「dinitrogen」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

2. Nitrogen dioxide or dinitrogen tetraoxide 例文帳に追加

（二）　二酸化窒素又は四酸化二窒素 - 日本法令外国語訳データベースシステム

APPARATUS AND METHOD FOR DECOMPOSING DINITROGEN MONOXIDE GAS例文帳に追加

笑気ガスの分解装置及び分解方法 - 特許庁

PURIFICATION SYSTEM AND METHOD FOR DINITROGEN MONOXIDE例文帳に追加

一酸化二窒素の精製システムおよび方法 - 特許庁

PROCESS FOR SEPARATING DINITROGEN MONOXIDE FROM GAS FLOW例文帳に追加

ガス流れから亜酸化窒素を分離するプロセス - 特許庁

METHODS FOR MEASUREMENT AND GENERATION CONTROL OF DINITROGEN MONOXIDE例文帳に追加

一酸化二窒素の測定方法及び発生制御方法 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for decomposing dinitrogen monoxide gas which make it possible to render dinitrogen monoxide gas completely harmless under normal temperature and pressure with low energy.例文帳に追加

笑気ガスを常温常圧下、低エネルギーで完全無害化することができる笑気ガスの分解方法と装置の提供。 - 特許庁

The fuel and oxidizer are preferably hydrazine and dinitrogen tetroxide.例文帳に追加

燃料及び酸化剤にはヒドラジン及び四酸化二窒素が好ましい。 - 特許庁

Dinitrogen monoxide and the like being impurities are removed by the use of faujasite type zeolite.例文帳に追加

不純物である亜酸化窒素類が、フォージャサイト型ゼオライトによって除去される。 - 特許庁

The heater 15 heats the dinitrogen monoxide fed in the heater 15 to 700°C or higher.例文帳に追加

加熱器１５は、加熱器１５内に供給された一酸化二窒素を７００℃以上に加熱する。 - 特許庁

To provide a system and a method for purifying dinitrogen monoxide for use in semiconductor manufacturing.例文帳に追加

半導体製造における使用のための一酸化二窒素精製システム及び方法の提供。 - 特許庁

The heated dinitrogen monoxide is fed in the reaction tube 2 via the tube 14.例文帳に追加

そして、加熱された一酸化二窒素が第２ガス導入管１４を介して、反応管２内に供給される。 - 特許庁

This method for purifying gaseous nitrogen trifluoride comprises removing dinitrogen oxide by bringing gaseous nitrogen trifluoride including dinitrogen oxide into contact with an aqueous sulfuric acid solution.例文帳に追加

三弗化窒素ガスの精製方法において、酸化二窒素を含有する三弗化窒素ガスと硫酸水溶液とを接触させることにより酸化二窒素を除去することを特徴とする三弗化窒素ガスの精製方法。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。 - 特許庁

Unreacted zone generated in a water treatment plant or the like is recovered as dinitrogen monoxide.例文帳に追加

そして、水処理設備などにおいて発生した未反応のオゾンを一酸化二窒素として回収するものである。 - 特許庁

The third subsystem has the product tank 118 recondensing purified dinitrogen monoxide, a liquid pump 120, a liquid filter 122 and a transporting manifold including a bypass distributing the purified dinitrogen monoxide to a container 124.例文帳に追加

第３のサブシステムは、精製された一酸化二窒素蒸気が再凝縮される生成物タンク１１８、液体ポンプ１２０、液体フィルター１２２および精製された一酸化二窒素を保持容器１２４に分配するためのバイパスを含む移送マニホールドを有する。 - 特許庁

The method for producing whipped cream comprises the following process: reducing pressure of the dinitrogen monoxide gas supplied from a supply steel cylinder by a pressure-reducing valve 3; quantifying the amount supplied of the pressure-reduced dinitrogen monoxide gas; and supplying the gas into a cream container 7 charged with whipped cream raw material milk to dissolve the dinitrogen monoxide gas into the whipped cream raw material in the cream container 7.例文帳に追加

供給ボンベ２から供給される亜酸化窒素ガスを減圧弁３により減圧し、その減圧された亜酸化窒素ガスの供給量を定量供給手段により定量化してホイップクリーム原乳を収容したクリーム容器７に供給し、クリーム容器７内でホイップクリーム原乳に亜酸化窒素ガスを溶け込ませてホイップクリームを製造する構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing whipped cream easily and safely treated even when dinitrogen monoxide gas is supplied using a large volume high-pressure gas container: and to provide a method for producing whipped cream comprising easily adjusting a dosage of the dinitrogen monoxide gas.例文帳に追加

本発明は、大きな容積の高圧ガス容器で供給する場合でも取扱いが容易且つ安全で亜酸化窒素ガスの添加量が簡単に調節出来るホイップクリームの製造方法及びホイップクリーム製造装置を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

First, a silicon oxide film 101 is formed with the plasma CVD method by supplying both monosilane gas and dinitrogen monoxide gas on the silicon base layer 100 of a wafer W.例文帳に追加

まず、ウェハＷのシリコン基層１００上にモノシランガスと一酸化二窒素ガスを供給してプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１０１を形成する。 - 特許庁

This system includes the first subsystem comprising a purification tank 106 holding liquid dinitrogen monoxide, a vaporizer 108 for vaporizing and connected with a product tank for returning dinitrogen monoxide vapor to the purification tank, a distillation column 104 set at distal end of the purification tank and a condenser 102 set on the distillation column.例文帳に追加

液化された一酸化二窒素を保持するための精製タンク１０６、気化し、一酸化二窒素蒸気を精製タンクに送り戻すための生成タンクと連通する気化器１０８、精製タンクの遠位端上に配置される蒸留塔１０４、蒸留塔上に配置される凝縮器１０２を有する第１のサブシステムを含む。 - 特許庁

The drink filled in the hermetic container is deoxidized by substituting the air in a space at the upper part of the container with dinitrogen monoxide.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、容器上部の空隙内の空気が亜酸化窒素で置換されていることを特徴とする密封容器入り飲料を提供する。 - 特許庁

The gate insulation film GI is formed by oxidizing the principal plane of the silicon substrate 1 and thereafter heat-treating it in an atmosphere of a dinitrogen oxide in a furnace.例文帳に追加

ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン基板１の主面を酸化した後、炉体内において一酸化二窒素雰囲気中で熱処理を施すようにして形成する。 - 特許庁

At the formation of the oxide film on a substrate by a vacuum ultraviolet light CVD process, an organic material gas and an additive gas of dinitrogen monoxide and/or oxygen gas (gases) are present together therewith.例文帳に追加

真空紫外光ＣＶＤにより、基板上に酸化膜を形成するに際し、有機系材料ガスと一酸化二窒素及び／または酸素ガスからなる添加ガスを共存させる。 - 特許庁

The gas is chosen from among helium, oxygen, nitrogen, xenon, hydrogen, carbon monoxide, carbon dioxide, argon, krypton, nitrogen monoxide, dinitrogen monoxide, carbonated hydrocarbons, fluorocarbons and mixtures of several of these gases.例文帳に追加

ガスは、ヘリウム、酸素、窒素、キセノン、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、アルゴン、クリプトン、一酸化窒素、一酸化二窒素、カーボネーテッド炭化水素、フルオロカーボンおよびこれらのガスの複数の混合物の中から選択される。 - 特許庁

The forming device of a silicon oxide film is constituted in a structure that a first gas introducing tube 13 for feeding dichlorosilane and a second gas introducing tube 14 for feeding dinitrogen monoxide are provided under the lower part of a reaction tube 2 of a heat-treating unit 1.例文帳に追加

熱処理装置１の反応管２の下部には、ジクロロシランを供給する第１ガス導入管１３と、一酸化二窒素を供給する第２ガス導入管１４とが配設されている。 - 特許庁

To provide a purifying device capable of purifying NOx discharged from an internal combustion engine such as a gasoline engine and a diesel engine to drive in lean atmosphere without being accompanied by dinitrogen monoxide (N2O) of a by-product.例文帳に追加

リーン雰囲気で運転をおこなうガソリンエンジンやディーゼルエンジンなどの内燃機関から排出されるＮＯ_Xを、副生成物の亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）をともなうことなく浄化できる浄化装置とすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a separation process (especially TSA type separation process) of dinitrogen monoxide N2O (further carbon dioxide CO2 or ethylene C2H4 and the like as the case may be), contained in gas flow (e.g. air) as impurities.例文帳に追加

ガス流れ（例えば、空気）中に不純物として含まれている亜酸化窒素Ｎ_２Ｏ（場合により更に、二酸化炭素ＣＯ_２またはエチレンＣ_２Ｈ_４など）の分離プロセス（特にＴＳＡタイプの分離プロセス）を提供する。 - 特許庁

This system is easily convertible from an existent monopropellant system to a high- quality bipropellant dual-mode system, without complication and cost increases resulting from the use of dinitrogen tetroxide-hydrazine-based bipropellant devices.例文帳に追加

本装置は四酸化二窒素−ヒドラジンの二元推進剤装置に伴う複雑化及びコストをもたらすことなく、既存の一元推進剤装置から高性能二元推進剤デュアルモード装置への簡単な転換を可能にする。 - 特許庁

Mixture of carbon dioxide and HC refrigerant, and mixture of dinitrogen monoxide and HC refrigerant are used as coolant of a high temperature side refrigerating circuit and a low temperature side refrigerating circuit respectively in the two-way refrigerating device.例文帳に追加

本発明は、２元冷凍装置において、二酸化炭素とＨＣ冷媒との混合物を高温側冷凍回路の冷媒とし、亜酸化窒素とＨＣ冷媒との混合物を低温側冷凍回路の冷媒としたことを特徴とする。 - 特許庁

A film-forming gas containing tetraethoxysilane(TEOS) and dinitrogen monooxide (N_2O) is turned into plasma and made to react thereby forming the barrier insulating film 35a covering copper wiring 34a on a substrate 21, where the copper wiring 34b is exposed on the surface.例文帳に追加

テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ_2Ｏ）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線３４ｂが露出している基板２１上に銅配線３４ｂを被覆するバリア絶縁膜３５ａを形成する。 - 特許庁

In a process manufacturing the first SiO_x and/or the gate insulating films, a flow rate of silane (SiH_4) is maintained at 50 sccm to 700 sccm and a flow rate of dinitrogen monoxide (N_2O) is maintained at 700 sccm to 4,500 sccm.例文帳に追加

前記第１シリコン酸化膜及び／または前記ゲート絶縁膜を製造する過程で、シラン（ＳｉＨ_４）のフローレートは５０ｓｃｃｍ〜７００ｓｃｃｍに維持し、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）のフローレートは７００ｓｃｃｍ〜４,５００ｓｃｃｍに維持する。 - 特許庁

The objective fuel gas is based on a combustible gas composed of a mixture of (A) 40-70 wt.% dimethyl ether, dinitrogen monoxide and/or nitromethane, (B) 8-20 wt.% propylene, methylacetylene, propane and/or propadiene and (C) 20-45 wt.% isobutane and/or n-butane.例文帳に追加

（Ａ）４０乃至７０重量％のジメチルエーテル、一酸化二窒素及び／又はニトロメタン、（Ｂ）８乃至２０重量％のプロピレン、メチルアセチレン、プロパン及び／又はプロパジエンおよび（Ｃ）２０乃至４５重量％のイソブタン及び／又はｎ−ブタンの混合物からなる可燃性気体を基にした燃料ガス。 - 特許庁

To provide an adsorbent which can obtain an ultrapure gas by selectively adsorbing and removing minute impurities, such as carbon monoxide, nitrogen, dinitrogen monoxide, nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, ammonia, nitrogen trifluoride, carbon dioxide, methane, hydrogen, and oxygen, contained in various gasses to the ppm level or below, and a method and an apparatus for purifying gas using the adsorbent.例文帳に追加

各種ガス中に含まれる一酸化炭素、窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、アンモニア、三フッ化窒素、二酸化炭素、メタン、水素、酸素等の微量不純物を選択的にｐｐｍレベル以下まで吸着除去して超高純度のガスを得ることができる吸着剤を提供するとともに、この吸着剤を使用したガス精製方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device includes a gate insulating film forming process forming the gate insulating film constituted by silicon dioxide on the silicon carbide layer, and a nitriding process heating the silicon carbide layer on which the gate insulating film is formed in a gas containing nitrogen monoxide or dinitrogen monoxide and trans-1,2-difluoroethylene after the gate insulating film forming process.例文帳に追加

この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁