「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

The carrier shielding layer 52 is arranged in the non-channel region 10B and opens at least one part of the channel region 10A.例文帳に追加

キャリア遮蔽層５２は、非チャネル区域１０Ｂに配置されており、少なくともチャネル区域１０Ａの一部において開口している。 - 特許庁

A thickness of this channel region is 5 nm or less, and the width of the channel region is 0.3 μm or less.例文帳に追加

このチャネル領域の厚さが５ｎｍ以下であり、かつチャネル領域の幅が０．３μｍ以下である。 - 特許庁

The FET has a longitudinal direction in the lengthwise direction of the channel region, and a transverse direction in the widthwise direction of the channel region.例文帳に追加

このＦＥＴは、チャネル領域の長さの方向である縦方向と、チャネル領域の幅の方向である横方向とを有する。 - 特許庁

The height of the surface 1a of the channel region 120 is higher than the surface 1b of the channel region 220.例文帳に追加

チャネル領域１２０の表面１ａの高さはチャネル領域２２０の表面１ｂの高さよりも高い。 - 特許庁

One side of the square channel region of a cell structure is linked with one side of an adjacent channel region.例文帳に追加

セル構造の方形のチャネル領域一辺と隣接するチャネル領域の一辺とが連結するように配置する。 - 特許庁

Thus, the body contact region 9 and the channel forming region 4p are connected electrically mutually via the channel stopper layer 30.例文帳に追加

これにより、ボディコンタクト領域９とチャネル形成領域４ｐとは、チャネルストッパ層３０を介して互いに電気的に接続されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ACTIVE CHANNEL REGION UTILIZING IMPROVED DROP CAST PRINT, AND DEVICE PROVIDED WITH THE SAME ACTIVE CHANNEL REGION例文帳に追加

改善されたドロップ・キャストプリントを利用したアクティブチャネル領域製造方法及びそのアクティブチャネル領域を備えた装置 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a channel layer 13 which functions as a conduction region and a floating region 18 electrically isolated from the channel layer 13.例文帳に追加

伝導領域として機能するチャネル層１３と、このチャネル層１３と電気的に分離された浮遊領域１８とを備えている。 - 特許庁

The gate electrode 39 is so constituted that dimension in a channel length direction is shorter than the channel length, on the channel region 36.例文帳に追加

このゲート電極３９は、チャネル領域３６上において、チャネル長方向寸法がチャネル長より短い構成としている。 - 特許庁

The channel region 14 is formed in such a structure that channel lengths at both edges of the channel are longer than that in a central part thereof.例文帳に追加

チャネル領域１４は、双方のチャネル縁部のチャネル長が、チャネル中央部分のチャネル長に比して長く形成される。 - 特許庁

A channel width W of the channel region 5 is set to twice, or less than, a maximum channel depletion layer width Xdm.例文帳に追加

チャネル領域５のチャネル幅Ｗは、最大チャネル空乏層幅Ｘｄｍの２倍以下の値に設定される。 - 特許庁

In addition, area of the channel formation region can be increased by making channel width longer than channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

In addition, the area of the channel formation region can be increased by making a channel width longer than a channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

A gate insulation film 7a is formed on the channel region 6a.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７ａはチャネル領域６ａ上に形成される。 - 特許庁

A channel region 2a is formed immediately under the gate electrode body 4.例文帳に追加

ゲート電極本体部４の直下にチャネル領域２ａが形成される。 - 特許庁

A channel region 1a' of a semiconductor layer 1a has an extended part 201.例文帳に追加

半導体層１ａのチャネル領域１ａ’は、延在部２０１を有する。 - 特許庁

The channel region 10 is formed on a surface layer of a semiconductor substrate.例文帳に追加

チャネル領域１０は、半導体基板の表層に形成される。 - 特許庁

The gate insulating film 7 is formed on the n-channel region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７はｎチャネル領域上に形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED CHANNEL REGION例文帳に追加

リセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法 - 特許庁

The channel stop region 9 is formed under the element isolation film 81.例文帳に追加

チャネルストップ領域９は、素子分離膜８１の下に形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 7 is formed on the channel region.例文帳に追加

チャネル領域の上にゲート絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

A channel formation region of the transistor includes an oxide semiconductor.例文帳に追加

トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。 - 特許庁

To prevent spin diffusion or relaxation in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。 - 特許庁

A gate oxide film 14 is formed on the channel region 12.例文帳に追加

このチャネル領域１２上にゲート酸化膜１４が形成されている。 - 特許庁

A carbon nano-tube is used to the channel forming region 31.例文帳に追加

上記チャネル形成領域３１にカーボンナノチューブを用いる。 - 特許庁

Channel regions (1a') of the TFTs are arranged within the intersection region.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）は、交差領域内に配置されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, the high-concentration n type impurity region is prepared under the channel layer.例文帳に追加

チャネル層下方に、高濃度のｎ型不純物層を設ける。 - 特許庁

In the second place, an undoped diamond layer 5 is formed in a channel region.例文帳に追加

次に、チェネル領域にアンドープダイヤモンド層５を形成する。 - 特許庁

The modulus provides enhanced stress within the channel region.例文帳に追加

このモジュラスは、チャネル領域内に向上した応力をもたらす。 - 特許庁

In this manner, the channel region of a transistor is formed by an MgZnO layer.例文帳に追加

このように、トランジスタのチャネル領域をＭｇＺｎＯ層で形成する。 - 特許庁

Furthermore, the length of the channel region 3C is not larger than 2 μm.例文帳に追加

さらに、チャネル領域３Ｃのチャネル長は２μｍ以下である。 - 特許庁

Then, a layer containing the impurity element is used as the channel formation region.例文帳に追加

そして、不純物元素を含む層をチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

Particularly, this JFET is a vertical type JFET, and has a channel region for forming a current path in the substrate depthwise direction of the semiconductor substrate, and a gate region formed in the depthwise direction to hold this channel region and controlling the channel width of the channel region according to the signal charge.例文帳に追加

特に、このＪＦＥＴは、縦型ＪＦＥＴであり、半導体基板の基板深さ方向に電流経路を形成するチャネル領域と、このチャネル領域を挟み込むように深さ方向に形成され、信号電荷によってチャネル領域のチャネル幅を制御するゲート領域とを備える。 - 特許庁

To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask.例文帳に追加

素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。 - 特許庁

To provide a new strain technology capable of effectively applying a compressive stress to a channel region of a p-channel transistor and a tensile stress to the channel region of n-channel transistor, even with a miniaturized transistor.例文帳に追加

微細化されても、ｐチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、ｎチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。 - 特許庁

In the channel 18, a width of the channel is increased on the discharge port 16 side of a center line b so as to make the channel area S_B of a region B larger than the channel area S_A of a region A.例文帳に追加

流路１８は、中心線ｂの吐出口１６側で流路幅が拡大し、領域Ｂの流路面積Ｓ_Bが領域Ａの流路面積Ｓ_Aより大きくなるように形成されている。 - 特許庁

The channel region includes a first channel region and a second channel region respectively, extending along a direction of the surface normal to the main surface of a substrate.例文帳に追加

チャンネル領域は、前記基板の主面と垂直をなす面方向に沿ってそれぞれ延びている第１チャンネル領域及び第２チャンネル領域を含む。 - 特許庁

A region which is comparatively highly doped (with dopant of the same type as a channel) is formed above a channel region, and change in a depletion region in a channel which is caused by change of the drain voltage (Vd) is reduced.例文帳に追加

チャネル領域の上側に比較的高くドーピングされた（チャネルと同じタイプのドーパントによる）領域を形成させて、ドレイン電圧（Ｖｄ）における変化に伴うチャネル内の空乏領域における変化を低減させた。 - 特許庁

The impurity concentration n1 of the first channel region 5a is substantially identical with impurity concentration n3 of the start channel region 5c, and is higher than the impurity concentration n2 of the second channel region 5b.例文帳に追加

第１チャネル領域５ａの不純物濃度ｎ１及び第３チャネル領域５ｃの不純物濃度ｎ３は、互いに実質的に同じで、かつ、第２のチャネル領域５ｂの不純物濃度ｎ２より高い。 - 特許庁

A tail region of the channel layer is compensated by the embedded n-type impurity region, so that the depth of the effective channel region and the channel length can be made equal.例文帳に追加

埋め込みｎ型不純物領域によりチャネル層のテール領域が補償されるため、実効チャネル領域の深さとチャネル長を同等にできる。 - 特許庁

First conductivity source region and drain region are formed on the element separating region, and a channel region is formed on the second conductivity shallow, well region between the source region and the drain region.例文帳に追加

この上に、素子分離領域上に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、上記ソース領域および上記ドレイン領域との間であって、上記第２導電型の浅いウェル領域上にチャネル領域を形成する。 - 特許庁

On the both sides of the gate region 66, a source region 68 composed of an n-region and a drain region 70 are formed and a channel region 72 composed of an n-region is formed below the gate region 66.例文帳に追加

ゲート領域６６の両側には、ｎ^+領域からなるソース領域６８、ドレイン領域７０が形成され、ゲート領域６６の下方がｎ領域からなるチャネル領域７２となっている。 - 特許庁

The semiconductor device has a channel region of a transistor which is formed in the predetermined region of a silicon layer 103 formed on an insulating film 102, a gate electrode 116 formed on the channel region via a gate insulating film, and a source region S/drain region D positioned on the outside of the channel region and formed in the silicon layer whose film thickness is larger than the film thickness of the channel region.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁膜１０２上に形成されたシリコン層１０３の所定領域に形成されたトランジスタのチャネル領域と、このチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極１１６と、前記チャネル領域の外側に位置し、前記チャネル領域よりも膜厚の厚いシリコン層に形成されたソース領域Ｓ・ドレイン領域Ｄとを備える。 - 特許庁

A memory gate 74 is formed in a first channel region between the source region 80 and the buried N + region 56, and on the buried N + region 56, and a selection gate 76 is formed on a second channel region between the cell depletion region 78 and the drain region 82.例文帳に追加

ソース領域８０と埋没Ｎ＋領域５６との間の領域の第１チャンネル領域及び前記埋没Ｎ＋領域５６上にメモリゲート７４が形成され、セル空乏領域７８と前記ドレイン領域８２との間の第２チャンネル領域上に選択ゲート７６が形成される。 - 特許庁