「channel region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type.例文帳に追加

電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁

In the channel region 7, a portion just under the gate electrode 9 functions as a channel, and a right side region functions as an extension region of the drain layer 6.例文帳に追加

チャネル領域７は、ゲート電極９の直下の部分がチャネルとして機能し、右側の領域がドレイン層６の拡張領域として機能する。 - 特許庁

Subsequently, ion implantation is performed using a resist mask of a convex shape pattern covering a drain region 3, a channel region 35 and the source region 4 to form a channel stopper 7.例文帳に追加

そして、ドレイン領域３、チャネル領域３５及びソース領域４を覆う凸字形パターンのレジストマスクを用いてイオン注入し、チャネルストッパ７を形成する。 - 特許庁

The polysilicon layer has a channel region 38, an LDD structure 36 in a periphery of the channel region, and a source/ drain region 34 in a periphery of the LDD structure.例文帳に追加

ポリシリコン層は、チャネル領域３８、前記チャ ネル領域周辺のLDD 構造３６、前記LDD 構造周辺のソース／ドレイン領域３４とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a channel region 11 is formed on a surface-side of a drain region 1, and source regions 12 are formed selectively on a surface-side of the channel region 11.例文帳に追加

ドレイン領域１の一方の面側にチャネル領域１１が形成され、そのチャネル領域１１の一方の面側にソース領域１２が選択的に形成される。 - 特許庁

A field-effect transistor gate region comprising a channel and a gate electrode is formed on the first source/drain region, and then a second source/ drain region is formed on a channel having an appropriate conduction type.例文帳に追加

チャネルおよびゲート電極を備えた電界効果トランジスタ・ゲート領域が、第１のソース／ドレイン領域の上に形成され、次に第２のソース／ドレイン領域が、適切な導電型を有するチャネルの上に形成される。 - 特許庁

A field effect transistor has source and drain regions 26, 28, a channel region 24 between them, an isolating region 22 in a substrate, and a gate 30 including gate dopant on the channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン領域２６、２８と、ソース及びドレイン領域間のチャネル領域２４と、基板内の分離領域２２と、チャネル領域上のゲート・ドーパントを含むゲート３０とを含む。 - 特許庁

The punch-through stopper is formed in a channel region, apart from the source and drain region and in a vertical direction to a substrate so as to reach a well under the channel region or the vicinity of the well.例文帳に追加

パンチスルーストッパを、チャネル領域中、ソースおよびドレイン領域から離間して、基板面に垂直方向に、チャネル領域下のウェルあるいはその近傍にまで到達するように形成する。 - 特許庁

These epitaxial layers form a source region, a drain region, and a channel region each having a different lattice constant, so that it is easy to control distortion happening in the channel.例文帳に追加

これらのエピタキシャル層により、それぞれ格子定数の異なるソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するので、チャネルに生じる歪を制御しやすくなる。 - 特許庁

The source region 116 and drain region 117 of an N-channel MOS transistor 110 are set lower in impurity concentration than the source/drain region of an N-channel MOS transistor 160.例文帳に追加

保護回路を構成するｎチャネルＭＯＳトランジスタ１１０のソース領域１１６とドレイン領域１１７のｎ形の不純物濃度を、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ１６０のソース・ドレイン不純物濃度より低くする。 - 特許庁

A metal having a larger work function than the channel region is formed in the contact region in case of electron conductivity type and a metal having a smaller work function than the channel region is formed in case of hole conductivity type.例文帳に追加

電子電動型であればチャネル領域よりも仕事関数の大きな金属、正孔伝導型であればチャネル領域よりも仕事関数の小さな金属をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁

In another aspect, the distortion in the channel region 108 is introduced by injecting gas species, for example, hydrogen, oxygen, helium, or another rare gas into a region under a gate 110 or the channel region 108.例文帳に追加

別の態様では、チャネル領域１０８内の歪みは、ガス種、例えば水素、酸素、ヘリウムまたは別の希ガスをゲート１１０またはチャネル領域１０８の下の領域内に注入することによって導入される。 - 特許庁

A semiconductor region of parallel pn structure where an n-type drift region 1 and a p-type partition region 2 are alternately provided is provided between a first n-channel MOSFET and a second n-channel MOSFET.例文帳に追加

第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴと第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴとの間に、ｎ型のドリフト領域１とｐ型の仕切り領域２とを交互に配置した並列ｐｎ構造をなす半導体領域を設ける。 - 特許庁

The horizontal transfer section 14 includes: a horizontal channel region 41; and a plurality of horizontal transfer electrodes 42 formed by extending over the horizontal channel region 41 and the element isolation region 12 and being spaced apart from each other.例文帳に追加

水平転送部１４は、水平チャネル領域４１と、水平チャネル領域４１の上及び素子分離領域１２の上に跨って且つ互いに間隔をおいて形成された複数の水平転送電極４２とを有している。 - 特許庁

In the same way, a p-type extension region 10 is formed with common use of a p-channel intermediate voltage resistance MIS, and an extension region of a p-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

同様に、Ｐチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＰチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｐ型エクステンション領域１０とする。 - 特許庁

In part of the Si layer 14 located between the source and drain regions 17, a channel region 18 constituted of the p-type Si layer, and a body region 19 located below the channel region 18 are formed.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７の間に位置する領域には、上記ｐ型Ｓｉ層からなるチャネル領域１８と、チャネル領域１８の下方に位置するボディ領域１９とが設けられている。 - 特許庁

On the surface of the interlayer dielectric of the side opposite to the semiconductor layer, a hollow part locally recessed toward the semiconductor layer is formed in the region of the channel region, which light shields at least the edge part of the channel region.例文帳に追加

層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed, a section as a channel region is coated with an insulating film functioning as a channel protective film and the insular semiconductor film is formed.例文帳に追加

このように、島状の半導体領域を形成する際には、レジストマスクを露光、現像工程や液滴吐出工程を経て形成する必要があり、工程数、材料の種類の増加を招いていた。 - 特許庁

Specifically, an exemplary device 300 may comprise a source region 306, a channel region 310, and a drain region 308 in a thin semiconductor layer, and the source, channel, and drain regions may all share a single doping type of varying concentrations.例文帳に追加

特に、典型的なデバイス３００は、薄い半導体層にソース３０６、チャネル３１０、およびドレイン３０８と、異なる濃度の単一のドーピングタイプを全て共有する。 - 特許庁

In this way, since the impurity concentration of the p-type base region 3 can be reduced, the p-type base region 3 can be easily inverted to form a wide channel region and channel mobility is increased.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の不純物濃度を薄くできるため、ｐ型ベース領域３が容易に反転し、広いチャネル領域を形成することが可能となってチャネル移動度が高くなる。 - 特許庁

The concentration in the p-channel region 16 is made lower than that in the (n) drift region 14, and wide intervals are secured between the gates so that the entire channel region is depleted when no gate bias is applied.例文帳に追加

ｐ−チャネル領域１６の濃度をｎドリフト領域１４の濃度以下と小さくし、比較的大きなゲート間隔でゼロゲートバイアス状態でチャネル領域全体を空乏化する。 - 特許庁

A chip is provided which includes an active semiconductor region and a field effect transistor ("FET") having a channel region, a source region, and a drain region all arranged within the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、いずれもこの活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed on the substrate where the gate structure is formed, and the channel region is formed between the source region and the drain region under the gate structure.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、ゲート構造のおける基板に形成され、チャネル領域がゲート構造の下においてソース領域とドレイン領域との間に形成される。 - 特許庁

The source region 301, the drain region 401, the channel region 501 and the gate electrode regions 201 and 202 are in an element region 2111 surrounded by an element isolation region 2101.例文帳に追加

上記ソース領域３０１,ドレイン領域４０１,チャネル領域５０１およびゲート電極領域２０１,２０２が、素子分離領域２１０１で囲まれた素子領域２１１１内にある。 - 特許庁

The channel region protrudes over the source region and the drain region, and the electric charge storage layer is separated from the source region and the drain region.例文帳に追加

前記チャンネル領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域より突出しており、前記電荷保存層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と離隔されている。 - 特許庁

There is provided a chip including an active semiconductor region and a field effect transistor (FET) having a channel region, a source region, and a drain region, all of which are arranged in the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、全てが該活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

A channel region, a source region and a drain region of a transistor are covered with a resist mask 3, and a gettering material gettering the catalyst material is added to a region other than the transistor-manufacturing region.例文帳に追加

また、レジストマスク３によってトランジスタのチャンネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆い、トランジスタ作製領域以外の領域に、触媒物質をゲッタリングするゲッタリング物質を添加する。 - 特許庁

The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加

素子活性部１０１は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域１０５およびドレイン領域１０６と、ソース領域１０５とドレイン領域１０６との間に介在するチャネル領域１０７とを含む。 - 特許庁

A vertical semiconductor device 100 has an n-type semiconductor region 5, a body region 8, a channel region 14, a first connection region 26, a second connection region 12, a gate electrode 18, and trench electrodes 22 and 24.例文帳に追加

縦型の半導体装置１００は、ｎ型半導体領域５とボディ領域８とチャネル領域１４と第１接続領域２６と第２接続領域１２とゲート電極１８とトレンチ電極２２,２４を備えている。 - 特許庁

An island-shaped and N-type extension drain region 24 is provided around a drain contact region 21 of a semiconductor substrate 10 so that a channel region 23 may be formed between the drain contact region and a source region 22.例文帳に追加

半導体基板１０のドレインコンタクト領域２１の周囲には、ソース領域２２との間にチャネル領域２３が形成されるように島状で且つＮ型の延長ドレイン領域２４が設けられている。 - 特許庁

The impurity region has a region of large film thickness as compared with the channel formation region, and the conductive layer is connected with the impurity region in the region of large film thickness.例文帳に追加

不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。 - 特許庁

Nickel concentration of the drain low concentration region 11D and the source low concentration region 11S are lower than those of the channel region, the drain high concentration region 10D and the source high concentration region 10S.例文帳に追加

ドレイン低濃度領域及びソース低濃度領域のニッケル濃度が、前記チャネル領域、ドレイン高濃度領域、及びソース高濃度領域のそれよりも低い。 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

A p+ type region 14 of high- impurity concentration is provided from a region just under a region of p-type well region 4 where a channel is formed to the p+ type base contact region 9.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４内においてチャネルが形成される領域の直下の領域からｐ^^^+形ベースコンタクト領域９に亙って高不純物濃度のｐ^+形領域１４を設けてある。 - 特許庁

A drain high concentration region 10D, a drain low concentration region 11D, a channel region, a source low concentration region 11S and a source high concentration region 10S are defined as in this order, along the first direction inside the surface on a polycrystalline silicon film 3.例文帳に追加

多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定されている。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

A base region 44 and a source region 46 are formed on the surface side of such a semiconductor substrate 10, and a section between the source region 46 and the conductive region 42 is used as a channel region 47, thus constituting the transistor 1.例文帳に追加

このような半導体基板１０の表面側にベース領域４４とソース領域４６とを形成し、ソース領域４６と導電領域４２との間をチャネル領域４７とし、トランジスタ１を構成させる。 - 特許庁

The channel region is provided with a P+ impurity region 31 having a higher concentration than the substrate 21 on the source region side and an N- impurity region 33 having a conductive type opposite to that of the substrate 21 on the drain region side.例文帳に追加

チャンネル領域のうち、ソース領域側には基板２１より高濃度のＰ＋ 不純物領域３１が形成されており、ドレイン領域側には基板２１と反対導電型であるＮ− 不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

This NAND structure is provided with: a first region of a second conductive type; and a second region of a second conductive type spaced apart from the first region in the substrate and defining a channel region in a space with the first region.例文帳に追加

このＮＡＮＤ構造は、第２伝導型の第１領域と、基板内にこの第１領域から間隔をおいて配置されてこの第１領域との間にチャネル領域を定める、第２伝導型の第２領域と、を備える。 - 特許庁

By looking at an image display region in a planar manner, the forming region of the film (11a) is located within the forming region of the top side light shielding films and the channel region of the TFT is located within the crossing region of the film (11a).例文帳に追加

画像表示領域において平面的に見て、下側遮光膜の形成領域は上側遮光膜の形成領域内に位置し且つＴＦＴのチャネル領域は下側遮光膜の交差領域内に位置する。 - 特許庁

Thick gate dielectric layers separate the top surface and opposing sidewalls of the channel region from the gate conductor to suppress conductivity in the channel planes.例文帳に追加

厚いゲート誘電体層は、ゲート導体からチャネル領域の上面および対向する側壁を分離して、チャネル面内の伝導率を抑制する。 - 特許庁

A channel region 21 through which a channel current flows is formed in the substrate 122 between the source diffused layer 120 and the drain diffused layer 121.例文帳に追加

ソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１の間の基板１２２内には、チャネル電流が流れるチャネル領域２１が形成される。 - 特許庁

The channel region 26 is formed along the channel width direction (W direction) across a plurality of silicon films (substantially, single crystal grain).例文帳に追加

チャネル領域２６は、チャネル幅方向（Ｗ方向）に沿って複数のシリコン膜（略単結晶粒）に渡って形成される。 - 特許庁

The length in a channel width direction of the n^--type semiconductor region 14B is shorter than a channel width.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域１４Ｂのチャネル幅方向の長さは、チャネル幅よりも短く形成されている。 - 特許庁

Thereafter, boron for preventing parasitic channel is introduced into the Si layer 5 at the channel region end of the transistor by oblique ion implantation, for example.例文帳に追加

次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のＳｉ層５に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。 - 特許庁