「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, the bolts 17 and 19 are put in alignment in the direction to the front and rear of the vehicle body to cause the dislocation in the vehicle width direction to lessens, which lessens the moment willing to pry the knuckle 13 by the load F toward the back of the vehicle body, and it is possible to reduce the load applied to the bolts 17 and 19 and heighten the durability.例文帳に追加

その結果、前後のボルト１７，１９が車体前後方向に整列して車幅方向のずれが小さくなり、車体後方への荷重Ｆがナックル１３を捩じろうとするモーメントが小さくなることで、ボルト１７，１９に加わる荷重を低減して耐久性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a dislocation preventing device for a packing of a tightly closable lid which prevents a sealing packing from being dislocated when the tightly closable lid is closed and opened, conducts smooth automatic opening and closing operations of the tightly closable lid, exactly takes out a wafer from FOSB (Front Opening Shipping Box) and houses it therein in cooperation with an automatic transferring apparatus.例文帳に追加

密閉蓋の開閉時に発生するシール用パッキンの外れを防止し、密閉蓋の自動開閉が円滑に行われ、自動搬送装置と併せてＦＯＳＢ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｓｈｉｐｐｉｎｇ Ｂｏｘ）からウエーハの取り出し、収納が確実に行われる密閉蓋のパッキン外れ防止装置を提供する。 - 特許庁

The magnetized carbon nanotubes and the magnetized carbon nano structure are obtained as follows; in carbon nanotubes and a carbon nano structure having zigzag ends at opposite both ends, hydrogen is added in surplus to carbons situated at both the ends and dislocation occurs between hydrogen atoms added to the groups of carbon atoms, accordingly spin moment is applied.例文帳に追加

対向する両端にジグザグ端を有する炭素ナノチューブおよび炭素ナノ構造において、該両端に位置する炭素に水素が過剰付加され、該炭素原子の集団に付加される水素原子数相互間にずれが生じ、その結果スピンモーメントが付与されてなる磁化炭素ナノチューブおよび磁化炭素ナノ構造。 - 特許庁

The objective absorbing goods are provided with a liquid permeable surface sheet 2, a liquid impermeable and breathable leak-proof sheet 3 and a liquid keeping absorbing body located between both sheets, in which a flap part 6 extended to outside of width direction is formed and an adhesive 7 for preventing dislocation is arranged on the side not contacted with skin.例文帳に追加

液透過性の表面シート２、液不透過性且つ通気性の防漏シート３、及び両シート間に介在された液保持性の吸収体４を備え、幅方向の外方に延出するフラップ部６が形成され、その非肌当接面側にズレ止め用の粘着剤７が配設された吸収性物品である。 - 特許庁

To provide a pressure fitting mounting method and a device therefor for ceramic catalyst carrier wound with a non-intumescent mat into an accommodative outer cylinder to constitute part of the exhaust passage, capable of precluding inconvenience such as dislocation, breakage, etc. of the non-intumescent mat at the time of pressure fitting of the catalyst carrier.例文帳に追加

排気通路の一部を構成する収容外筒内へのセラミック触媒担体の圧入装着時における無膨張マットのずれや破損等の不具合の発生を防止することができようにした、無膨張マットを巻いたセラミック触媒担体の収容外筒への圧入装着方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide a film carrier tape for mounting electronic component in which a defect can precisely be marked on a target position on a mounting unit without fail and a recognition defect due to dislocation of a defect mark can be reduced at the time of mounting IC, and to provide a defect marking method of the film carrier tape for mounting electronic component.例文帳に追加

実装ユニット上の目標位置に精度よく、間違いなく不良マーキングを行うことができ、ＩＣ実装時などにおいて、不良マークの位置ずれによる認識不良が低減可能な電子部品実装用フィルムキャリアテープ、および電子部品実装用フィルムキャリアテープの不良マーキング方法の提供。 - 特許庁

In the silver halide emulsion (a), particles included in ≥50% of the projected area of the whole silver halide particles are planer particles having ≥5 aspect ratio and particles included in ≥50% of the projected area of the whole silver halide particles are planar particles having ≥30 dislocation lines in the fringe part per one particle.例文帳に追加

〈ハロゲン化銀乳剤ａ〉全ハロゲン化銀粒子の投影面積の５０％以上の粒子がアスペクト比５以上の平板粒子であり、全ハロゲン化銀粒子の投影面積の５０％以上の粒子がフリンジ部に１粒子あたり３０本以上の転位線を有する平板粒子からなるハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

Although tensile stress is applied to the SOG film 4b at a point in time of activation treatment of impurity ions introduced to the source/drain region 2c, generation of crystal defects in impurity diffusion regions 2a, 2b can be suppressed because of interposition of the O_3-TEOS film 4c, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域２ｃに導入された不純物イオンの活性化の処理の時点でＳＯＧ膜４ｂに引っ張り応力が発生するものの、Ｏ_３−ＴＥＯＳ膜４ｃが介在しているため結晶欠陥が不純物拡散領域２ａ、２ｂに発生することを抑制でき転位の発生を抑制できる。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by the above growth method is controlled to have carbon concentration in the range from 0.5×10^16 atoms/cm^3 to 15×10^16 atoms/cm^3 and has no dislocation site over the whole length in the longitudinal direction of a cylindrical part, and thereby, a silicon wafer with excellent ability of IG can be produced.例文帳に追加

この育成方法により得られるシリコン単結晶は、炭素濃度が０．５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜１５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲に制御され、直胴部の長さの方向全長にわたり有転位部位がないので、優れたＩＧ能力を有するシリコンウェーハを製造することができる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a single crystal capable of improving cooling capacity of a cooling cylinder without generating solidification or dislocation on the melt surface, heightening pulling speed at a production time of a defect-free single crystal, thereby improving productively and the yield of the single crystal, and suppressing power consumption.例文帳に追加

融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bridge fall preventing structure showing high absorbing capacity to tensile force caused by the dislocation of a bridge girder in case of a big earthquake by forming connecting members in braided structure to considerably increase the amount of elongation to tensile force in the bridge fall preventing structure connecting a bridge pier and the end of the bridge girder by the connecting member to prevent the fall of a bridge.例文帳に追加

本発明は橋脚と橋桁端部間を連結材で連結して落橋を防止するようにした落橋防止構造において、該連結材を編組構造にすることによって引張力に対する伸び量を大幅に増大し、大地震時の橋桁のズレに起因する引張力に対し高い吸収能力を示す落橋防止構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having high reliability and excellent characteristics, in which the meeting areas of growth layers are actually limited to one point, a growth area of which the size is 8 to 30 μm e.g. can be easily obtained as a growth layer having sufficiently low dislocation density and the growth layer has a shape suited to the formation of a light emitting diode.例文帳に追加

成長層の会合領域が事実上一点に限られ、転位密度が十分に低い成長層として大きさが例えば８〜３０μｍのものを容易に得ることができ、しかもその成長層は発光ダイオードの形成に適した形状を有し、信頼性および特性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

As a result, the rigidity of the outermost peripheral web 5c can be enhanced without thickening the thickness of the outermost peripheral web 5c, a tooth part 6 can be highly accurately molded, deformation (for example, a rotational directional dislocation quantity of the tooth part 6 and a shaft supporting part 4) to external force can be reduced, and the rotation transmitting accuracy can be improved.例文帳に追加

その結果、最外周ウェブ５ｃの肉厚を厚くすることなく最外周ウェブ５ｃの剛性を高めることができ、歯部６を高精度に成形することができると共に、外力に対する変形（例えば、歯部６と軸支持部４の回転方向へのずれ量）を小さくすることができ、回転伝達精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A dislocation stopper arranged on a concrete floorboard 4 and this sleeper 1 arranged on height adjusting concrete 5 are a π-shaped sleeper 1 for forming a rail just under part in a projecting shape by arranging a cutout on the central part lower side and the rail both end lower sides between rails 3, and an elastic material 6 is installed on a projecting-shaped part surface of the sleeper.例文帳に追加

コンクリート床版（４）上に設置されたズレ止めおよび高さ調整コンクリート（５）上に設けられるマクラギ（１）が、レール（３）間の中央部分下側およびレール両端部下側に切り欠きを設けてレール直下部を凸形にしたπ形形状マクラギ（１）であり、マクラギの凸形部の面に弾性材（６）が取り付けられるようにしたものである。 - 特許庁

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride.例文帳に追加

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 - 特許庁

To provide a display system for a vehicle and a motor control device, used for this system, which reduces the occurrence of momentary dislocation in a display position of an image, even when at least any one of a display position adjusting switch and a vehicle ignition switch is operated for OFF in the middle of moving a rotor to the next excitation stable point.例文帳に追加

回転子が次の励磁安定点へ移動する途中に表示位置調整用スイッチ及び車両のイグニッションスイッチの少なくともいずれか一方がオフ操作された場合であれ、画像の表示位置に一瞬のずれが生じることを低減することのできる車両用表示システム及びこのシステムに用いられるモータ制御装置を提供する。 - 特許庁

In an operation part 50 regarding vibration proof control, a movement instruction means 54A is provided, which manually adjusts a reference position where the vibration proof lens group 40 is fixed when the vibration proof control stops, and thereby adjusting the reference position of the vibration proof lens group 40, and as a result, the sense of discomfort of the stereoscopic image due to dislocation of an optical axis can be eased.例文帳に追加

防振制御に関する操作部５０には、防振制御の停止時において、防振レンズ群４０が固持される基準位置を手動操作で調整する移動指示手段５４Ａが設けられており、これによって防振レンズ群４０の基準位置を調整することによって光軸のずれによる立体映像の違和感を軽減することができる。 - 特許庁

To provide a supporting tool for heat treatment, a heat treatment apparatus, a heat treatment method, a method of manufacturing substrate, and a method of manufacturing semiconductor device for manufacturing high quality semiconductor device and substrate, by controlling the occurrence of slip dislocation fault of substrate caused during the heat treatment and the occurrence of damage at the rear surface of the substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To obtain an adhesive having high adhesive strength without causing a dislocation to an adherend unless irradiated with ultraviolet rays of a specific wavelength region in a term when the adhesive strength is required and capable of being easily peeled from the adherend by irradiating the adhesive with the ultraviolet rays of the specific wavelength region in a term when peeling is required.例文帳に追加

接着力が必要な期間においては、特定波長域の紫外線を照射しない限り、高い接着力を有し、接着対象物にズレ等が生じることがなく、一方、剥離の必要がある場合には、特定波長域の紫外線を照射することにより、接着対象物を容易に剥離させることができる接着剤を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device, an image forming system and a program not generating dislocation in the order of special sheets inserted to printed matters by suitably delivering unnecessary tab paper even when a plurality of special sheet groups in which the plurality of different special sheets are arranged in a predetermined order to form one set are used to perform production of the printed matter.例文帳に追加

複数の相異なる特殊シートが所定の順序で配列されて１セットとなる特殊シート群を複数使用して印刷物の生成を行う場合でも、不要なタブ紙を適切に排出して印刷物中に挿入される特殊シートの順番にずれが生じないようにする画像形成装置、画像形成システム及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To obtain an airbag base fabric that has desired plane smoothness, coating film thickness, adhesiveness between a fabric and a silicone coating, hardly releases a coating material and a sealing material in application of a sealing material, has high strength, slight dislocation of meshes and is suitable in both cases of application and no application of a sealing material.例文帳に追加

所要の平面平滑性；コーティング膜厚；織布とシリコーンコーティングとの接着性を有し、シール材を塗布する場合に、コーティング材、シール材が剥がれにくく、強度が高く、目ズレが少なく、シール材を塗布する場合及びしない場合のいずれにも好適なエアバッグ用基布及びこの基布よりなるエアバッグを備えたエアバッグ装置を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 3 shown by AlbGa1-bN (0≤b≤1) is formed on a nitride semiconductor substrate 1, a first nitride semiconductor layer shown by AleGa1-eN (0≤e<1) is formed on it, and then a second nitride semiconductor layer 5 is grown by a method for reducing dislocation by utilizing the lateral growth of the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体基板１上に、Ａｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層３を形成し、その上に、Ａｌ_eＧａ_1-eＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層４を形成した後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第２の窒化物半導体層５を成長させる。 - 特許庁

A shape keeping place is arranged on a side surface of a supporter body, and a soft, fairly elastic and springy bending body is inserted and stored in six places in the whole supporter, and is surely bent while preventing the occurrence of dislocation of a side bone of the supporter by string-like cloth, to make motor muscles while being soft by its cushion and elasticity.例文帳に追加

サポーター本体の側面に保型場所を設置し、やわらかく、しかしかなりの弾性を持ち、バネ性のある屈曲体をサポーター全体でその６ヶ所に挿入収納し、サポーターのサイドボーンのズレが起こらないようひも状生地で防ぎながら確実に屈曲させ、そのクッションと弾性により、やわらかい、ながら運動筋肉を作る。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

The pivot shaft 31 is also inserted into a pivot hole 232 of the crankcase 23, and since a bearing member 33 is arranged between an outer peripheral surface of the pivot shaft 31 and an inner peripheral surface of the pivot hole 232, the pivot shaft 31 can smoothly rotate with respect to the crankcase 23, and can prevent dislocation in the axial direction of the pivot shaft 31.例文帳に追加

また、ピボットシャフト３１がクランクケース２３のピボット孔２３２に挿通され、ピボットシャフト３１の外周面とピボット孔２３２の内周面との間に軸受部材３３が設けられているので、ピボットシャフト３１はクランクケース２３に対してスムーズに回転できるとともに、ピボットシャフト３１の軸方向のずれを防止することができる。 - 特許庁

The third buffer layer 5 is provided for reducing threading dislocation and residual strain of the light emitting layer 6, improving planarity of a base of the light emitting layer 3, and moderating a piezoelectric field of the light emitting layer 6 by using carriers generated in the third buffer layer 5, and Si is added to the third buffer layer as an impure substance acting as a donor.例文帳に追加

第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor, by which the nitride semiconductor reduced in the dislocation and good in the crystallinity can be obtained, and to provide a nitride semiconductor element which is produced by using as a substrate the nitride semiconductor obtained by the method and exhibits good life characteristic.例文帳に追加

マスクとして用いられるＳｉＯ_2による上記の問題点を解決し、転位が低減され結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に本発明の方法により得られた窒化物半導体を基板とする寿命特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a building waterproofing method which facilitates positioning of mutual waterproofing plates in sticking large closed cellular waterproofing plates having a broad sticking surface to a building frame, also facilitates correcting dislocation of the waterproofing plates even when the waterproofing plates are abutted on each other while being dislocated, and enables an execution allowing the abutting portion to exhibit satisfactory desired waterproofing performance with ease.例文帳に追加

張り付け面の広い大きな独立気泡防水板を躯体に張り込む際に、その防水板同士の位置合わせが容易であり、位置ずれが生じたままで突き合わせた場合にも位置ずれを直しやすいと共に、突き合わせ部分に所望する防水性能を十分かつ容易に発揮できる施工が可能な建築物の防水工法を提供する。 - 特許庁

Relating to the photosensitive silver halide emulsion, normal crystalline silver halide grains having ≥50% proportion of (100) faces and dislocation lines occupy ≥50% of the total projected area and 10-8-10-4 mol one or more polyvalent metal ions based on 1 mol grain silver are contained in the silver halide grains.例文帳に追加

全投影面積の５０％以上が、（１００）面比５０％以上の転位線を有する正常晶ハロゲン化銀粒子であり、該正常晶ハロゲン化銀粒子内部に粒子銀量１ｍｏｌに対して１０^-8ｍｏｌ以上１０^-4ｍｏｌ以下の多価金属イオンを少なくとも１種以上含有する事を特徴とする感光性ハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pair of pivots 34 arranged in the swing arm 32 for supporting the rear wheel 24 are arranged so as to sandwich a crankcase 23 along the width direction of a vehicle body frame 11, and since a pivot shaft 31 is fixed by being inserted into an insertion hole 341 formed at the pivot 34, dislocation in the width direction of the vehicle body frame 11 of the wing arm 32 can be prevented.例文帳に追加

後輪２４を支持するスイングアーム３２に設けられた一対のピボット部３４が、クランクケース２３を車体フレーム１１の幅方向に沿って挟むように配置され、ピボットシャフト３１がピボット部３４に設けられている挿通孔３４１に挿通されて固定されるので、スイングアーム３２の車体フレーム１１の幅方向のずれを防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element which can increase an internal quantum efficiency using a gallium-nitride compound semiconductor having a reduced dislocation density, and also to provide a method for manufacturing a light emitting element which can avoid cracks in the light emitting element and increase a light output efficiency by simplifying a step of forming a substrate having an unevenness structure.例文帳に追加

転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, according to detection signals of gas leakage, dislocation of pipes generated by the pressure sensor 74 and an operating signal of the operating switch 77, a lever driving shaft 73 of the solenoid assembly 68 connected to the rear end part of the lever part 52 drives an opening and closing valve 47 with low power to shut of a gas flow from a nozzle outlet 45.例文帳に追加

従って、圧力センサ７４によるガス漏れや配管類の外れの検出信号及び操作スイッチ７７による作動信号に基づいて、レバー部５２の後端部に連結するソレノイド組立体６８のレバー駆動軸７３が低いパワーで開閉弁４７を駆動して、ノズル出口４５からのガス流を遮断することができる。 - 特許庁

The AlGaN layers 16, 18, and 20 including an AlGaN light-emitting layer 18 are formed thus on the GaN substrate 10 having a lattice constant close to that of AlGaN, so that a threading dislocation density introduced into the AlGaN layers 16, 18, and 20 is reduced significantly, as compared with conventional methods which use a sapphire substrate.例文帳に追加

このように、ＡｌＧａＮの格子定数と近い格子定数を有するＧａＮ基板１０上に、内部にＡｌＧａＮ発光層１８を含むＡｌＧａＮ層１６，１８，２０を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、ＡｌＧａＮ層１６，１８，２０の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。 - 特許庁

In the line head module 101, in consideration of dislocation of a plurality of light sources 72 from each other caused by the bending of a device board 10 at the time when driving IC chips 14 are mounted, the light sources 72 are arranged in appropriate positions on the device board 10 before the driving IC chips 14 are mounted on the device board 10.例文帳に追加

ラインヘッドモジュール１０１では、駆動用ＩＣチップ１４を実装する際に素子基板１０が湾曲することによって生じる複数の光源７２相互の位置ずれを考慮して、駆動用ＩＣチップ１４を素子基板１０上に実装する前に、予め各光源７２が素子基板１０上の適切な位置に配置されている。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whereby warpage of a wafer is reduced to a degree not causing a problem on device characteristics and handling of the wafer when a semiconductor layer is selectively grown on a mask by ELO growth, and a semiconductor laser by which warpage of the wafer is reduced in the case of LD while a dislocation density of a stripe light-emitting part is reduced.例文帳に追加

ＥＬＯ成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびＬＤにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a connecting method of a concrete case body capable of surely preventing the mutual dislocation of the concrete case bodies, particularly when thrust is nonuniformly applied to the joining end surface of the concrete case body in curved construction or the like, in the connecting method of the concrete case body successively juxtaposed in a parallel row to be buried in the ground and receiving the thrust of a jacking jack.例文帳に追加

地中埋設用として順次縦列に並べられ、推進ジャッキの推力を受けるコンクリート函体の接続方法において、曲線施工など特にコンクリート函体の接合端面に推力が不均一に加わる場合に、コンクリート函体同士のズレを確実に防止できるコンクリート函体の接続方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element having high light-emitting efficiency which can manufacture a vertical element forming a pair of electrodes on the top and bottom of a chip by employing a semiconductor substrate, prevents optical absorption on the substrate while maintaining high heat conductivity and reduces the dislocation density of a nitride semiconductor to be grown thereon.例文帳に追加

半導体基板を用いることでチップの上下に一対の電極を形成する垂直型の素子を作製でき、かつ、高い熱伝導性を維持しながら、基板での光吸収を防止すると共に、その上に成長される窒化物半導体の転位密度を低減し、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Transparent toner which has a lower glass dislocation point than colored toner in the 1st developing unit is charged in the 2nd developing unit, and consequently when the toner transferred to a recording material is heated and fixed, the toner image formed with the transparent toner is placed in a sticky state and used as a sticky layer.例文帳に追加

このとき、第２現像器には、ガラス転移点が第１現像器の有色トナーよりも低い透明トナーが充填されており、これにより記録材料に転写したトナー画像を加熱定着したときに、透明トナーによって形成したトナー画像が粘着状態となるようにし、このトナー画像を粘着層として用いることができるようにしている。 - 特許庁