「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with a channel region (80), and a source region (91) and a drain region (92) each positioned on both sides of the channel region (80) inside the semiconductor thin film (100).例文帳に追加

この半導体装置は、半導体薄膜（１００）内に、チャネル領域（８０）と、チャネル領域（８０）の両側にそれぞれ位置するソース領域（９１）及びドレイン領域（９２）とを有する。 - 特許庁

An annular channel region 40 is arranged outside of a source region 39 formed into annular shape, and the outside of the channel region 40 is arranged to a drain region.例文帳に追加

環状に形成したソース領域３９の外側に環状のチャネル領域４０を配置し、チャネル領域４０の外側をドレイン領域とする。 - 特許庁

Since a pocket region 182 inside the channel region 130 is formed at a region deeper than the pocket region 181, the short-channel effects are reduced.例文帳に追加

チャネル領域１３０内のポケット領域１８２がポケット領域１８１よりも深い領域に形成されるので、短チャネル効果が減少する。 - 特許庁

A gate region 7 is formed on the p-type semiconductor substrate under the channel region 4, and the upper surface of the gate region 7 contacts the undersurface of the channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４下方のｐ型半導体基板に、ゲート領域７を設け、ゲート領域７の上面は、チャネル領域４下面と接触する。 - 特許庁

Intervals of the channel stopper region 9 and the offset region 8 are made narrow while withstanding pressure between the channel stopper region and the offset region is secured.例文帳に追加

チャネルストッパ領域９とオフセット領域８の間隔を、該チャネルストッパ領域と該オフセット領域の間の耐圧を確保しつつ狭くする。 - 特許庁

A MIS-type semiconductor device comprises a source region 101, a channel region 104, and a drain region 102 and equipped with a gate electrode 103 located on the channel region 104.例文帳に追加

ソ−ス領域１０１、チャネル領域１０４、ドレイン領域１０２からなり、チャネル領域１０４上にゲート電極１０３を有するＭＩＳ型半導体装置を作製する。 - 特許庁

An impurity region is artificially and locally provided in a channel forming region in order to concentrate the stress on the impurity region formed in the channel forming region.例文帳に追加

チャネル形成領域に形成された不純物領域に応力を集中させるため、チャネル形成領域に対して人為的かつ局部的に不純物領域を設ける。 - 特許庁

A ring-shaped channel region 40 is formed inside a source region 39 formed like a ring, and the inside of the ring-shaped channel region 40 is used as a drain region.例文帳に追加

環状に形成したソース領域３９の内側に環状チャネル領域４０を配置し、環状チャネル領域４０の内側をドレイン領域とする。 - 特許庁

The silicon film 13 includes a channel region 13C, and a crystallized region 13B and an amorphous region 13A are formed in this channel region 13C, in the length direction.例文帳に追加

シリコン膜１３はチャネル領域１３Ｃを有し、このチャネル領域１３Ｃにおいて長さ方向に沿って結晶化領域１３Ｂおよび非結晶領域１３Ａが形成されている。 - 特許庁

Moreover, an n-type extension region 9 is formed with common use of an n-channel intermediate voltage resistance MIS of an intermediate voltage resistance MIS region and an extension region of an n-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

また、中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｎ型エクステンション領域９とする。 - 特許庁

The p-type dopant concentration of a region in the ROM region 1 where the channel of a MOS transistor 1t is formed, and that of a region in the SRAM region 3 where a channel of an access transistor 4 is formed, are nearly identical with each other.例文帳に追加

ＲＯＭ領域１のＭＯＳトランジスタ１ｔおよびＳＲＡＭ領域３のアクセストランジスタ４のチャネルが形成される領域のｐ型不純物濃度はほぼ等しくなっている。 - 特許庁

The high pressure resistant MOS type transistor comprises a p-type semiconductor substrate 100, a channel region 108, an n-type extended drain region which is formed on the substrate 100 through the channel region 108, and an n-type source region 102.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳ型トランジスタは、ｐ型の半導体基板１００の上部にチャネル領域１０８を挟んで形成されたｎ型の延長ドレイン領域１０１及びｎ型のソース領域１０２を有している。 - 特許庁

The thin-film transistor (10) is provided with a channel region 11 located at the center, and the source region 12 and the drain region 13 which are arranged to the left and the right positions of the channel region 11.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０の部分は、中央に位置するチャネル領域１１、及びその左右に位置するソース領域１２及びドレイン領域１３を備えている。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a contact region 18 for connection with the main electrodes 2, a channel semiconductor region 8 which adjoins the contact region 18, a p-type semiconductor region 20 adjacent to the backside of the channel semiconductor region 8, and a drift semiconductor region 12 which adjoins both the channel semiconductor region 8 and the p-type semiconductor region 20.例文帳に追加

半導体装置１００は、主電極２に接続するコンタクト領域１８と、コンタクト領域１８に隣接するチャネル半導体領域８と、チャネル半導体領域８の裏面に接しているｐ型半導体領域２０と、チャネル半導体領域８とｐ型半導体領域２０の両者に隣接するドリフト半導体領域１２を備えている。 - 特許庁

The source region and the drain region of the FET and the gate electrode stack on the channel region are formed.例文帳に追加

ＦＥＴのソースおよびドレイン領域ならびにチャネル領域の上のゲート電極スタックを形成する。 - 特許庁

A channel region 2, a source region 3, and a drain region 4 are formed on a polycrystalline semiconductor layer 1.例文帳に追加

多結晶の半導体層１に、チャネル領域２、ソース領域３、および、ドレイン領域４が形成されている。 - 特許庁

The field effect transistor 91 includes a gate electrode 40, a source region 23s and a drain region 23d, and a channel region 27.例文帳に追加

電界効果トランジスタ９１は、ゲート電極４０と、ソース領域２３ｓおよびドレイン領域２３ｄと、チャネル領域２７とを含む。 - 特許庁

A p-type channel region 2c is formed between the n^--layer of the drain region 2d and the n^--layer of the source region 2s.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄのｎ^−層とソース領域２ｓのｎ^−層の間にｐ型のチャネル領域２ｃが形成されている。 - 特許庁

The polysilicon layer 22 has a channel region 22a, a source region 22b and a drain region 22c which constitute a TFT element 14.例文帳に追加

このポリシリコン層２２は、ＴＦＴ素子１４を構成する、チャネル領域２２ａ、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃを有している。 - 特許庁

A region 12b is a region where ions are implanted through the oxide film 3 and serves as a channel stopper region.例文帳に追加

また、１２ｂが酸化膜３を通してイオン注入された領域で、チャネルストッパ領域となる箇所である。 - 特許庁

An n+ cathode region 32 and an n-cathode region 34 are provided on a cathode electrode 30, and a p-channel region 36 is provided thereon.例文帳に追加

カソード電極３０上にｎ＋カソード領域３２、ｎ−カソード領域３４が設けられ、さらにｐ−チャネル領域３６が設けられる。 - 特許庁

A channel region of a power device is adjacent to the buried region of p^+ silicon carbide and the n^+ region of the silicon carbide.例文帳に追加

パワーデバイスのチャネル領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域とシリコンカーバイドのｎ^＋領域に隣接する。 - 特許庁

Consequently, an n- type impurity region can be formed between the channel forming region and the n+ type impurity region of the semiconductor layer.例文帳に追加

この結果、半導体層において、チャネル形成領域と、ｎ+ 型不純物領域との間に、ｎ- 型不純物領域を形成することができる。 - 特許庁

A thin film transistor comprises a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含む。 - 特許庁

An n drift region 5 is formed between an n^+ drain region 3 and a channel region 4 directly under a gate.例文帳に追加

Ｎ+ドレイン領域３とゲート直下のチャネル領域４との間にはＮドリフト領域５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of high-reliability operation without forming a source region and a drain region in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域にソース領域及びドレイン領域を形成せずに、信頼性が高い動作が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A gate structure (14) is formed on a channel region (16) which is interposed between a source region (18) and a drain region (20).例文帳に追加

ゲート構造（１４）は、ソース領域（１８）とドレイン領域（２０）との間に挿入されたチャネル領域（１６）上に形成される。 - 特許庁

The thin film transistor T contains a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and the channel forming region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

Then the channel region 43 is formed of crystal grains smaller than crystal grains of the source region 41 and the drain region 42.例文帳に追加

そして、チャネル領域４３は、ソース領域４１及びドレイン領域４２における結晶粒よりも小さい結晶粒により構成される。 - 特許庁

An N-type impurity region (source/drain region) 13 is formed on a P-type semiconductor substrate 11 separated by a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１上にチャネル領域１２を隔ててＮ型の不純物領域（ソース・ドレイン領域）１３が形成されている。 - 特許庁

The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100.例文帳に追加

そしてｐエミッタ領域を，低濃度のｐチャネル領域１０３と高濃度のｐ^＋エミッタ領域１００とで構成した。 - 特許庁

A gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16 to form an LDMOS (laterally diffused MOS).例文帳に追加

ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁

Each of the data lines comprises a conductive light shielding film and is formed in a region including a region covering the channel region when two-dimensionally viewed on the substrate.例文帳に追加

データ線は、導電性遮光膜からなると共に基板上で平面的に見てチャネル領域を覆う領域を含む領域に形成されている。 - 特許庁

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

The silicon film functions as the vertical channel region of the structure and interconnects a diffusion region adjacent to the gate region.例文帳に追加

シリコン膜は構造の垂直チャネル領域の働きをし、ゲート領域に隣接した拡散領域を相互接続する。 - 特許庁

An n^+-type source region 3 is formed within the base region 5 at a predetermined distance from the channel connecting region 4.例文帳に追加

ベース領域５内には、チャネル接続領域４から所定間隔離れてｎ^+型のソース領域３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer in which a thickness of a source region or a drain region is larger than that of a channel formation region is formed.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

A source region 8 and a drain region 9 are formed on both side of a channel region 10 of an upper layer of the substrate 1.例文帳に追加

基板１上層のチャネル領域１０の両側にソース領域８とドレイン領域９が形成される。 - 特許庁

A channel protection film 26 is formed on a third region 24 sandwiched between a first region 20 and a second region 22 of the semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体層１８の第１領域２０及び第２領域２２に挟まれる第３領域２４上にチャネル保護膜２６を形成する。 - 特許庁

The transistor includes a p-type region 18, a channel region 20, a barrier region 22, an insulating film 62, and a gate electrode 64.例文帳に追加

このトランジスタは、ｐ型領域18と、チャネル領域20と、バリア領域22と、絶縁膜62と、ゲート電極64を備えている。 - 特許庁

Consequently, a fine p-type channel region 5 is formed between the source region 6 and a low-concentration drain region 4 in a self-aligning way.例文帳に追加

これによって、高濃度ソース領域６と低濃度ドレイン領域４との間に自己整合的に微細なｐ型のチャネル領域５を形成する。 - 特許庁

A source region 12, drain region 13, and channel region 14 are provided on a compound semiconductor substrate 11.例文帳に追加

化合物半導体基板１１にソース領域１２、ドレイン領域１３、チャンネル領域１４が設けられている。 - 特許庁

An N drift region 5 is formed between an N+drain region 3 and a channel region 4 directly under a gate.例文帳に追加

Ｎ+ドレイン領域３とゲート直下のチャネル領域４との間にはＮドリフト領域５が形成されている。 - 特許庁

The first channel forming region 4-1 has a non-facing region 14 that does not face the second forming region 4-2.例文帳に追加

第１チャネル形成領域４−１は、第２チャネル形成領域４−２と非対向である非対向領域１４を有する。 - 特許庁