「gate threshold」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the gate wiring Gi is made High to compensate for threshold voltage of the driving TFT Q1.例文帳に追加

そして、ゲート配線ＧｉをＨｉｇｈとし、駆動用ＴＦＴＱ１の閾値電圧を補償する。 - 特許庁

To appropriately control a threshold voltage of a semiconductor device including a high-permittivity gate insulating film.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜を備える半導体装置の閾値電圧を適切に制御すること。 - 特許庁

As a result, a gate voltage becomes smaller than an on-off threshold voltage, and the IGBT 110d is turned off.例文帳に追加

その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。 - 特許庁

To control the threshold voltage of a semiconductor device having a high dielectric constant gate insulation film with high precision.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜を有する半導体装置の閾値電圧を高精度に制御する。 - 特許庁

When a signal level exceeds a prescribed threshold value, a write gate signal is switched off, and write processing is prohibited.例文帳に追加

信号レベルが所定の閾値を超える場合にはライトゲート信号をオフし、ライト処理を禁止する。 - 特許庁

THRESHOLD AND FLAT-BAND VOLTAGE STABILIZATION LAYER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH HIGH PERMEABILITY GATE OXIDE例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物を有する電界効果トランジスタの閾値及びフラットバンド電圧安定化層 - 特許庁

Consecutively, it is decided whether vibration exceeding the threshold occurs to a gate for pilot injection.例文帳に追加

続いて、パイロット噴射用ゲートに前記しきい値を超える振動があるか否かを判定する。 - 特許庁

A 1st threshold voltage correcting circuit 7 detects the threshold voltage of the drive transistor Tr2, adds it to the signal potential, and feeds the resulting voltage back to a gate G to cancel variation in threshold voltage.例文帳に追加

第１閾値電圧補正回路７は、ドライブトランジスタＴｒ２の閾値電圧を検知し、これを該信号電位に加えてゲートＧにフィードバックし、以って閾値電圧の変動をキャンセルする。 - 特許庁

The threshold correcting circuit 21 sets voltage corresponding to threshold voltage V_th1 of the transistor Tr_21 or threshold voltage V_th1 of the transistor Tr_21 as offset for a gate of the transistor Tr_21.例文帳に追加

閾値補正回路２１は、トランジスタＴｒ_21のゲートに対して、トランジスタＴｒ_21の閾値電圧Ｖ_th1またはトランジスタＴｒ_21の閾値電圧Ｖ_th1に対応する電圧をオフセットとして設定する。 - 特許庁

The threshold voltage is determined by the sum of the thickness of the gate oxide film 5 and the widths of the depletion layers appearing at the gate electrodes 8, 9 so that the threshold voltage of an MOSFET having the gate electrode 9 is lower than that of an MOSFET which has the gate electrode 8.例文帳に追加

しきい値電圧はゲート酸化膜５の膜厚とゲート電極８、９に発生する空乏層の幅の和により決定されるため、ゲート電極９を有するＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧はゲート電極８を有するＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧よりも低くなる。 - 特許庁

Besides, the threshold voltage in the MISFET of the memory part is set higher than the threshold voltage in the MISFET of the gate array part for about 0.1 V.例文帳に追加

また、メモリ部のＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を、ゲートアレイ部のＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧よりも０．１Ｖ程度高く設定する。 - 特許庁

The gate threshold voltage is detected at the time of turn-off, a determination is made whether that voltage is higher than a predetermined value or not, and then gate drive conditions such as the gate on resistance at the time of next turn on or the gate on power supply voltage are switched.例文帳に追加

ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。 - 特許庁

To suppress degradation in the reliability of a gate insulating film and changes in the threshold, caused by the depletion of a gate electrode, reduction or variations in the amount of impurities in the gate electrode and the penetration of ions into the gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化と、ゲート電極内の不純物量の減少ないしはバラつきと、イオンがゲート絶縁膜を突き抜けてしまうことに起因したゲート絶縁膜の信頼性低下及び閾値変動を抑制する。 - 特許庁

The first gate electrode 2F on/off-controls the channel Ch according to the first gate voltage, and the second gate electrode 2R actively controls the threshold voltage according to the second gate voltage for appropriate on/off operation of the TFT.例文帳に追加

第一ゲート電極２Ｆは、第一ゲート電圧に応じてチャネルＣｈをオンオフ制御し、第二ゲート電極２Ｒは、第二ゲート電圧に応じて閾電圧を能動的に制御しＴＦＴのオンオフ動作を適正化する。 - 特許庁

SCR is usually in an off state, but is turned on when the voltage of the gate exceeds a prescribed threshold value, and a prescribed gate current flows between the gate and a cathode, so that a current flows between the gate and the cathode.例文帳に追加

ＳＣＲは、通常はオフ状態であるが、ゲートの電圧が所定のしきい値を超えてゲート・カソード間に所定のゲート電流が流れると、ＳＣＲはトリガーされてオンとなり、アノード・カソード間に電流が流れる。 - 特許庁

A power device control circuit transmitting a gate driving signal to a power device has a driving circuit having a plurality of driving elements connected to a gate of the power device, a conversion circuit converting a gate voltage of the power device into a gate voltage digital value by digitalizing, and a threshold setting circuit digitalizing a threshold of the power device to be stored as threshold digital data.例文帳に追加

パワーデバイスにゲート駆動信号を伝送するパワーデバイス制御回路であって、該パワーデバイスのゲートと接続された複数の駆動素子を有する駆動回路と、該パワーデバイスのゲート電圧をデジタル化してゲート電圧デジタル値に変換する変換回路と、該パワーデバイスの閾値をデジタル化して閾値デジタルデータとして記憶した閾値設定回路とを備える。 - 特許庁

Thus, a threshold value voltage Vthb of a second transistor corresponding to the second gate electrode 6b can be made lower than a threshold value voltage Vtha of a first transistor corresponding to the first gate electrode 6a.例文帳に追加

これにより、第１ゲート電極６ａに対応する第１トランジスタのしきい値電圧Vthaよりも、第２ゲート電極６ｂに対応する第２トランジスタのしきい値電圧Vthbを低くすることができる。 - 特許庁

In a complementary MISFET of dual gate electrode structure, the threshold voltages can be stabilized respectively using identical gate electrodes 4P, 4N containing first and second group IV elements.例文帳に追加

ゲート電極４Ｎ、４Ｐ上にはそれぞれ第２領域４ｎ、４ｐの少なくとも一部をシリサイド化したシリサイド電極８Ｇが形成される。 - 特許庁

To suppress variations of the threshold voltage of a transistor caused by an inter-diffusion of impurities between both gate electrodes in a dual gate electrode structure.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造における両ゲ−ト電極間の不純物の相互拡散によるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

Provided is the semiconductor device which comprises a first switching element having a first gate electrode connected to first gate wiring and a first threshold voltage and a second switching element having a second gate electrode and a second threshold voltage whose absolute value is larger than that of the first threshold voltage where the second gate electrode is connected to a second gate wiring whose resistance per unit length is higher than that of the first gate wiring.例文帳に追加

第１のゲート配線に接続する第１のゲート電極および第１の閾値電圧を有する第１のスイッチング素子と、前記第１の閾値電圧よりも絶対値が大きい第２の閾値電圧を有し、第１のゲート配線の単位長さあたりの抵抗よりも大きい抵抗を有する第２のゲート配線に接続する第２のゲート電極を有する第２のスイッチング素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

Further, the threshold value of the transistor used as the power source protecting element is set so as to be higher than the threshold voltage of the transistor having the thinnest gate insulation film.例文帳に追加

さらに、この電源保護素子として使用するトランジスタの閾値は、最も薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタの閾電圧よりも高く設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a CMOS structure in which a gate leakage current and a threshold voltage are low.例文帳に追加

ゲートリーク電流および閾値電圧が低く、ＣＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a double gate field-effect transistor having a fundamental structure that can set free threshold voltage.例文帳に追加

自由な閾値電圧の設定が可能な原理構造を持つ二重ゲート電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Threshold voltages Vref1 and Vref2 are variably set in accordance with a voltage applied to a gate of the switching element SW.例文帳に追加

閾値電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２は、スイッチング素子ＳＷのゲートに印加される電圧に応じて可変設定される。 - 特許庁

Here, however, the static gate/source voltage of the FET is greater than the threshold voltage of the FET.例文帳に追加

ただし、上記ＦＥＴの静的ゲート−ソース電圧は上記ＦＥＴのしきい電圧よりも高い。 - 特許庁

To provide a normally-off type and HEMT type transistor with less variation of gate threshold voltages.例文帳に追加

ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。 - 特許庁

When the input potential of the logic gate G2 is higher than a threshold potential, a transistor Tr1 is turned on.例文帳に追加

論理ゲートＧ２の入力電位が、スレッショルドの電位より高い場合は、トランジスタＴｒ１をオンにする。 - 特許庁

To achieve a dual metal gate structure capable of obtaining a suitable threshold voltage Vt for further microfabrication.例文帳に追加

さらなる微細化に対しても適正な閾値電圧Ｖｔが得られるデュアルメタルゲート構造を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a PMISFET (P Channel Metal Insulator Field Effect Transistor) in a metal gate electrode having a low threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧の低い金属ゲート電極においてＰＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the gate-to-source voltage compensated for a change in threshold is applied to a transistor N3.例文帳に追加

これにより、しきい値の変動が補償されたゲート−ソース間電圧がトランジスタＮ３に与えられる。 - 特許庁

The back gate 26 functions as a dynamic threshold voltage control system in the SOI MOSFET device.例文帳に追加

バック・ゲート２６は、ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴデバイスにおける動的しきい値電圧制御システムとして機能する。 - 特許庁

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7.例文帳に追加

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

To prevent a MOSFET from shifting in threshold voltage Vt owing to charge-up of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のチャージアップによるＭＯＳＦＥＴの閾値電圧Ｖｔシフトの防止を図ることである。 - 特許庁

Such the structure contains a thin gate oxide film which induces to the device having a low threshold voltage.例文帳に追加

このような構造物は低いしきい電圧を有する素子に誘導する薄膜のゲート酸化膜を含む。 - 特許庁

THRESHOLD COMPUTATION CIRCUIT AND GATE CIRCUIT, SELF HOLDING CIRCUIT AND ACTIVATION SIGNAL GENERATION CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

閾値演算回路及びこれを用いたＡＮＤゲ—ト回路、自己保持回路及び起動信号発生回路 - 特許庁

To provide a semiconductor device that dynamically controls variation in threshold voltage of a trench isolation gate.例文帳に追加

絶縁トレンチゲートの閾値電圧の変動を動的に制御可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A delay path region where a gate element lowered in threshold voltage is applied is limited to a range from the maximum delay value 23 (faster than this) before a gate element lowered in threshold voltage is applied to the new maximum delay value 24 (slower than this) when a gate element lowered in threshold voltage is applied.例文帳に追加

低しきい値電圧化したゲート素子を適用する遅延パス領域を、低しきい値電圧化される前の最大遅延値２３から（これより高速で）これに低しきい値電圧化したゲート素子を適用した場合の新たな最大遅延値２４までの（これより遅い）範囲にある遅延パスに限定する。 - 特許庁

This prevents failure of the threshold correction operation due to reduction of the gate-source voltage Vgs than a threshold voltage Vth caused by an excessively large bootstrap in a pause period in the plurality of times of threshold correction.例文帳に追加

これにより、複数回の閾値補正の休止期間にブートストラップ量が多くなりすぎて、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈより小さくなって閾値補正動作が破綻することを防止する。 - 特許庁

The threshold correcting circuit 21, further, sets voltage corresponding to threshold voltage V_th2 of the transistor Tr_22(not illustrated) or threshold voltage V_th2 of the transistor Tr_22 as offset for a gate of the transistor Tr_22.例文帳に追加

閾値補正回路２１は、さらに、トランジスタＴｒ_22のゲートに対して、トランジスタＴｒ_22の閾値電圧Ｖ_th2（図示せず）またはトランジスタＴｒ_22の閾値電圧Ｖ_th2に対応する電圧をオフセットとして設定する。 - 特許庁

The threshold correction circuit 21 sets a threshold voltage V_th1 (not shown) of the transistor Tr_21 or the voltage corresponding to the threshold voltage V_th1 of the transistor Tr_21 with respect to the gate of the transistor Tr_21 as an offset.例文帳に追加

閾値補正回路２１は、トランジスタＴｒ_21のゲートに対して、トランジスタＴｒ_21の閾値電圧Ｖ_th1（図示せず）またはトランジスタＴｒ_21の閾値電圧Ｖ_th1に対応する電圧をオフセットとして設定する。 - 特許庁

The writing parts 5 and 6 apply gradually-increasing gate voltages to the selection cells and write the threshold voltages to gradually increase the same until the threshold voltage of the selection cell reaches a target threshold voltage.例文帳に追加

書込み部５、６は、選択セルの閾値電圧が目標閾値電圧になるまで、選択セルへ段階的に増加するゲート電圧を印加して、閾値電圧が段階的に増加するように閾値電圧を書き込む。 - 特許庁

To minimize delay of rising of gate voltage potential in a switching circuit having circuitry for maintaining the gate voltage potential of a transistor below a threshold potential.例文帳に追加

トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。 - 特許庁

To decrease threshold voltage of a Schottky source/drain transistor wherein a gate electrode in contact with a source/drain area and a gate insulating film is formed of silicide.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域及びゲート絶縁膜に接触するゲート電極がシリサイドで構成されたショットキーソース・ドレイントランジスタのしきい値電圧の低下を図る。 - 特許庁

To provide a dual gate MOSFET having a metal gate stack, and further a method for setting a threshold voltage in such a MOSFET.例文帳に追加

金属ゲートスタックを有するデュアルゲートＭＯＳＦＥＴを提供し、さらに、このようなＭＯＳＦＥＴにおけるしきい値電圧を設定する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering the threshold voltage of a MOS transistor including a gate insulating film including Hf and a metal silicide gate electrode.例文帳に追加

Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。 - 特許庁