「copper diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A copper-based material having a copper diffusion-prevention layer is a material comprising a base material made of copper or a copper alloy, while a diffusion-prevention layer having a structure where a palladium coating or a silver coating and a nickel coating or a nickel alloy coating are laminated in order is formed on the base material.例文帳に追加

銅又は銅合金を基材とする材料において、該基材上に、パラジウム皮膜又は銀皮膜と、ニッケル皮膜又はニッケル合金皮膜とが順次積層された構造の拡散防止層が形成されていることを特徴とする、銅の拡散防止層を有する銅系材料。 - 特許庁

It is possible to obtain the stable joint of the copper pad 3 and the gold ball 6, in which mutual diffusion of copper and gold sufficiently proceeds without being influenced by a surface state of copper oxide etc. produced owing to oxidation of the surface of the copper pad 3.例文帳に追加

銅パッド３表面の酸化で生じる酸化銅等の表面状態が影響することなく、銅と金の相互拡散が十分に進行し安定した銅パッド３と金ボール６の接合を得ることができる。 - 特許庁

To surely suppress diffusion and penetration of copper atoms into a metal silicide film, while using a diffusion barrier layer composed of manganese oxide in the form of a thin film as a diffusion barrier layer between the metal silicide film and a copper contact plug body.例文帳に追加

金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。 - 特許庁

The plated member which is formed of a copper-containing metal material plated with gold copper has a metal layer formed of iron or nickel, which prevents the diffusion of a gold atom and a copper atom in the plated film of gold copper, provided between the metal material and a plated layer of gold copper.例文帳に追加

銅を含有する金属部材に金銅メッキを施してなるメッキ部材であって、前記金属部材と金銅メッキからなる層との間に、金銅メッキ中の金原子および銅原子の拡散を防止する鉄またはニッケルからなる金属層を備える。 - 特許庁

To provide a polished composition for a copper-based metal, which increases the polishing rate of copper (Cu) or a copper alloy (Cu alloy) and also enables increase in the selection ratio of polishing of the polishing composition to a copper diffusion preventing material such as tantalum.例文帳に追加

銅（Ｃｕ）または銅合金（Ｃｕ合金）の研磨速度を高めるとともに、タンタルのような銅拡散防止材料との研磨選択比を高めることが可能な銅系金属用研磨組成物を提供しようとものである。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To form a diffusion barrier for a mutual connection layer of a semicon ductor device, especially for a mutual connection layer of copper.例文帳に追加

半導体デバイスの相互接続層、特に銅の相互接続層のための拡散バリアを形成すること。 - 特許庁

To provide a solder removing device and method that achieves suppression of copper diffusion.例文帳に追加

銅くわれが抑制された半田除去装置及び半田除去方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The barrier metal becomes unnecessary because of using a material preventing diffusion of copper as the interlayer insulating film 11.例文帳に追加

銅の拡散を防止する材料を層間絶縁膜11として用いるため、バリア金属が不要となる。 - 特許庁

To provide an insulation film for preventing diffusion of copper ions and a multilayer wiring structure using the insulation film.例文帳に追加

銅イオンの拡散を防止する絶縁膜及びこの絶縁膜を用いた多層配線構造の提供。 - 特許庁

Moreover, the copper diffusion preventing films 6, 9 are formed on the insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33.例文帳に追加

また、銅拡散防止膜６，９は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３上に形成される。 - 特許庁

The diffusion layer 18 has, for instance, a brass layer containing copper and zinc, and has a content ratio gradually changing in the above diffusion layer 18.例文帳に追加

この拡散層１８は、例えば、銅と亜鉛を含む真鍮層を有するとともに、前記拡散層１８における成分比率が徐々に変化している。 - 特許庁

To provide a technique to prevent contamination caused by copper diffusion when copper infiltrates from the outer edge of a silicon wafer.例文帳に追加

本発明の目的は、シリコンウエハ外縁から銅が侵入することによって起こる銅拡散による汚染を防止する技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a copper diffusion prevention film 4 is formed on a copper pad 1, a titanium film 5, a nickel film 6 and a paradium film 7 comprising a barrier metal are formed thereon.例文帳に追加

銅パッド１上に銅拡散防止膜４を形成した後、この上にチタン膜５、ニッケル膜６、パラジューム膜７から成るバリアメタルを形成する。 - 特許庁

Barriers 18b and 18c are provided between electrodes 17, 21 formed of copper the dielectric 20 to prevent diffusion of copper to the dielectric.例文帳に追加

銅で構成された電極１７、２１と誘電体２０との間には、該誘電体への銅の拡散を防止するための障壁１８ｂ、１８ｃが設けられている。 - 特許庁

A barrier film having the copper diffusion preventing function is formed on a metal wiring including copper with the non-electrolytic plating method and a bonding pad is formed thereon.例文帳に追加

銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成し、その上にボンディングパッド部を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a barrier layer excellent in adhesion with copper and in copper diffusion prevention performance, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

銅との密着性および銅拡散防止性能に優れるバリア層を有する半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a wiring part 50 containing copper wirings 16a and 16b and a memory cell part 30 on a semiconductor substrate 1, while in a region surrounding the memory cell part, copper diffusion preventing films 14, 9b, and 13b for preventing diffusion of the copper atom from the wiring part are provided.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板１上にメモリセル部３０と銅配線１６ａ，１６ｂを含む配線部５０とを備え、メモリセル部を取り囲む領域に、配線部からの銅原子の拡散を阻止する銅拡散防止膜１４，９ｂ，１３ｂとを備える。 - 特許庁

That is, the diffusion of copper from the copper conductor layer 3 is inhibited while the relative change of a copper content is reduced even when copper is diffused and intrudes to the resistance layer 2 and an effect on a resistance value can be lowered by previously mixing copper to the resistance layer 2.例文帳に追加

すなわち、予め抵抗層２に銅を混入させることで、銅導体層３からの銅の拡散を抑制すると共に、たとえ銅が拡散して抵抗層２に侵入した場合でも相対的な銅含有量の変化が小さく、抵抗値に及ぼす影響を小さくすることができる。 - 特許庁

There is provided a bonding wire for a semiconductor element 16, comprising: a wire 20 formed of copper or a copper alloy; and a copper ion diffusion suppression layer containing 1,2,3-Triazole and/or 1,2,4-Triazole configured to coat a surface of the wire.例文帳に追加

銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 - 特許庁

To solve a problem of defective adherence between a metallic wiring made of copper or copper alloy and an insulation film suppressing copper diffusion, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device free from hillock generation.例文帳に追加

銅または銅合金よりなる金属配線と、銅拡散抑止絶縁膜との間の密着性不良の問題を解決し、かつ、ヒロックの発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, the upper surface barrier film having the copper diffusion preventing function is formed on the surface of the wiring by substitutional plating.例文帳に追加

この後、配線の表面に銅拡散防止機能を有する上面バリア膜を置換めっきにより形成する。 - 特許庁

To form an interlayer insulating film that has a function as a diffusion prevention film of copper wiring and does not have large dielectric constants.例文帳に追加

銅配線の拡散防止膜としての機能を有し、誘電率が大きくない層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device, and its fabricating method, in which a diffusion of copper is prevented surely.例文帳に追加

銅の拡散が確実に防止された信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of fabricating a copper damascene structure, an organic insulation film in the thickness of 1 to 100 nm is provided between an inorganic system insulation film and copper diffusion preventing layer, at the time of chemically and mechanically grinding the inorganic system insulation film formed on the copper diffusion preventing layer.例文帳に追加

銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ１〜１００ｎｍの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。 - 特許庁

A titanium film as a first film for preventing the diffusion of fluorine is formed between the dielectric film composed of the fluorine-added carbon film and the copper wiring formed in the dielectric film, and a tantalum film as a second film for preventing the diffusion of copper is formed between the first film and the copper wiring.例文帳に追加

フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜と、この絶縁膜に形成された銅配線と、の間に、フッ素の拡散を防止するための第１の膜であるチタン膜を形成し、第１の膜と胴配線との間に銅の拡散を防止するための第２の膜であるタンタル膜を形成する。 - 特許庁

Moreover, a copper sulfide film 18 is formed on the surface of the wiring 17, whereby the surface diffusion of copper in the wiring 17 is inhibited and the electromigration resistance of the wiring 17 is also improved.例文帳に追加

また、金属配線１７の表面に銅の硫化物１８が形成されることにより銅の表面拡散が抑制され、エレクトロマイグレーション耐性も向上する。 - 特許庁

A plurality of support films 20 for supporting the diffusion prevention film 9 are formed between the pieces of copper damascene lower wiring 8A, 8B and pieces of copper damascene lower wiring 8B, 8C.例文帳に追加

銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間には、拡散防止膜９を支持するための支持膜２０が複数形成されている。 - 特許庁

A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加

この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁

To form a barrier metal layer which perfectly prevents copper diffusion in a contact hole of a trench interconnection or between interconnection layers.例文帳に追加

溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてＣｕ拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

By adding an aluminum barrier layer 60 to an ordinary barrier layer, a barrier layer effective to preventing diffusion of copper can be created.例文帳に追加

通常のバリア層にアルミニウム・バリア層を追加することにより、銅拡散に対する優れたバリア層を創造する。 - 特許庁

An adhesion strength enhancing layer containing chromium, a copper diffusion-barrier layer containing nickel or molybdenum and the electroconductive layer comprising copper or a copper alloy are formed on one side or both sides of the resin film containing a polyimide resin.例文帳に追加

ポリイミド樹脂を含む樹脂フィルムの片面もしくは両面における表面上に、クロムを含む密着力向上層と、ニッケルまたはモリブデンを含む銅拡散バリア層と、銅または銅合金からなる導電層を形成する。 - 特許庁

In addition, the wiring containing copper is wiring comprising a laminated film of the conductive film having copper as a main component and the barrier type conductive film having a barrier nature to the diffusion of copper, and is subjected to microfabrication for reducing the line width of the conductive film having copper as the main component.例文帳に追加

なお、銅を含む配線は、銅を主成分とする導電膜と、銅の拡散に対するバリア性を有するバリア性導電膜との積層膜からなる配線であり、銅を主成分とする導電膜の線幅を細くするための微細加工することを特徴とする。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a second Cu diffusion barrier insulating film 8 on this, and a step of forming a structure that the copper residue 7a is sandwiched between the first and second Cu diffusion barrier insulating films 3 and 8.例文帳に追加

この上に第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜８を設けて、銅残渣７ａを第１および第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜３，８で挟み込んだ構造にする。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

To provide a method for easily separating nickel from an acidic solution of sulfuric acid such as a final solution in copper removal in copper electrolytic refining without causing problems in the conventional diffusion dialysis method and evaporation method.例文帳に追加

従来の拡散透析法や蒸発法の問題点がなく、銅電解製錬での脱銅終液のような硫酸酸性溶液からニッケルを簡単に分離する方法を提供する。 - 特許庁

To form a copper diffusion preventing film and a bonding pad ensuring good adhesiveness without causing contamination of device.例文帳に追加

装置の汚染等を引き起こすことなく、銅拡散防止膜及び密着性の良好なボンディングパッド部を形成可能とする。 - 特許庁

To provide a forming method for the interlayer insulating film which offers the copper ion diffusion prevention capability as well as superior thermal stability and mechanical strength.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能、熱安定性、及び機械的強度に優れた層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A feature of this embodiment 1 is that the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

本実施の形態１の特徴は、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成する点にある。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

These steps preliminarily diffuse copper, which is primarily included in the plating layers 10, 11 and has a relatively high diffusion velocity, into the internal electrodes 3, 4 primarily including nickel, thereby reducing a difference in diffusion velocity between copper and nickel at the top temperature, which causes the occurrence of voids.例文帳に追加

これによって、めっき層１０，１１の主成分である拡散速度の比較的高い銅を、ニッケルを主成分とする内部電極３，４側に予め拡散させておき、ボイド発生の原因となるトップ温度での銅とニッケルとの拡散速度の差を減じておく。 - 特許庁