領域（１１ａ）は、第１フローティングゲート側チャネル領域（１３ａ）と、第１コントロールゲート側チャネル領域（１２ａ）とを備え、第１コントロールゲート側チャネル領域（１２ａ）は不純物濃度が濃い高濃度ポケット領域（１０）を備える。 - 特許庁

The surface area of the first channel region 2 is made larger than the surface area of the second channel region 3.例文帳に追加

第１のチャネル領域２の表面積は、第２のチャネル領域３の表面積よりも広く形成されている。 - 特許庁

One side of the square channel region of a cell structure is linked with one side of an adjacent channel region.例文帳に追加

セル構造の方形のチャネル領域一辺と隣接するチャネル領域の一辺とが連結するように配置する。 - 特許庁

The height of the surface 1a of the channel region 120 is higher than the surface 1b of the channel region 220.例文帳に追加

チャネル領域１２０の表面１ａの高さはチャネル領域２２０の表面１ｂの高さよりも高い。 - 特許庁

To provide a new method of giving a strain to a channel region by applying a stress to the channel region.例文帳に追加

チャネル領域に応力を印加して、チャネル領域に歪みを与えるための新たな手法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 20 of the semiconductor device 10 has a channel region 10A and a non-channel region 10B.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体基板２０は、チャネル区域１０Ａと非チャネル区域１０Ｂを有している。 - 特許庁

And they converge into this channel here, which drains into this region.例文帳に追加

この水路に合流して この地域に流れ出ます - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The second transistor region 6-2 has a second channel forming region 4-2.例文帳に追加

第２トランジスタ領域６−２は、第２チャネル形成領域４−２を有する。 - 特許庁

A first channel region that is continuous is defined between the first region and the second region.例文帳に追加

連続した第１チャネル領域が、上記第１領域と上記第２領域との間に定められる。 - 特許庁

A thin film transistor comprises a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含む。 - 特許庁

The channel region is electrically separated from the gate electrode region by the gate dielectric region.例文帳に追加

チャネル領域は、ゲート誘電体領域によってゲート電極領域から電気的に分離している。 - 特許庁

The source region and the drain region of the FET and the gate electrode stack on the channel region are formed.例文帳に追加

ＦＥＴのソースおよびドレイン領域ならびにチャネル領域の上のゲート電極スタックを形成する。 - 特許庁

An n-type impurity region is provided continuously at the bottom part of the channel region at the lower parts of the source region, gate region, and drain region.例文帳に追加

ソース領域下方、ゲート領域下方およびドレイン領域下方のチャネル領域底部に連続したｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

A channel width W of the channel region 5 is set to twice, or less than, a maximum channel depletion layer width Xdm.例文帳に追加

チャネル領域５のチャネル幅Ｗは、最大チャネル空乏層幅Ｘｄｍの２倍以下の値に設定される。 - 特許庁

In addition, the area of the channel formation region can be increased by making a channel width longer than a channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

In addition, area of the channel formation region can be increased by making channel width longer than channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

An impurity region is artificially and locally provided in a channel forming region in order to concentrate the stress on the impurity region formed in the channel forming region.例文帳に追加

チャネル形成領域に形成された不純物領域に応力を集中させるため、チャネル形成領域に対して人為的かつ局部的に不純物領域を設ける。 - 特許庁

The first transistor region 6-1 has a first channel forming region 4-1.例文帳に追加

第１トランジスタ領域６−１は、第１チャネル形成領域４−１を有する。 - 特許庁

The thin-film transistor (10) is provided with a channel region 11 located at the center, and the source region 12 and the drain region 13 which are arranged to the left and the right positions of the channel region 11.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０の部分は、中央に位置するチャネル領域１１、及びその左右に位置するソース領域１２及びドレイン領域１３を備えている。 - 特許庁

The charge storage region 250 is disposed straddling a part of a channel region 273 and a part of diffusion regions 212 and 213 arranged at both sides of the channel region.例文帳に追加

電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 45 is formed as a pocket region below a channel forming region 25 in a memory cell forming region.例文帳に追加

メモリセル形成領域のチャネル形成領域２５の下部にポケット領域としてｐ型半導体領域４５を形成する。 - 特許庁

To provide a channel in the sidewall of a semiconductor layer, while suppressing damages to the channel region.例文帳に追加

チャネル領域のダメージを抑制しつつ、半導体層の側壁にチャンネルを持たせる。 - 特許庁

In the channel region 111, an impurity density in a first region near the drain region 107 is lower than an impurity density in a second region other than the first region in the channel region 111.例文帳に追加

チャネル領域１１１において、ドレイン領域１０７近傍の第１領域における不純物濃度は、チャネル領域１１１における第１領域以外の第２領域における不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

In a thin film transistor 1, a lightly doped impurity region 3d is formed between a source region 3a and a channel region 3c and a lightly doped region 3e is formed between a drain region 3b and a channel region 3c.例文帳に追加

ソース領域３ａとチャネル領域３ｃとの間に低濃度不純物領域３ｄが形成され、ドレイン領域３ｂとチャネル領域３ｃとの間に低濃度不純物領域３ｅが形成さている。 - 特許庁

A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加

フィン層４には、Ｐ型フィンＦＥＴ２０のソース領域２１、チャネル領域２２、ドレイン領域２３と、Ｎ型フィンＦＥＴ３０のドレイン領域２４、チャネル領域２５、ソース領域２６とが形成される。 - 特許庁

Under a channel region, a body region which includes a region smaller in band gap than the channel region and is higher in impurity concentration than the channel region is formed, thereby keeping the threshold voltage low and further widening the operating range.例文帳に追加

チャネル領域の下方に、チャネル領域よりもバンドギャップが小さい領域を含み、かつ、チャネル領域よりも不純物濃度が高いボディ領域を導入することにより、しきい値電圧を小さく維持しつつ、動作範囲を拡大する。 - 特許庁

The gate includes a region where the gate dopant is substantially depleted at least in a region where the channel region and the isolating region overlap and the threshold voltage in the channel corner region beneath the depletion region 34 increases as compared with the channel region between corner regions.例文帳に追加

ゲートは、少なくともチャネル領域及び分離領域とオーバラップする領域に、ゲート・ドーパントが実質的に空乏状態にされた領域３４を含み、空乏領域３４の下方のチャネル角部領域のしきい値電圧が、角部領域間のチャネル領域に比較して増加する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED CHANNEL REGION例文帳に追加

リセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法 - 特許庁

A carbon nano-tube is used to the channel forming region 31.例文帳に追加

上記チャネル形成領域３１にカーボンナノチューブを用いる。 - 特許庁

In the second place, an undoped diamond layer 5 is formed in a channel region.例文帳に追加

次に、チェネル領域にアンドープダイヤモンド層５を形成する。 - 特許庁

A p+ layer 10 is formed in a channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４にはｐ＋層１０が形成されている。 - 特許庁

In the method, a middle point in the longitudinal direction of a channel on a boundary between a channel region and an STI region is specified.例文帳に追加

その方法は、チャネル領域とＳＴＩ領域との境界における、チャネル長方向の中点を特定する。 - 特許庁

The gate impurity region 6 and/or the channel forming impurity region 2 has an impurity density difference in the channel direction.例文帳に追加

ゲート不純物領域６および／またはチャネル形成不純物領域２が、チャネル方向に不純物濃度差を有する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ACTIVE CHANNEL REGION UTILIZING IMPROVED DROP CAST PRINT, AND DEVICE PROVIDED WITH THE SAME ACTIVE CHANNEL REGION例文帳に追加

改善されたドロップ・キャストプリントを利用したアクティブチャネル領域製造方法及びそのアクティブチャネル領域を備えた装置 - 特許庁

The boron concentration of a side channel 16 in the channel region 11 of the n-type thin film transistor 4 is made higher than that of a central portion 17 in the channel region 11.例文帳に追加

ｎ型薄膜トランジスタ４のチャネル領域11のサイドチャネル部16のボロン濃度を、このチャネル領域11のセンタ部17のボロン濃度よりも高濃度にする。 - 特許庁

A silicon mixed crystal layer 21 generates stress to a channel region of the active region.例文帳に追加

シリコン混晶層２１は、活性領域のチャネル領域に対して応力を生じさせる。 - 特許庁

The gate electrode 18 is opposed to the body region 8 with the channel region 14 interposed therebetween.例文帳に追加

ゲート電極１８は、チャネル領域１４を介してボディ領域８に対向している。 - 特許庁

Furthermore, an n-channel stopper region adjacent to the high-resistance region 20 is arranged.例文帳に追加

更にｎ^-高抵抗領域２０に隣接するｎチャネルストッパ領域２１を配置する。 - 特許庁

Further, the channel layer is existent on the gate dielectric layer and between the source region and the drain region.例文帳に追加

さらにチャンネル層は、ゲート絶縁層上の、ソース領域とドレイン領域との間にある。 - 特許庁

The second conductive gate region 18 is formed in a depth direction across the channel region.例文帳に追加

第２導電型のゲート領域は、チャネル領域を挟んで深さ方向に形成される。 - 特許庁

An impurity region 104 in the form of a dot pattern is formed in a channel forming region 103.例文帳に追加

チャネル形成領域１０３に、ドットパターン上の不純物領域１０４を形成する。 - 特許庁

An n^+-channel source region 37 is formed on the surface layer of a base region 35.例文帳に追加

そして、ベース領域３５の表面層にＮ^＋型ソース領域３７が形成される。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

Impurities concentration in the channel region 16 is reduced uniformly from the source region toward the reduced surface field region.例文帳に追加

チャネル領域１６における不純物濃度は、ソース領域からリサーフ領域に向かって一様に低下している。 - 特許庁