「growing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of growing a compound semiconductor layer having a uniform composition and a uniform thickness to an epitaxial film by heating a substrate at a uniform temperature, and to provide a growth device.例文帳に追加

基板を均一な温度に加熱することにより均一な組成と厚さの化合物半導体層をエピタキシャル膜を成長させる方法及び装置を得ることにある。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate whose principal surface of lamination side has a C-surface.例文帳に追加

積層側の主面がＣ面を有するＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。 - 特許庁

Since a crystal growing in the lateral direction is hardly affected by defects of the first semiconductor layer 2b of the base, crystallinity can be improved.例文帳に追加

横方向に沿って成長する結晶は下地である第１半導体層２ｂの欠陥等の影響を受けにくいため、その結晶性を改善することが可能である。 - 特許庁

The Pachyma hoelen to be used is the sclerotium of Polyporaceae growing in a withered and dead pine tree, and the extract of Pachyma hoelen can be obtained from the sclerotium from which an outer layer is removed.例文帳に追加

使用されるブクリョウは枯死したマツに生じるサルノコシカケ科の菌核であり、ブクリョウ抽出物はその外層を除いた菌核から抽出することができる。 - 特許庁

To prevent tungsten from abnormally growing on a contact hole when the tungsten is deposited by a method for forming a tungsten plug in the contact hole through an adhesive layer.例文帳に追加

コンタクトホール内に密着層を介してタングステンプラグを形成する方法において、タングステンの堆積時に、コンタクトホール上にタングステンの異常成長が生じないようにする。 - 特許庁

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SELF-SUPPORTING SUBSTRATE AND TRANSISTOR, AND METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置 - 特許庁

The cooling air colliding with the louver 34 thereby goes around to the slip stream side of the louver 34 to collide with the following louver 34 without a temperature boundary layer growing large.例文帳に追加

これにより、ルーバ３４に衝突した冷却風は、温度境界層が大きく成長することなく、ルーバ３４の後流側に回り込んで次のルーバ３４に衝突する。 - 特許庁

During the course of growing the GaN buffer layer by heating, a GaN film is formed by introducing AsH3 (process C), and thereafter, introducing DMHy and TMG.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層を加熱して成長させる過程において、ＡｓＨ_3を導入し（プロセスＣ）、その後ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁

The surface of a metallic glass alloy 1 includes an intermediate treatment layer 2 formed in a manner to grow roots from the metallic glass alloy 1 by the GIL (growing integration layers) method.例文帳に追加

金属ガラス合金１の表面に、ＧＩＬ法により、その金属ガラス合金１から根を生やした状態で形成された中間処理層２を有している。 - 特許庁

To realize practical use of an oxide thin film by growing the oxide thin film with superior crystallinity on a silicon substrate and preventing the generation of an interface SiO_2 layer.例文帳に追加

酸化物誘電体薄膜を電子デバイスとして実用化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界面ＳｉＯ_２層の発生を抑えること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a bulk acoustic wave device comprising providing a growth substrate and growing a Group-III nitride epitaxial layer on the growth substrate.例文帳に追加

成長基板を設けるステップと、成長基板上にＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層を成長させるステップを有するバルク音響波デバイスの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that can increase a growing rate of an epitaxial layer without greatly increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を大幅に増加させることなしに、エピタキシャル層の成長レートを早くすることができる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A susceptor has a counterbored groove for housing a semiconductor wafer in manufacturing an epitaxial wafer by vapor phase growing an epitaxial layer on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタ。 - 特許庁

METHOD OF GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROVIDED WITH COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER GROWN USING THE METHOD例文帳に追加

化合物半導体結晶の成長方法、その成長方法を用いて成長した化合物半導体結晶の層を備えた半導体装置及び半導体基板 - 特許庁

The semiconductor area 5 is provided on the active area 7, so that the group III nitride semiconductor layer of the active area 7 is not deteriorated during growing of the semiconductor area 5.例文帳に追加

半導体領域５が活性領域７上に設けられているので、半導体領域５の成長中に、活性領域７のIII族窒化物半導体層が劣化しない。 - 特許庁

The first buffer layer is formed by growing the GaN-based nitride semiconductor film while doping silicon at a lower temperature than the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。 - 特許庁

Then, a buffer layer 3 made of a gallium nitride and a piezoelectric film 4 made of an aluminum nitride are deposited by an epitaxial growing method on a substrate 2 for formation made of a silicon carbide.例文帳に追加

次に、炭化シリコンからなる形成用基板２の上に窒化ガリウムからなるバッファ層３、窒化アルミニウムからなる圧電膜４をエピタキシャル成長法により堆積する。 - 特許庁

The epitaxial wafer is produced by growing an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer which is cut out from the single crystal pulled up by the above method.例文帳に追加

(2) 上記(1)の方法によって引上げられた単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。 - 特許庁

In a method of manufacturing silicon epitaxial wafer, the silicon epitaxial wafer is manufactured by vapor-phase growing a silicon epitaxial layer on the main surface of a single-crystal silicon substrate W.例文帳に追加

シリコン単結晶基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

a rare and very aggressive (fast-growing) cancer that forms in tissues of the lung and pleura (a thin layer of tissue that covers the lungs and lines the interior wall of the chest cavity). 例文帳に追加

肺の組織と胸膜（肺の外側と胸腔の内壁を覆っている薄い層状の組織）から発生する、非常に侵攻性の（増殖が速い）まれながん。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To obtain a photomask having a tacky adhesive layer trapping foreign matter applied on an inner wall of a pellicle frame and suppressing production of a growing foreign matter by exposure light.例文帳に追加

ペリクルフレームの内壁に異物をトラップする粘着材層を設け且つ露光光による成長性異物の発生を抑えたフォトマスクを実現できるようにする。 - 特許庁

A first growth layer 21 is grown on a base 10 for growing so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is >10 μm/h.例文帳に追加

成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by growing a nitride semiconductor relaxation layer (buffer layer) that includes at least AlGaN on the main surface of a substrate of a single diboride crystal represented by the chemical formula XB_2 (where X contains at least one kind of Ti or Zr), followed by growing group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＴｉ若しくはＺｒの少なくとも１種を含む）で表される二硼化物単結晶において、前記単結晶基板の主面上に少なくともＡｌＧａＮを含む窒化物半導体緩和層（バッファ層）を成長させた後に、ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させる半導体装置とする。 - 特許庁

The method of fabricating a low temperature ZnO polycrystalline film includes: a step of growing ZnO on a substrate at a first temperature during a first time period by means of MOCVD to form a ZnO buffer layer; and a step of heating the substrate at a temperature lower than the first temperature and growing ZnO on the buffer layer during a second time period longer than the first time period to form a ZnO film.例文帳に追加

MOCVDによって第１の温度で第１の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第１の温度より低い温度で基板を加熱し、第１の時間より長い第２の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

In the InGaN well layer 21, a thickness d_21b of the second portion 21b is thinner than a thickness d_21a of the first portion 21a, and the InGaN well layer 21 partially becomes thin by growing up the active layer 17 on the semiconductor surface 19 having the facet side.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ井戸層２１において、第２の部分２１ｂの厚さｄ_２１ｂは第１の部分２１ａの厚さｄ_２１ａより薄く、ファセット面を有する半導体表面１９上に活性層１７を成長することによってＩｎＧａＮ井戸層２１が部分的に薄くなっている。 - 特許庁

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor layer which can significantly increase the carrier concentration of a p-type layer in the ZnO oxide semiconductor layer and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device having a superior property of light emission by improving a crystal state of the ZnO oxide.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

After a light-emitting diode structure is formed on the nitride-based III-V compound semiconductor 15 by growing a nitride-based III-V compound semiconductor layer containing an active layer, the ZnO layer 11 is wet-etched to be removed, thereby peeling the substrate 10.例文帳に追加

この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成した後、ＺｎＯ層１１をウエットエッチングして除去することにより基板１０を剥離する。 - 特許庁

A method for manufacturing the superjunction semiconductor element comprises the step of epitaxially growing a high specific resistance layer 32 having high resistance than that of a low resistance layer 31, and the step of irradiating the epitaxially grown layer 32 with boron and phosphorus ion beams repeatedly in the same chamber.例文帳に追加

低抵抗層３１の表面に、低抵抗層３１よりも抵抗の大きい高比抵抗層３２をエピタキシャル成長させる工程と、エピタキシャル成長させた高比抵抗層３２にボロンおよびリンのイオンビーム照射をおこなう工程とを、同一チャンバー内で繰り返し交互におこなう。 - 特許庁

Adopting a configuration of the film thickness of the Au layer 22 selected to be 0.01μm or over and 0.1μm or below can suppress growing of an Au-Sn alloy layer 52 resulting from diffusion of the Sn being the component of the solder bump into the Au layer 22 placed under the protection film 30 during the solder reflow.例文帳に追加

Ａｕ層２２の膜厚を０．０１μｍ以上０．１μｍ以下とした構成とすることで、はんだリフロー時にはんだバンプを構成するＳｎが保護膜３０の下に位置するＡｕ層２２に拡散してＡｕ−Ｓｎ合金層５２が成長していくのを抑制するようになっている。 - 特許庁

To provide a silica glass crucible including an innermost layer barium-doped for enhancing devitrification, a bubble-free and non bubble-growing intermediate layer sufficiently thick for operating for a long time, and a stable outer layer scarcely exhibiting expansion during a plurality of times of ingot pulling.例文帳に追加

失透を促進するためのバリウムドープされた最も内側の層と、長期にわたる操作のために十分に厚く、気泡及び気泡成長のない中間層とを含み、複数回のインゴット引き上げの間で膨張をほとんど示さない安定した外側層を含むシリカガラスるつぼの提供。 - 特許庁

The monocrystal thin film 6 consisting of LN or LT is formed by successively laminating a cubic silicon carbide layer 3 and a magnesium oxide monocrystal layer 4 on an Si (111) substrate 1, and epitaxally growing a thin film 5 consisting of the LN or LT on the magnesium oxide layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 - 特許庁

In a self-oscillating type semiconductor laser, having an active layer 104 which has a non-current injection region (at the mesa side) functioning as a saturable absorptive region, a p-side clad layer 105 is set undoped in a first crystal growing stage, and a p-type cap layer 109 is doped to high concentration.例文帳に追加

活性層１０４の電流非注入領域（メサ脇）が可飽和吸収領域として機能する自励発振型半導体レーザにおいて、１回目の結晶成長時にｐ側のクラッド層１０５をアンドープとし、ｐ型キャップ層１０９を高濃度ドープとする。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer, which suppresses the size of produced voids in the Pendeo growth method and also the inclination of the c-axis of the crystal in the semiconductor layer to reduce defects in this layer, and to provide a method of manufacturing semiconductor light-emitting elements using the same.例文帳に追加

ペンデオ成長法において、発生するボイドの大きさを抑制し、半導体層の結晶のｃ軸の傾きを抑制し、半導体層中の欠陥を低減できる半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided with a cleaning stage where an Si substrate is subjected to heating cleaning; an initial layer forming stage where an initial layer consisting of β-FeSi_2 is formed on the Si substrate at a first temperature; and a growing stage where the initial layer is grown at a second temperature higher than the first temperature.例文帳に追加

この発明の方法は、Ｓｉ基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β−ＦｅＳｉ_２からなる初期層を第１の温度でＳｉ基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第１の温度より高い第２の温度で成長させる成長工程とを備える。 - 特許庁

A large number of the inlet holes 522 are formed to the gas-sensitive layer 52, which is provided on an electrical insulating layer 4 so as to spread across a pair of sensing electrode layers 52 and 52, by growing a large number of inclined columnar crystals 521 inclined with respect to the surface of the electric insulating layer 4.例文帳に追加

一対の感知電極層５１，５１を渡すように電気絶縁層４上に設けられるガス感応層５２は、電気絶縁層４の表面に対して傾斜する多数の傾斜柱状晶５２１を成長させることで導入孔５２２が多数形成されるような層とした。 - 特許庁

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21.例文帳に追加

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15.例文帳に追加

次いで、再度、基板をＭＯＣＶＤ成長装置に入れて、１０００℃程度の成長温度で、マスク１６を介してＧａＮ第２バッファ層１５上に膜厚３μｍのＧａＮコンタクト層２０を横方向成長法により成長させる。 - 特許庁

In a step for growing a drift layer 23 as an SiC crystal growth layer, a second period is provided which supplies only propane from among silane as silicon material gas and propane as carbon material gas to a crystal growth surface.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。 - 特許庁

To stably obtain an n-type or p-type boron-phosphide based semiconductor layer with precisely controlled carrier density by adding n-type or p-type impurities when the boron-phosphide based semiconductor layer is formed by a vapor-phase growing means.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を気相成長手段により成長する際、ｎ形またはｐ形不純物を添加して、精密に制御されたキャリア濃度のｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層を安定して得る。 - 特許庁

The V/III ratios at the time of growing the intermediate layer 15 and current diffusing layer 16 are set so that the number of crystal defects observed on the crystalline surface of the light emitting element may become ≤20 defects.例文帳に追加

上記中間層１５の成長時のＶ／III比および電流拡散層１６の成長時のＶ／III比を、結晶表面に観察される結晶欠陥の数が半導体発光素子１個当り２０個以下となるような値に設定する。 - 特許庁

The gallium nitride-based compound semiconductor is obtained by growing at least a first gallium nitride-based compound semiconductor layer and a second gallium nitride-based compound semiconductor layer in this order on a substrate by using a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

This method includes a step of growing an ingot 7 in which the carbon is included into silicon 1, a step of forming the silicon wafer 11a by slicing the ingot then subjecting the slice to a surface treatment and a step of growing an epitaxial silicon layer 13 on the surface of the silicon wafer in which the carbon is included.例文帳に追加

シリコン１内にカーボン３が含まれたインゴット７を成長させる段階と、前記インゴットをスライス化させた後これを表面処理してシリコンウェーハ１１ａを形成する段階と、カーボンが含まれたシリコンウェーハの表面にエピシリコン層１３を成長させる段階とを含んで成る。 - 特許庁

In a first layer forming process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, silicon is grown epitaxially while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of silicon is not collapsed by growing silicon epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in oxygen atmosphere.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる第１層形成工程 において、単結晶シリコン基板１上に酸素雰囲気中でシリコンをエピタキシャル成長させることにより、シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつシリコンをエピタキシャル成長させる。 - 特許庁