「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of simply forming a III-group nitride film of low dislocation density.例文帳に追加

低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an artificial hip joint which can be prevented from bone dislocation.例文帳に追加

脱臼の発生を抑制することができる人工股関節を提供する。 - 特許庁

To accurately connect electrodes of respective batteries and connecting members without positional dislocation.例文帳に追加

各バッテリの電極と接続部材とを位置ずれなく正確に接続させる。 - 特許庁

To prevent dislocation of an electrode and breakages in wire of a small-sized antenna, in manufacturing steps.例文帳に追加

小型アンテナの電極２のズレや製造工程での断線を防止する。 - 特許庁

METHOD FOR REVEALING EMERGING DISLOCATION IN CRYSTALLINE GERMANIUM BASED ELEMENT例文帳に追加

ゲルマニウム系結晶エレメントにおいて発生した転位を明らかにする方法 - 特許庁

To provide a method by which a low-dislocation III nitride film can be easily manufactured.例文帳に追加

低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

LARGE AREA, UNIFORMLY LOW DISLOCATION DENSITY GaN SUBSTRATE AND PROCESS FOR MAKING THE SAME例文帳に追加

大面積で均一な低転位密度ＧａＮ基板およびその製造プロセス - 特許庁

Thus, the backing plate 2 is held by a clutch plate holder 1 without dislocation.例文帳に追加

それにより、バッキングプレート（２）をクラッチ板ホルダー（１）にずれないように保持する。 - 特許庁

To prevent dislocation during pressure-bonding and establish appropriate processing.例文帳に追加

圧着工程中における位置ずれを防止し、適切な処理を可能とする。 - 特許庁

To produce a silicon carbide single crystal with low dislocation density by a solution process.例文帳に追加

溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。 - 特許庁

To reduce dislocation density in the nitride system compound semiconductor device.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体装置において、転位密度の低減を図る。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING DISLOCATION QUANTITY OF MEMBER JOINING POSITION AND METHOD OF MANUFACTURING SPARK PLUG例文帳に追加

部材の接合位置のずれ量の測定方法、スパークプラグの製造方法 - 特許庁

An image dislocation computation section 120 previously prepares data to correct a dislocation between image frames by using a marker and stores the data in a correction table 121.例文帳に追加

画像位置ズレ計算部１２０が、画像フレーム間の位置ずれを補正するデータをマーカを用いて事前に作成し、補正テーブル１２１に格納する。 - 特許庁

In this case too, the crystal grows in the lateral direction, so that the internal stress of the crystal thin film 18 is released and non-dislocation or almost non-dislocation is realized.例文帳に追加

この場合も、結晶は横方向成長であるため、結晶薄膜１８の内部応力は緩和されて無転位，もしくは、ほぼ無転位となる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal in the crystal orientation [110] having no dislocation, and to provide an evaluation method of judging presence or absence of dislocation.例文帳に追加

結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。 - 特許庁

Because the voids 23a, 23b prevent each dislocation D_1 from transmitting to the upper part, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part.例文帳に追加

空間部２３ａ，２３ｂにより上層部側への各転位Ｄ_1 の伝播が阻止されるので、上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

To provide a winding dislocation preventive material, stably operable, by preventing winding dislocation in original fabric when delivering a paper material even when moisture is absorbed.例文帳に追加

吸湿している場合でも紙材を繰り出す際に原反に巻きずれを防止して安定して操業可能な巻きずれ防止材を提供すること。 - 特許庁

The GaN crystal 105 grows in a step flow mode, and the dislocation 104 is bent in the GaN crystal 105, so that the dislocation density is further reduced.例文帳に追加

ＧａＮ結晶１０５はステップフロー成長し、転位１０４はＧａＮ結晶１０５中において曲げられるため、転位密度がさらに減少する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a p-type gallium nitride region 16 of gallium nitride which has a high dislocation density region 18 and a low dislocation density region 19.例文帳に追加

半導体装置１は、高転位密度領域１８と低転位密度領域１９を有する窒化物ガリウムのｐ型窒化ガリウム領域１６を備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor substrate 10 containing a nitride semiconductor 22 comprises a dislocation concentrated region 24 of the following (1), and a low dislocation region of (2).例文帳に追加

窒化物半導体２２を含む窒化物半導体基板１０には、以下の（１）の転位集中領域２４、および（２）の低転位領域が含まれている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer containing a gallium nitride film having, on the surface, high-dislocation areas whose number is smaller than that of the high-dislocation areas on the surface of a gallium nitride substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム基板の表面の高転位エリアの数よりも少ない高転位エリアを表面に有する窒化ガリウム膜を含むエピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride layer group with low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and also to provide a method for reducing dislocation of a group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

This production method forms a trench 108 in a non-dislocation concentrated region 110 in the vicinity of the dislocation concentrated region 106 along a nitride semiconductor substrate, for example the dislocation concentrated region 106 on the surface 103 of the GaN substrate 102.例文帳に追加

窒化物系半導体基板、例えば、ＧａＮ基板１０２の表面１０３の転位集中領域１０６に沿って、転位集中領域１０６の近傍の非転位集中領域１１０に溝１０８を形成する。 - 特許庁

The direction of dislocation of the laser beam head 2 or of the work 4 to be machined in this case is decided on the basis of a preceding direction of dislocation of the laser beam head 2 or of the work 4 to be machined and the variation in the diameter or the area which is given before and after the dislocation.例文帳に追加

このときのレーザヘッド２又は被加工物４の移動方向は、前回のレーザヘッド２又は被加工物４の移動方向と、この移動の前後に得られた光径又は光面積の変化とに基づいて決定する。 - 特許庁

To improve the yield of a dislocation-free single crystal when the single crystal is grown by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶育成での無転位収率を改善する。 - 特許庁

To register the lower end of a sheet bundle, and to prevent positional dislocation caused by backlash.例文帳に追加

シート束の下端を整合するとともに、バックラッシュによる位置ズレを防止する。 - 特許庁

Consequently, a risk of dislocation of the implanted prosthetic leg 10 later is reduced.例文帳に追加

その結果、埋め込まれた義足１０がその後脱臼するリスクが減少する。 - 特許庁

The laser light guide region 105 is formed on the low dislocation region 104.例文帳に追加

レーザ光導波領域１０５は低転位領域１０５上に設けられる。 - 特許庁

To provide a clamp that prevents a dislocation of a clamped pipe irrespective of the outside diameter dimension thereof.例文帳に追加

外径寸法に拘らず、挟持されたパイプがズレることがないクランプを得る。 - 特許庁

LOW-DISLOCATION BUFFER, ITS METHOD OF MANUFACTURE AND DEVICE PROVIDED THEREWITH例文帳に追加

低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子 - 特許庁

To obtain a high quality semiconductor crystal which is free from cracks and has a low dislocation density.例文帳に追加

クラックが無く転位の密度が低い高品質の半導体結晶を得る。 - 特許庁

The dislocation density of the GaN self-supporting substrate 2 is 1×10^8 cm^-2 or less.例文帳に追加

ＧａＮ自立基板２の転位密度は、１×１０^8ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation density of the nitride semiconductor layer is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

窒化物半導体層の転位密度は、１×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加

半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁

To inhibit the growth of dislocation at the peripheral part of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の周辺部の転位の成長を抑制することを課題とする。 - 特許庁

To reduce an actual lateral dislocation quantity of a sheet carried to a downstream side sheet processing device, by correcting lateral dislocation by an upstream side sheet processing device by predicting and taking into consideration a lateral dislocation quantity of the sheet carried to the downstream side sheet processing device.例文帳に追加

下流側のシート処理装置に搬送されるシートの横ずれ量を予測・考慮して上流側のシート処理装置で横ずれ補正を行うことで、下流側のシート処理装置に搬送されるシートの実際の横ずれ量を小さくする。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor substrate and the substrate in which dislocations are not released again from the parts where dislocations are accumulated, while parts other than the accumulated dislocation region are of low dislocation density, so that the area of the low dislocation density can be widen.例文帳に追加

転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。 - 特許庁

The dislocation layer 12 is formed under the condition that dislocation is generated in the surface region of the single crystal silicon substrate 11 where the gallium nitride layer 14 is formed and no dislocation is generated on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。 - 特許庁

So, the occurrence of slip-dislocation, as the silicon wafer W is supported, is prevented.例文帳に追加

よって、シリコンウェーハＷの支持を原因としたスリップ転位の発生を防止できる。 - 特許庁

Thus, the dislocation of the weather strips 11, 12, 13 in the longitudinal directions is restricted.例文帳に追加

これにより、ウエザストリップ１１，２１，３１の長手方向への位置ずれが規制される。 - 特許庁

The load curve is broken down into discrete time observation spaces at the dislocation point.例文帳に追加

また、負荷曲線は、転位点での離散的な時間観測間隔に分解される。 - 特許庁

To simply correct dislocation between joining steel materials or deformation of the joined end parts in the steel materials in a short time and to prevent development of the dislocation between the joined steel materials or the deformation during welding.例文帳に追加

接合する鋼材の目違いや鋼材の接合端の変形を短時間で簡単に矯正するとともに溶接中に目違いや変形が生じることを防止する。 - 特許庁

To detect crystal defects such as dislocation, stacking fault, and the like, easily and precisely.例文帳に追加

転位や積層欠陥などの結晶欠陥を容易かつ精度よく検出する。 - 特許庁

To provide a nitride-based III group compound semiconductor in which through dislocation density is suppressed.例文帳に追加

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁