「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for bonding ceramics substrates without dislocation of the substrates, without protruding an adhesive of the substrates and without generating bubbles on the interface, and to provide a bonding jig used for the method.例文帳に追加

複数のセラミックス基板を相互に接着するさいに、基板相互の位置ずれを生じさせず、接着剤がセラミックス基板の周囲からはみ出すことなく、接着面に気泡を残留させないセラミックス基板の接着方法およびその方法に用いられる接着治具を得ること。 - 特許庁

To provide a hot press apparatus and a hot press method for a thin plate-like workpiece where the sagging of a heat resistant elastic member is prevented, it is horizontally held without dislocation, and a thin plate-like workpiece is subjected to correct prescribed hot pressing under uniform pressure while the film member is prevented from expanding radially outwardly at an outer periphery thereof.例文帳に追加

耐熱伸縮性膜部材の垂れ防止して水平に位置ずれなく保持し、該膜部材を外周半径外側方向に拡がるのを防止しつつ、薄板状被加工部材に対して所定のホットプレス加工を均一な圧力下で正確なホットプレス加工を行う。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal under gripping the enlarged-diameter portion of the single crystal formed by CZ method, intended to grow and pull it in dislocation-free and stable state without causing its deformation or rupture even if the enlarged-diameter portion stands at high temperatures and the corresponding single crystal rod has a weight of as heavy as about 400 kg with large diameter.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部が高温であり、４００ｋｇ程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、無転位でかつ安定した状態で成長させ引き上げる。 - 特許庁

A boss part 46 as the bearing supporting part in which the sleeve 41 is installed, is provided with a groove mating with the projections 44 on the sleeve 41 and the engaging circular arc parts 45, whereby the sleeve 41 is prevented from dislocation in the radial direction even if the boss part 46 is thermally expanded to a larger extent than the sleeve 41.例文帳に追加

スリーブ４１が組み込まれる軸受支持部としてのボス部４６には、スリーブ４１の係合突起部４４および係合円弧部４５に対応した溝が形成されており、ボス部４６がスリーブ４１よりも大きく熱膨張してもスリーブ４１は径方向にずれることが防止される。 - 特許庁

Dislocation to the initial state is made when the positional relation between the two pipes and the sleeve has got the specified condition, followed by diameteric expansion of the sleeve, and uniform, tight attachment is generated with no gap existing between the sleeve peripheral surface and pipe inside surface, and fixation with a welded part with high precision and reliance can be executed easily.例文帳に追加

両管とスリーブとの位置関係が所望の状態になれば元にずらしてスリーブを拡径し、スリーブ外周面と管内周面との間に隙間がなくなり均等に密着するので正確で信頼性の高い溶接部Ｗによる固着が容易に施工できる。 - 特許庁

To provide a highly-sensitive nondestructive measuring method of a secular deterioration of the strength of a ferromagnetic structural material, capable of inspecting nondestructively the dislocation density and its distribution change in the pre-stage of crack generation, and capable of nondestructive measurement with a compact magnetic yoke and a small-capacity exciting power source.例文帳に追加

亀裂が発生する前段階での転位密度及びその分布の変化を非破壊的に検査でき、しかも小型の磁気ヨークと小容量の励磁電源で非破壊測定が可能な、高感度の強磁性構造材強度の経年劣化非破壊測定方法を提供することにある。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

When the male connector M is inserted through the hole 4 and held provisionally, positional dislocation within the hole 4 is prevented, and a rubber ring 15 mounted on the tail of the male housing 10 can be abutted normally to the whole circumference of the opening edge at the rear surface of the hole 4.例文帳に追加

そのため、雄コネクタＭが取付孔４に挿通されて仮保持された場合に、取付孔４内で位置ずれすることが防止され、雄ハウジング１０の後端部に装着されたゴムリング１５を取付孔４の裏面の口縁の全周に正規に当接させることができる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal, with which the generation rate of twin crystals in a diameter increasing part of the crystal is suppressed and a single crystal having a low dislocation density can be grown in a high yield in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法又は垂直温度勾配凝固法において、結晶の増径部において双晶の発生割合を少なくし、低転位密度の単結晶を歩留り良く育成することのできる化合物半導体結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

Then, the washer contact part of an end plate 3 is formed into a spherically-recessed receiving part for receiving an outer peripheral surface of the spherical washer 5, and a bolt hole 4 is shaped into an unfolded fan shape with an angle θ for permitting the aforementioned positional dislocation by making use of the receiving part as a base point.例文帳に追加

エンドプレート３のワッシャー当接部は球形状ワッシャー５の外周面５ｂを受容する球面凹状の受容部４ａに形成し、ボルト孔４は受容部４ａを基点として前記位置ずれを許容する角度θの末広がり形状に形成する。 - 特許庁

Thus, in the vertical semiconductor device such as a Schottky diode or a MOSFET which is formed by use of an epitaxial growing layer on the SiC substrate 10, the leakage failure disappears as caused by coincidence of the direction of the dislocation column DSL with the direction of the step STP.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ基板１０上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどの縦型半導体装置において、転位列ＤＳＬの方向と、ステップＳＴＰの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure wherein a dislocation defect does not easily occur in a filled epitaxial layer of a second conductivity type for the purpose of further improving the quality of the region of the second conductivity type formed inside a trench.例文帳に追加

トレンチ内に形成する第２導電型の領域の更なる高品質化を目的に、前記第２導電型の充填エピタキシャル層に転位欠陥が発生しにくいスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate which can grow an A axis oriented nitride-based semiconductor on an R surface sapphire substrate in a selected transverse direction, and to provide an epitaxial substrate manufactured by this method which has a low threading dislocation density and an excellent surface flatness.例文帳に追加

A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

This instrument facilitates making A/P precisions in the femur for placement of a femoral prosthesis component to maintain an optimum symmetric flexion gap G, which will avoid the risk of medial or lateral laxity in flexion, instability of articulating component dislocation.例文帳に追加

この器具は、大腿部プロテーゼ部品を配置して最適な対称形の曲げギャップＧを維持するために大腿骨にＡ／Ｐ切除部分を形成することを容易にし、これにより、曲がったときに中間又は側方の不正確さ、関節部品の脱臼の不安定性の危険性を回避する。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

A space 16 capable of correcting positional dislocation between the X direction being the longitudinal direction and the Y direction being the horizontal direction before constituting joining structures 17 and 18 by allowing relative displacement between these Macpherson strut 2 and fender 5, is arranged between the Macpherson strut 2 and the fender 5.例文帳に追加

マクファーソン・ストラット２とフェンダ５との間に、これらマクファーソン・ストラット２とフェンダ５との相対変位を許容することで、接合構造１７、１８を構成する前に長手方向であるＸ方向と横方向であるＹ方向との位置ずれを補正可能な空間１６が設けられる。 - 特許庁

To provide a solar cell, made from a compound semiconductor layer hetero-epitaxially grown on a substrate though, which permits a carrier generated by absorbing sunlight spectrum to be extracted efficiently without causing it to recombine in a dislocation-related trap.例文帳に追加

基板上に化合物半導体からなる層をヘテロエピタキシーで成長して作製される太陽電池であっても、太陽光スペクトルを吸収して発生するキャリアを、転位に関連するトラップで再結合させずに効率よく取り出すことができる構造を備える太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide an elevator controller capable of preventing the improper operation of an elevator cage by the malfunction of a positioning device or the like and correcting the dislocation of the elevator cage caused by the elongation of an elevator rope with the lapse of time, when a constitution is simplified by applying the positioning device.例文帳に追加

位置決め装置の採用により構成の簡略化を図る際、位置決め装置の誤動作等によりエレベータ箱が不適切な動作を行うことを防止でき又エレベータロープの経年変化による伸びに起因した位置ずれを補正できるエレベータ制御装置を提供すること。 - 特許庁

A plurality of penetrating members 80 are fixed to a drive plate 18, the penetrating members are penetrated through different positions of an L cam plate 25L, a single clip 81 is locked to the tips of these penetrating members, and the L cam plate is disposed movably to a drive plate with preventing dislocation.例文帳に追加

ドライブプレート１８に複数本の貫通部材８０が固定され、Ｌカムプレート２５Ｌの異なる位置に貫通部材が貫通され、これらの貫通部材の先端に単一のクリップ８１が係止されて、Ｌカムプレートがドライブプレートに対し移動可能に抜止め配置されたものである。 - 特許庁

Thus, the holding guide 10 can regulate dislocation of an allowable range or more such as the moving handrail 30 removed from the guide rail 34 falls from above the guide rail 34, and as a result, the removed moving handrail 30 can be held on the guide rail 34.例文帳に追加

これにより、保持ガイド１０は、案内レール３４から取り外された移動手摺り３０が案内レール３４上から落下するような許容範囲以上のずれを規制することができ、この結果、取り外された移動手摺り３０を案内レール３４上で保持することができる。 - 特許庁

Thus, even if the impact position of a liquid is dislocated at the liquid jetting section of the medium to be jetted corresponding to the connected section between the individual liquid jetting heads, the amount of dislocation can be reduced and therefore, the liquid jetting precision at the liquid jetting section can be increased.例文帳に追加

これにより、各液体噴射ヘッド間のつなぎ部に対応する被噴射媒体の液体噴射部分において、液体の着弾位置がずれてもそのずれ量を小さくすることができるので、当該液体噴射部分における液体噴射精度を向上させることができる。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor substrate where mass productivity and yields are improved, penetration dislocation is reduced, and crystallinity is excellent in a manufacturing method of the nitride semiconductor substrate for enabling a nitride semiconductor to be subjected to epitaxial growth on the substrate without using protective films.例文帳に追加

基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の製造方法において、量産性及び歩留まりを向上させ、かつ貫通転位を低減させた結晶性のよい窒化物半導体基板を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal capable of suppressing a crystal defect or dislocation induced on a gallium nitride layer due to the lattice unconformity thereof with a substrate in the lamination of the gallium nitride layer having a practical substrate thickness on a different substrate, and also provide the gallium nitride crystal produced by the method.例文帳に追加

実用的な基板厚さの窒化ガリウム層を、異種基板に積層させる際、基板との格子不整合に起因して窒化ガリウム層に誘起される結晶欠陥もしくは転位を抑制することが可能な窒化ガリウム結晶の製造方法および、窒化ガリウム結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a decorative belt body with excellent fixability, capable of precisely preventing the dislocation of the belt body by sliding after being attached to a container for packaging, the wear of the belt body and the scratch damage of the container for the packaging, and to provide a production method by which the belt body can be produced by a simple process.例文帳に追加

包装用容器への装着後の滑動による帯体の位置ズレや、帯体の摩耗および包装容器の擦過損傷を確実に防止することができる定置性に優れた装飾帯体および、簡素な工程で作製することができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

A diagnosis operation controller 107 compares the magnitude of change in control command value for controlling the dislocation of a valve stem with a reference value set in advance, and stops malfunction determination operation in a diagnostic part 100 when the magnitude of change per unit time in the control command value exceeds the reference value.例文帳に追加

診断動作制御部１０７は、弁軸の変位を制御する制御指令値の変化の幅と、予め設定されている基準値とを比較し、制御指令値の単位時間の変化幅が基準値を超えた場合、診断部１００における異常の判断動作を停止する。 - 特許庁

The first nitride semiconductor has an Al content of ≥50 atom% with respect to the sum total of contents of group-III elements, has a dislocation density of ≤10^11/cm^2 and has an X-ray locking curve half width in a (002) plane of ≤200 seconds.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

The control device 40 displays the rear image P as an image on an image display 30, and superimposes and displays the first inclined image GA1 and the rotation direction indicting image GD on a position corresponding to the size of the positional dislocation d on its image-displayed rear image P.例文帳に追加

そして、制御装置４０は、上記後方画像Ｐを画像表示器３０に画像表示するとともに、その画像表示された後方画像Ｐ上の上記位置ずれｄの大きさに対応する位置に、第１傾き画像ＧＡ１及び回転方向指示画像ＧＤを重畳表示する。 - 特許庁

This causes a change in the orientation of an oscillation moment through the gravity exerted on the center of gravity G1, and the pickup roller is subjected to the oscillating dislocation, and the position of the pickup roller is held through the oscillation moment, dispensing with mechanism for restricting the pickup roller at a retracted position.例文帳に追加

これにより、重心Ｇ１に作用する重力による揺動モーメントの向きが変化してピックアップローラが揺動変位するとともに、その揺動モーメントによりピックアップローラの位置が保持されることとなるので、ピックアップローラを退避位置で拘束するための機構を必要としない。 - 特許庁

When the bus bar and the solar cell element is temporarily assemble in a manufacturing line of the bus bar, the bus bar is correctly placed at a setting position, and the solar cell element is sucked to be temporarily assembled to the bus bar, thereby capable of reducing the occurrence of the defective products without the occurrence of dislocation.例文帳に追加

本発明ではバスバーの製造ラインでバスバーと太陽電池素子の仮組み時にバスバーを設定位置に正確に載置するとともに太陽電池素子を吸引してバスバーと仮組みするように構成したので、位置ずれを生じることが無く不良品の発生を少なくすることができた。 - 特許庁

To form an optical element which has no eccentricity on a surface and a back by surely correcting the dislocation of the optical elements formed on the surface and the back when a plurality of the optical elements are formed by a process for forming the optical element on the surface of a base film and a following process for forming the optical element on the back.例文帳に追加

ベースフィルムの表面への光学素子形成工程とこれに続く裏面への光学素子形成工程によって複数の光学素子を形成するに際して、表面と裏面に形成される光学素子のズレを確実に補正して表裏の偏心が無い光学素子を形成すること。 - 特許庁

Thus, a photographing range of the enlarged image can be moved by shifting a Pechan prism 24 included in the second photographing optical system in a plane vertical to the optical axis, and superimposition can be displayed without dislocation by shifting a display range of the transmitted image in response to this movement.例文帳に追加

第２撮影光学系に含まれるペシャンプリズム２４を光軸に対して垂直な面内でシフトさせることにより、拡大像の撮影範囲を移動させることができ、これに応じて透過画像の表示範囲をシフトさせることにより、ずれのない重畳表示が可能である。 - 特許庁

To provide a base material for a semiconductor device, the base material providing a sufficiently wide effective emission wavelength range in an active layer to be layered on a substrate, and having reduced dislocation density of the active layer to provide a sufficiently high emission efficiency, and to provide a method of manufacturing the base material.例文帳に追加

積層される活性層について十分に広い有効発光波長範囲が得られながら、当該活性層について転位密度が低減されて十分に大きい発光効率を得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The bent of the flexible arm wire 2 capable of connecting a fishline 6 or a leader 10 is restricted by the arm pipe 1 causing little bent, and the position dislocation of the arm wire 2 based on the arm pipe 1 is restricted by fixing parts 3, 4, 7 and 8 to hold the position of the fishline 6 and the leader 10.例文帳に追加

道糸６やハリス１０を連結し得る柔軟な腕索２の撓みを撓みの少ない腕管１により抑制するとともに、腕管１に対する腕索２の位置ずれを止め部３，４，７，８により抑制して、道糸６やハリス１０の位置を保持することができる。 - 特許庁

Also, since a fitting portion 15 fitting to the recess 14 is provided on the outer periphery 9 of the inner wall 8, the recess 14 of the neck 13 is fitted to the fitting portion 15 of the inner wall 8 when the neck 13 collides against the inner wall 8, and dislocation due to whirl of the neck 13 from the inner wall 8 is prevented.例文帳に追加

また、内壁８の外縁９に凹部１４に嵌合する嵌合部１５を設けたから、頚部１３と内壁８が衝突する際、頚部１３の凹部１４が内壁８の嵌合部１５に嵌り、頚部１３が内壁８から回旋して脱臼することが抑制される。 - 特許庁

As a separation mechanism for separating the resin-made optical component from the master mold 36 installed in a molding cavity, a function to peel the optical component from the master mold within a dislocation direction range of ±15° to the arrangement direction in which minute transfer uneven parts 37 are arranged is provided.例文帳に追加

本発明は、成形キャビティ内部に設けたマスター型３６から樹脂製光学部品を分離するための分離機構と方法として、微細転写凹凸部３７の並ぶ配列方向に対し、±１５゜のずれ方向範囲内で樹脂製光学部品をマスター型から引き剥がす機能を有してなる。 - 特許庁

Thereby, the length L from a position D where dislocation generation occurred to the lower end of the tail part 9c can be shortened, the thermal stress remaining in the silicon single crystal 9 can be alleviated, and the generation of cracks causing fracture and rupture of a silicon single crystal 9 can be prevented.例文帳に追加

これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 - 特許庁

A plurality of cutting parts 16 and positioning parts 11 for positioning the electric double-layer capacitor element 5 are installed in the insulating case 3 for preventing dislocation of the electric double-layer capacitor element installed in the insulating case 3 when stress is applied to the insulating case 3.例文帳に追加

前記絶縁ケース３には、前記絶縁ケース３に応力が加わった時に前記絶縁ケース３内に設置される電気二重層コンデンサ素子の位置ズレを生じさせないために、複数カ所の切りかき部１６と電気二重層コンデンサ素子５を位置決めするための位置決め部１１を設ける。 - 特許庁

In this film forming process, the temperature at the striped areas having a pattern related to the striped pattern of the grooves 24 or the striped metal film 31 formed in the back side 21b of the sapphire substrate body 21 is selectively raised, and thereby the dislocation density at the surfaces of these areas is made extremely low.例文帳に追加

この成膜過程中、サファイア基板本体２１の裏面２１ｂに形成した溝２４または金属膜３１のストライプ状パターンに関連したパターンを有するストライプ状領域の温度が選択的に高くなり、この領域の表面での転位密度は非常に小さくなる。 - 特許庁

While a crystal is growing, at least two of the crucible, the heater, and the shield are moved vertically, and generation of surface sub-boundary and dislocation, prevention of hitting the bottom, controllability of diameter, etc., are regulated with good balance to obtain a high quality single crystal comparatively easily.例文帳に追加

結晶成長中に，前記るつぼ，ヒータ，シールドのうち少なくとも２つを昇降させることにより，表面亜粒界や転位の発生の抑制，底付きの防止，直径制御性等をバランスよく調整し，品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。 - 特許庁

Despite of the component F2 energizing the cover member 32 to deflect toward its pivotally supported side, dislocation of the main engagement part 41 toward the base end side of the cover member 32 can be surely prevented by the constraint by fitting of an auxiliary engagement part 42 and an auxiliary fitting part 44.例文帳に追加

Ｆ２成分は、カバー部材３２を枢支されている側に向けて撓ませるように付勢するであるが、補助係合部４２と補助嵌合部４４と嵌合による拘束にて主係合部４１がカバー部材３２の基端方向に位置ずれすることを、確実に阻止できる。 - 特許庁

To provide a repairing tool for a molding which can materialize a high recovery of the minute unevenness of a repair part and minimize the dislocation of a pattern and the level difference of the repair part in repairing a molding having the minute unevenness on the surface and a repairing method using the tool.例文帳に追加

微細凹凸を表面に有する成形品の補修において、補修部の微細凹凸の高復元率を実現し、パターンのズレや補修部の段差を最小限に抑えることができる成形品のための補修具及びそれを用いた補修方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of a dislocation with the movement to the straight body part and simultaneously removing an overhang at the upper end part of the straight body part, in growing a silicon single crystal having a specific resistance of 0.02 Ωcm or less by a CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下であるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するに際し、直胴部への移行に伴い転位の発生を防止し、同時に、直胴部の上端部分の張り出しをなくすことができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for judging fracture and dislocation of meat with bone is equipped with a contact member 2 for coming into contact with a plurality of meat parts 100 with bone being transported, a photograph part 200 which is brought into contact with the contact member 2 and then photographs the meat which is moving and a calculation part 300 for calculating images from the photograph part 200.例文帳に追加

搬送される複数の骨付き肉１００に接触する接触部材２と、前記接触部材２に接触してから移動中の前記肉を撮影する撮影部２００と、前記撮影部２００からの画像を演算する演算部３００とを使用する。 - 特許庁

To provide a scroll fluid machine in which a whirling scroll can easily work without being affected by influence owing to a waviness at a mating side end plate for the considerable period, even when a little waviness and tilting at a fixed end plate or a whirling end plate, or a dislocation occurs in the axial direction.例文帳に追加

スクロール流体機械において、固定端板または旋回端板に若干の波打ちや傾斜、もしくは軸線方向の変位が発生しても、相当期間に亘っては、旋回スクロールは、相手方端板の波打ちによる影響をほとんど受けることなく、円滑に作動しうるようにする。 - 特許庁