「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a retaining wall and a retaining wall forming method for preventing a retaining wall unit member part from protruding and slipping out by dislocation by being pulled by sinking, and causing no breakdown of a retaining wall unit member even if a banking part of a retaining wall unit member back face sinks by long-term use when constructing the retaining wall.例文帳に追加

本発明は擁壁の構築に際し、長年の使用によって、たとえ擁壁ユニット部材背面の盛り土部が沈下したとしても、擁壁ユニット部材部がそれに引っ張られてずれてはみ出したり、外れたりすることのなく、擁壁ユニット部材が破壊することのない擁壁及び擁壁の形成方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a coil lifter 1 capable of restraining generation of lug folding D in a width end part of a metallic belt jumping out to the side of a coil 20 by winding dislocation T, even when its claw 4 is inserted into an inner hole 21 of the coil 20 obliquely slantingly when viewing the coil lifter 1 from the side or obliquely in a plane when viewed from above.例文帳に追加

コイルリフタ１が、側方から見た場合に、斜めに傾いて、あるいは、上方から見た場合に、平面的に斜めに、その爪４がコイル２０の内孔２１に挿入された場合でも、巻きずれＴによってコイル２０の側方に飛び出ている金属帯の幅端部分に、耳折れＤが発生するのを抑制できる、コイルリフタ１を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which does not give a heavy load to an apparatus even when a material charge into a crucible is excessive, can suppress the occurrence of dislocation, and can improve the yield and productivity, in the method for manufacturing a single crystal by using a single crystal pulling apparatus for pulling the single crystal from a crucible by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lens rim processing device, capable of grinding processing precisely in accordance with lens shapes and of chamfering at the same time by adjusting the staying time of grinding stones on a processed lens while considering the volume of the circumferential dislocation of the contact point of the processed lens and the grinding stone, based on the spectacle lens form.例文帳に追加

メガネレンズ形状に基づく被加工レンズと研削砥石との接触位置の周方向へのズレ量を考慮しながら、被加工レンズに対する研削砥石の滞留時間を調整することにより、正確にメガネレンズ形状に研削加工を行い且つ面取加工を行うことができるレンズ周縁加工装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a charged particle beam defect inspecting device and method for correcting a dislocation of a focal position due to a charged-up state of a sample to be observed without troubling an operator, and resultingly ensure a focused clear observation and a precise defect inspection even under a charged-up state of the sample.例文帳に追加

観察対象の試料に生ずるチャージアップに起因する焦点位置のずれを操作者の手を煩わすことなく補正することができ、その結果として試料がチャージアップしている場合であっても焦点のあった鮮明な観察及び高精度の欠陥検査を行うことができる荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A ball 3 is made of silicon nitride and a shot blasting process for introducing dislocation into a ceramic crystal formed on the surface of the ball 3 is carried out by blasting a shot comprising particles having specific gravity of ≥3.0, Vickers hardness of ≥400 and an average particle diameter of ≥200 μm and ≤1,000 μm and after that, a polish finishing work is carried out.例文帳に追加

玉３を窒化珪素製とし、その表面に、比重が３．０以上で、ビッカース硬さが４００以上で、平均粒径が２００μｍ以上１０００μｍ以下の粒子からなるショットを投射することにより、前記表面をなすセラミックス結晶に転位を導入するショットブラスト工程を行った後に、仕上げ研磨加工を行う。 - 特許庁

To provide a honeycomb-type rotor or filter and its production method which firmly bonds a flat sheet to a corrugated sheet composing a honeycomb of a functional powder by using a least adhesive agent, that is, which causes no dislocation of a bonded area, spreads no excessive bonding agent on to the functional material on the flat sheet, and causes no curtailment in the effective area of the functional powder.例文帳に追加

機能性粉体のハニカムを構成する平板シートと波板シートとの接着が、最少の接着剤で強固にできる、即ち接着部分がズレず、余分な接着剤が平板シート上の機能材に広がらなくし、機能性粉体の有効面積を削減することが無いハニカム状ローター或いはフイルタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet has a specified composition, and dislocation density determined as the quotient of the half-value breadth of X-ray diffracted intensity peak from the {200} face of the copper alloy sheet surface divided by the height of the peak is a given level or greater to thereby attain an enhancement of stress relaxation resistance property and press punchability demanded for terminal/connector.例文帳に追加

特定組成のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板であって、この銅合金板表面の｛２００｝面からのＸ線回折強度ピークの半価幅をそのピーク高さで割った値で測定される転位密度を、一定量以上有するようにして、端子・コネクタとして要求される耐応力緩和特性とプレス打ち抜き性とを向上させる。 - 特許庁

To provide a method for industrially and inexpensively producing a high-quality silicon single crystal, capable of prolonging the life of a quartz crucible by suppressing deterioration of the inside surface of the quartz crucible, reducing crucible number per pulling up a single crystal rod by preventing dislocation generated together with deterioration of the crucible and improving yield and productivity by reducing time required for exchange of the crucible.例文帳に追加

石英ルツボ内表面の劣化を抑制してルツボの寿命を延ばし、ルツボの劣化に伴って発生する有転位化を防止して、引上げ単結晶棒１本当りのルツボ個数を減少させ、かつルツボ交換に要する時間を削減して、歩留りと生産性の向上を図り、工業的に安価で高品質なシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an in-mold label and a packaging container using it without giving rise to dislocation, wrinkle, backward creeping of resin, or lowering of yield, and also to provide a packaging container for a storage battery excellent in vapor barrier properties, with an in-mold label free from hydrolysis by influence of moisture or the like in the air, and also excellent in electrolyte resistant property.例文帳に追加

位置ずれや皺、あるいは、樹脂の裏回りがなく、歩留まり低下を来たすことがないインモールドラベルおよびそれを用いた蓄電池用包装容器を提供することであり、さらには、水蒸気バリアー性に優れ、空気中の水分等の影響によりインモールドラベルが加水分解することがなく、耐電解液性においても優れる蓄電池用包装容器を提供することである。 - 特許庁

Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

To provide stable attachment of a pipe member to a fin member by stabilizing mutual contact of swelling parts of fins of the fin member and preventing running upon a contact portion of each fin and dislocation in a radial direction of the pipe member, and to improve heat exchange performance by increasing a contact area of the fin members with the pipe member and mutual contact areas of bending parts of the fins.例文帳に追加

フィン部材の各フィンの膨出部相互の接触を安定させ、各フィンの接触部分に乗り上げや管部材の径方向へのズレが発生するのを防止することにより、フィン部材に管部材を安定して組み付けることを可能とし、フィン部材と管部材の接触面積、各フィンの折曲部相互の接触面積を増やして熱交換性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a glass product molding apparatus in which when molds are arranged close to each other so as to mold a plurality of glass molded articles at the same time, strength of glass products can be enhanced by suppressing dislocation of baffle marks on the glass products, and which is easily constructed, curbs costs and does not cause strength reduction of the molds, and a method for cooling molds.例文帳に追加

同時に複数のガラス成形品を成形するために成形型を互いに近接して配置する場合に、ガラス製品にバッフルマークのずれを生じ難くすることでガラス製品の強度を向上させることができ、しかも、成形装置を構築しやすく、かつコストが抑えられ、また、成形型の強度低下を招かないガラス製品成形装置、及び成形型の冷却方法を提供する。 - 特許庁

To perform stable feeding operation without reducing sheet feeding performance by influence by positional dislocation of a registering member, by surely aligning a sheet bundle without causing a cost increase, in a sheet feeder having the registering function of aligning an end part of the sheet bundle while vibrating by the registering member capable of projecting the sheet bundle placed in a state of being erected on a placing tray from the placing tray.例文帳に追加

載置台に立てた状態で載置されたシート束を載置台から突出可能な整合部材により振動させながらシート束の端部を揃える整合機能を備えるシート給送装置において、コストアップを招くことなく確実にシート束を揃えることができ、整合部材の位置ずれによる影響で、シート給送性能を落とすことがなく、安定した給送動作を行うこと。 - 特許庁

To provide a form support tool capable of firmly supporting a form, a reinforcement and an anchor bolt, capable of uniformly securing a cover thickness, capable adjusting a level of slab concrete in few processes by arranging a level stick, capable of preventing dislocation by pressure when the concrete flows, capable of remarkably improving workability and capable of sharply shortening a construction period.例文帳に追加

本発明は型枠と鉄筋とアンカーボルトをしっかりと支持し、かぶり厚を均一に確保することができ、レベルステックを配設することによって、スラブ用コンクリートのレベルを少ない工程で調整することができ、コンクリートが流れる際の圧力によるずれを防止でき、作業性を著しく向上させ工期を大幅に短縮できる型枠支持具の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a glass tube heater cap designed for preventing damage to a glass tube resulting from the vibration or dislocation of a connection terminal and the contact with the glass tube by providing a connection terminal holding part on the glass tube heater cap for holding the connection terminal without increasing the size of its collar portion, and to provide a glass tube heater and a refrigerator.例文帳に追加

ガラス管ヒータ用キャップに接続端子保持部を設けることにより、接続端子の鍔部を大径化することなく保持することを可能にし、それによって、接続端子の振動、位置ずれ、ガラス管との接触に起因したガラス管の損傷等を未然に防止することができるように工夫したガラス管ヒータ用キャップとガラス管ヒータと冷蔵庫を提供すること。 - 特許庁

To provide an object movement mechanism and object movement method which utilize generated liquid-crystal flow caused by an approach of inclined dislocation as a defect structure of a liquid crystal and utilize flow caused by movement of liquid-crystal defects facilitating minute movement of an object, and a liquid-crystal flow formation mechanism and liquid-crystal flow formation method utilizing liquid-crystal defects.例文帳に追加

液晶の欠陥構造である転傾の接近等に起因して生じる液晶流動を利用し、物体の微少移動を容易に行うことができる液晶欠陥の移動に起因する流動を利用した物体移動機構および物体移動方法、並びに液晶欠陥を利用した液晶流動形成機構および液晶流動形成方法を提供する。 - 特許庁

This high quality SiC wafer having a bottom face dislocation density of less than 500 cm^-2 on a wafer and at least 1 square inch continuous surface region is obtained by forming a SiC boule having a diameter of a little larger than 3 inches by a seed sublimation growth method, then slicing the boule at an angle between about 2° and 12° to 0001 plane, and further polishing it.例文帳に追加

シード昇華成長法により、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成した後、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で該ブールをスライスし、さらに研磨することにより、ウェハ上に５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域とを有する高品質のＳｉＣウェハが得られる。 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Axial prestress is introduced to hardened concrete in a steel pipe in the synthetic steel pipe member 25 constituted by filling concrete 8 in the steel pipe 1, and the board-like member 20 such as a slab or a wall body and the synthetic steel pipe member 25 are integrated via a locking means such as a dislocation stopper arranged outside the synthetic steel pipe member 25.例文帳に追加

鋼管１内にコンクリート８を充填して構成される合成鋼管部材２５における前記鋼管内の硬化したコンクリートに、予め軸方向のプレストレスが付与され、前記合成鋼管部材２５の外側に設けられたずれ止め等の係止手段を介してスラブまたは壁体等の版状部材２０と合成鋼管部材２５とが一体化されている。 - 特許庁

To provide a long tape winding reel having reduced weight and sufficient rigidity even if made larger, without causing deformation of a reel side plate at its end to the outside in the cross direction, giving winding dislocation to an electronic part mounting film carrier tape as well as a spacer film tape when wound up or off, and breaking or damaging the electronic part mounting film carrier tape.例文帳に追加

軽量であるとともに、リールが大径化しても、リールの剛性が十分で、リールの側板の端部が、幅方向外側に変形することがなく、電子部品実装用フィルムキャリアテープ、ならびにスペーサーフィルムテープを巻き取り、巻き出す際に、巻きずれが発生せず、電子部品実装用フィルムキャリアテープを破損損傷することがない長尺テープ巻装用リールを提供する。 - 特許庁

In a compound semiconductor 1 composed of a buffer layer 3 and a compound semiconductor layer 4 formed on a substrate 2, the surface of at least either of the buffer layer 3 and the compound semiconductor layer 4 is formed into a wavelike surface having an unevenness in a specific direction; thus strain energy in the crystal can be reduced and dislocation density by the crystal defects can be reduced.例文帳に追加

基体２上に、バッファ層３と化合物半導体層４とが形成された化合物半導体１において、バッファ層３及び化合物半導体層４の少なくとも一方の表面を特定の方向に凹凸を有する波状面とすることにより、結晶内部の歪エネルギーを低減することができ、結晶欠陥による転位密度を低減することが可能とされる。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a solid raw material-recharging method which includes filling a quartz crucible storing a crystal melt with a solid raw material in a production apparatus of a silicon single crystal, controls the dislocation-developing probability of a crown by controlling the time required for solidifying the melt, and which enables to suppress the concentration of carbon impurities in the single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶製造装置において、結晶融液を貯留する石英ルツボに固形状原料を充填する固形状原料のリチャージ方法であって、融液固化に要する時間を制御することにより、クラウンの有転位化率を抑制し、かつ、単結晶中のカーボン不純物濃度を抑制することを可能にする固形状原料のリチャージ方法を提供する。 - 特許庁

The light is made incident on the optical fiber sensor 1 from the optical pulse tester and then the presence of deviated Brillouin scattered light is detected from the frequency of the incident light, so that the optical fiber sensor 1 detects occurrence of extensional distortion from the dislocation of sediment and also detects which section between the fiber winding parts 31 of the optical fiber sensor 31 is experiencing the extensional distortion.例文帳に追加

光パルス試験器から光ファイバセンサ１へ光を入射させ、入射光の周波数からずれたブリルアン散乱光の有無を検出することにより、光ファイバセンサ１が土砂の変位によって伸び歪みが生じたことを検出するとともに伸び歪みが光ファイバセンサ１のどのファイバ巻き付け部３１間の区間にて生じているかを検出する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element whereby deterioration of landing characteristics of emitted electrons classified by each coloring matter due to dislocation of the alignment of a first substrate and a second substrate which is caused in an assembling process, or contraction/expansion errors of the first substrate and the second substrate which is produced during a heating process can be alleviated, and uniformity of luminance and color reproducibility can be enhanced.例文帳に追加

本発明の目的は組立工程で発生する第１基板と第２基板の整列位置外れ、又は熱工程の途中で発生する第１基板と第２基板の収縮/膨脹誤差などによる各画素別放出電子のランディング特性低下を軽減でき、輝度と色再現力の均一度を向上させられる電子放出素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a sealing device for a rolling bearing apparatus excellent in durability and operability, which sealing device keeps a main lip hardly deteriorated, shows few displacement in the shrink range between a sublip and the cylindrical portion of a press-fitted slinger due to expansion, and prevents the generation of a dragging torque as well as the dislocation of the lip from the cylindrical portion of the slinger in transporting the rolling bearing apparatus.例文帳に追加

メインリップが劣化し難く、圧入されたスリンガー円筒部の膨張によるサブリップとスリンガー円筒部との締め代のずれが少なく、引きずりトルクの発生を未然に防止することができ、移送時にリップがスリンガー円筒部から外れるばらけを未然に防止することができる、耐久性及び取扱性に優れる転がり軸受装置の密封装置を提供する。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

A horizontal directional position of the curved glass pane 11 is positioned, and after preventing horizontal dislocation of the glass pane 11 by sucking at least one place of a central part vicinal position of the positioned glass pane 11 by an inside sucking pad 23, the glass pane 11 is held by sucking a plurality of places in the vicinity of a peripheral edge part of the glass pane 11 by an outside sucking pad 24.例文帳に追加

湾曲したガラス板１１の水平方向位置を位置決めし、位置決めしたガラス板１１の中心部近傍位置の少なくとも１個所を内側吸着パッド２３により吸着してガラス板１１の横ずれを防止した後、ガラス板１１の周縁部近傍の複数個所を外側吸着パッド２４により吸着してガラス板１１を保持する。 - 特許庁

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

An evaluation value of a dislocation amount of a tissue photographed in two radiation images I_H and I_L evaluatedby an evaluation means 42 for each part of the two radiation images I_H and I_L is calculated to set a search condition setting means 43 a search condition for searching corresponding positions in the two radiation images with regard to each part in accordance with the evaluation value of the each part.例文帳に追加

２枚の放射線画像Ｉ_Ｈ、Ｉ_Ｌに撮影された組織の位置ズレ量を、評価手段４２で２枚の放射線画像Ｉ_Ｈ、Ｉ_Ｌ上の各部分ごとに評価した評価値を算出し、探索条件設定手段４３で各部分の評価値に応じて、前記２枚の放射線画像間の対応位置の探索条件を各部分ごとに設定する。 - 特許庁

When a skew quantity of a document increases, even if the document D is forced up along a vertical wall part of a width guide part 11 in addition to dislocation by the skew in a document setting part, the document D is regulated on the upward movement by an upper guide part 12, and a further enlargement of the skew can be prevented so that the skew can be restrained in a minimum range.例文帳に追加

原稿のスキュー量が大きくなったとき、原稿Ｄが、原稿セット部においてスキューによるずれに加えて、幅ガイド部１１の立壁部分に沿って追り上がることがあっても、原稿Ｄは、上ガイド部１２によって上方への移動が規制されて、スキューがさらに大きくなることを防止することができ、スキューを最小限の範囲に抑制することができる。 - 特許庁

An upper connecting pipe section 11b faced to the drain piping 200 in a cabinet by utilizing the rotary function of the connecting joint A around the junction with the underfloor piping 100 and the mutual rotary function of a trap connecting piping 11 and a trap constituting pipe 21, and both pipings 100 and 200 are connected together regardless of the dislocation S between the underfloor piping 100 and the drain piping 200.例文帳に追加

床下配管１００との接続部を中心にした接続継手Ａの回動機能及びトラップ接続用管１１、トラップ構成用管２１相互の回動機能を利用して、上方の接続管部１１ｂを、キャビネット内の排水配管２００に対応させて、床下配管１００と排水配管２００との位置ズレＳに関らず両配管１００、２００を接続する。 - 特許庁

Cylindrical rollers 4 of solid structure are retained by a retainer 5, which is composed of two ring-shaped members 5L and 5R equipped with pockets to accommodate the ends of the rollers 4 and a plurality of straight pins 5S to couple them together rigidly, wherein the pins 5S are positioned between the pockets in dislocation from the pitch circle of the rollers 4.例文帳に追加

円筒ころ４を中実ころとし、その各円筒ころ４を保持する保持器５は、円筒ころ４の端部を収容するポケット５１が形成された２つのリング状体５Ｌ，５Ｒと、これらを連結・一体化する複数のストレートピン５Ｓ（５Ｗ）によって構成するとともに、各ストレートピン５Ｓ（５Ｗ）は、各ポケット５１間で、かつ、円筒ころ４のピッチ円ＰＣからずれた位置に配置する。 - 特許庁

To provide a fluid temperature regulating device capable of preventing the dislocation of a temperature regulating unit with respect to an external casing caused by vibration or an impact in the fluid temperature regulating device constituted by holding and installing the temperature regulating unit for heating and cooling a temperature regulated fluid in the external casing by interposing a holding body with heat insulating and cushioning properties.例文帳に追加

本発明は、被温調流体を加熱／冷却する温調ユニットを、断熱性および緩衝性を備えた保持体を介在させて、外部筐体の内部に収容設置して成る流体温調装置を対象とし、その目的は、振動や衝撃に起因する温調ユニットの外部筐体に対する位置ずれを防止し得る流体温調装置を提供することにある。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

This pipe coupling structure allows omitting any process to fasten the branch pipe 9 with a band, etc., for preventing its slipping off, and when tremors have occurred due to an earthquake, etc., the riser part 34 contacts with the peripheral wall of the branch pipe to restrict dislocation of the connection pipe 3 from the branch pipe 9 so that the branch pipe 9 is prevented from slipping off.例文帳に追加

本発明の管継手構造によれば枝管９の抜けを防止するため固定バンド等で締め付け固定する手間が省け、地震等による揺動があった場合には、可撓性接続管３の先端周縁に延長された立上がり部３４が枝管周壁と接触して可撓性接続管３と枝管９のズレを規制して枝管９の抜けを防止する。 - 特許庁

To provide a power transmitting device 20 for vehicle equipped with a first case part 41 to support an input shaft 22 and a second case part 42 formed separately from the first 41 and supporting an output shaft 29, capable of enhancing the coupling rigidity of the coupling surface between the first case part 41 and the second case part 42 and suppressing dislocation of the coupling surface for prevention of its ill influence.例文帳に追加

入力軸２２を支持する第１ケース部４１と、この第１ケース部４１とは別体に形成されて出力軸２９を支持する第２ケース部４２とを備えた車両用動力伝達装置２０において、第１ケース部４１と第２ケース部４２との間の結合面の結合剛性を向上させ、結合面のずれを抑えてその悪影響を防止する。 - 特許庁

To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が４００ｋｇ程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。 - 特許庁

To provide a laminated electrophotographic photoreceptor capable of effectively suppressing occurrence of an exposure memory even when continuously performing image formation by effectively and stably exhibiting charge generation ability and dispersing performance while effectively suppressing dislocation of Y-titanylphthalocyanine crystal as a charge generator, and to provide a manufacturing method for stably and easily manufacturing the laminated electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

電荷発生剤としてのＹ型チタニルフタロシアニン結晶の結晶転移を効果的に抑制しつつ、その電荷発生能及び分散性をより効果的かつ安定的に発揮させることによって、連続して画像形成を行った場合であっても、露光メモリの発生を効果的に抑制することができる積層型電子写真感光体及びその安定的かつ容易な製造方法を提供する。 - 特許庁

The (poly)organosiloxane having an epoxy functional group is alkoxlated without observing an undesired side reaction such as hydrolysis, condensation and dislocation characteristic to a substance group thereof, in the presence of the double metal cyanide catalyst, and further a polymer having a silicone poyether chain is obtained by block-accumulating an epoxy compound such as an alkylene oxide and a glycidyl compound in a terminal position.例文帳に追加

エポキシ官能基を有する（ポリ）オルガノシロキサンを、複合金属シアン化物触媒の存在下で、この物質群の特徴的な加水分解、縮合または転位反応などの望ましくない副反応が観察されることなしにアルコキシル化することができ、さらに、酸化アルキレンなどのエポキシ化合物およびグリシジル化合物を、末端位にブロックで累積させ、シリコーンポリエーテル鎖を有するポリマーが得られる。 - 特許庁

Plural second pin fastening holes 22 are bored separately from the working positioning holes 40 and 41 in a state of a resin board bundle 11 by pressing a first pin 31 in the first pin fastening hole 21, and dislocation of the respective resin boards is prevented by pressing a second pin in a plurality of second pin fastening holes 22, and the wiring through hole is bored in the state.例文帳に追加

第１のピン止め用孔２１に第１のピン３１が圧入された樹脂製基板束１１の状態で、加工用位置決め孔４０、４１とは別に、複数の第２のピン止め用孔２２を穿孔しておき、配線用スルーホールを穿孔するにあたっての樹脂製基板束で、複数の第２のピン止め用孔２２に第２のピンを圧入して各樹脂製基板のずれを防止し、その状態で配線用スルーホールを穿孔する。 - 特許庁

With respect to the low-dislocation buffer which is formed between a substrate and a nitride semiconductor as a device material which is formed for constituting a device structure on the substrate, a specified number of first layers of nitride semiconductor containing foreign materials at a density exceeding the doping level and second layers of nitride semiconductor containing no foreign material are alternately laminated on the substrate to form a superlattice structure.例文帳に追加

基板と上記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第１の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第２の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成する。 - 特許庁

To demonstrate an excellent work performance with facilitating storage and inspection of cables, sufficiently assuring shape stability of a cable storing space with firm torsional rigidity in rectilinear movement and bending movement to achieve smooth rectilinear movement and bending movement, and demonstrate durability over a long period by restraining eccentric abrasion and local abrasion due to lateral dislocation.例文帳に追加

ケーブル類の収納や点検が容易でその優れた作業性を発揮でき、直線移動時と屈曲移動時のいずれにおいても強固なねじれ剛性でケーブル収納空間の形態安定性を十分に確保して円滑な直線移動と屈曲移動を達成できるとともに横ズレによる偏摩耗や局所摩耗を抑制して長期に亙って耐久性を発揮できるケーブル類保護案内装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加

主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁