「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a Stirling engine causing no damage of a piston and a piston support spring when assembling the Stirling engine (when sealing an operating medium), and restraining dislocation of a reciprocating motion central position of the piston.例文帳に追加

本発明は、スターリング機関の組立時（作動媒体封入時）におけるピストンやピストン支持バネの破損がなく、ピストンの往復運動中心位置ずれを抑えることが可能なスターリング機関を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enable an operator to check the adequate installation angle of a acetabular roof component in trial during artificial joint replacement arthroplasty in order to prevent postoperative dislocation and to install the acetabular roof component at this installation angle.例文帳に追加

術後脱臼を防止するために、人工股関節置換術中にトライアルで臼蓋コンポーネントの適切な設置角度を確認し、その設置角度でもって臼蓋コンポーネントを設置することができるようにする。 - 特許庁

By annealing the epitaxial substrate 1 prior to the epitaxial growth of the group-III nitride layer 14, the dislocation density in the group-III nitride layer 14 is reduced half or less than in a case where no annealing is conducted.例文帳に追加

エピタキシャル基板１では、III族窒化物層１４のエピタキシャル成長に先立ってアニール処理を行うことにより、III族窒化物層１４の転位密度をアニール処理を行わなかった場合の半分以下に低下させている。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 70, a high dislocation density layer 70a is formed containing density location higher than the preparing layer 8 to dislocate the light emitting layer preparing layer 8.例文帳に追加

透光性導電半導体基板７０には、発光層成長準備層８を格子緩和させるための該発光層成長準備層８よりも高密度に転位を含む高転位密度層７０ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method avoiding warping and cracking of a nitride semiconductor substrate which is grown on a single crystal substrate, and reducing a dislocation density, and obtaining the nitride semiconductor substrate having a superior uniformity.例文帳に追加

単結晶基板に成長させた窒化物半導体基板の反りおよびクラックを回避し、転位密度を低減させ、かつ均一性のよい窒化物半導体基板を得るための製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a low concentration boron-doped silicon single crystal epitaxial wafer which is formed by epitaxial growth using a substrate which is a high concentration boron-doped silicon single crystal wafer and does not cause miss-fit dislocation.例文帳に追加

本発明は、高濃度にボロンドープされたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハを基板に用いてエピタキシャル成長されたミスフィット転位の発生しない低濃度のボロンドープシリコン単結晶エピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low manufacturing cost, its manufacturing method, and a group III nitride semiconductor device including the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

転位密度が低くかつ製造コストの安いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびにそのＩＩＩ族窒化物結晶基板を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which is capable of manufacturing a semiconductor substrate which has defects such as basal plane dislocation considerably reduced and is made of silicon carbide crystal.例文帳に追加

本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress extension of dislocation generated in activation thermal treatment at a high concentration impurity region by lowering stress generated around pattern edge without performing activation thermal treatment at high temperature for long hours.例文帳に追加

高温で長時間の活性化熱処理を行うことなく、パターンエッジ部周辺に発生する応力を軽減することにより高濃度不純物領域の活性化熱処理で発生する転位の拡張を抑制する。 - 特許庁

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction.例文帳に追加

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。 - 特許庁

Because the crystal dislocation density of the GaN substrate 10 is higher than that of the semiconductor crystal to be grown, the melting speed of the GaN substrate 10 into a flux is faster than that of the semiconductor crystal into the flux.例文帳に追加

ＧａＮ基板１０の結晶転位密度は、成長させる半導体結晶よりも高いので、その半導体結晶がフラックスに溶融するよりは、ＧａＮ基板１０がフラックスに溶融する方が速い。 - 特許庁

To reduce the threading dislocation of a single substrate made of nitride semiconductor from a nitride semiconductor substrate where a nitride semiconductor is grown on a supporting substrate, and to obtain a nitride semiconductor with a thick film.例文帳に追加

支持基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から窒化物半導体の単体基板を貫通転位を低減させ、また厚膜の窒化物半導体として得ることを目的とする。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

As a result, a tilted dislocation of the movable body 2 due to the electrostatic force in X-axis direction is prevented even when there is a variation in the shape of the electrodes and the operation can be stabilized.例文帳に追加

従って、これらの電極形状にばらつき等が存在する場合でも、可動体２がＸ軸方向の静電力によって傾くように変位するのを防止でき、その動作を安定させることができる。 - 特許庁

In the similar manner, the plurality of InGaNs 29a, 29b grow from several apertures 27a in the AlN domain and these InGaNs are connected without causing dislocation to form the InGaN 29c.例文帳に追加

これと同様に、ＡｌＮ領域におけるいくつかの開口２７ａから複数のＩｎＧａＮ２９ａ、２９ｂが成長し、これらのＩｎＧａＮ同士が転位を生成することなく繋がってＩｎＧａＮ２９ｃが形成される。 - 特許庁

A dislocation quantity ΔD of a position of the paper S in the width direction Y is calculated based on the calculated length and the length of the length W in the width direction Y of the paper S regulated by a nominal size of the paper S.例文帳に追加

そして、算出された長さと用紙Ｓの称呼サイズにより規定される用紙Ｓの幅方向Ｙの長さＷの長さに基づいて、幅方向Ｙに対する用紙Ｓの位置のずれ量ΔＤが算出される。 - 特許庁

This allows reducing the amount of thermal expansion of the 15 caused by irradiation with electron beam 6 at the time of replacing the restriction 15, and a resultant electron beam drawing device has a reduced dislocation of the opening of the restriction 15.例文帳に追加

これにより、絞り１５の交換後における電子線６の照射による絞り１５の熱膨張量が低減され、絞り１５の開口部の位置ずれが低減された電子線描画装置を提供することができる。 - 特許庁

A sheave structure comprises a frame; at least one sheave 4 having a rope groove 5; a sheave bearing 7; a protection device 9 to prevent dislocation of a winding rope 6 from the sheave; and a suspension point 8 from which the sheave 1 is suspended.例文帳に追加

フレームと、綱溝（５）を備えた少なくとも１つの綱車（４）と、綱車軸受け（７）と、巻上げロープ（６）が綱車から外れることを防止する防護装置（９）と、綱車（１）を吊る懸架点（８）とを含む綱車構体。 - 特許庁

To correct skewing due to the deformation of paper at a fixing part during one-side printing in a both-side printing process while preventing a trouble such as paper jamming during reverse printing or dislocation in reverse printing.例文帳に追加

本発明は、両面印刷の第一面印刷時における定着部での用紙変形によるスキューを補正し、裏面印刷時の用紙ジャムや裏面の印刷位置ズレなどの障害を防止することを目的とする。 - 特許庁

Since the target seed diameter can be set to the minimum diameter corresponding to the breaking limit at the weight of the drawing-up single crystal, dislocation is easy to come away and the dangerousness of the breaking at the neck part can be remarkably reduced.例文帳に追加

目標シード直径を各引上げ単結晶の重量での破断限界に応じた最小径とすることができるので、転位が抜け易く、かつ、ネック部での破断の危険性を著しく低減することができる。 - 特許庁

While the motor is driven, the phase difference Δθ, between a phase of motor counter electromotive voltage and a control phase, is directly calculated from a parameter of the motor, the current detection value, the voltage command and angular velocity, and dislocation is corrected.例文帳に追加

一方、モータ駆動中には、モータのパラメータ、電流検出値，電圧指令及び角速度とから、モータ逆起電圧の位相と制御位相との間の位相差Δθを直接演算し、位置ずれを補正する。 - 特許庁

The screw dislocation prevention cover 21 has a screw head movement space 22 formed in a direction separating the screw 13 from the terminal fitting 12 and is formed so as to cover the surrounding and end of the screw head movement space 22.例文帳に追加

このねじ脱落防止カバー部21は、ねじ13を端子金具12から離間させる方向に形成したねじ頭部移動空間22を有するとともに、このねじ頭部移動空間22の周囲および端部を覆うように形成する。 - 特許庁

To provide a rotor core structure for a motor, capable of minimizing an effect of core axial dislocation upon the inside diameter of a fitting hole and restraining a shaft from being damaged in pressing-into a core.例文帳に追加

コストアップすることなく安価な方法で、コアの軸ずれが嵌合孔の内径に与える影響を小さくすると共に、コアの圧入時にシャフトが傷付くことを抑制可能なモータのロータコア構造を提供すること。 - 特許庁

To eliminate troubles generated by poor workmanship of assembly on a car assembly line by locating the termination of a wire harness on a molded ceiling accurately at all times without generating a dislocation and eliminating risk of exfoliation in transportation.例文帳に追加

成形天井にワイヤーハーネスの端末部がずれることなく常に正確に位置決めされ、運搬途中で剥れるようなおそれをなくし、自動車組み立てラインでの組み付け不良等のトラブル発生をなくす。 - 特許庁

To provide a feed screw mechanism of an electric motor capable of reducing axial dislocation caused by lack of the support point number of a rotary shaft, while eliminating degradation of characteristics in position control of a stepping motor caused by viscosity of oil.例文帳に追加

油の粘性に起因したステッピングモータの位置制御の特性低下を解消しつつ、回転軸の支持点数の少なさに起因した軸ブレの低減を図ることができる電動機の送りねじ機構を提供する。 - 特許庁

To provide a post-processing apparatus having simple construction for facilitating the slip of a plurality of recording sheets down on the inclined face of a post-processing tray to actualize easy alignment of the recording sheets with no dislocation in the discharging direction of the sheets.例文帳に追加

簡易な構成で複数枚の記録紙が後処理用トレイの傾斜面を滑り落ち易くし、排紙方向のずれを無くし、その後の記録紙に対する整合を容易にする後処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible having excellent mechanical strength in use at a high temperature of silicon single crystal pulling, hardly causing occurrence of dislocation at the initial stage of pulling and having a high single crystallization ratio and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン単結晶引上げの高温使用下において機械的強度に優れ、引き上げ初期の転位発生がほとんど無く、単結晶化率の高い石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a dislocation of the start of image recording by optimally generating trigger information to acquire information of the start of image recording and generating transfer information of a recording medium on the basis of the trigger information generated.例文帳に追加

画像記録開始の情報を得るためのトリガ情報を最適に生成し、生成された当該トリガ情報に基づいて記録媒体の搬送情報を生成することで、画像記録開始の位置ずれをなくすこと。 - 特許庁

To provide a charging method for single crystal raw material where an additional charge of a semiconductor single crystal rod is performed in a short time, without contaminating a device, without causing breakage of a seed crystal, and without generating dislocation of a crystal, using a Czochralski(CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法において、装置を汚染することなく、短時間でかつ、種結晶の折損、結晶の有転位化をを引き起こすことなく半導体単結晶棒の追加チャージを行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring harness flattening band adapted to facilitate laying and suppress the dislocation of the wiring harness by flattening a desired position of the wiring harness without using a special member such as a protector.例文帳に追加

プロテクタ等の特別の部材を用いることなくワイヤハーネスの所望位置を平型化して配索を容易にするとともに、ワイヤハーネスのずれを抑制できるように構成したワイヤハーネス平型化用バンドを提供すること。 - 特許庁

To provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal from which large diameter face wafers with good quality almost free from dislocation defects can be produced with good reproducibility, and to provide a silicon carbide single crystal ingot and a production method therefor.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

In the robot hand for operating an operation lever by covering a holding part 12 of the operation lever from above, a dislocation-preventing mechanism 20 for preventing the holding part 12 from breaking lose and dislocating by an impact and vibration is provided at a hand part.例文帳に追加

操縦レバーに対する把持部１２を上方から被せて保持し操作するロボットハンド１０であって、ハンド部に衝撃や振動で把持部１２が遊離して外脱するのを防止する外脱防止機構２０を付設した。 - 特許庁

To provide a clamping device for a medical flexible tube preventing width directional dislocation of one end part in clamping while maintaining clamping workability and capable of cutting off a flow of fluid without carefully performing clamping work.例文帳に追加

クランプ作業性を維持しつつクランプ時における一端部の幅方向へのずれを防止し、注意深くクランプ作業を行うことなく流体の流れを遮断することができる医療用可撓性チューブのクランプ装置を提供する。 - 特許庁

The optical element is distinguished by being composed of two sheets of phase modulation optical devices and by spatially changing phases of light transmitted through the elements by giving relative position dislocation to two sheets of phase modulation optical elements.例文帳に追加

前記光学素子は、２枚の位相変調光学素子からなり、前記２枚の位相変調光学素子に相対的な位置ずれを与えることによって、この素子を透過する光の位相を空間的に変化させることを特徴とする。 - 特許庁

To facilitate deburring work in postprocessing by limiting a burr generating place caused by cracking of a core, while improving a product quality by sufficiently restraining positional dislocation of a partition plate and looseness in a product.例文帳に追加

仕切り板の位置ズレや製品内でのガタなどを十分に抑えて製品品質の向上を図り、さらには、中子の割れに起因するバリの発生箇所を限定的なものとして後加工でのバリ取り作業の容易化を図る。 - 特許庁

To provide an LED capable of generating a light of arbitrary chroma regardless of degree of dislocation density, particularly, a new semiconductor light emitting device that can be preferably used as a white LED of three primary colors or more.例文帳に追加

転位密度の大小に関係なく、任意の色度の光を生成することのできるＬＥＤ、特に三原色以上の白色ＬＥＤとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride-based semiconductor device by which a nitride-based semiconductor layer is stacked at a uniform film thickness on the surface of a GaN substrate that is provided with a stripe-like dislocation concentrated area penetrating the front surface to the rear surface.例文帳に追加

表面から裏面に貫通したストライプ状の転位集中領域を有するＧａＮ基板の表面に窒化物系半導体各層を均一な膜厚で積層する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるＩＩＩ族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

The working surface 4 has a granular state being deformed by the compression in a direction for orthogonally crossing the surface, and the number of metal dislocation per unit volume is large than that of the core of an iron bottom 2 at least by 40%.例文帳に追加

作業面４は、その面に直交する方向の圧縮によって変形された粒子状になっており、単位体積当たりの金属転位の数は、アイロン底２のコアの金属転位よりも少なくとも40%だけ多くなっている。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method capable of manufacturing a high-quality semiconductor device, a method for manufacturing a substrate, and a method for manufacturing a SIMOX substrate by reducing a slip dislocation defect occurring in the substrate during thermal treatment.例文帳に追加

熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理方法、基板の製造方法及びＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a robot hand capable of completely retaining and fixing a workpiece without causing lateral deviation or dislocation due to workpiece inclination, capable of accommodating workpieces of various shapes and sizes and further capable of attaining high flexibility of workpiece retaining positions and excellent general versatility.例文帳に追加

ワークの横ズレや傾きによる位置ズレの発生がなく、確実にワークを保持、固定でき、また多種多様な形状、大きさのワークに対応でき、さらにワークの保持位置の自由度が高く、汎用性に優れたロボットハンドを提供する - 特許庁

The plate for press-forming has a plate main body 2 piled up with many sheet materials 1 and a dislocation prevention part 3 which protrudes from the plate main body 2 laid on the sheet material 1 to overlap each other and is arranged close to the end surface of the sheet material 1.例文帳に追加

多数枚のシート材料１とともに重ねられるプレート本体２と、シート材料１に重ねたプレート本体２から突出してシート材料１の端面に近接して配置されるズレ防止部３とを具備する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

A base material based on a composition of SUS420J2 is prepared, subjected to at least one process chosen from a high-density dislocation generation process and rapid solidification process, and further annealed to obtain a ferrite steel with fine metallic structure.例文帳に追加

ＳＵＳ４２０Ｊ２の組成をベースとする基材を調製した後、この基材に高密度転位導入法および超急冷凝固法の少なくとも一方を実施し、さらに焼鈍処理して微細組織フェライト鋼を得る。 - 特許庁