「dc sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target capable of suppressing the occurrence of abnormal discharge even if an IGZO sputtering target is used in DC sputtering.例文帳に追加

ＩＧＺＯスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

An insulating film is formed by a DC sputtering method or a DC pulse sputtering method, using an oxide target comprising a gallium oxide (also referred to as GaOx ).例文帳に追加

酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

Then, DC electric power is applied to the sputtering target to form plasma, and sputtering particles S_A are produced by Ar sputtering to deposit a metal film 101.例文帳に追加

それから、スパッタターゲットにＤＣ電力を印加してプラズマを形成し、Ａｒスパッタによりスパッタ粒子Ｓ_Ａを生ぜしめ、金属膜１０１を堆積させる。 - 特許庁

The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method.例文帳に追加

反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

The steps of DC sputtering Si, DC sputtering the rare earth element, and DC sputtering the SiO_2 are repeated 5 to 60 cycles, so that the lattice structure includes the plurality of alternating SiO_2 layers and rare earth element-doped Si layers.例文帳に追加

格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 - 特許庁

To provide a method which can effectively produce a sputtering target having a bulk resistance value to a degree that a DC sputtering process can be used.例文帳に追加

直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

This thermal transfer film to be used comprises a transfer layer accumulated on a substrate film and a layer formed on at least a portion of the transfer layer by one of DC sputtering and DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基材フィルム上に転写層が堆積され、転写層の少なくとも一部にＤＣスパッタ法およびＤＣマグネトロンスパッタ法の一方で形成された層を含む熱転写フィルムを用いる。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

To provide a DC or DC-pulse sputtering system capable of increasing the film deposition rate and enhancing the uniformity of the film thickness distribution.例文帳に追加

成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is deposited using a DC sputtering method and DC power for deposition is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際のＤＣパワーをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for formation of an optical logging protection film which is made of zinc chalcogenide/silicon dioxide/indium oxide- based sintered compact and is capable of DC sputtering.例文帳に追加

直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming an optical disk protecting film, which can be used for DC sputtering, whose characteristics hardly deteriorate, when data are rewritten and which is suitable for an optical disk coping with high recording density, and to provide the optical disk protecting film formed by using the sputtering target.例文帳に追加

ＤＣスパッタリングが可能で、かつデータ書換え時の特性劣化が小さい、高記録密度対応の光ディスクに好適な保護膜用スパッタリング・ターゲット及び光ディスク保護膜の提供。 - 特許庁

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture.例文帳に追加

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is formed by a DC sputtering method and a DC voltage Vdc for formation is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a recording layer exhibiting satisfactory characteristics by DC sputtering and a high-density optical recording medium using the sputtering target and a manufacturing for the same.例文帳に追加

良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体とその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering target for optical media capable of producing an interference layer, which has a high refractive index and can ensure a sufficient shelf life of an optical medium, of the optical medium by DC sputtering, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To deposit a dielectric layer consisting of ZnS.SiO2 of a phase shift type optical disk by DC sputtering.例文帳に追加

相変化型光ディスクにおけるＺｎＳ・ＳｉＯ_2からなる誘電体層をＤＣスパッタにより成膜すること。 - 特許庁

To provide a Zr-Cr-Ti-O-based sputtering target for forming an oxide film of an optical recording medium which can perform DC sputtering more efficiently than the conventional case.例文帳に追加

従来よりも効率よくＤＣスパッタすることができる光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a ZnS-SiO2 target material capable of applying DC sputtering and provided with high-speed and stable sputtering properties thereby and to provide its production method.例文帳に追加

ＤＣスパッタの適用が可能であり、これにより高速で安定したスパッタ性を備えたＺｎＳ−ＳｉＯ_2 系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for the formation of an optical logging protection film made of sintered bodies composed of zinc sulfide-silicic and titanic compound oxide-indium oxide, and capable of DC sputtering.例文帳に追加

直流スパッタリング可能な硫化亜鉛−ケイ素とチタンの複合酸化物−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

A magnetron 18 driven by DC electric current is positioned in the reactor and supports a target 20 of sputtering.例文帳に追加

直流電流で駆動されるマグネトロンは、リアクタ室内に位置しスパッタリングのターゲットを支持するように構成されている。 - 特許庁

To provide a method for effectively producing a sputtering target having a bulk resistance value low to a degree at which DC discharge is made possible.例文帳に追加

ＤＣ放電ができる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous SiC layer 12 is doped with boron ions, for example, by DC sputtering with an output 1000W, with use of an argon gas as a sputtering gas and an SiC substrate doped with born ions as a target.例文帳に追加

例えば、出力１０００Ｗ、スパッタリングガスをアルゴン、ターゲットをホウ素がドープされたＳｉＣ基板としたＤＣスパッタリングにより、非晶質ＳｉＣ層１２にホウ素をドーピングできる。 - 特許庁

To provide a shield for a DC magnetron sputtering reactor which is particularly favorable in reliably igniting plasma used for sputtering a ferromagnetic material such as cobalt and nickel.例文帳に追加

コバルトまたはニッケルのような強磁性材料をスパッタリングするのに使用されるプラズマを確実に点弧させるのに特に有利な直流マグネトロンスパッタリング反応器のためのシールドを提供する。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a DC power unit for sputtering which can supply desired voltage output without switching the tap of a transformer.例文帳に追加

トランスのタップ切換をすることなく所望電圧出力を供給できるスパッタリング用直流電源装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ZnO target capable of producing a ZnO film having high resistance even by the DC sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

ＤＣスパッタリングでも高抵抗なＺｎＯ膜を作製可能なＺｎＯターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON NANOPARTICLES FROM SILICON RICH-OXIDE BY DC REACTIVE SPUTTERING FOR ELECTROLUMINESCENCE APPLICATION例文帳に追加

エレクトロルミネセンスへの応用を目的とし、シリコン過剰酸化物からシリコンナノ粒子をＤＣ反応性スパッタリングによって形成する方法 - 特許庁

DC-SPUTTERING PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR HAVING SMOOTHING ELECTRODE AND IMPROVED MEMORY RETENTIVITY例文帳に追加

平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのＤＣスパッタリングプロセス - 特許庁

After a surface of the substrate 108 is subjected to the reverse sputtering of the predetermined quantity, application of the voltage by the pulse DC power supply 109 is stopped.例文帳に追加

基板１０８の表面が所定量逆スパッタされた後、パルスＤＣ電源１０８による電圧の印加を止める。 - 特許庁

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering.例文帳に追加

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。 - 特許庁

The dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are preferably formed from targets for sputtering whose target materials used for the DC sputtering method have ≤10 Ωcm specific resistance value.例文帳に追加

誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣスパッタリング法に用いるターゲット材料の比抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲットから形成されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a titanium oxide target having higher density compared to the conventional one and free from the occurrence of breaking in DC sputtering.例文帳に追加

従来よりも高密度でかつＤＣスパッタに際して割れが発生することが無い酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetron to be used in a DC magnetron sputtering reactor can be rotated at a smaller diameter in a deposition stage, and can be rotated at a large diameter in a cleaning stage, and the sputtering material re-deposited outside the deposition sputtering track is removed in the cleaning stage.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング反応器で使用するマグネトロンは、堆積段階では小さい直径で回転でき、クリーニング段階では大きい直径で回転でき、それにより堆積スパッタリング軌道の外側に再堆積したスパッタ材料は、クリーニング段階で除去される。 - 特許庁

A DC barrier metal layer 14 is then formed using DC sputtering on one side surface 67 of the RF barrier metal layer 13 in the laminating direction Z, so that a barrier metal layer is formed from the RF barrier metal layer 13 and the DC barrier metal layer 14.例文帳に追加

次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

In a reactive sputtering device, a sputtering electrode 15 with a target 16 loaded is connected with a DC power source 38 and an RF power source 42 via a matching box 40, and these DC power source 38 and RF power source 42 are connected to a synchronous control circuit 44.例文帳に追加

反応性スパッタ装置において、ターゲット１６を搭載するスパッタ電極１４には、ＤＣ電源３８及びマッチングボックス４０を介したＲＦ電源４２が接続され、これらＤＣ電源３８及びＲＦ電源４２は同期制御回路４４に接続されている。 - 特許庁

To form a fluoride optical thin film on the surface of a quartz substrate by reactive DC magnetron sputtering so that the thin film is not peeled off after being formed.例文帳に追加

石英基板上へ、反応性ＤＣマグネトロンスパッタでフッ化物光学薄膜を、成膜後に膜剥がれしてしまわないように成膜すること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加

銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used in a DC magnetron sputtering apparatus, and can deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a method of manufacturing the highly resistant transparent conductive film.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a high resistance transparent conductive film which can be used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and high resistance film, and to provide a manufacturing method of high resistance transparent conductive film.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior.例文帳に追加

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。 - 特許庁