「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated multilayer film having a reflective polarization function in which the hue dislocation of transmitted polarized light by an incident angle in the oblique direction to light incident in the oblique direction simultaneously while polarization performance is raised further is not seen.例文帳に追加

従来よりもさらに偏光性能を高めつつ、同時に斜め方向に入射した光に対して斜め方向の入射角による透過偏光の色相ずれが見られない、反射偏光機能を有する多層積層フィルムを提供する。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

To provide a flow passage connecting device and a flow passage connecting method, capable of connecting a first part and a second part, by compensating for positional dislocation due to a part tolerance, even when positioning is separately performed on the first part and the second part.例文帳に追加

第１部品や第２部品について別々に位置決めがなされている場合でも、部品公差による位置ずれを補償することにより、それら部品の接続を可能とする流路接続装置および流路接続方法を提供する。 - 特許庁

To correct a dislocation in ink impact positions in the direction of movement of a recording head with respect to ink jet positions by adjusting an ink jet timing in accordance with a change in ink jet characteristics of the recording head due to a secular change or the like.例文帳に追加

インク噴射位置に対する記録ヘッドの移動方向へのインク到着位置のずれをインク噴射タイミングの調節によって補正する際に、経年変化等による記録ヘッドのインク噴射特性の変化に応じて補正できるようにする。 - 特許庁

To provide a clip capable of installation with an extremely simple single operation, and easily absorbing positional dislocation of an installation member to an installation object member, while always integrally treating the clip in a state of being installed in the installation member.例文帳に追加

クリップを取付部材に組み付けた状態で常時一体的に取り扱いつつ、被取付部材に対する取付部材の位置ずれを容易に吸収できると共に、取り付けを極めて簡単なワンタッチ動作で行うことが可能なクリップを提供する。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate, with which a group III nitride layer group low in dislocation and excellent in crystallinity, especially, a nitride layer group containing Al can be formed; and to provide a method for reducing dislocations in the group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物層群、特にはＡｌを含有する窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板、及び形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration in crystal quality (surface planarity, orientation, dislocation density) of a thin film due to difference in lattice constant as much as possible in an AlN thin film as a buffer layer when III-V nitride semiconductor crystal is grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるＡｌＮ薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質（表面平坦性、配向性、転位密度）の劣化を極力抑止すること。 - 特許庁

Further, heat treatment is applied to the multilayer film intermediate structure 10 to diffuse metal elements in the metallic layer 13 via the through-dislocation 14 to form a microstructure 16 at a boundary face 15 between the silicon substrate 11 and the silicon germanium layer 12.例文帳に追加

次いで、多層膜中間構造体１０に対して熱処理を施し、金属層１３中の金属元素を貫通転位１４を介して拡散させ、シリコン基板１１とシリコンゲルマニウム層１２との界面１５に微細構造１６を形成する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer capable of effectively preventing through dislocation from occurring in a GaN growth layer and obtaining a high-quality GaN crystal without increasing the number of processes, and to provide a method for growing the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ＧａＮ成長層に貫通転位が生じることを効果的に防ぐことができ、工程数を大にすることなく高品質のＧａＮ結晶を得ることのできるIII族窒化物半導体層およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and an undislocated strained Si layer can be formed.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、無転位の歪Ｓｉ層を形成することができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the dislocation of the parting line between split molds of a pair by mold clamping force by loosely fitting one of the split molds constituting a set of molds to the side of a mold fitting plate and connecting both split molds to each other by a joint.例文帳に追加

一組の金型を構成する一対の分割型の一方を型取付板に対し側方にルーズな状態で取付け、その両方をジョイントにより連結できるようにして、型締力による分割型相互のパーティングラインのずれを防止する。 - 特許庁

The wire frame 20 is arranged on a reverse surface of the urethan pad 10, and the projections 12 of the urethane pad 10 are bent inwardly, and a frame-shaped member 20a of the wire frame 20 is temporarily fastened to each projection 12 by a C ring 31 so that the dislocation of the wire frame 20 is not caused.例文帳に追加

ウレタンパッド１０の裏面にワイヤフレーム２０を配設し、ウレタンパッド１０の突起１２を内側に折り曲げ、この突起１２にＣリング３１でワイヤフレーム２０の枠状メンバー２０ａを仮止めし、ワイヤフレーム２０のずれが生じないようにする。 - 特許庁

To solve the problems of scratches, deformation and dislocation of a molding caused by contact of a coating fixture with an inner face of a glass run side wall and an inner face of a lip when a coating device is installed on an extrusion line.例文帳に追加

塗装装置を押出成形ライン上に設けた場合にあっては、塗布用治具とグラスラン側壁内面及びリップ内面とが接触して擦過傷や形状変形などが発生し易いと共に、成形体の位置ずれに対応が困難になる。 - 特許庁

According to this constitution, the wafer 101 can be grown, without turning at a high speed whereby the deterioration of the yield of production due to dislocation of the wafer 101 from the holder 104 or the breakage of the same can be prevented, and the growing speed of the vapor growth reaction can be enhanced.例文帳に追加

これによりウェハ１０１を高速回転させなくても済むため、ウェハ１０１がホルダ１０４からはずれたり、破損したりすることによる生産歩留まりの低下を防止し、且つ気相成長反応の成長速度を高めることができる。 - 特許庁

To provide a skin for skin-integrated foam molding which produces an enough seal effect and does not cause the deterioration of a foamed molding by the stretch and dislocation of the skin and a method for producing a skin- integrated foamed molding.例文帳に追加

シール効果が十分に得られ、かつ表皮が引っ張られたりずれ込んだりすることによる発泡成形品の品質下落もない表皮一体発泡成形用表皮および表皮一体発泡成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a buried pipe unit, having a spacer, to be prevented from dislocation during transportation and construction while suppressing increase in weight and moreover easily and rapidly mounted and reliably prevent bending of an underground buried pipe.例文帳に追加

重量の増大を抑制しながらも、運搬中や施工中において外れることがなく、しかも容易迅速に装着して地中埋設管の撓みを確実に阻止することができるスペーサを備えた埋設管ユニットを提供する点にある。 - 特許庁

To improve workability by shortening the falling/rising time of a device and roller replacing/adjusting time and suppress the aged dislocation of rollers caused by use and a short life of a built-in bearing.例文帳に追加

装置立ち下げ／立ち上げの時間を短縮するとともに、コロの交換／調整用の時間を短縮して作業性を向上しえ、かつコロの使用による経年的位置ずれや内臓する軸受の短寿命化を抑制しうることを課題とする。 - 特許庁

To provide an installation structure of a unit room, easy in a structure and construction, without causing positional dislocation, even after arranging the unit room in a building space, by preventing the inflow of outside air to a space for surrounding a unit room enclosure wall formed in a building.例文帳に追加

建物内に形成されたユニットルーム囲壁を取り巻く空間への外気の流入を防ぎ、ユニットルームを建物空間内に設置した後も位置ずれが生じにくい、構造及び施工が簡易なユニットルームの設置構造を提供する。 - 特許庁

To positively prevent the occurrence of a fault such as dislocation or an inside-outside error of each part even when superposing flexible sheet-like parts difficult to determine whether a positioning pin correctly penetrates a positioning hole.例文帳に追加

位置決め穴に正しく位置決めピンが貫通しているかどうかの判定が困難である柔軟なシート状のパーツを重ね合わせる場合であっても、各パーツの位置ズレや表裏の間違いといった不具合の発生を確実に防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a punching device and a workpiece machining method using the punching device allowing high accuracy positioning without causing dislocation and vibration by moving the workpiece or lowering the position recognition accuracy of an image by moving a photographing device.例文帳に追加

ワークを移動させて位置ずれや振動を生じさせたり、撮影装置を移動させて画像の位置認識の精度を低下させたりすることなく、高精度な位置決めが可能になるパンチング装置およびそれを用いたワークの加工方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the deterioration of travel performance and reduction in the travel service life by dislocation from theory PLD by polygonal behavior of conductors by an exposure of the conductors in a tooth bottom part, and prevent damage of the conductors by outside air and foreign matter in a conductor containing toothed belt.例文帳に追加

芯線入り歯付ベルトにおいて、歯底部で芯線が露出することによる芯線の多角形挙動による理論ＰＬＤからのずれによる走行性能の悪化、走行寿命の低下の防止、外気や異物による芯線のダメージを防止する。 - 特許庁

To provide a mass game support system for allowing a performance director to easily seize and precisely indicate dislocation from positions of respective performers and normal positions and to individually indicate correction and the next moving destination in real time according to the positions of the respective performers.例文帳に追加

演技指揮者が各演技者の位置および正規の位置とのずれを容易に把握して的確な指示を可能とし、また各演技者の位置に応じてリアルタイムで個別に修正指示や次の移動先の指示を行うマスゲーム支援システムを提供する。 - 特許庁

To provide a vertical-type boat that can control the deformation of the wafer holder at heat treatment and warpage of a semiconductor wafer and the like, involved in using a larger diameter for a semiconductor wafer, and can well control occurrence of slip dislocation, even if the semiconductor wafer has a large diameter.例文帳に追加

加熱処理時のウェーハ保持体の変形、半導体ウェーハの大口径化に伴う半導体ウェーハの反り等を抑制し、半導体ウェーハが大口径であってもスリップ転位の発生を十分に抑制できる縦型ボートの提供。 - 特許庁

After the small end 44 of the connecting rod 22 is inserted in the recessed part of the piston 20 at a given relative angular position of the axis of the piston 20 and connecting rod 22, the piston 20 and connecting rod 22 are turned on the axis into a position wherein they have a relative 90-degree dislocation from the insertion position.例文帳に追加

ピストン２０とコンロッド２２との軸周りの所定の相対角度位置でコンロッド２２の小端部４４をピストン２０の凹部４０内に挿入した後に、その状態からコンロッド２２とピストン２０とを軸周りに相対的に９０゜回転させる。 - 特許庁

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element.例文帳に追加

酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する - 特許庁

In this way, even when the sheet S is shrunk in the width direction by cooling, the increase of tension in the width direction can be controlled, the molding in the molding apparatus 30 is smoothed, and the dislocation of trimming in the trimming apparatus 40 can be prevented.例文帳に追加

このため、樹脂ロールシートＳが冷却により幅方向へ収縮しても、同幅方向への張力増大を抑制することができ、成形装置３０における成形をスムーズにし、トリミング装置４０におけるトリミングずれを防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method by which the center of a non-radiative recombination of ZnO such as the surface state, the dislocation and other non-radioactive recombination center of ZnO is passivated to improve and increase the radiation efficiency of a ZnO sample.例文帳に追加

表面状態、転位及び他の非放射性再結合中心などのＺｎＯの非放射再結合中心が不動態化されることを可能にし、結果的にあらゆるＺｎＯ試料の放射効率及び効率が増加されることを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

The end sticking part 22B is bent inside the weatherstrip mounting groove 19 to put the edge 52 of the decorative tape 50 in the covered state, thereby preventing the deterioration of appearance caused by the dislocation of the stuck position of the decorative tape 50.例文帳に追加

この端末貼着部２２Ｂがウェザストリップ取付溝１９の内側へ折り曲げられていることにより装飾用テープ５０の端縁５２が覆い隠された状態となっているため、装飾用テープ５０の貼り位置のずれによる見栄えの悪化を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a roller chain without causing dislocation between an inner link plate and a bush, even if fitting force of the bush and a bush hole is reduced when excessive tension acts on the chain or a creep phenomenon is caused by using the chain at a high temperature area.例文帳に追加

チェーンに過大張力が作用したり、あるいは高温域でチェーンを使用してクリープ現象が発生してブシュとブシュ孔との嵌合力が低下したとしても、内リンクプレートとブシュとの間にずれが生じないローラチェーンを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a printing device free of a drop of the printing quality such as dislocation in the printing position or shrinkage due to printing and preventing generation wastefulness with the label by eliminating the risk that a difference is generated between a band-shaped base paper and an ink ribbon.例文帳に追加

本発明は、帯状台紙とインクリボンとのテンションに差が生じさせないようにして、印字位置ズレや印字縮みなどの印字品質の低下をまねくことがないようにするとともに、ラベルの無駄が生じさせることがない印字装置を提供する。 - 特許庁

An etching stopper layer between the inner clad layer on an active layer and a mesa-striped outer clad layer is made of strain compensation structure, thereby suppressing the entry of glide dislocation generating at a stress concentrating point into the active layer and preventing a defective characteristic element.例文帳に追加

活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。 - 特許庁

The vicinity of the solid-liquid interface of the pulled crystal is forcibly heated by the heater 9, thus the cracking of the crystal or the formation of dislocation thereof which is caused by the increase of thermal stress in the vicinity of the solid-liquid interface due to forcible cooling is prevented, so that the yield of the crystal is improved.例文帳に追加

引上げ結晶の固液界面近傍を加熱体９により強制加熱することにより、強制冷却による固液界面近傍での熱応力増大に起因する結晶の割れや有転位化を防止し、歩留りを改善する。 - 特許庁

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, by utilizing the carrier 21, a transferred wafer can be registered on a wafer holder with the same shape as of a wafer loaded beforehand on a wafer board, and the occurrence of the crystal dislocation to the wafer can be effectively suppressed at the time of the thermal treatment.例文帳に追加

したがって、このウエハ搬送装置２１を利用することで、予めウエハボートに載置されたウエハと同形状のウエハホルダに、搬送したウエハを重合させることができ、熱処理時においてウエハに対する結晶転位の発生を効果的に抑制させることができる。 - 特許庁

To provide a method of heat treating a silicon wafer reducing crystalline defects such as voids in a front surface part of a wafer serving as a device active region and suppressing elongation of slip dislocation under a load such as a thermal stress in a device process.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部において、ボイド等の結晶欠陥を低減させることができ、また、デバイスプロセスにおける熱的応力等の負荷によるスリップの伸長を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The rotation transmission ratio is recognized based on its recognized dislocation quantity, and operation force of the steering wheel is properly estimated based on its recognized rotation transmission ratio, and encouragement force by an encouragement device 82 is controlled based on its proper operation force.例文帳に追加

その認定されたズレの量に基づいて回転伝達比を認定し、その認定された回転伝達比に基づくことによって、ステアリングホイールの操作力を適切に推定し、その適切な操作力に基づいて、助勢装置８２による助勢力を制御する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

Accordingly, a lever driving shaft 73 of the solenoid assembly 68 drives an opening and closing valve 47 with low power in response to detection signals of gas leakage, dislocation of pipes and gas flame failure generated by the pressure sensor 74 to shut off a gas flow from a nozzle outlet 45.例文帳に追加

従って、圧力センサ７４によるガス漏れや配管類の外れと共にガス立ち消えの検出信号によって、ソレノイド組立体６８のレバー駆動軸７３が低いパワーで開閉弁４７を駆動して、ノズル出口４５からのガス流を遮断することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor package with which alignment of a semiconductor element chip is easily done in a die bonding process, inspection for rotation and dislocation of the semiconductor element chip is easy in an inspection process, and a flow-out failure of die bonding paste is prevented.例文帳に追加

ダイボンディング工程において半導体素子チップのアライメントを行い易く、検査工程での半導体素子チップの回転や位置ズレなどの検査が容易となり、また、ダイボンディングペーストの流れ出しの不具合を防止することができる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

When printing, the printing position of the arranged characters or the like is offset by the dislocation amount portion to carry out printing on the form.例文帳に追加

帳票処理装置１００は、スキャナによって読み取った帳票画像をモニタ上に表示し、かかる画像上で文字等のレイアウトを行う機能を有しており、印刷時には、上述したズレ量分、レイアウトされた文字等の印刷位置をオフセットさせて帳票への印刷を行う。 - 特許庁

The lateral dislocation detecting sensor 12b is provided with a movable arm moving in a prescribed direction by contacting the laterally dislocated position of the slat or the laterally dislocated position of the whole shutter curtain, and a displacement sensor or the like for detecting the movement of the movable arm.例文帳に追加

この横ずれ検出センサ１２ｂは、スラットが横ずれしている位置や、シャッターカーテン全体の横ずれが発生している位置に接触することで所定方向に移動する可動アームと、この可動アームが移動したことを検出する変位センサ等を備えている。 - 特許庁

Vertical directional force is transmitted to the support ground by a column material 5 of a three-dimensional frame shape, and horizontal directional force can be surely transmitted by a top part and a bottom part slab of the three-dimensional frame-shaped structure and the frame-shaped slab structure 4 via the dislocation preventive projection 2.例文帳に追加

鉛直方向の力は立体枠状の柱材５で支持地盤に伝達され、水平方向力はずれ止め突起２を通じて、立体枠状構造体の頂部及び底部版と枠状版構造体４にて確実に伝達させることができる。 - 特許庁

In the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate 12, the area of the main face is 10 cm^2 or larger and the total dislocation density in the region excluding a region having a distance of 5 mm or smaller from the outer circumference 12v is 1×10^2 cm^-2 to 1×10^6 cm^-2.例文帳に追加

主面の面積が１０ｃｍ^2以上であり、外周１２ｖから５ｍｍ以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が１×１０^2ｃｍ^-2以上１×１０^6ｃｍ^-2以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板１２。 - 特許庁

The core diameter of GI-POF 18 is set to 200μm or larger and the light emission points 28 of the VCSEL 24 are disposed the inside of the outer periphery of the end face of the GI-POF 18, thus the deterioration of connection loss due to the axial dislocation in connection is suppressed.例文帳に追加

ＧＩ−ＰＯＦ１８のコア口径を２００μｍ以上に設定し、ＶＣＳＥＬ２４の発光点２８をＧＩ−ＰＯＦ１８の端面の外周よりも内側に配設しているので、結合の際の軸ずれに対して結合損失の悪化を抑制できる。 - 特許庁