「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate which can grow an A axis oriented nitride-based semiconductor on an R surface sapphire substrate in a selected transverse direction, and to provide an epitaxial substrate manufactured by this method which has a low threading dislocation density and an excellent surface flatness.例文帳に追加

A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

This instrument facilitates making A/P precisions in the femur for placement of a femoral prosthesis component to maintain an optimum symmetric flexion gap G, which will avoid the risk of medial or lateral laxity in flexion, instability of articulating component dislocation.例文帳に追加

この器具は、大腿部プロテーゼ部品を配置して最適な対称形の曲げギャップＧを維持するために大腿骨にＡ／Ｐ切除部分を形成することを容易にし、これにより、曲がったときに中間又は側方の不正確さ、関節部品の脱臼の不安定性の危険性を回避する。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

A space 16 capable of correcting positional dislocation between the X direction being the longitudinal direction and the Y direction being the horizontal direction before constituting joining structures 17 and 18 by allowing relative displacement between these Macpherson strut 2 and fender 5, is arranged between the Macpherson strut 2 and the fender 5.例文帳に追加

マクファーソン・ストラット２とフェンダ５との間に、これらマクファーソン・ストラット２とフェンダ５との相対変位を許容することで、接合構造１７、１８を構成する前に長手方向であるＸ方向と横方向であるＹ方向との位置ずれを補正可能な空間１６が設けられる。 - 特許庁

To provide a solar cell, made from a compound semiconductor layer hetero-epitaxially grown on a substrate though, which permits a carrier generated by absorbing sunlight spectrum to be extracted efficiently without causing it to recombine in a dislocation-related trap.例文帳に追加

基板上に化合物半導体からなる層をヘテロエピタキシーで成長して作製される太陽電池であっても、太陽光スペクトルを吸収して発生するキャリアを、転位に関連するトラップで再結合させずに効率よく取り出すことができる構造を備える太陽電池を提供する。 - 特許庁

Thus, even if the impact position of a liquid is dislocated at the liquid jetting section of the medium to be jetted corresponding to the connected section between the individual liquid jetting heads, the amount of dislocation can be reduced and therefore, the liquid jetting precision at the liquid jetting section can be increased.例文帳に追加

これにより、各液体噴射ヘッド間のつなぎ部に対応する被噴射媒体の液体噴射部分において、液体の着弾位置がずれてもそのずれ量を小さくすることができるので、当該液体噴射部分における液体噴射精度を向上させることができる。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor substrate where mass productivity and yields are improved, penetration dislocation is reduced, and crystallinity is excellent in a manufacturing method of the nitride semiconductor substrate for enabling a nitride semiconductor to be subjected to epitaxial growth on the substrate without using protective films.例文帳に追加

基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の製造方法において、量産性及び歩留まりを向上させ、かつ貫通転位を低減させた結晶性のよい窒化物半導体基板を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal capable of suppressing a crystal defect or dislocation induced on a gallium nitride layer due to the lattice unconformity thereof with a substrate in the lamination of the gallium nitride layer having a practical substrate thickness on a different substrate, and also provide the gallium nitride crystal produced by the method.例文帳に追加

実用的な基板厚さの窒化ガリウム層を、異種基板に積層させる際、基板との格子不整合に起因して窒化ガリウム層に誘起される結晶欠陥もしくは転位を抑制することが可能な窒化ガリウム結晶の製造方法および、窒化ガリウム結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a nitride semiconductor including at least one of Al, Ga, and In capable of reducing the dislocation density in an epitaxial-grown semiconductor layer and of being used as a practical device such as FET or HEMT.例文帳に追加

Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of largely improving a yield of a compound semiconductor single crystal with good quality and less crystal defect such as dislocation in the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal such as GaAs by a liquid sealing Czochralski method.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for confirming a position where OSF or a nucleus of the OSF hard to be detected is present in the case of a silicon single crystal containing oxygen in low concentration and a method for detecting a dislocation cluster, and to improve the quality of the silicon single crystal by utilizing these methods.例文帳に追加

低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいＯＳＦあるいはＯＳＦの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。 - 特許庁

A supply amount of material of the InAs layer 4b is made to be not larger than a half of that of the InAs layer 4a, so that the quantum dots of the InAs layers 4a and 4b are nearly equalized to each other to suppress dislocation etc. to form a high-quality multilayered quantum dot.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層４ｂの材料供給量は、ＩｎＡｓ層４ａの材料供給量の半分以下にすることによって、ＩｎＡｓ層４ａ，４ｂの量子ドットの大きさをほぼ等しくすることができ、転位などを抑制し、高品質の多層量子ドットが形成される。 - 特許庁

The screw is made to penetrate the lid of the lid fixing structure, and a hat-shape guiding member is so fixed as to cover a dislocation preventing member, thereby guiding for a direction of the lid fixing screw becomes possible, and the positions of the fixing screw and the screw seat are easily set.例文帳に追加

蓋固定構造の蓋に、ねじを貫通させ脱落防止用部材に覆い被せるようにして帽子状の案内用部材を取付けることにより、蓋取付け固定用ねじの方向をガイドすることが可能となり、取付けねじとねじ座の位置が容易に定まるようになる。 - 特許庁

To provide a component transfer apparatus which can effectively prevent component suction failure due to the dislocation of coordinates between a transferring head and an imaging means, having the imaging means for recognizing the suction position which is transferable, independently of the transfer heads.例文帳に追加

移載ヘッドと独立して移動可能な吸着位置認識用の撮像手段を備えながら、これら移載ヘッドと撮像手段との間の座標系のずれに起因した部品の吸着ミスの発生を効果的に防止することが可能な部品移載装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, even if the battery 155 is charged and excessive downward energizing force F_1 is acted on the lid holding body 152, since the lid holding plate 152 is charged with an upward energizing force F_2 by pressing-in, the lid holding plate 152 is hardly deformed, to prevent the dislocation of the battery lid 5.例文帳に追加

したがって、電池１５５が装填され、下方向の過大な付勢力Ｆ1 が蓋保持板１５２に作用したとしても、上記圧入による上向きの付勢力Ｆ2 が蓋保持板１５２にチャージされていることから蓋保持板１５２の変形が生じにくく、電池蓋５のずれが防止できる。 - 特許庁

To provide an optical lens element assembly body capable of finding a specific attitude relation hard to cause practical axial dislocation on both optical lens elements regardless of an manufacturing error of the two optical lens elements lens surfaces of which are formed on one end surfaces and which are optically and serially connected to each other and arranged on a standard surface.例文帳に追加

一方の端面にレンズ面が形成されかつ相互に光学的に直列に結合されて基準面上に配置される２つの光学レンズ素子の製造誤差に拘わらず両光学レンズ素子に実用的な軸ずれを生じにくい特定の姿勢関係を見出す。 - 特許庁

The image forming device stores correction information to correct the image forming position of an image to be formed in each of split areas splitting a recording medium into a plurality of areas as correction information to correct the amount of dislocation of the scanning line of exposure light with respect to an exposure light scanning direction on an image carrier.例文帳に追加

像担持体上の露光走査方向に対する露光光の走査線のずれ量を補正するための補正情報として、記録媒体を複数の領域に分割する各分割領域に形成される画像の画像形成位置を補正するための補正情報を記憶する。 - 特許庁

To provide a method for easily and inexpensively manufacturing a P-doped silicon single crystal which is composed of an indefective area without including a V area, an OSF area, and a huge dislocation cluster (LSEPD, LFPD) area and has a high pressure resistance and excellent electrical properties.例文帳に追加

例えば、Ｖ領域、ＯＳＦ領域および巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）領域を含まない、高耐圧の優れた電気特性を持つ無欠陥領域のＰドープシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By this, not only a short SD card 50 but also a long SD card 60 can be used, and the long SD card 60 attached at a predetermined position can be securely held, which can prevent dislocation or coming off of the SD card 60 due to vibration or the like.例文帳に追加

これにより、短寸のＳＤカード５０だけでなく長寸のＳＤカード６０にも対応させることができ、また、所定位置に装着されているＳＤカード６０を確実に保持することができるので、振動等に起因するＳＤカード６０の位置ずれや飛び出しを防止することができる。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a member for reinforcing a ruled line for folding which makes a ruled line part be folded precisely by reinforcing the ruled line part formed in an extraction process in order to prevent pasting dislocation in a process for folding and pasting the ruled line part for forming a corrugated cardboard product.例文帳に追加

本発明は、段ボール製品を形成するための罫線部の折り曲げ、糊貼り工程の際、貼りズレを起こさないようにするために、抜き工程で形成する罫線部分に補強を施して、罫線部分を精度良く折曲可能とする折曲用罫線補強部材を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for producing silicon single crystals, where the success rate in the elimination of dislocation is improved, further, the minimum diameter in the vicinity of seed crystals is prevented from being made smaller than the diameter wherein single crystal rods can be pulled up, to attain large diameters, and the productivity of the single crystal rods with high weight is improved.例文帳に追加

無転位化の成功率を向上し、また、種結晶付近の最小直径が単結晶棒の引き上げに可能な直径よりも細くなることを防止して、大直径化して高重量の単結晶棒の生産性を改善させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric wire moving device for the terminal work of a shielded cable which positions a ground terminal to be fixed at the inserting terminal point by clamping on the end of the outer coat, sends the cable to a press-fitting station preventing dislocation of the terminal and stops the movement of the terminal at clamping.例文帳に追加

シールドケーブルの端末加工において、外皮端上にカシメ固定するアース端子を挿入終点に位置決めし、その端子の位置ずれを防止してケーブルを圧着ステーションに送り込み、カシメ時に端子の動き止めを行う機能をもった電線移送装置を提供する。 - 特許庁

To suppress dislocation from a regular position or the like even if inclination operation of a mirror is repeated a plurality of times and to enhance accuracy of position control of the mirror in a control device of an interlocking mirror for switching the regular position and a set position by inclining the mirror for an automobile interlocking with an external signal.例文帳に追加

外部信号に連動して自動車用ミラーを傾動させて、定常位置と設定位置とを切り換える連動ミラーの制御装置において、ミラーの傾動操作を複数回繰り返しても、定常位置等からずれていくことを抑え、ミラーの位置制御の精度を向上させる。 - 特許庁

In positioning E of the pattern in a variable pattern, a position correcting pattern for rotatably moving a pattern display body at a required positioning speed is selected and set, and a moving distance corresponding to a dislocation quantity of a step unit caused in driving of a motor is obtained in a specific time.例文帳に追加

変動パターンにおける図柄の位置合わせＥでは、図柄表示体を所要の位置合わせ速度で回転移動させる位置補正パターンを選択設定して、モータの駆動中に生ずるステップ単位のずれ量分に対応する移動量が、一定時間で得られるようにする。 - 特許庁

The frame of the sheave structure 1 contains two plate parts 2 and 2' joined with each other and this frame simultaneously provides a suspension device for the sheave, at least one suspension point 8 from which the sheave structure 1 is suspended, and a protection device 9 to prevent dislocation of the winding rope 6 from the sheave.例文帳に追加

綱車構体（１）のフレームは互いに接合された２つの板部品(２、２’)を含み、これは、綱車用の懸架装置と、綱車構体（１）を吊す少なくとも１つの懸架点（８）と、巻上げロープ（６）が綱車から外れるのを防止する防護装置（９）とを同時に提供する。 - 特許庁

Accordingly, by using the layer B independent of the ground substrate side as a new crystal growth substrate, the high quality semiconductor crystal layer C (GaN single crystal) can be obtained without dislocation or crack coming up with a stress caused by the differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between the layer C and the ground substrate side.例文帳に追加

したがって、下地基板側から独立したこの保護層Ｂを新たな結晶成長基板とすれば、下地基板側との格子定数差や熱膨張係数差等に起因する応力に伴う転位やクラックが発生せず、高品質な半導体結晶層Ｃ（ＧａＮ単結晶）が得られる。 - 特許庁

To provide a connecting fitting for a unit house capable of connecting and assembling the corner butt parts of four units in the aligned state without dislocation and preventing step difference from being formed between the columns and between partition walls of the adjacent units and preventing an interior board from inclining.例文帳に追加

４基のユニットのコーナの突き合わせ部を、位置ずれなく整列させた状態で連結組立することができて、隣接するユニットの柱間や間仕切壁間に段差が生じたり、内装板が斜めになったりするのを防止することができるユニット住宅用連結金具を提供する。 - 特許庁

When the inner pot 10 is set in a cooker body 20, the recessed part 16 is functioned to position a heat sensing part 27A of the temperature sensor 27 and prevent its dislocation and surely brings the heat sensing part 27A in contact with a part with a thin wall thickness.例文帳に追加

このような構成によれば、内釜１０を炊飯器本体２０にセットする際に、この窪み部１６が温度センサ２７の感熱部２７Ａに対する位置合わせ、位置ずれ防止としても機能するから、感熱部２７Ａを壁厚が小さくされている部分に確実に接触させることができる。 - 特許庁

To provide a boat for heat treatment in which a contact stress being applied from the wafer mounting part of the boat to a wafer is relaxed when the wafer is held horizontally in a vertical heat treatment system and slip dislocation does not take place at the time of heat treatment even after use of a long time.例文帳に追加

ウエーハを水平に保持した縦型の熱処理装置などでウエーハを保持する際に熱処理用ボートのウエーハ載置部がウエーハに与える接触応力を緩和し、更に長時間使用しても熱処理時にスリップ転位が生じないような熱処理用ボートを提供する。 - 特許庁

To improve quality by reducing slip dislocation or the like in an SOI wafer manufacturing method for making an epitaxial layer to grow on an SOI layer of an SOI wafer constituted of forming an oxide film and the SOI layer on a base wafer to thicken the SOI layer.例文帳に追加

ベースウエーハ上に酸化膜およびＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハのＳＯＩ層上にエピタキシャル層を成長させてＳＯＩ層を厚くするＳＯＩウエーハの製造方法において、スリップ転位等の少ない高品質なＳＯＩウエーハを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To secure a sealing property in addition to high joint strength in mutual joining of tubular members through an intermediate member by allowing the joining in a wide joint area without providing a flange or the like, and by suppressing dislocation of the intermediate member prior to the joining.例文帳に追加

中間部材を介して管部材同士を接合する場合に、フランジ等を設けることなく、広い接合面積で接合できるようにするとともに、接合までの間に中間部材の位置ずれを抑制できるようにし、高い接合強度を得るとともに、シール性を確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a highly-sensitive nondestructive measuring method of a secular deterioration of the strength of a ferromagnetic structural material, capable of inspecting nondestructively the dislocation density and its distribution change in the pre-stage of crack generation, and capable of nondestructive measurement with a compact magnetic yoke and a small-capacity exciting power source.例文帳に追加

亀裂が発生する前段階での転位密度及びその分布の変化を非破壊的に検査でき、しかも小型の磁気ヨークと小容量の励磁電源で非破壊測定が可能な、高感度の強磁性構造材強度の経年劣化非破壊測定方法を提供することにある。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

When the male connector M is inserted through the hole 4 and held provisionally, positional dislocation within the hole 4 is prevented, and a rubber ring 15 mounted on the tail of the male housing 10 can be abutted normally to the whole circumference of the opening edge at the rear surface of the hole 4.例文帳に追加

そのため、雄コネクタＭが取付孔４に挿通されて仮保持された場合に、取付孔４内で位置ずれすることが防止され、雄ハウジング１０の後端部に装着されたゴムリング１５を取付孔４の裏面の口縁の全周に正規に当接させることができる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal, with which the generation rate of twin crystals in a diameter increasing part of the crystal is suppressed and a single crystal having a low dislocation density can be grown in a high yield in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法又は垂直温度勾配凝固法において、結晶の増径部において双晶の発生割合を少なくし、低転位密度の単結晶を歩留り良く育成することのできる化合物半導体結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

Plural claws 71 are arranged in the direction orthogonal to a collar surface in an outer peripheral part of a collar ring 7, and an outer peripheral part of a fixed ring 1 is connected by the claws 71 by energizing force of the claws 71 to prevent separation and positional dislocation of both at transport time to simplify work at installing time.例文帳に追加

つば輪７の外周部につば面に直交する方向に複数の爪７１を設け、当該爪７１で固定リング１の外周部を、爪７１の付勢力によって連結することにより、運搬時の両者の分離や、位置ずれを防止して、組み付けの際の作業を簡素化する。 - 特許庁

A heat-generating material is coated on the panel of a CRT and an electric current is applied thereto to thermally expand the panel so as to correspond to thermal expansion of a shadow mask, thereby reducing the relative positional deviation between a through hole on the surface of the shadow mask and a fluorescent material on the internal surface of the panel to correct the landing dislocation.例文帳に追加

ＣＲＴのパネルに発熱体を塗膜して通電することにより、シャドーマスクの熱膨張に対応するようにパネルを熱膨張させ、シャドーマスク表面の貫通孔とパネル内面の蛍光体との相対的な位置ずれを減少させてランディングズレを補正する。 - 特許庁

The relations L1, L2 and L3 between a permissible temperature difference ΔT and the diameter D of a seed crystal 14 are preset in such a manner that the temperature difference between the seed crystal 14 and the melt 5 when the seed crystal 14 lands on the melt 5 attains the permissible temperature difference ΔT at which dislocation is not introduced into the seed crystal 14.例文帳に追加

着液する際の種結晶１４と融液５との温度差が、種結晶１４中に転位が導入されない許容温度差ΔＴになるように、許容温度差ΔＴと種結晶１４の直径Ｄとの関係Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が予め設定される。 - 特許庁

To provide a repairing tool for a molding which can materialize a high recovery of the minute unevenness of a repair part and minimize the dislocation of a pattern and the level difference of the repair part in repairing a molding having the minute unevenness on the surface and a repairing method using the tool.例文帳に追加

微細凹凸を表面に有する成形品の補修において、補修部の微細凹凸の高復元率を実現し、パターンのズレや補修部の段差を最小限に抑えることができる成形品のための補修具及びそれを用いた補修方法を提供する。 - 特許庁

To guide suture thread in and out of a joint without usual needles during the arthroscopic meniscus repair surgery, the suture of anterior and posterior cruciate ligaments, tendon repair surgery in sholder and the suture of shoulder joint dislocation, and pull the suture needle out during the surgeries.例文帳に追加

関節鏡視下の膝半月板修復術および前十字靭帯、後十字靭帯縫合術、肩における腱板修復術および肩関節脱臼の関節縫着術の縫合を行う際、従来の針を使用せずに縫合糸を関節内外に誘導し、かつ縫合針を術中離脱する。 - 特許庁

While a crystal is growing, at least two of the crucible, the heater, and the shield are moved vertically, and generation of surface sub-boundary and dislocation, prevention of hitting the bottom, controllability of diameter, etc., are regulated with good balance to obtain a high quality single crystal comparatively easily.例文帳に追加

結晶成長中に，前記るつぼ，ヒータ，シールドのうち少なくとも２つを昇降させることにより，表面亜粒界や転位の発生の抑制，底付きの防止，直径制御性等をバランスよく調整し，品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。 - 特許庁

In this film forming process, the temperature at the striped areas having a pattern related to the striped pattern of the grooves 24 or the striped metal film 31 formed in the back side 21b of the sapphire substrate body 21 is selectively raised, and thereby the dislocation density at the surfaces of these areas is made extremely low.例文帳に追加

この成膜過程中、サファイア基板本体２１の裏面２１ｂに形成した溝２４または金属膜３１のストライプ状パターンに関連したパターンを有するストライプ状領域の温度が選択的に高くなり、この領域の表面での転位密度は非常に小さくなる。 - 特許庁