「growing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for making an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface, a second step of placing a carbon nanotube layer with a plurality of gaps on the epitaxial growth surface of the substrate, a third step of growing an intrinsic semiconductor epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate, and a fourth step of growing a doped semiconductor epitaxial layer on the intrinsic semiconductor epitaxial layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁

The replicating mold includes: the electroforming layer 10 separated from a matrix 40 after growing electroforming on a main surface 41 of the matrix from the matrix 40 having the main surface 41 of the matrix having an unevenness shape; and a buffer layer 20 arranged on the opposite surface 12 of the electroforming layer positioned to face the surface contacting the main surface 41 of the matrix of the electroforming layer 10.例文帳に追加

凹凸形状を備える母型主面４１を有する母型４０から、母型主面４１上に電鋳を成長させた後、母型４０から離脱させた電鋳層１０と、電鋳層１０の母型主面４１と接していた面に相対する位置にある電鋳層反対面１２に設けられた緩衝層２０と、を有する。 - 特許庁

The method includes an amorphous layer forming process forming an amorphous layer 9a on a substrate 101, a crystal nucleus forming process generating crystal nucleuses in the amorphous layer 9a under a heat treatment of 140 to 160°C , and a crystal growth process obtaining a conductive layer 9 by growing the crystal nucleuses generated under a heat treatment of 70 to 90°C.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、１４０〜１６０℃にて加熱処理し、非晶質層９ａ中に結晶核を生成させる結晶核生成工程と、７０〜９０℃にて加熱処理し、生成した結晶核を成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of growing the first electrode on the substrate, mixing the additive and the conductive high polymer to form a mixture, depositing the mixture on the first electrode to form the conductive high polymer layer, depositing the semiconductor layer on the conductive high polymer layer, and evaporating the second electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

その製造方法ステップには、第一電極を基板上に成長させ、添加物と導電性高分子を混合して混合物を形成、混合物を第一電極上に堆積し導電性高分子層を形成、半導体層を導電性高分子層上に堆積、第二電極を半導体層上で蒸着させるステップを含む。 - 特許庁

Thereafter, the unwanted oxidation of the polysilicon film 11 is suppressed by means of the impurity-element containing layer 18 at the growing and forming of the element isolation oxide film by forming the pattern of a silicon nitride film 12.例文帳に追加

この後、窒化シリコン膜１２パターンを形成して、熱処理による素子分離酸化膜の成長形成時に、高濃度不純物元素含有層１８によって不要な酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of growing selective area by metalorganic chemical vapor deposition, which can obtain a selective area growth layer having a surface with high flatness and uniform composition.例文帳に追加

表面が高い平坦度を有し、組成が均一な選択領域成長層を得ることのできる有機金属化学気相蒸着法による選択領域成長方法を提供する。 - 特許庁

To largely improve light emitting efficiency by growing an AlGaInP semiconductor layer having good crystallinity on a GaAs substrate inclined froma plane (100) toward a direction [011].例文帳に追加

（１００）面から［０１１］方向に傾斜したＧａＡｓ基板上に良好な結晶性を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させて、発光効率を大幅に改善する。 - 特許庁

Valves 7 are opened and closed, to supply a material gas alternately from these valves to form a thin film in the concave part of the substrate by growing an atom layer, and a quantum fine wire and a quantum dot are formed.例文帳に追加

そして、バルブ７を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板３の凹部内に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

To cleanly maintain the orientation flat of a mirror finished surface without a process that forms and removes a new protective film in growing an epitaxial layer on a substrate.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル層を成長させる際、新たな保護膜の形成や除去の工程を必要とすることなく、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。 - 特許庁

Then, soil and sand and base growing materials are stored in the vegetation blocks, a next vegetation block layer B2 is stacked repeatedly, and then trees are planted in the vegetation blocks 1, 1,....例文帳に追加

その後、該植生ブロック内に土砂、生育基盤材等を収容し、更に、次の植生ブロック層Ｂ_2 を積層することを繰り返し行った後、該植生ブロック１，１…内に樹木等を植栽する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor light-emitting element, having a process for growing an In-containing layer at a growth temperature, which is higher than a conventional manner, while suppressing peel off of indium.例文帳に追加

インジウムの脱離を抑制しつつ従来より高い成長温度でＩｎ含有層を成長させる工程を有する、窒化物系半導体発光素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12B has a plurality of primary particles formed by growing in its thickness direction, and these primary particles gather to form a plurality of secondary particles.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂには、厚み方向に成長して形成された複数の１次粒子１２３があり、この１次粒子が集合して複数の２次粒子を形成している。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD).例文帳に追加

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an epitaxial wafer of small roll-off value by controlling the thickness of an epitaxial layer in the vicinity of the outermost periphery in the case of epitaxial growing.例文帳に追加

エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さを制御することでロールオフの値が小さいエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method for nitride semiconductor, whereby a uniform crystal layer can be obtained with a high reproducibility by the vapor phase growth technology for gallium nitride compound semiconductors, etc.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体などの気相成長技術において、均一で再現性の高い結晶層を得ることのできる窒化物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

This measuring chip comprises a metal film or strip metal growing on the substrate, and a dielectric for limiting the refraction ratio on the upper and lower surfaces and a dielectric buffer layer.例文帳に追加

下地の上に成長した金属薄膜またはストリップ状金属を有し、その上下表面に屈折率を限定する誘電体と誘電体バッファ層を有する測定チップに関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon epitaxial wafer by which the growing speed of an epitaxial layer can be improved, while the occurrence of slipping dislocation formed on a silicon epitaxial wafer is suppressed.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハに形成されるスリップ転位の発生を抑止しながら、エピタキシャル層の成長速度を向上させることのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer cut out from the silicon single crystal which is produced by the above production method.例文帳に追加

(3) 上記(1)、(2)の方法によって製造されたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor free-standing substrate by a simple process and at a low cost and a substrate for growing a group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

簡便なプロセスによりＩＩＩ族窒化物半導体自立基板を低コストで製造することができる製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体層成長用基板を提供する。 - 特許庁

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal.例文帳に追加

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 - 特許庁

To provide a technique for growing a crystal layer whose lattice constant differs from that of the ground substrate on the ground substrate, while the generation of dislocations and defects is restrained.例文帳に追加

基板の製造方法は、下地基板上に、その下地基板とは格子定数の異なる結晶層を転位や欠陥の発生を抑えた状態で成長する技術を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the light emitting diode device, in addition, the light emitting diode structure of this invention is constituted by growing the lattice layer in the epitaxial process of the device.例文帳に追加

このほか、本発明は発光ダイオードの製造方法を提供し、それは発光ダイオード装置のエピタキシャル過程で格子層を成長させ、本発明の発光ダイオード構造を完成する。 - 特許庁

The photoelectric transducer structure of the thin-film solar cell thus formed is formed of the crystalline semiconductor layer growing as pillars in the direction vertical to the substrate.例文帳に追加

こうして形成された薄膜太陽電池の光電変換素子構造は基板に垂直な方向に柱状に成長している結晶質半導体層により形成されている。 - 特許庁

To provide a sapphire substrate capable of manufacturing a semiconductor device high in light extraction efficiency, in a semiconductor device manufactured by growing a compound semiconductor layer on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に化合物半導体層を成長させて作製する半導体装置において、光取り出し効率の高い半導体装置を作製できるサファイア基板を提供する。 - 特許庁

A cavity R between diaphragms (semiconductor crystal layers 103, 104) and a sapphire substrate 101 is formed by the transverse growing action of the semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ダイアフラム（半導体結晶層１０３、１０４）とサファイア基板１０１との間の空洞Ｒは、半導体結晶層１０３の横方向成長作用によって形成されたものである。 - 特許庁

Subsequently, a single crystal silicon film 3 is formed in a second layer forming process (2) by stopping introduction of oxygen and growing only silicon epitaxially on a silicon film 2 containing oxygen.例文帳に追加

引き続いて、第２層形成工程 において、酸素の導入を止め、シリコンのみを酸素含有シリコン膜２上にエピタキシャル成長させることにより、単結晶シリコン膜３が形成される。 - 特許庁

Since the connecting layer 2 composed of Mo is formed, the fall of the activity of a catalytic metal 5 is suppressed by suppressing the thermal diffusion of Cu from the lower-layer Cu wiring 1, even when heat is added to the wiring 1 at the time of performing the CVD for growing the carbon nanotube 6.例文帳に追加

Ｍｏからなる接続層２を形成することにより、カーボンナノチューブ６を成長させるＣＶＤの際に熱が加えられても、下層Ｃｕ配線１からのＣｕの熱拡散が抑制され、触媒金属５の活性低下が抑えられる。 - 特許庁

A material gas is introduced into a reaction container in which a substrate is placed, and a semiconductor material generated by the chemical reaction of the material gas is deposited on the main surface of the substrate, thereby epitaxially growing the semiconductor layer serving as the light-emitting layer section.例文帳に追加

基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

The film with metal foil to be easily peeled from a film is produced by forming a release layer on the film to serve as a base material, depositing metal on the release layer by vapor-deposition or the like, and growing the vapor-deposition metal into a metal film by the electrolytic plating method.例文帳に追加

基材となるフィルムの上に離型層を形成し、該離型層の上に蒸着等で金属を載せ、蒸着金属を電解メッキ法で金属膜を成長させることで、フィルムから容易に剥離できる金属箔つきフィルムとする。 - 特許庁

To prevent the flow channel area of a jet pump from reducing and keep its efficiency from being deteriorated as a clad layer growing on the bellmouth downstream wall appears after a long-term operation in a jet pump used for nuclear power generation by preventing or restraining the clad layer from appearing.例文帳に追加

原子力発電に用いられているジェットポンプにおいて、長期間運転後にベルマウス下流壁の成長するクラッド層の発生を防止又は抑制して、それに伴うジェットポンプの流路面積の減少と効率低下を防止すること。 - 特許庁

To improve performance in an electronic device by epitaxially growing a perovskite-type oxide thin film on an inorganic amorphous layer or an organic solid layer in a desired direction, and further, to provide a high-performance electronic device by integrating the device into an IC.例文帳に追加

無機アモルファス層又は有機固体層の上にペロブスカイト型酸化物薄膜を所望の方向にエピタキシャル成長させて電子デバイスの高性能化を図るとともに、更には、ＩＣと集積化させて高性能な電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor apparatus having a nitride-gallium semiconductor layer having a growing main plane other than a c-face and having a flat plane and less crystal defect, and to provide a nitride semiconductor manufacturing method for forming such a nitride-gallium semiconductor layer.例文帳に追加

ｃ面以外の成長主面を持ち、平坦でかつ結晶欠陥が少ない窒化ガリウム半導体層を有する窒化物半導体装置およびそのような窒化ガリウム半導体層を形成するための窒化物半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

The carbon-containing region, while not limited, includes a step of injecting carbon or carbon-containing species, or a step of growing an epitaxial carbon-containing layer on a semiconductor substrate, with or without an epitaxial cap layer thereon.例文帳に追加

炭素含有領域は、ウエハにおける炭素又は炭素含有種を注入するステップ又は上にあるエピタキシャルキャップ層を有する、又は有しない半導体基体上にエピタキシャル炭素含有層を成長するステップを含むがこれに限定されない。 - 特許庁

The production method of the group III nitride semiconductor layer includes steps of: forming a carbide layer 11 selected from titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide and tantalum carbide on a base substrate 10; growing a group III nitride semiconductor layer 12 above the carbide layer 11; and removing the base substrate 10 by inducing cracks in the group III nitride semiconductor layer 12 to obtain the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む - 特許庁

The method for vapor growth of growing the epitaxial layer on a semiconductor substrate comprises growing the epitaxial layer by measuring previously the concentration of a carrier of the semiconductor substrate at a room temperature and then by controlling a set temperature of the substrate responding to the carrier concentration at the room temperature so that a real surface temperature of the substrate may become a desired temperature regardless of the carrier concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め半導体基板の室温におけるキャリア濃度を測定し、該半導体基板のキャリア濃度に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温におけるキャリア濃度に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film has a step of forming a first organic molecular layer having a regular molecule arrangement consisting of first organic molecules on the substrate; a step of forming a second organic molecule layer epitaxially growing on the first organic molecule layer; and a step of sublimating, evaporating or dissolving the first organic molecule layer to remove it from the second organic molecule layer.例文帳に追加

基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer by which the plane direction of a semiconductor layer to be grown on a substrate can be selected and a piezoelectric field of the semiconductor layer can be suppressed and/or its crystal quality is improved as needed, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

基板上に成長させる半導体層の面方位を選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法およびこの成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the growing process, heating control is effected to allow the Si molten solution layer 71a to take C and Si in from the 3C-SiC polycrystal layer 72 and the C taken in is coupled with the Si in the Si molten solution layer, whereby epitaxial growth of a 4H-SiC monocrystal on the monocrystal SiC base 70 is effected.例文帳に追加

成長工程では、加熱制御を行うことで、Ｓｉ融液層７１ａが、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該単結晶ＳｉＣ基板７０に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

This method comprises the step of preparing a sapphire substrate 10, the step of forming an intermediate layer 11 containing aluminum and nitrogen on the sapphire substrate 10 by a vapor phase growth method at a growth temperature of 1,100-1,300°C, and the step of growing a group III nitride layer 12 on the intermediate layer 11.例文帳に追加

サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

A semiconductor layer containing a first crystal region and a second crystal region growing towards the film-forming direction of a film is formed between an impurity semiconductor layer doped with one conductivity type impurity element and an impurity semiconductor layer doped with a conductivity type impurity element reverse to one conductivity type.例文帳に追加

一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride-based semiconductor layer includes a step of applying nitride processing to one main surface of the sapphire substrate at a temperature of 800-1,200°C before forming the nitride-based semiconductor layer, and a step of forming the nitride semiconductor layer by an organic metal vapor phase growing method on the surface of the nitride-processed sapphire substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁