「copper diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING COPPER DIFFUSION PREVENTING FILM UTILIZING ALUMINUM例文帳に追加

アルミニウムを利用した銅拡散防止膜の形成方法 - 特許庁

Copper or the like is used as the liquid phase diffusion metal.例文帳に追加

液相拡散金属には例えば銅が使用される。 - 特許庁

DIELECTRIC MATERIAL HAVING BARRIER EFFECT ON DIFFUSION OF COPPER例文帳に追加

銅の拡散に対するバリア効果を有する誘電体 - 特許庁

A copper diffusion preventive film formed on a main surface of a semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1a, and a copper diffusion preventive film formed on a back surface of the semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1b.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ａとし、半導体基板１Ｓの裏面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂとする。 - 特許庁

A diffusion preventing film preventing diffusion of copper is formed on the insulating film 104.例文帳に追加

その後銅の拡散を防止する拡散防止膜を絶縁膜１０４上に形成する。 - 特許庁

COPPER WIRING FILM STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND COPPER DIFFUSION PREVENTING MATERIAL例文帳に追加

Ｃｕ配線膜構造、Ｃｕ配線膜構造物の製造方法、及びＣｕ拡散防止材 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

The composite copper foil is constituted so that a heat diffusion preventing layer, which suppresses the diffusion of copper due to heat between the support copper foil and an extremely thin copper foil, and a peeling layer, which separates the support copper foil and the extremely thin copper foil mechanically, are provided between the support copper foil and the extremely thin copper foil.例文帳に追加

支持体銅箔と極薄銅箔との間に、支持体銅箔と極薄銅箔との間の熱による銅の拡散を抑制するための熱拡散防止層及び支持体銅箔と極薄銅箔を機械的に分離するための剥離層を有する複合銅箔。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for a copper diffusion preventive film which can polish the copper diffusion preventive film at high speed.例文帳に追加

銅拡散防止膜を高速度で研磨することが可能な銅拡散防止膜用研磨組成物を提供しようとものである。 - 特許庁

To form a diffusion barrier provided with both of diffusion preventing performance to copper and adherence between with a layer insulation film and copper.例文帳に追加

銅に対する拡散防止性能と、層間絶縁膜及び銅との密着性とを兼ね備えた拡散バリア膜を形成する。 - 特許庁

To provide improved liquid phase diffusion bonding of dissimilar metals, more particularly, of copper or a copper alloy to a non-copper alloy.例文帳に追加

本発明は異種材料、特に銅又は銅合金と非銅合金との改善された液相拡散接合に関する。 - 特許庁

INSULATING FILM, AND METHOD OF FORMING THE SAME HAVING COPPER DIFFUSION BARRIER PROPERTY例文帳に追加

銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜 - 特許庁

ELECTRIC CIRCUIT MOUNTING BOARD AND COPPER ION DIFFUSION SUPPRESSING METHOD USED THEREBY例文帳に追加

電気回路実装基板及びその銅イオンの拡散抑制方法 - 特許庁

A copper wiring layer is laminated on the upper surface of the first copper diffusion-preventing layer in a width slightly smaller than the width of the first copper diffusion-preventing layer, and a second metal diffusion-preventing layer is provided thereon so as to cover the whole surface of the copper wiring layer.例文帳に追加

次に、その第１の銅拡散防止層上面に第１の銅拡散防止層の幅より僅かに狭い銅配線層を積層し、銅配線層の全表面を覆うように、第２の金属拡散防止層を設ける方法である。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DIFFUSION BONDING OF COPPER-MADE THIN-WALLED PIPE例文帳に追加

銅製の薄肉パイプの拡散接合方法及び拡散接合装置 - 特許庁

MANUFACTURE OF DIFFUSION BARRIER WALL BODY FOR COPPER METALLIZATION OF INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路の銅メタライゼ—ションのための拡散障壁体の製造法 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents the diffusion of copper.例文帳に追加

銅の拡散を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an improved diffusion barrier for copper wiring in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路の銅線用の改良された拡散バリアを提供する。 - 特許庁

A diffusion prevention film 9 is laminated on copper damascene lower wiring 8.例文帳に追加

銅ダマシン下配線８上には、拡散防止膜９が積層される。 - 特許庁

The IMC has good adhesion on the copper pillar structure, the thickness of the IMC is controllable by the thickness of the copper cap layer, and the diffusion barrier layer limits diffusion of copper from the copper pillar layer to the solder layer.例文帳に追加

ＩＭＣは銅柱構造上で良好な接合性を有し、ＩＭＣの厚さは銅キャップ層の厚さで制御することができ、拡散バリア層は銅柱層からはんだ層への銅の拡散を抑制する。 - 特許庁

When it turns into an oxide of copper, since the diffusion of copper into an interlayer insulating film becomes slow, there is no diffusion in the treatment of the subsequent processes.例文帳に追加

銅酸化物になると、銅の層間絶縁膜への拡散が遅くなり、後の工程の処理等により層間絶縁膜中へ拡散することはなくなる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE OF SUCH STRUCTURE THAT DIFFUSION OF COPPER IS RESTRAINED, AND ITS MANUFACTURE, AND METHOD OF DETECTING DIFFUSED COPPER例文帳に追加

銅の拡散を抑制した構造の半導体装置とその製造方法、及び拡散した銅の検出方法 - 特許庁

POLISHED COMPOSITION FOR COPPER-BASED METAL, POLISHED COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅系金属用研磨組成物、銅拡散防止材料用研磨組成物および半導体装置の製造方法 - 特許庁

Gettering is performed with copper by an Al-Si alloy layer of the aluminum-containing layer, thus preventing diffusion of copper.例文帳に追加

アルミニウム含有層のＡｌ-Ｓｉ合金層によって銅をゲッタリングすることにより、銅の拡散を防止する。 - 特許庁

To inhibit the diffusion of copper on the interface between copper wiring and a cap film for increasing electromigration resistance, and to secure reliability in the copper wiring.例文帳に追加

銅配線とキャップ膜との界面における銅の拡散を抑制してエレクトロマイグレーション耐性を高め、銅配線の信頼性を確保する。 - 特許庁

The method includes depositing copper to form a copper pillar layer 108, depositing a diffusion barrier layer 110 on a top of the copper pillar layer, and depositing a copper cap layer 112 on top of the diffusion barrier layer, wherein an intermetallic compound (IMC) 116 is formed among the diffusion barrier layer, the copper cap layer, and a solder layer formed on a top of the copper cap layer.例文帳に追加

銅柱１０８層を形成するために銅を堆積するステップと、銅柱層の上部に拡散バリア層１１０を堆積するステップと、拡散バリア層上に銅キャップ層１１２を形成するステップを含み、金属間化合物１１６（ＩＭＣ）が拡散バリア層、銅キャップ層、銅キャップ層上に形成されたはんだ層の間に形成される。 - 特許庁

ABRASIVE COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅拡散防止膜用研磨組成物および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method for producing a copper diffusion barrier having high reliability.例文帳に追加

信頼性の高い銅拡散障壁を生成する方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the copper diffusion preventing films 6, 9 have film stress in the compressing direction.例文帳に追加

また、銅拡散防止膜６，９は、圧縮方向の膜ストレスを有している。 - 特許庁

Further, a nickel and/or nickel alloy plating layer for preventing tin diffusion is arranged between the copper foil or the copper alloy foil, and the porous copper particle layer.例文帳に追加

また、前記銅箔又は銅合金箔とポーラスな銅粒子層との間に、錫拡散を防止するニッケル又は／及びニッケル合金めっき層を設ける。 - 特許庁

COPPER DIFFUSION-PREVENTING BARRIER FILM, FORMATION METHOD OF THE SAME, FORMATION METHOD OF SEED LAYER FOR DAMASCENE COPPER WIRING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THE DAMASCENE COPPER WIRING例文帳に追加

銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - 特許庁

To provide a substrate processing system in which a process using copper and a process not using copper can be carried out in parallel using a single system while suppressing the diffusion of copper.例文帳に追加

１台の装置で銅の拡散を抑制して銅使用プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide wiring that suppresses oxidation of a copper wiring layer and diffusion of copper while securing excellent shape controllability.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。 - 特許庁

A first diffusion preventive layer 221 for preventing the diffusion of copper is continuously formed on the lowermost copper-containing wiring layer 132 and the photoelectric converting section 103.例文帳に追加

銅の拡散を防止するための第１の拡散防止層２２１が、最下層の銅含有配線層１３２上及び光電変換部１０３上に連続的に形成される。 - 特許庁

Such a copper wiring is realized by diffusion adding the metallic atom by forming a seed layer of an alloy of copper and a metal except the copper in the copper wiring layer formed on the seed layer, and diffusion adding the silicon atom from the surface of the copper wiring.例文帳に追加

このような銅配線は、シード層上に形成された銅配線層の中に、前記シード層を銅と銅以外の金属との合金により形成することにより、前記金属の原子を拡散添加させ、さらに前記銅配線の表面からシリコン原子を拡散添加することにより実現される。 - 特許庁

Thus the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S before the copper wiring forming step, thereby the diffusion of copper atoms (including copper compounds) from the back surface of the semiconductor substrate 1S can be prevented.例文帳に追加

このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成することにより、半導体基板１Ｓの裏面から銅原子（銅化合物を含む）が拡散することを防止できる。 - 特許庁

An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加

下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁

While the excellent shape controllability is secured, the copper wiring layer 53 is prevented from having its surface roughened owing to etching etc., during the formation of the metal diffusion preventive film 51, thereby suppressing the oxidation of the copper wiring layer 53 and the diffusion of copper.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 - 特許庁

Subsequently, a barrier layer for preventing diffusion of copper is deposited over the entire surface of the substrate.例文帳に追加

次に、銅の拡散を防止するためのバリア層は、基板の全面にわたって堆積される。 - 特許庁

To realize an anti-fuse structure using an insulation film that is a diffusion prevention film of copper wires.例文帳に追加

銅配線の拡散防止膜である絶縁膜を用いて、アンチヒューズ構造を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where, comprising a copper wiring, a trace amount of diffusion of a copper atom into a memory housing region is surely prevented.例文帳に追加

銅配線を備え、メモリ収納領域への銅原子の微量の拡散を確実に防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method capable of restraining diffusion of copper to an interlayer film from a copper substrate used for a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子などに使用される銅基板から層間絶縁膜への銅の拡散を抑制できる膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In a copper metallization process in a semiconductor integrated circuit, TaCN is used as a barrier layer in order to prevent the diffusion of a copper metal layer.例文帳に追加

半導体集積回路における銅金属化プロセスにおいて、銅金属層拡散を防止するためのバリア層としてTaCNを用いる。 - 特許庁

This invention relates to the ultrathin copper foil with a carrier produced by laminating a diffusion preventing layer, a separation layer, and an ultrathin copper foil formed by copper electroplating in the given order and an ultrathin copper foil with a carrier wherein the surface of the ultrathin copper foil is roughened.例文帳に追加

本発明は、拡散防止層と、剥離層と、電気銅めっきにより形成された極薄銅箔をこの順序に積層してなるキャリア付き極薄銅箔、及び極薄銅箔の表面が粗化処理されているキャリア付き極薄銅箔である。 - 特許庁

The copper - titanium clad brazing material 1 includes a copper layer 2, a titanium layer 3 and a diffused layer 4 which has a thickness smaller than the aggregated thickness of the copper layer 2 and the titanium layer 3 and is formed by diffusion of copper and titanium between the copper layer 2 and the titanium layer 3.例文帳に追加

銅—チタンクラッドろう材１は、銅層２と、チタン層３と、銅層２とチタン層３との間に、厚さが銅層２とチタン層３との合計の厚さより薄い、銅とチタンとの拡散により形成された拡散層４と、を具備している。 - 特許庁