dislocationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2158件
DISLOCATION SUPERCONDUCTIVITY TAPE UNIT AND SUPERCONDUCTIVE CABLE例文帳に追加
転位超電導テープユニット及び超電導ケーブル - 特許庁
The stacker control part 701 corrects lateral dislocation based on only the calculated lateral dislocation quantity Xs when the lateral dislocation quantity Xf is not received.例文帳に追加
スタッカ制御部701は、横ずれ量Xfを受信していない場合は、算出した横ずれ量Xsのみに基づいて横ずれ補正を行う。 - 特許庁
METHOD FOR CORRECTING DISLOCATION OF IMAGE, RECORDING MEDIUM RECORDING CORRECTING PROGRAM FOR DISLOCATION OF IMAGE, AND CORRECTING PROGRAM AND DEVICE FOR DISLOCATION OF IMAGE例文帳に追加
画像の位置ずれ補正方法、画像の位置ずれ補正プログラムを記録した記録媒体、画像の位置ずれ補正プログラム、及び画像の位置ずれ補正装置 - 特許庁
The ratio of the dislocation density of the high dislocation density 20h to the average dislocation density is sufficiently large for preventing propagation of cracks of the substrate.例文帳に追加
ここで、平均転位密度に対する高転位密度20hの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。 - 特許庁
To provide a core dislocation measuring unit that can easily and precisely measure core dislocation and also has reproducibility.例文帳に追加
芯ずれが簡単にかつ精度良く測定でき、しかも再現性のある芯ずれ測定装置を提供する。 - 特許庁
By the growth of the facet structure, dislocation from the ground is bent, and the low dislocation area is formed.例文帳に追加
ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。 - 特許庁
The etch pit is formed at a dislocation part, so the dislocation can be detected through the etch pit.例文帳に追加
このエッチピットは転位部分に形成されたものであるから、エッチピットを通して転位を検出できる。 - 特許庁
An interstitial dislocation loop is formed as uniformly distributed in the SiGe layer during the annealing.例文帳に追加
このアニール中、格子間型転位ループ(interstitial dislocation loop)がSiGe層内に均一に分布するものとして形成される。 - 特許庁
METHOD FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
半導体発光素子の転位密度低減方法 - 特許庁
To provide a substrate for growing semiconductor for making dislocation less and a light-emitting element having fewer dislocation.例文帳に追加
転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。 - 特許庁
The dislocation density of the dislocation texture is 1×10^4 cm^-2 or higher and 1×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加
転位組織の転位密度は、1×10^4 cm^-2以上1×10^12cm^-2以下であった。 - 特許庁
A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加
界面27aにおけるミスフィット転位密度は界面27bにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁
The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加
第2の領域15bは貫通転位密度D_1より大きい貫通転位密度D_12を有する。 - 特許庁
In S7, the machine origin of the work stage is compared with the gravity center position of the actual work, and a dislocation quantity from the machine origin (a dislocation quantity X in the horizontal direction, a dislocation quantity Y in the vertical direction and a dislocation quantity θ in the rotational direction) is arithmetically operated.例文帳に追加
そして、S7で、加工ステージの機械原点と実ワークの重心位置とを比較して、機械原点とのズレ量(横方向のズレ量X、縦方向のズレ量Y、回転方向のズレ量θ)を演算する。 - 特許庁
Longitudinal dislocation, lateral dislocation and an inclination still remaining even when the dislocation is corrected by the loop formation, are detected by correcting the dislocation by integrally moving a loop roller and a register roller, and these dislocations are corrected based on a detecting result.例文帳に追加
ループローラとレジストローラとを一体に移動させてズレ補正を行うことにより、ループ形成によるズレ補正を行ってもなお残る縦ズレ、横ズレ及び傾きを検知し、検知結果に基づいてこれらのズレを補正する。 - 特許庁
A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体領域15は、第2の転位密度より大きい転位密度を有する第1の領域15cと、第2の転位密度より小さい転位密度を有する第2の領域15dとを含む。 - 特許庁
The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加
本III族窒化物単結晶自立基板は、1つ以上の高転位密度領域20hと、高転位密度領域20hよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域20kと、を含み、平均転位密度が5×10^5cm^-2以下である。 - 特許庁
The laminate structure includes a first dislocation region that is located under the p-side electrode 123 and is configured to have a first dislocation density, and a second dislocation region configured to have a second dislocation density different from the first dislocation density.例文帳に追加
積層構造体は、p側電極123の下方の領域であって第1の転位密度となるように構成された領域である第1転位領域と、第1の転位密度とは異なる第2の転位密度となるように構成された領域である第2転位領域とを含む。 - 特許庁
The unevenness of the frame is for preventing dislocation of the cooking paper or the like.例文帳に追加
枠の凹凸はクッキングペーパー等のズレ防止である。 - 特許庁
A reference dislocation preventing element and an opposed movable dislocation preventing element are provided as the dislocation preventing element to accurately determine the machining reference of the workpiece.例文帳に追加
ずれ止め要素として、一個の基準ずれ止め要素とこれに対向する可動ずれ止め要素とを設けることにより、ワークの加工基準を正確に定めることができる。 - 特許庁
To define the direction of the dislocation line of a threading dislocation to suppress the deterioration of a device characteristics and the lowering of yield.例文帳に追加
デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。 - 特許庁
To provide a measuring method of dislocation pit density in a wafer for accurately measuring the dislocation pit density, regardless of surface planarity and the overlapping of dislocation pits.例文帳に追加
表面平坦度や転位ピットの重なりに左右されず転位ピット密度を高精度に測定できるウェーハにおける転位ピット密度の測定方法を提供する。 - 特許庁
The linear defect is different from dislocation.例文帳に追加
前記直線状欠陥は、転位とは異なる欠陥である。 - 特許庁
Thereby, a self-standing GaN substrate having surface dislocation density of 4×10^7 cm^-2, rear surface dislocation density of 8×10^5 cm^-2, and a dislocation density ratio of 50 can be obtained.例文帳に追加
以上のようにして、表面転位密度4×10^7cm^−2、裏面転位密度8×10^5cm^−2、転位密度比50の自立GaN基板が得られる。 - 特許庁
To prevent dislocation in overlapping of a photosensitive sheet and an image receiving sheet.例文帳に追加
感光シートと受像シートの重なりズレを防止する。 - 特許庁
WIRE ELECTRIC DISCHARGE MACHINING MACHINE AND METHOD FOR CALCULATING CORE DISLOCATION VALUE例文帳に追加
ワイヤ放電加工機及び芯ずれ値算出方法 - 特許庁
To provide a method for performing calibration by determining dislocation of the optical axis of a sensor with respect to a hand; and a method for performing calibration by determining dislocation of the hand with respect to an arm.例文帳に追加
ハンドに対するセンサの光軸のずれを求めてキャリブレーションを行う方法を提供する。 - 特許庁
SEED CRYSTAL USED FOR GROWTH OF NON-DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING NON- DISLOCATION SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
無転位シリコン単結晶成長に用いる種子結晶および無転位シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
The laser beam guide region is provided above the low dislocation region and is nearly parallel with the dislocation concentrated region.例文帳に追加
レーザ光導波領域は低転位領域上に設けられており、転位集中領域と略平行である。 - 特許庁
MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD AND MEASURING METHOD FOR INTER-LAYER DISLOCATION例文帳に追加
多層プリント配線板と、その層間ズレの測定方法 - 特許庁
The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.例文帳に追加
この格子間型転位ループが、SiGe層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁
In this case, no dislocation occurs in the growth crystal 16 because the crystalline nucleus 14 of non-dislocation is used.例文帳に追加
このとき、無転位の結晶核14を核としているため、成長結晶16中に転位は発生しない。 - 特許庁
To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased.例文帳に追加
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。 - 特許庁
The rack gear 24a in the negative dislocation rack 24 is generating processed by the loop shaped nodal part of the negative dislocation curve.例文帳に追加
負転位ラック24におけるラック歯24aは、負の転位曲線のループ状の結節部により創成加工されている。 - 特許庁
A positional dislocation forecasting means 20 forecasts the quantity of positional dislocation from the measured water content in comparison with the table memory 24.例文帳に追加
位置ズレ量予測手段20は、測定した含水率からテーブルメモリ24を参照して位置ズレ量を予測する。 - 特許庁
To provide a paper dislocation preventive mechanism which prevents dislocation of a plurality of overlapped paper in a simple method.例文帳に追加
簡易的な方法で複数枚の重なった用紙のズレを防止することができる用紙のズレ防止機構を提供する。 - 特許庁
Since an inclusion 103 prevents propagation of a dislocation 104, the dislocation density in the GaN crystal 102 is reduced.例文帳に追加
インクルージョン103によって転位104の伝搬が阻止されるため、GaN結晶102の転位密度が減少する。 - 特許庁
Consequently, dislocation between the multiple quantum dot layers is avoided.例文帳に追加
このため、多重量子ドット層間の転位が回避される。 - 特許庁
The dislocation density of the dislocation texture is within a range of 1×10^4 cm^-2 to 1×10^12 cm^-2.例文帳に追加
この転位組織の転位密度は、1×10^4 cm^-2以上1×10^12cm^-2以下の範囲内となっている。 - 特許庁
METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加
III族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF REDUCING DISLOCATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
半導体素子、及び半導体素子の転位低減方法 - 特許庁
The dislocation concentration of the substrate is propagated also to the laminated structure, and the dislocation concentrated area is generated at a site positioned at the upper side of the dislocation concentrated area of the substrate also in the laminated structure.例文帳に追加
基板の転位集中は積層構造にも伝搬して、積層構造にも、基板の転位集中領域の上方に位置する部位に、転位の集中した領域が生じる。 - 特許庁
A conductive gallium nitride substrate 13 comprises a first region 13c having first dislocation density, and a second region 13d having second dislocation density smaller than the first dislocation density.例文帳に追加
導電性窒化ガリウム基板13は、第1の転位密度を有する第1の領域13cと、第1の転位密度より小さい第2の転位密度を有する第2の領域13dとを含む。 - 特許庁
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