「first plating」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first plating part 22 and the second plating part 32 are positioned on the same plane.例文帳に追加

第１めっき部２２及び第２めっき部３２は同一面上に位置する。 - 特許庁

Continuously, a first plating layer 19 is grown based on the first catalytic layer 18 by performing a first electroless plating treatment.例文帳に追加

続いて、第１無電解めっき処理を施し、第１触媒層１８を基に第１めっき層１９を成長させる。 - 特許庁

A first plating layer 5 is formed by the electroless plating treatment using the metallic particulates 2 as the catalyst nuclei for plating.例文帳に追加

金属微粒子２をめっき触媒核として無電解めっき処理にて第一のめっき層５を形成する。 - 特許庁

This method includes a first gold plating formation step of forming a first gold plating layer on the surface of the electrode 8 by plating using a plating liquid of pH6 to 8; a nickel plating layer formation step of forming a nickel plating layer by plating on a surface of the first gold plating layer; and a second gold plating layer formation step of forming a second gold plating layer on a surface of the nickel plating layer.例文帳に追加

この方法は、電極８の表面に、ｐＨ６〜８のめっき液を用いて第一金めっき層をめっきにより形成する第一金めっき層形成工程と、第一金めっき層の表面に、ニッケルめっき層をめっきにより形成するニッケルめっき層形成工程と、ニッケルめっき層の表面に、第二金めっき層をめっきにより形成する第二金めっき層形成工程とを含む。 - 特許庁

Subsequently, the first plating layer 6 is removed by etching, and a third plating layer 9 may be formed in a hole from which the first plating layer 6 is removed by etching, by electrifying from the second plating layer 7.例文帳に追加

第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 - 特許庁

A nickel plating 6 is executed at first on the whole surface of a cupper plate 5.例文帳に追加

まず、ニッケルメッキ６を銅板５上の全面に施す。 - 特許庁

The second plating layers 28a, 28b are formed as plating layers having denseness lower than the first plating layers 26a, 26b.例文帳に追加

第２のめっき層２８ａ、２８ｂは、第１のめっき層２６ａ、２６ｂよりも緻密性の低いめっき層として形成される。 - 特許庁

The first fluororesin including plating coating film 12 includes a first fluororesin particle 13P by a first plating matrix 13M, and a part of the first fluororesin particle 13P is also exposed from a surface of the first plating matrix 13M.例文帳に追加

第１フッ素樹脂含有めっき皮膜１２は、第１めっきマトリックス１３Ｍによって第１フッ素樹脂粒子１３Ｐを含有し、かつ第１フッ素樹脂粒子１３Ｐの一部は、第１めっきマトリックス１３Ｍの表面から露出する。 - 特許庁

Subsequently, a second plating layer 19 consisting of an Ni plating film substantially containing no B is formed on the first plating layer 18.例文帳に追加

次いで、第１のめっき層１８上に、Ｂを実質的に含まないＮｉめっき膜からなる第２のめっき層１９を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a second plating layer 19 consisting of an Ni plating film substantially containing no P is formed on the first plating layer 18.例文帳に追加

次いで、第１のめっき層１８上に、Ｐを実質的に含まないＮｉめっき膜からなる第２のめっき層１９を形成する。 - 特許庁

Preferably, the first plating layer 18 is formed by electroless plating, and the second plating layer 19 is formed by electroplating.例文帳に追加

好ましくは、第１のめっき層１８は無電解めっきにより形成され、第２のめっき層１９は電解めっきにより形成される。 - 特許庁

The first plated film 122 includes an electroless reduction plating film.例文帳に追加

第１のめっき膜１２２は無電解還元めっき膜を含む。 - 特許庁

Second plating films 24a, 24b are respectively formed on surfaces of the first plating films 22a, 22b.例文帳に追加

第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。 - 特許庁

The first layer 13 is formed by nonelectrolytic plating, and the second layer 14 is formed by electrolytic plating.例文帳に追加

第１の層１３を無電解めっきにより形成し、第２の層１４を電解めっきにより形成する。 - 特許庁

The second plating layer 4 is formed to include a region different from that of the first plating layer 3.例文帳に追加

第２のめっき層４は、第１のめっき層３とは異なる領域を含むように形成されている。 - 特許庁

In this frame plating method, an electrode film 52 for plating is first formed on a ground surface layer 51 of a plating layer to be formed.例文帳に追加

本発明のフレームめっき方法では、まず、形成しようとするめっき層の下地層５１の上にめっき用の電極膜５２を形成する。 - 特許庁

The first plating layer 14 is formed on the via conductor 12.例文帳に追加

第１のメッキ層１４は、ビア導体１２上に形成されている。 - 特許庁

In a wire bonding area 9 of the lead frame 2, the base material plating layer 3, the first plating layer 4, and a first organic coating 5 are sequentially stacked.例文帳に追加

リードフレーム２のワイヤーボンディングエリア９において、下地めっき層３、第１めっき層４、第一有機被膜５を順次積層する。 - 特許庁

Alternatively, the average plating voltage in the second half part is controlled to ≤60% of the average plating voltage in the first half part.例文帳に追加

又は、後半部の平均めっき電圧を前半部の平均めっき電圧６０％以下となるようにする。 - 特許庁

On this first plating layer, a second plating layer composed of either Ni or Co having a melting point higher than those of the first plating metals and the alloys thereof is formed.例文帳に追加

この第１めっき層上に、前記第１めっき層金属およびこれら基合金より融点が高いＮｉ、Ｃｏ、及び、これら基合金のうち１種類を第２めっき層として形成する。 - 特許庁

A contact including at least a first contact part and a second contact part is subjected to plating such that the plating thickness of the first contact part and the plating thickness of the second contact part are different from each other.例文帳に追加

第１接点部及び第２接点部を少なくとも備えるコンタクトに、前記第１接点部のメッキ厚と前記第２接点部のメッキ厚とが互いに異なるようにメッキを施す。 - 特許庁

In a die pad area 8 of a lead frame 2, a base material plating layer 3, a first plating layer 4, a second plating layer 6, and a second organic coating 7 are sequentially stacked.例文帳に追加

リードフレーム２のダイパッドエリア８において下地めっき層３、第１めっき層４、第２めっき層６、第２有機被膜７を順次積層する。 - 特許庁

Thus, the plating method also includes an electrolytic plating step of forming a Pd film of a second metallic film on the Pd film of the first metallic film which has been formed through the electroless plating.例文帳に追加

この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 - 特許庁

A through hole 36 formed in a core substrate 30 comprises a first electrolytic plating layer 24, an electroless plating film 26, and a second electrolytic plating layer 28.例文帳に追加

コア基板３０に形成されたスルーホール３６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解めっき層２８とからなる。 - 特許庁

In the substrate for semiconductor device, a first granular gold plating layer 11A is formed on a metal plate 10 and a plating layer is deposited thereon wherein the deposited plating layer consists of a second gold plating layer 11B, a nickel plating layer 12 and a gold plating layer 13 deposited sequentially on the first gold plating layer 11A.例文帳に追加

金属板１０上に、粒状の第１の金めっき層１１Ａと、その上に成膜させためっき層が形成されており、成膜させた前記めっき層は第１の金めっき層１１Ａの上に順次積層された第２の金めっき層１１Ｂと、ニッケルめっき層１２と、金めっき層１３とからなっている半導体装置用基板。 - 特許庁

The nickel-gold plating method is a method of performing electroless nickel-gold plating on an object, and includes a step of forming a first nickel plating layer on a surface of the object, a step of forming a second nickel plating layer on the first nickel plating layer, and a step of forming a gold plating layer on the second nickel plating layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第１ニッケルメッキ層を形成する工程と、第１ニッケルメッキ層上に第２ニッケルメッキ層を形成する工程と、第２ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

For this treatment, first, an amount of the parent material 2 necessary for plating is rolled for leading it into a first plating tub 3a as a tub in which overcurrent is circulated.例文帳に追加

この処理として、まず過電流を流す漕である第１メッキ漕３ａに、メッキに必要な量の母材２を巻き取って導入する。 - 特許庁

For improving the adhesion between the plating layers, it is preferable that, after the completion in the solidification of the first plating layer, preheating is performed, or, before the completion in the solidification of the first plating layer, the second plating layer is formed.例文帳に追加

めっき層間の密着性向上のためには、第一のめっき層が凝固を完了したのち、予熱を行なうか、あるいは第１のめっき層が凝固を完了する前に第二のめっき層を形成することが好ましい。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a semiconductor device includes: a first plating tank in which a surface of a semiconductor wafer 200 in which an insulating film 330 is formed on the surface is performed with a plating process by using a first plating liquid; and a second plating tank in which the surface of the semiconductor wafer 200 is performed with a plating process by using a second plating liquid.例文帳に追加

この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。 - 特許庁

When the plating layer is equipped with a first plating layer whose main component is Ni, and a second plating layer which is formed thereon and mainly made of Sn or Au; water-repellent particles are dispersed into the first plating layer, and water-repellent particles are not substantially dispersed into the second plating layer.例文帳に追加

めっき層が、Ｎｉを主成分とする第１のめっき層と、その上に形成されたＳｎまたはＡｕを主成分とする第２のめっき層とを備えるとき、第１のめっき層に撥水性粒子を分散させ、第２のめっき層に撥水性粒子を実質的に分散させない。 - 特許庁

As the parent material 2 is set in the first plating tub 3a, overcurrent is made to flow between the parent material 2 dipped in plating liquid 4 and electrodes to form silver plating on the parent material 2 dipped in the plating liquid 4.例文帳に追加

母材２が第１メッキ漕３ａにセットされると、メッキ液４に浸された母材２と電極との間に過電流を流し、メッキ液４に浸されている母材２に銀メッキを形成する。 - 特許庁

Thereby, the plating liquid 17, which is flowing on the bottom part of the plating tank 11, flows upward along the first partition plate 15.例文帳に追加

従って、メッキ槽１１の底部を流れているメッキ液１７は、第１仕切り板１５に沿って上向きに流動する。 - 特許庁

A Cu plating layer 15 and an Ni plating layer 17 are formed on the Cu sputtered layer 13 by first electroplating.例文帳に追加

次に、第１電解メッキにより、Ｃｕスパッタ層１３上にＣｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７を形成する。 - 特許庁

A ratio of the area of the first plating part 22 to the area of the second plating part 32 is greater than or equal to 1.5 and less than or equal to 3.0.例文帳に追加

第２めっき部３２の面積に対する第１めっき部２２の面積の比が１．５以上３．０以下である。 - 特許庁

The paint film 8 is formed by applying electrodeposition painting onto a first plating layer 4 or second plating layer 6.例文帳に追加

塗装膜８は、第１のメッキ層４の上又は第２のメッキ層６の上に電着塗装を施すことにより形成される。 - 特許庁

First plating film 22a, 22b formed by Ni plating are respectively formed on surfaces of the external electrodes 20a, 20b.例文帳に追加

外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。 - 特許庁

Next, plating is applied to the pad 22 with an electrolytic plating method by allowing a current to flow in the pad 22 via the first terminal electrode 18 and the first wiring 30.例文帳に追加

次に、第１の端子電極１８及び第１の配線３０を介してパッド２２に電流を流し、電解メッキ法によってパッド２２をメッキする。 - 特許庁

The first conductive film is used as an electrolytic plating base film, that is, a plating electrode when forming a second conductive film on top of the first conductive film.例文帳に追加

この第１導電膜は、この第１導電膜に積層して第２導電膜を形成するときに、電解めっき下地膜、つまりめっき電極とされる。 - 特許庁

The thickness of a first nickel plating layer 31 is 1.5-2.5 μm.例文帳に追加

１回目にかけられるニッケルメッキ層３１の厚さを１．５〜２．５μｍとした。 - 特許庁

A second plating layer 14B is so film-formed as to coat the first plating layer 14A, accumulated on the first base layer 13A, and the second base layer 13B.例文帳に追加

第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。 - 特許庁

A plurality of plating layers including a first plating layer 3 and a second plating layer 4 of a material different from that of the first plating layer 3 are formed on a rear face of the die pad 1 opposite to a face on which the semiconductor chip 2 is mounted.例文帳に追加

ダイパッド１における半導体チップ２が搭載された面とは反対側である裏面上に、第１のめっき３層と、第１のめっき層３とは材料が異なる第２のめっき層４とを含む複数のめっき層が形成されている。 - 特許庁

The method for producing the plastic package 10 comprises a step for providing a second plating resist film 19 for forming the coating 14 of Ni plating and Au plating on a first plating resist film 18 and/or the metal wiring pattern 13 and then forming the coating 14 by electrolytic plating using the first plating resist film 18 and the second plating resist film 19.例文帳に追加

また、プラスチックパッケージ１０の製造方法において、第１のめっきレジスト膜１８及び／又は金属配線パターン１３上に、Ｎｉめっき及びＡｕめっきのめっき被膜１４形成用の第２のめっきレジスト膜１９を設け、第１のめっきレジスト膜１８及び第２のめっきレジスト膜１９を用いて、電解めっきによってめっき被膜１４を形成する工程を有する。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, an Ni plating layer 53 and an Au plating layer 54 formed sequentially from the first major surface CP side wherein the Ni plating layer 53 is an electrolytic Ni plating layer 53.例文帳に追加

配線基板１において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３及びＡｕメッキ層５４がこの順序で積層されるとともに、Ｎｉメッキ層５３が電解Ｎｉメッキ層５３とされる。 - 特許庁

The electroless plating step including reduction reaction using the first plating tank is performed in a light shielding environment, and the electroless plating steps only by substitution reaction using the second plating tank and the third plating tank are performed in a non-light shielding environment.例文帳に追加

第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 - 特許庁

In such a plating system 44, a copper plating layer can be formed uniformly on the surface of an exposed part because deposition in the first plating bath 46 is low.例文帳に追加

このようなメッキ装置４４では、第１メッキ浴槽４６において析出量が少ないため露出部の表面に均一に銅メッキ層を形成することができる。 - 特許庁