「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid jetting device which can the dislocation of an impact position on a medium to be jetted corresponding to a joint section between a plurality of liquid jetting heads inconspicuous without inviting the reduction of the jetting speed, and to provide a recording device equipped with the liquid jetting device.例文帳に追加

複数の液体噴射ヘッド間のつなぎ部に対応する被噴射媒体上の着弾位置ずれを噴射速度の低下を招くことなく目立たなくすることができる液体噴射装置及びその液体噴射装置を備えた記録装置を提供すること。 - 特許庁

The micromirror device is characterized in that the device has an elastic member between the micromirror and the piezoelectric actuator array, and the elongation and the contraction of the piezoelectric elements composing the piezoelectric actuator array are transformed into a rotational dislocation into two axis directions of the micromirror via the elastic member.例文帳に追加

このマイクロミラーデバイスは、マイクロミラーと圧電アクチュエータアレイとの間に弾性部材が備わっており、圧電アクチュエータアレイを構成する圧電素子の伸縮変位が、弾性部材を介して、マイクロミラーの２軸方向への回転変位に変換されるところに特徴がある。 - 特許庁

A calculating unit calculates the amount of phase dislocation as a correction amount, from phase differences between a plurality of echo signals collected by the first pre-scan and between a plurality of echo signals collected by the second pre-scan.例文帳に追加

算出部は、第１のプリスキャンにより収集された複数のエコー信号における位相差と第２のプリスキャンにより収集された複数のエコー信号における位相差とから、位相エンコード方向に生じる位相ずれの量を補正量として算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminated structure reduced in a threading dislocation density propagated from crystal defects generated from the associated portion of lateral growths to the surface of the semiconductor, and to provide a semiconductor element formed on the obtained high-quality semiconductor laminated structure.例文帳に追加

横方向成長の会合部分から発生する結晶欠陥から半導体表面に伝播する貫通転位密度が低減された半導体積層構造、及び得られた高品質の半導体積層構造上に形成された半導体素子を提供すること。 - 特許庁

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element.例文帳に追加

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。 - 特許庁

To provide a winding structure of transformer winding capable of preventing an increase in load loss due to unbalanced current, by specifying one dislocation position of multiple cylindrical winding for one winding wire by a simple method and dislocating at the specified position.例文帳に追加

多重円筒巻線の転位位置を簡易な方法にて一つの巻線に対して一箇所特定し、当該特定した位置で転位させることにより、アンバランスな電流による負荷損失の増加を防止できる変圧器巻線の巻線構造を提供する。 - 特許庁

The laminated semiconductor device, with a semiconductor chip mounted, comprises at least three layers of substrates 1, laminated together, each of which comprises dislocation detecting marks (or alignment marks) 6, with each having the same pattern and arranged at different rotational angles.例文帳に追加

積層型半導体装置は、半導体チップが搭載され、各々が同一パターン形状で且つ互いに異なる回転角で配置された位置ズレ検出用マーク（あるいはアライメント用マーク）６を有する基板１を３層以上積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

Because the honeycomb can be prevented from dislocation owing to inexpensive metal material and brazing material, the metal honeycomb can be accomplished light and inexpensively with a saved amount of materials used while the anti-corrosiveness is kept to the same degree as in the conventional technique.例文帳に追加

また、本発明によれば、安価な金属材料とろう材によるハニカムのズレ防止を採用できるので、従来技術と同様の耐食性を有しながら材料使用量を節減した軽量でかつ廉価なフレームアレスタ用メタルハニカムを提供することができる。 - 特許庁

To maintain a pinching part in an open state, by overcoming the problem that a work arm may slip toward the support point for rotation of a sheet clip, or a dislocation occurs between the work arm and a grip when the grip of the sheet clip is gripped using the work arm of an insulated plier.例文帳に追加

絶縁ヤットコの作業アームでシートクリップの把持部を把持しようとすると、作業アームがシートクリップの回動支点に向けて滑ってしまったり作業アームと把持部との位置ズレが生じたりして、挟持部を開いた状態に維持することができない。 - 特許庁

A position of the automatic door 11 on the image of the image sensor is recognized based on image information when opening and closing the automatic door 11, and when dislocation with the detecting area (b) is small, a setting position of the detecting area (b) is automatically corrected by moving the detecting area (b).例文帳に追加

自動ドア１１を開閉させたときの画像情報に基づいて、イメージセンサの画像上の自動ドア１１の位置を認識し、検知エリアｂとのずれが小さいときは、検知エリアｂを移動させることにより、検知エリアｂの設定位置を自動的に修正する。 - 特許庁

Accordingly, the main substrate 5 is grown from the convex part 4 on a thin wall, hardly effected by a strain caused by the difference of thermal expansion coefficient between the substrate 1 and the substrate 5, and an AlN substrate 5 of good quality crystal, little in through dislocation, can be prepared on an inexpensive Si substrate 1.例文帳に追加

したがって、メイン基板５は、薄い壁の凸部４から成長し、基板１，５の熱膨張係数の差に起因する歪の影響を受けにくく、安価なＳｉ基板１上に貫通転位の少ない良質な結晶のＡｌＮ基板５を作成できる。 - 特許庁

To provide a multi-color printing apparatus which can obtain a good image by controlling the generation of a printed material similar to a blurring and overlapping state caused by the dislocation of a image position by preventing the loosening of paper conveyed from a printing part on the upstream side to a printing part on the downstream side.例文帳に追加

上流側の印刷部から下流側の印刷部へと搬送される用紙の弛みを防止して、画像位置のズレによる滲みやダブリ状態と同様な印刷物の発生を抑制して良好な画像を得られる多色印刷装置を提供する。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

Consequently, the surface layer is heated at a temperature equal to or higher than 1,350°C and lower than the fusion point, so that the dislocation in the STI region is prevented to reduce or eliminate the polishing damage, the local unevenness defect of the wafer surface caused by polishing or a microcrystal defect.例文帳に追加

これにより、表層が１３５０℃以上融点未満で加熱されるので、ＳＴＩ領域の転位発生を防ぎ、研磨ダメージやウェーハ表面の研磨起因の局所的な凹凸欠陥あるいは微小結晶欠陥を低減または消滅できる。 - 特許庁

To provide a resin mold apparatus capable of improving productivity by preventing an article to be shaped from being deformed by heat and causing a dislocation in case of setting the article to be shaped in a mold to make a resin molding process more effective.例文帳に追加

被成形品を樹脂モールド金型にセットした際に被成形品が加熱されて変形し、樹脂モールド金型上で被成形品が位置ずれすることを抑制し、樹脂モールド工程を効率化して生産性を向上させる樹脂モールド装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thermal oxide film, which can prevent attachment to a wafer boat occurring at the time of forming a particularly thick thermal oxide film, and which can suppress the slip dislocation or crack of a silicon single-crystal wafer in the formation of the thermal oxide film.例文帳に追加

特に厚い熱酸化膜を形成する際に発生するウェーハボートへの貼り付きを防止し、熱酸化膜形成中のシリコン単結晶ウェーハのスリップ転位や割れの発生を抑制することのできる熱酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A high quality single crystal wafer of SiC having a polytype selected from a group composed of a 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes, a diameter of at least about 75 mm (3 inches) and the 1c screw dislocation density lower than about 2,000 cm^-2 is disclosed.例文帳に追加

３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

Moreover, as the stopper part 11 to be engaged with the rib 10 is integrally formed at the hinge reinforce 12, the number of parts is not increased, the number of assembling processes or cost is not raised but dislocation of the glass run 8 due to elevation of the door glass 6 can be surely prevented.例文帳に追加

しかも、前記リブ１０と係合するストッパ部１１を、ヒンジレインフォース１２に一体に形成してあるため、部品点数が増えることがなく、組み付け工数やコストを増やさずに、ドアガラス６の昇降によるグラスラン８のずれを確実に防止することができる。 - 特許庁

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

To provide a method for producing flocking piles made of a conjugate fiber and easy to be divided without impairing flight property in flocking, capable of imparting high-grade superfine or long-pile flocked article not causing dislocation and pile damage.例文帳に追加

植毛時の飛翔性を損なうことなく、毛抜けやパイル損傷のない高品位の極細または長毛足植毛品を得ることができる、複合繊維による易分割性の植毛用パイルの製造方法ならびに植毛品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely prevent the dislocation of a core drill device in relation to the ground without needing a long working time and an additional apparatus and without receiving the restriction of the surface properties of the ground to be bored and to easily do transportation by one operator.例文帳に追加

多くの作業時間や追加設備を要したり、穿孔対象である地盤の表面性状の制約を受けたりすることなく、コアドリル装置を地盤に対して確実にズレ動かないようにすることができ、作業者一人でも容易に搬送できるようにする。 - 特許庁

To provide a recording position control method by which dislocation does not occur in the recording position of a recording medium even when slight meandering occurs during recording operation in an inkjet recording device using a plurality of printing heads arranged in a convey direction of the recording medium.例文帳に追加

記録媒体の搬送方向に複数配置された記録ヘッドを用いたインクジェット記録装置において、記録動作中に僅かな蛇行が生じた場合であっても、記録媒体の記録位置にずれが生じることのないような記録位置制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waterproof apparatus and a waterproofing method, with which installation work in a work site can easily and speedily be performed even if twist occurs in a cable, dislocation of a seal member after installation is prevented and degradation of sealing performance can be prevented.例文帳に追加

ケーブルに撚りが生じている場合であっても、作業現場において設置作業を簡単かつ迅速に行い得るとともに、設置後にシール部材が位置ずれすることを防止し、シール性が低下することを防止し得る防水装置、および防水方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, since the plate-like oxygen precipitate is hardly formed in a device process, occurrence of dislocation starting from the oxygen precipitate can be prevented even when LSA processing is performed after passing through various kinds of thermal history in the device process.例文帳に追加

これにより、デバイスプロセスにおいて板状酸素析出物が形成されにくいことから、デバイスプロセスにて種々の熱履歴を経た後にＬＳＡ処理を行った場合であっても、酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 - 特許庁

This method includes an annealing step, i.e. a step for annealing the element, under an atmosphere having a base of a mixture of at least an oxidizing gas and a neutral gas, capable of oxidizing selectively the dislocation generated in the crystalline germanium based surface layer.例文帳に追加

この方法は、アニールするステップを、すなわち、ゲルマニウム系の結晶表面層に発生した転位を選択的に酸化させることができる、少なくとも酸化ガスと中性ガスとの混合物であるベースを有する雰囲気中でエレメントをアニールするステップを、備える。 - 特許庁

The control of the density of the dislocation is carried out by suppressing the width of a half value in the X-ray diffraction of a base powder to low, or by the method of not applying a pressure of >100 kgf/cm2 in the steps before obtaining the sintered compact, or by sintering with nitrifying reaction of Si powder.例文帳に追加

転位密度の制御は、原料粉末のＸ線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で１００ｋｇｆ／ｃｍ^2を越える圧力を加えない方法、又はＳｉ粉末の窒化反応焼結による。 - 特許庁

To provide an inexpensive and easy-to-improve heat treatment boat capable of using over a long term in which occurrence of slip dislocation and contamination can be prevented effectively when a semiconductor wafer, or the like, is heat treated in a vertical heat treatment furnace.例文帳に追加

縦型熱処理装置により半導体ウエーハ等を熱処理する際、スリップ転位や汚染の発生を効果的に防止することができ、しかも、安価であって、改良が容易であり、さらに長期間にわたって使用することができる熱処理ボートを提供する。 - 特許庁

The control part 110 receives the information regarding the dislocation of the capillary needle 101 from the capillary needle-moving mechanism part 108 and indicates injection of the medical fluid to the injection mechanism part 111, when the capillary needle 101 is drawn up to a prescribed position, after the capillary needle 101 is maximally protruded.例文帳に追加

制御部１１０は、キャピラリ針移動機構部１０８からキャピラリ針１０１の長手方向の変位の通知を受け、キャピラリ針１０１が最大限に突き出された後、所定の位置まで引き上げられた時に、吐出機構部１１１へ薬液の吐出を指示する。 - 特許庁

To provide a saddled snap tap for surely preventing a slip or dislocation in the rotational direction and the shaft direction after being installed in a soft distributing water pipe of the saddled snap tap particularly when applying painting to a saddle body or a saddle band.例文帳に追加

サドル付き分水栓の軟質配水管への取付け後の回転方向及び軸方向での滑り或はズレを確実に、特にサドル本体或はサドルバンドに塗装が施されているような場合であっても、確実に防止できるサドル付き分水栓を提供する。 - 特許庁

Herein, the first carrying part 4 holds the printed sheet PS on its downstream side in the carrying direction, held by the carrying mean 55, while the carrying mean 55 holds the printed sheet PS, therefore suppressing the dislocation of the printed sheet PS being carried.例文帳に追加

ここで、第１搬送部４は、搬送手段５５が被印刷シートＰＳを挟持している間にその搬送手段５５が挟持する被印刷シートＰＳの搬送方向下流側を挟持するので、搬送に伴う被印刷シートＰＳの位置ずれを抑止することができる。 - 特許庁

The film 40 overlies the substance 30 such that the substance 30 is substantially trapped in the bottom of the container 10, thereby substantially preventing dislocation of the substance 30 thus preventing an undesirable scattering of the substance 30 along the sidewalls of the container 10.例文帳に追加

フィルム４０は、物質３０が容器１０の底に実質的に閉じ込められ、それによって物質３０の転置を実質的に防ぎ、その結果、物質３０の容器１０の側壁に沿った望ましくない散乱を防ぐ形で物質３０の上に重なる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a larger high quality bulk single crystal of silicon carbide with low 1c screw dislocation defect levels in a crystal formed in the seeded sublimation system in order to reduce the total number of defects in the manufactured crystal.例文帳に追加

製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress both misfit dislocation and a stacking fault (SF) of an epitaxial silicon wafer based on a silicon crystal substrate with low electric resistivity doped with an electric-resistivity decreasing dopant, such as phosphorus, and germanium together during growth of silicon crystal.例文帳に追加

シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。 - 特許庁

An output waveform, since the rising intervals T01 and T10 of output waveforms vary in accordance with main scanning dislocation due to a difference in oscillation wavelength between the LD0 and the LD1 on the photosensitive drum, the device corrects the waveforms by changing the main scanning magnification.例文帳に追加

出力波形は、その立下り間隔Ｔ０１，Ｔ１０が、ビームの感光体ドラム上でのＬＤ０とＬＤ１の発振波長の違いに起因する主走査位置ずれに応じて変化しているので、これを主走査倍率を変更することにより補正する。 - 特許庁

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve.例文帳に追加

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。 - 特許庁

Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a high durability belt for an electrophotographic apparatus capable of preventing the tendency of elongation and curl in an environment at room temperature or at a temperature of 32°C and a humidity of 80%, less liable to cause dislocation in superposition of toner images, and capable of forming a high accuracy image.例文帳に追加

常温や温度３２℃、湿度８０％の環境下において、伸びや巻き癖の発生を防止することができ、トナー画像の重ねずれが生じにくく、高精度の画像を形成することができる高耐久性の電子写真装置用ベルトを提供する。 - 特許庁

To provide a toilet with a shower which can prevent the dislocation of a connecting portion due to hydraulic pressure of a shower, by providing an engaging means at the connecting portion.例文帳に追加

本発明は、接続部に係止手段を設けることにより、シャワー使用時の水圧で該接続部が外れるのを防止出来、更に該接続部を着脱可能に固定することにより、ノズルやプラグ内部を容易に清掃出来るシャワー付便器を提供することを課題とする。 - 特許庁

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When there is the positional dislocation between the both, by adjusting an installation position of the door striker 20 so that the leg part 24A is inserted into a recessed part 42F provided in the engaging part 42E, the door striker 20 is accurately positioned to the door lock mechanism 16.例文帳に追加

そして、両者の間に位置ズレがある場合には、係合部４２Ｅに設けられた凹部４２Ｆ内に脚部２４Ａが挿入されるようにドアストライカ２０の取付位置を調整すれば、ドアストライカ２０がドアロック機構１６に対して正確に位置決めされる。 - 特許庁

In order to cope with fluctuation or dislocation of the air gap G between the primary coil 1 and the secondary coil 4, the area of a magnetic core 14 added to the primary coil 1 and the secondary coil 4 can be changed, and the inductance of the primary coil 1 and the secondary coil 4 is variable.例文帳に追加

そして、１次コイル１と２次コイル４間のエアギャップＧ変動や位置ずれに対応すべく、１次コイル１や２次コイル４に付設された磁心コア１４の面積が変更可能、そして１次コイル１や２次コイル４のインダクタンスが可変となっている。 - 特許庁

The auxiliary particles are discharged onto a photosensitive drum 1 by applying a discharging bias to the developing roller 8 by a developing bias power source 13 between sheets of paper and the auxiliary particles are temporarily stuck on a transfer roller 5 by applying a dislocation bias to the transfer roller 5 from a transfer bias power source 14.例文帳に追加

そこで、紙間中に、現像バイアス電源１３により現像ローラ８に吐出バイアスを印加して補助粒子を感光ドラム１上に吐き出させ、この補助粒子を転写バイアス電源１４により転写ローラ５に転移バイアスを印加して転写ローラ５に一時的に付着させる。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

A rotary anode X-ray tube is configured so that a cathode 1 is installed in dislocation from the tube axis in such a way as confronting a tungsten disc of a rotary anode 4 to make high speed rotation, wherein the cathode 1 is composed of a filament 2 and a convergence electrode 9 having a W sputter preventive wall 5.例文帳に追加

回転陽極Ｘ線管は、高速回転する回転陽極４のタングステンディスクと対向して陰極１が管軸から外れた位置に配置され、陰極１はＷ飛散防止壁５を有する集束電極９とフィラメント２から構成されている。 - 特許庁