「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for growing a high quality single crystal from which wafers free from defects of dislocation clusters can be obtained.例文帳に追加

転位クラスタ欠陥がないウエーハを採取できる、高品質な単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To improve safety of slinging work by restricting the dislocation of holding part in order to prevent the drop of a slung load.例文帳に追加

抱持部の位置ずれを規制することで吊り荷の落下を防止し、玉掛け作業の安全性向上を図る。 - 特許庁

The contact member 5 has a locking part 51 for preventing dislocation of the atmospheric side insulator 4 to the base end side.例文帳に追加

接点部材５は、大気側絶縁碍子４の基端側への抜けを防止する係止部５１を有する。 - 特許庁

To provide an inspection apparatus which can attain a high inspection accuracy in spite of a dislocation of a testpiece during a stage operation.例文帳に追加

ステージ動作中の試料の位置ずれに対処して、高い検査精度を得る検査装置を提供する - 特許庁

A time development equation with respect to a grain shape is solved by incorporating the distortion energy by dislocation into a phase field model.例文帳に追加

転位による歪エネルギーをフェーズフィールドモデルに取り込みグレイン形状にたいする時間発展方程式を解く。 - 特許庁

The process of squeezing for removing a dislocation and the successive diameter increasing process are carried out without applying magnetic field.例文帳に追加

転位を除去するための絞り工程からこれに続く増径工程にかけて、無磁場で引き上げを行う。 - 特許庁

To provide a vehicle door that can prevent the deterioration in appearance caused by the dislocation of the stuck position of a decorative tape.例文帳に追加

装飾用テープの貼り位置のずれによる見栄えの悪化を防ぐことの可能な車両用ドアを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate that is of low dislocation density and is inexpensively manufactured.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR SELF-ADJUSTING DISLOCATION OF IMAGE, AND RECORDING MEDIUM IN WHICH THE METHOD IS PROGRAMED AND RECORDED例文帳に追加

画像位置ずれ自己調整方法ならびにその装置及び同方法がプログラムされ記録される記録媒体 - 特許庁

To inspect the winding dislocation of a battery and the bent status of a positive electrode lead highly accurately and efficiently.例文帳に追加

電池の巻きずれ及び正極リードの屈曲状態を高精度に、かつ、効率よく検査できるようにする。 - 特許庁

To provide a GaN system semiconductor having a low dislocation area with few crystal defects by epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。 - 特許庁

The doped glass layer 30 formed by ion implantation can reduce dislocation density of the silicon layer 32.例文帳に追加

イオン注入により形成されたドープ・ガラス層３０は、シリコン層３２の転位密度を減少させることができる。 - 特許庁

Dislocation density of the AlGaN layer 14 formed in the surface of the sapphire substrate 10 is thereby reduced.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面上に形成された溝によりＡｌＧａＮ層１４の転位密度が低減する。 - 特許庁

To provide a method for easily and efficiently growing a group III nitride crystal having a low dislocation density.例文帳に追加

簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME例文帳に追加

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁

To provide a substrate and an element having a nitride-family semiconductor layer of low dislocation density and high reliability.例文帳に追加

転位密度の低く信頼性の高い窒化物系半導体層を有する基板及び素子を提供すること。 - 特許庁

To produce a high quality semiconductor device by suppressing slip dislocation defects occurring in a substrate during heat treatment.例文帳に追加

熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥を抑制し、もって高品質な半導体装置を製造する。 - 特許庁

The second group III nitride 59 comprises areas having a lower dislocation density than that of the first group III nitride.例文帳に追加

第２のIII族窒化物５９は、第１のIII族窒化物の転位密度よりも小さい転位密度の領域を含む。 - 特許庁

To stably manufacture a calcium fluoride crystal which is low in dislocation density and excellent in homogeneity of a high reflective index.例文帳に追加

転位密度の低い、高次の屈折率均一性に優れた弗化カルシウム結晶を安定的に製造する。 - 特許庁

To provide a polyester coating film having enhanced printability by preventing dislocation an ink while maintaining ink receptivity.例文帳に追加

インキ密着性を維持しながら、インキ抜けを防止して印刷性を高めたポリエステル系被覆フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a vertebra fixing apparatus causing no dislocation of a fixing rod in the surgical operation of a vertebra.例文帳に追加

脊椎の外科手術に際して、固定ロッドの位置ずれが生じることのない脊椎固定装置を提供する。 - 特許庁

Such a constitution can prevent the occurrence of winding dislocation of the film roll 2 by vibration and a shock at transport time.例文帳に追加

このようにすることによって輸送時の振動やショックによるフィルムロール２の巻きずれの発生が防止される。 - 特許庁

To efficiently eliminate positional dislocation caused by external force in reciprocating motion by a simple and inexpensive means.例文帳に追加

往復運動における外力等により生じる位置ずれを簡易、かつ、低コストの手段で効率よく解消する。 - 特許庁

The presence of the dislocation is deduced from the parallel moire patterns formed by overlapping Pd and Au layers. 例文帳に追加

転位の存在が、PdとAu層を重ねることによって形成された平行モワレ図形から(結論として)導かれる。 - 科学技術論文動詞集

A method for measuring a dislocation density of a fluoride crystal comprises a step to generate a defect aggregate 03 in a dislocation line 02 in the fluoride crystal 01, a step to measure the dislocation density by optically detecting the defect aggregate 03 and a step to erase the defect aggregate 03.例文帳に追加

フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。 - 特許庁

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4.例文帳に追加

このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon single crystal which can suppress the occurrence of a slip dislocation irrespective of the crystal orientation, can achieve a dislocation-free crystal simply, can improve the quality of the crystal, and is most suited in particular for pulling a <110> single crystal by using a seed crystal having a crystal orientation of <110> that is difficult to eliminate the slip dislocation.例文帳に追加

結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon carbide epitaxial layer 102 has an accumulation type channel layer 115 containing n type impurity between a well region 105 and the gate insulating film 111, and a dislocation change layer 116 for changing Basal Plane dislocation containing p type impurity to blade-shaped dislocation between the wall region 105 and the accumulation type channel layer 115.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層１０２は、ウェル領域１０５とゲート絶縁膜１１１との間にｎ型不純物を含む蓄積型チャネル層１１５を有し、ウェル領域１０５と蓄積型チャネル層１１５との間にｐ型の不純物を含むＢａｓａｌＰｌａｎｅ転位を刃状転位に変化させるための転位変化層１１６を有している。 - 特許庁

The substrate 10 includes a dislocation concentrated area 12 which is arranged extending in a direction oblique to the main surface 11 of the substrate 10, and the ridge 50 is formed to be positioned in an area which is located above the dislocation concentrated area 12 and in the area other than a part where the dislocation concentrated area 12 is exposed over in the main surface 11 of the substrate 10.例文帳に追加

また、基板１０は、基板１０の主表面１１に対して斜め方向に延びるように配置された転位集中領域１２を含み、リッジ部５０は、転位集中領域１２の上方に位置し、かつ、基板１０の主表面１１のうち、転位集中領域１２が表れた部分を除く領域上に位置するように形成されている。 - 特許庁

To prevent damage of a workpiece by performing positional dislocation absorbing operation without directly applying a load to the workpiece, in an error absorbing device for absorbing positional dislocation generated between the workpiece and a base part for inserting the workpiece.例文帳に追加

ワークと該ワークが挿入されるベース部との間に生ずる位置ズレを吸収する誤差吸収装置において、ワークに直接負荷がかかることのない位置ズレ吸収動作を可能とすることでワークの破損を防止する。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer having a sufficient dislocation growth suppressive effect by fabrication of a strain layer capable of suppressing the growth of the dislocation of the silicon wafer not relying on the sticking effect alone even through an implantation of only one time of an element.例文帳に追加

固着効果のみに依らずにシリコンウェーハの転位の成長を抑制しうる歪み層の作製を、元素を１回のみの注入によっても、十分に転位成長抑制効果のあるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a junction leak current is suppressed to a minimum by relaxing through dislocation 6 even when the dislocation occurs from the interface of an SiGe layer 2 and a silicon wafer 1.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２とシリコン基板１との界面から貫通転位６が発生したとしても、それを緩和させて、接合リーク電流を最小限に止めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prove a manufacturing process of a quartz glass crucible which exhibits a minimal emission of impurities from the inner wall of the crucible on pulling a dislocation-free silicon single crystal and enables the pulling of the dislocation-free silicon single crystal in a high yield.例文帳に追加

無転移シリコン単結晶の引上げの際に、るつぼ内壁からの不純物の放出を最小限にして、高歩留りで無転移シリコン単結晶の引上げを可能とする石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, if an electronic device is formed to a SiC single crystal substrate 1 whose direction of the dislocation line of threading dislocation is [0001]c axis, good device characteristic, no deterioration and an enhanced yield can be attained.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 - 特許庁

To solve the problem on conventionally correcting the dislocation of a sensor in accordance with its average, set, or maximum scanning speed, wherein the dislocation cannot be accurately corrected because the scanning speed is lowered near both ends of a sheet.例文帳に追加

センサをスキャンする平均速度、設定速度または最大速度に基づいて位置ずれを補正していたが、シートの両端近辺ではスキャン速度が低下するので、正確に位置ずれを補正することができなかったという課題を解決する。 - 特許庁

Since there is no group III nitride-based intermediate layer on the bottom face and on the side wall of the concave portion, crystal dislocation is not newly induced, resulting in the reduction in crystal dislocation due to the lateral growth than every before.例文帳に追加

凹部の底面および側壁には三族窒化物系中間層が存在しないため、新たに結晶転位を誘発することがなく、従来よりも横方向成長による結晶転位の低減に高い効果が得られる。 - 特許庁

To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method.例文帳に追加

半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。 - 特許庁

To accurately detect the quantity of dislocation from a proper focal position of a radiation source relative to a radiation detector, and to accurately adjust the position of the radiation source to the focal position based on the detected quantity of dislocation.例文帳に追加

放射線検出器に対する放射線源の正しい焦点位置からの位置ずれ量を正確に検出し、検出した位置ずれ量に基づいて前記放射線源の位置を前記焦点位置に正確に調整する。 - 特許庁

To provide a method for growing crystal which can control development of dislocation and cracks, and warpage of a substrate.例文帳に追加

転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To prevent dislocation in mounting of a semiconductor element which is mounted on a board for mounting a semiconductor element through thermocompression bonding.例文帳に追加

熱圧着により半導体実装用基板に実装される半導体素子の実装時における位置ズレを防止する。 - 特許庁

To obtain a connector for a printed board which can absorb dislocation between a socket and a plug and is free from deformation and damage.例文帳に追加

ソケットとプラグとの位置ずれの吸収が可能で変形や破損が生じることのないプリント基板用コネクタをえる。 - 特許庁