「growing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF GROWING GaN EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層の成長方法 - 特許庁

The hair-fostering/growing agent consists of a water layer and an oil layer.例文帳に追加

養毛・育毛剤は、水層と油層とからなる。 - 特許庁

ATOMIC LAYER GROWTH APPARATUS AND METHOD OF GROWING ATOMIC LAYER例文帳に追加

原子層成長装置および原子層成長方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF GROWING PLASMA ATOMIC LAYER例文帳に追加

プラズマ原子層成長方法及び装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING ZINC OXIDE SINGLE CRYSTAL LAYER例文帳に追加

酸化亜鉛単結晶層の成長方法 - 特許庁

GaN LAYER GROWING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ層成長方法および半導体素子 - 特許庁

ATOMIC LAYER GROWING APPARATUS AND THIN FILM FORMING METHOD例文帳に追加

原子層成長装置および薄膜形成方法 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR-PHASE GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

化合物半導体結晶層の気相成長法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM BY ATOMIC LAYER EPITAXIAL GROWING METHOD例文帳に追加

原子層エピタキシャル成長法による成膜方法 - 特許庁

The growing layer 102 has an n-layer 103, an inclination part 104 and an n^--layer 105.例文帳に追加

成長層１０２は、Ｎ層１０３、傾斜部１０４、およびＮ^−層１０５を有している。 - 特許庁

Additionally each growing layer 22 has a uniform face orientation.例文帳に追加

さらには、各成長層22は、一様な面方位を有している。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

半導体層の成長方法および半導体発光素子 - 特許庁

GROWING METHOD FOR COMPD. SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

化合物半導体層の成長方法および半導体レーザ - 特許庁

A p-layer 106 is formed in a surface region of the growing layer 102.例文帳に追加

成長層１０２の表面領域にはＰ層１０６が形成されている。 - 特許庁

A second periodic structure 24 is formed by repeatedly growing a first composition compound semiconductor layer 22' in the same growing time as the growing time of the layer 22 and repeatedly growing a second composition compound semiconductor layer 25 in a different growing time from that of the layer 23.例文帳に追加

ウエハ上に、第１組成の化合物半導体層２２′を層２２の成長時間と同じ成長時間、第２組成の化合物半導体層２５を層２３の成長時間と異なる成長時間で複数回繰り返し成長して第２の周期構造２４を形成する。 - 特許庁

This nursery bed 1 for growing the organisms has a double layered structure consisting of an organism-growing layer 2 and a solid material layer 3 mode from a concrete, joined so as to form a layer.例文帳に追加

生物育成床１は、生物育成層２と、コンクリート製の固形物層３とが層状に結合された２層構造をなしている。 - 特許庁

The method for growing a GaN-based compound semiconductor includes: a process for growing a column-like crystal layer 11 on a sapphire substrate 10; a process for growing a buffer layer 12 on the column-like crystal layer 11; and a process for growing a GaN-based compound crystal 13 on the buffer layer 12.例文帳に追加

サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。 - 特許庁

METHOD OF EPITAXIALLY GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING ALUMINUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER AND VAPOR GROWTH APPARATUS例文帳に追加

ＡｌＮエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置 - 特許庁

A dielectric mask is formed on a cladding layer (S4), after growing an SCH layer, active layer, SCH layer, and cladding layer on a substrate (S3).例文帳に追加

基板上にＳＣＨ層、活性層、ＳＣＨ層、クラッド層を成長させ（Ｓ３）、クラッド層上に誘電体マスクを形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

The silicon wafer for epitaxially growing has a surface for growing an epitaxial layer, which surface is free from exposed void defects.例文帳に追加

エピタキシャル層を成長する表面にボイド欠陥が露出しないエピタキシャル成長用シリコンウエーハ。 - 特許庁

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light emitting element comprises a step of supplying an indium material into a growing atmosphere during growing of a gallium aluminum nitride layer.例文帳に追加

窒化アルミニウムガリウム層の成長中に成長雰囲気中にインジウム原料を供給する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER FOR MAKING EPITAXIAL GROWTH CHARACTERISTICS DIFFERENT FOR EACH GROWING PORTION例文帳に追加

成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板 - 特許庁

A silicon carbide growing layer 22 is insulated from a silicon substrate 2 and also independent from each other silicon carbide growing layer 22.例文帳に追加

炭化シリコン成長層22は、シリコン基板２から絶縁されていると共に、互いに他の炭化シリコン成長層22から独立している。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed on the GaN layer 12 by growing a GaN based semiconductor layer including an active layer on the GaN layer 12.例文帳に追加

このＧａＮ層１２上に、活性層を含むＧａＮ系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

A method of growing the semiconductor layer structure comprises a step for growing a first semiconductor layer 11 (11a, 11b, 11c) and a step for introducing hydrogen into the first semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER, METHOD OF GROWING IT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多結晶シリコン層およびその成長方法ならびに半導体装置 - 特許庁

BASE FOR USE IN GROWING EPITAXIAL LAYER AND METHOD OF USE THEREOF例文帳に追加

エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING ELEMENT, METHOD FOR GROWING NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR GROWING LAYER例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法 - 特許庁

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成する。 - 特許庁

GROWING METHOD OF N-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

To form a thick semiconductor layer through series of epitaxial growing processes.例文帳に追加

一連のエピタキシャル成長工程で厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

Growing of a capping epitaxial layer 22 is made on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１上にキャッピングエピタキシャル層２２を成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE LAYER AND GROUP III NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板 - 特許庁

A crystal layer 23 is formed on one surface of a substrate 11 for growing a crystal via a buffer layer 12.例文帳に追加

成長用基板１１の一面側にバッファ層１２を介して結晶層２３を備える。 - 特許庁

To prevent a crack in a semiconductor layer when growing the semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に半導体層を成長する際に該半導体層にクラックを生じさせないようにする。 - 特許庁

While the p-type Mg_xZn_1-xO layer is growing and/or after its growing has completed, the Mg_xZn_1-xO layer which is under growing state and/or is completed in growing is heat-treated in an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

そして、該ｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層の成長途中及び／又は成長完了後に、当該成長途中及び／又は成長完了後のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を酸素含有雰囲気中にて熱処理する。 - 特許庁

A growing layer 102 whose impurity concentration is lower than that of an n^+-layer 101 is formed on the n^+-layer 101.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０１上には、Ｎ^＋層１０１よりも不純物濃度の低い成長層１０２が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁

GROWING METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体層の成長方法および半導体装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法 - 特許庁

The method comprises: a step for growing a nitride buffer layer 21 including aluminum on a sapphire substrate 20; a step for growing a binary nitride buffer layer 22 on the nitride buffer layer 21; and a step for growing a nitride semiconductor layer 23 on the binary nitride buffer layer 22.例文帳に追加

サファイア基板20の上部にアルミニウムを含む窒化物バッファー層21を成長させる段階と、窒化物バッファー層21の上部に二元系窒化物バッファー層22を成長させる段階と、二元系窒化物バッファー層22の上部に窒化物半導体層23を成長させる段階とで構成される。 - 特許庁