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etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
METHOD FOR MINIMIZING CHANGE IN ETCHING RATE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェハのエッチング速度変化を最小にする方法 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD FOR METAL OXIDE/PHOTORESIST FILM LAMINATED BODY例文帳に追加
金属酸化物/フォトレジスト膜積層体のドライエッチング方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR WAFER ETCHING APPARATUS AND METHOD THEREFOR例文帳に追加
半導体ウェハエッチング装置および半導体ウェハエッチング方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE, AND DRY ETCHING METHOD例文帳に追加
半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法 - 特許庁
A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).例文帳に追加
CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁
ETCHING METHOD OF ORGANIC BASED INSULATING FILM AND DUAL DAMASCENE PROCESS例文帳に追加
有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス - 特許庁
METHOD OF RECOVERING ETCHING DAMAGE OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
3−5族化合物半導体のエッチングダメージ回復方法。 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加
プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - 特許庁
DRY-ETCHING SYSTEM, METHOD OF CLEANING DRY-ETCHING SYSTEM, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTIC DEVICE例文帳に追加
ドライエッチング装置、ドライエッチング装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法 - 特許庁
ETCHING COMPOSITION FOR WET ETCHING OF QUARTZ, SURFACE PROCESSING METHOD OF QUARTZ PLATE, AND QUARTZ PLATE OBTAINED FROM PROCESSING METHOD例文帳に追加
水晶のウエットエッチング用エッチング組成物、水晶板の表面加工方法、及び該加工方法により得られた水晶板 - 特許庁
ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND PHOTOVOLTAIC DEVICE例文帳に追加
エッチング方法、光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 - 特許庁
ETCHING METHOD FOR MAGNETIC MATERIAL FILM AND METHOD OF PRODUCING THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁性材料膜のエッチング方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
TEST PATTERN FORMING METHOD, ETCHING CHARACTERISTIC MEASURING METHOD, AND CIRCUIT USING SAME例文帳に追加
テストパターン形成方法、それを用いたエッチング特性測定方法及び回路 - 特許庁
ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
エッチング方法およびエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR TREATING WAFER, AND METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING例文帳に追加
ウェーハの処理方法、ウェーハの処理装置、エッチング方法およびエッチング装置 - 特許庁
ETCHING METHOD, SUBSTRATE, ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT PRODUCING METHOD, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
エッチング方法、基板、電子部品、電子部品の製造方法および電子機器 - 特許庁
METHOD OF ETCHING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加
基体のエッチング方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
METHOD OF ETCHING ORGANIC INSULATING FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
有機系絶縁膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM AND METHOD FOR FORMING CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
絶縁膜のエッチング方法および半導体装置のコンタクト形成方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND METHOD OF ETCHING例文帳に追加
半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 - 特許庁
ETCHING METHOD OF THERMOPLASTIC POLYIMIDE AND FORMING METHOD OF CIRCUIT例文帳に追加
熱可塑性ポリイミドのエッチング方法およびそれを用いた回路形成方法 - 特許庁
ETCHING METHOD OF METAL-BASE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加
金属系膜のエッチング加工方法および磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM LAMINATE STRUCTURE例文帳に追加
絶縁膜のエッチング方法と絶縁膜積層構造体の製造方法 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加
ドライエッチング方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE, AND ETCHING DEVICE USED FOR THE METHOD例文帳に追加
SIMOX基板の製造方法及び該方法に用いるエッチング装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CLEANING METHOD OF PLASMA ETCHING DEVICE例文帳に追加
半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置のクリーニング方法 - 特許庁
CLEANING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS AND ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法 - 特許庁
METHOD OF ETCHING INORGANIC COMPOUND FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加
無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法 - 特許庁
ETCHANT, ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID INJECTION HEAD例文帳に追加
エッチング液及びエッチング加工方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING AND METHOD AND SYSTEM FOR FORMING GATE ELECTRODE例文帳に追加
ドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置 - 特許庁
A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加
第2のエッチング工程には、第1の膜に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも高く、「第1の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁
A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加
第2のエッチング工程には、第1の膜に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも高く、「第1の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁
To provide an etching composition having high etching ratio, a method for producing the same, a method for etching oxidized film by using the same, and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加
高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法が開示されている。 - 特許庁
To provide a plasma etching method for etching an organic-based material film as an inorganic-based material film with a mask at a high etching rate, and at the same time for etching the inorganic-based material film by a high etching selection ratio.例文帳に追加
無機系材料膜をマスクとして有機系材料膜をエッチングする際に、高エッチングレートで、かつ無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an etchant and an etching method leaving no bubble of the etchant and no etching residues resulting from the etchant, after an etching and being capable of etching a transparent conductive film with good timing, in the etching of the transparent conductive film.例文帳に追加
透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an etching method where an etching liquid is uniformly efficiently sprayed on a flexible board so as to perform etching without leaving a fatigued etching liquid, and the etching condition in the central part and the peripheral part in a tape is made uniform.例文帳に追加
フレキシブル基板に均一に効率よくエッチング液を噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングをし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすることを可能とする。 - 特許庁
To provide an apparatus for etching monitoring which can carry out precise monitoring of a member to be etched as to etching rate, end point of etching, or the like without affecting the etching reaction on the member to be etched; and to provide a method for etching monitoring.例文帳に追加
被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供する。 - 特許庁
In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved.例文帳に追加
プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にCF_4とSiCl_4を含むエッチングガスとO_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。 - 特許庁
To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.例文帳に追加
プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for a plasma etching in the oblique direction at a large etching angle extensively over a large area.例文帳に追加
大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁
To provide a high speed etching method of Si realizing a higher etching rate as compared with the prior art.例文帳に追加
従来よりも高いエッチングレートを実現することができるSi高速エッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a plasma etching system which ensures high etching rate and high selectivity ratio, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加
高いエッチングレートと高い選択比が確保されるプラズマエッチング装置と、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new alkali etchant and an alkali etching method for alkali-etching a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェーハのアルカリエッチングのための新規なアルカリエッチング液およびアルカリエッチング方法を提供する。 - 特許庁
ETCHING METHOD OF GLASS PLATE SURFACE, ETCHING DEVICE OF GLASS PLATE, GLASS PLATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND FLAT PANEL DISPLAY例文帳に追加
ガラス板表面のエッチング方法、ガラス板エッチング装置、フラットパネルディスプレイ用ガラス板及びフラットパネルディスプレイ - 特許庁
To provide a method and a device for etching silicon wafer which can reduce variation of etching depth.例文帳に追加
エッチング取代のバラツキを低減させることができるシリコンウエーハのエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁
The method also includes a step of etching the silicon layer 101 from a lower side of Fig. by using an ICP dry etching (C).例文帳に追加
そして、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う(C)。 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING PROTECTION FILM AT OUTER PERIPHERAL PART OF SEMICONDUCTOR WAFER, ITS DEVICE, AND ROTARY FIXTURE FOR ETCHING例文帳に追加
半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具 - 特許庁
To provide an etching method of uniformly etching the entire surface of a processed layer to be etched.例文帳に追加
エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for plasma etching which enables a desired plasma etching to be executed on an object to be etched.例文帳に追加
被エッチング物に対して所望のプラズマエッチング処理を行うことができるプラズマエッチング方法を得る。 - 特許庁
This etching method is especially profitable to obtain a GaNHBT from an n-p-n GaN material by etching.例文帳に追加
本発明はn‐p‐nGaN材料からGaNHBTをエッチングするのに特に有益である。 - 特許庁
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