「dc sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A bonding metal layer is then formed using DC sputtering on one side surface 71 of the DC barrier metal layer 14 in the laminating direction Z, so that a second electrode 12 is formed from the barrier metal layer and the bonding metal layer 15.例文帳に追加

次にＤＣバリアメタル層１４の積層方向Ｚの一方側の表面７１上に、直流スパッタリングを用いてボンディングメタル層を形成し、バリアメタル層およびボンディングメタル層１５から成る第２電極１２を形成する。 - 特許庁

The dielectric film for the amorphous phase change optical film is film-deposited on a substrate by a sputtering method using a film-deposition device provided with a sputtering power source so constituted that 50 to 400 kHz frequency overlapping with a DC can be applied to the target.例文帳に追加

該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 - 特許庁

At least one of the ferromagnetic layers is formed of amorphous ferromagnetic material deposited in a film through magnetron DC sputtering, and the intermediate layer is of magnesium oxide deposited in a film through magnetron RF sputtering to have a single crystal structure in a direction of film thickness.例文帳に追加

少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, a highly resistant transparent conductive film using the same; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a perpendicular magnetic recording layer 6 is formed, a DC pulse is used and voltages having opposite polarities are applied to the target in a reversal time between sputtering actions.例文帳に追加

垂直磁気記録層６の成膜に当っては、ＤＣパルスを使用し、スパッタリングとスパッタリングの間の反転期間(Reversal Time)にターゲットに反対極性の電圧が印加される。 - 特許庁

In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−７０〜−１３０Ｖのバイアス電圧、０．１〜０．７Ａのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁

This sputtering target for the formation of the optical logging protection film capable of DC sputtering and low in abnormal discharge comprises 10-30 mole % silicic and titanic compound oxide, 0.5-30 mole % indium oxide and the balance of zinc sulfide.例文帳に追加

ケイ素とチタンの複合酸化物：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To obtain a sputtering target for deposition of optical disk protective film, capable of increasing the uniformity of film and enhansing productive efficiency by improving powder as material for target and enabling DC sputtering using the resultant target.例文帳に追加

ターゲットの材料である粉末の改善を図り、これによって形成したターゲットを用いてＤＣスパッタリングを可能とすることにより成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得ることを目的とする。 - 特許庁

A DC magnetron sputtering system 22 for depositing an intermediate layer on an Si film on a substrate S is provided with a gaseous oxygen supplying section 27 for supplying gaseous oxygen into a chamber 10.例文帳に追加

基板Ｓ上にＳｉ膜の中間層を成膜するＤＣマグネトロンスパッタ装置２２には、チャンバ１０内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部２７が設けられている。 - 特許庁

Helium is introduced into the atmosphere at the film deposition of transparent electrode by DC sputtering using indium oxide and tin oxide as a target while varying the flow rate of helium.例文帳に追加

インジウムとスズの酸化物をターゲットに用いた直流スパッタによる透明電極の成膜時の雰囲気中に、ヘリウムの流量を変化させて導入することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The mask blank is obtained by forming, on a substrate 11 made of synthetic quartz, a light-shielding layer 12 comprising TaN (with 84.0 atom% of Ta and 16.0 atom% of N in terms of a film composition ratio) to a film thickness of 43 nm by DC magnetron sputtering in a mixture gas atmosphere of xenon (Xe) and nitrogen (N) using Ta as a sputtering target.例文帳に追加

合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。 - 特許庁

This superconductor multilayer structure is provided with a first thin dielectric layer which is formed on a first superconductor layer on a substrate by using high frequency sputtering, a second dielectric layer which is formed thickly on the first dielectric layer by using DC reactive sputtering, and a second superconductor layer formed on the second dielectric layer.例文帳に追加

基板上の第一超電導体層に高周波スパッタリングにより形成した薄い第一誘電体層と該第一誘電体層に直流反応性スパッタリングにより厚く形成した第二誘電体層と該二誘電体層に形成した第二超電導体層を備える。 - 特許庁

In pretreatment at the time of forming a plating substrate by DC sputtering on an insulating base material 4 composed of a polyamide resin, the insulating base material 4 is fitted to an electrode 2, and moreover, plasma bombardment is applied on the surface of the insulating base material 4 by using gaseous nitrogen as reverse sputtering gas.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂からなる絶縁性基材４にＤＣスパッタリングによりメッキ下地層を形成する際の前処理において、絶縁性基材４を電極２に取り付けるとともに逆スパッタガスに窒素ガスを用いて絶縁性基材４の表面にプラズマボンバードを施す。 - 特許庁

In the optical recording medium 101 having at least dielectric layers 13 and 15 and a recording layer 14 on a base material 11, the dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are composed of materials which can be formed by a DC sputtering method using a DC power source or a pulse DC power source.例文帳に追加

基材１１上に少なくとも誘電体層１３、１５と記録層１４とを有する光記録媒体１０１であって、誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣ電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により形成できる材料からなる光記録媒体１０１により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a batch-feeding type film-forming apparatus for forming a film on a plurality of non-electroconductive substrates with a bias sputtering technique, which can adequately apply a DC-bias while keeping the productivity.例文帳に追加

複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。 - 特許庁

In the optical recording medium 101, a reflection layer 12 can be optionally formed on the base material 11 and the reflection layer 12 is also composed of a material which can be formed by the sputtering method using the DC power source.例文帳に追加

また、光記録媒体１０１は、基材１１上に任意に反射層１２を形成することができ、反射層１２も、ＤＣ電源を用いたスパッタリング法により形成できる材料からなる。 - 特許庁

A sputtering target is DC-sputtered at water partial pressure of 3×10^-4 to 5×10^-2 Pa in a system so as to form a formation body, and the formation body is crystallized in the film formation method of the oxide semiconductor.例文帳に追加

系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 - 特許庁

The sputtering device includes a chamber 101, a wafer stage 102, a ring chuck 104, a metal target 105, an adhesion-preventive shield 107, a magnet 108, a collimator 109, and DC power sources 110, 120.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、チャンバ１０１、ウェハステージ１０２、リングチャック１０４、金属ターゲット１０５、防着シールド１０７、マグネット１０８、コリメータ１０９、並びに直流電源１１０，１２０を備えている。 - 特許庁

A Ti film 5, a TiON film 6, a Ti film 7, an Al-Si alloy film 8, a Ti film 9 and a TiON film 10 are formed at 150-350°C on a substrate using a DC sputtering apparatus.例文帳に追加

基板上にＤＣスパッタ装置により１５０〜３５０℃の温度でＴｉ膜５、ＴｉＯＮ膜６、Ｔｉ膜７、Ａｌ−Ｓｉ合金膜８、Ｔｉ膜９およびＴｉＯＮ膜１０を順次成膜する。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide based target with a low resistance satisfying ≤10^-3Ωcm usable for producing a zinc oxide based thin film with a high resistance satisfying ≥10^7Ωcm using a DC sputtering process.例文帳に追加

直流スパッタリング法を用いて、１０^７Ωｃｍ以上の高抵抗の酸化亜鉛系薄膜を作製するために使用できる１０^−３Ωｃｍ以下の低抵抗の酸化亜鉛系ターゲットを得る。 - 特許庁

This gas-phase stacker 1 applies pulse-form DC voltages at different voltage values to the electrodes 3a and 3b, when forming a sheed layer by sputtering metal from the sputter target 13.例文帳に追加

この気相堆積装置１においては、スパッタターゲット１３から金属をスパッタさせてシード層を形成させる際に、電極３ａ，３ｂに異なる電圧値のパルス状直流電圧を印加する。 - 特許庁

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B.例文帳に追加

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B.例文帳に追加

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having a MgO film with high productivity using a DC sputtering method and simultaneously suppressing oxygen deficiency of the MgO film to obtain a MgO ground layer having high crystallinity.例文帳に追加

ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium wherein the magnetic layer having at least a granular structure is deposited on at least one surface of a support, the magnetic layer is deposited by a DC pulse sputtering method.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、少なくともグラニュラ構造を有する磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、上記磁性層は、ＤＣパルススパッタ法により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a titanium oxide sintered compact capable of being film-deposited by a DC magnetron sputtering process and controlling the quantity of oxygen required to obtain an high quality titanium oxide thin film to ≤3% wherein the film deposition speed does not drop.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜ができ、かつ、良質の酸化チタン薄膜を得るために必要な酸素導入量を、成膜速度が低下しない３％以下にすることができる酸化チタン焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin film solid secondary battery, a negative electrode active material is set up to be niobium oxide, a negative electrode collector is set up to be niobium, and a negative electrode active material layer 5 and a negative electrode collector layer 6 are continuously deposited with DC sputtering by using the same niobium metal target.例文帳に追加

薄膜固体二次電池において、負極活性物質をニオブ酸化物、負極集電体をニオブとし、同一のニオブ金属ターゲットを用い、ＤＣスパッタリングにより負極活物質層５と負極集電体層６を連続成膜する。 - 特許庁

Sputtering particles from a target is transported and deposited on an organic substrate by the compulsory gas flow of sputter gas, by using the target containing indium oxide and tin oxide and impressing a DC bias voltage or an RF bias on the organic substrate.例文帳に追加

インジウム酸化物と錫酸化物とを含むターゲットを用い、有機物基板にＤＣバイアス電圧、あるいはＲＦバイアスを印加しながら、ターゲットからのスパッタ粒子をスパッタガスの強制ガス流により有機物基板上に輸送して堆積させる。 - 特許庁

In the method for producing a lithography mask blank including a step of depositing a thin film comprising at least silicon on a transparent substrate by DC sputtering, a silicon target having ≤0.1 Ω.cm specific resistance is used in the step.例文帳に追加

ＤＣスパッタリング法を用いて、透明基板上に少なくともシリコンを含有する薄膜を成膜する工程を有するリソグラフィーマスクブランクの製造方法において、前記工程において、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下のシリコンターゲットを用いたことを特徴とする。 - 特許庁

The TCO layer consists at least of a first layer of high conductivity and a second layer of low conductivity, with the second layer generated by DC sputtering of at least one target (4), which contains zinc oxide and additionally aluminum, and the process atmosphere contains oxygen.例文帳に追加

ＴＣＯ層は、少なくとも高導電性の第一層と低導電性の第二層からなり、第二層が、酸化亜鉛と更にアルミニウムを含有する、少なくとも一つのターゲット（４）のＤＣスパッタリングによって生成され、プロセス雰囲気は酸素を含有する。 - 特許庁

To provide a ZnO-based target with which a ZnO-based thin film having a thin film thickness (200 nm or less) and a low resistivity is obtained through a stable DC sputtering, and to provide a ZnO-based transparent conductive film having a low resistance, which is formed by using the same.例文帳に追加

薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a high resistance transparent conductive film at a low cost which can be suitably used as a transparent electrode for resistance-type touch panels, has few defects, has specific resistance in the range of 0.9 to 1.8×10^-3 Ωcm, and is produced by the DC sputtering method or the ion plating method which have been widely used industrially.例文帳に追加

工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する - 特許庁

To provide a plasma addressed display device, which is stable in the whole screen and durable, in a DC discharge type simple in driving and construction and capable of cost reduction by suppressing sputtering of electrodes and preventing reduction of transmissivity and a change in electric discharge characteristics due to splashing of metal or the like.例文帳に追加

電極のスパッタを抑制し、金属などの飛散による透過率低下及び放電特性変化を防止し、画面全域が安定で長寿命なプラズマアドレス表示装置を、駆動上・構造上簡易で低コスト化が可能なＤＣ放電タイプで提供することを目的とする。 - 特許庁

There are provided a process where a lower electrode 3 of a capacitor is formed above a semiconductor substrate 1, a process where a ferroelectrics film 4 is formed on the lower electrode 3, and a process where an upper electrode 5 is formed on the ferroelectrics film 4 by sputtering using DC pulse discharge.例文帳に追加

半導体基板１の上方にキャパシタの下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に強誘電体膜４を形成する工程と、ＤＣパルス放電のスパッタにより上部電極５を強誘電体膜４の上に形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A first underlayer 12a, a Cr-Mn layer 15, a second underlayer 12b, a magnetic recording layer 13 of a Co alloy and a carbon protective layer 14 are successively deposited by DC magnetron sputtering on a nonmagnetic substrate 11 of an aluminum alloy having an Ni-P plating layer in a circumferential direction.例文帳に追加

円周方向にＮｉ−Ｐメッキ層を有するアルミ合金の非磁性基体１１上に、第１下地層１２ａと、Ｃｒ−Ｍｎ層１５と、第２下地層１２ｂと、Ｃｏ合金の磁性記録層１３と、カーボン保護層１４とが順次ＤＣマグネトロンスパッタ成膜されている。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

In the sputtering system, chucking-proof plates 7a, 7b are installed by a plurality of metal members doubly and in a non-contact state therebetween, and also, an amount of a residual gas obtained from a residual gas detecting means 15 is analyzed and a DC negative potential is applied to the outside chucking-proof plate 7b.例文帳に追加

スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁