「growing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor layer 20 is grown on the basis of the species crystal part 11a and has the lateral growing area of low dislocation density.例文帳に追加

半導体層２０は種結晶部１１ａを基礎として成長し、転位密度が低い横方向成長領域を有している。 - 特許庁

A step (S50) of selectively growing an epitaxial film constituting the mesa structure part on the substrate is performed with the second mask layer as a mask.例文帳に追加

第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

To obtain transistor characteristics complying with the by applying the idea of an SiGe spacer layer 7 and blocking a parasitic barrier from growing.例文帳に追加

ＳｉＧｅスペーサ層７のアイディアを活用し、且つ、寄生障壁の発生を阻止することにより、理論通りのトランジスタ特性を持たせる。 - 特許庁

After a recess 4 is formed by anisotropically etching an n^+-type layer 3, an n-type channel layer 5 is formed by epitaxially growing the interior of the recess 4.例文帳に追加

ｎ^+型層３に対して異方性エッチングを行うことによって凹部４を形成したのち、この凹部４内にエピタキシャル成長させることによってｎ型チャネル層５を形成する。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The crystal particles at an initial stage in film-forming of an i layer of a microcrystal Si formed on a first dope layer 4 counter-dopes only a region 51 growing in a growth plane direction.例文帳に追加

第一ドープ層４上に成膜する微結晶Ｓｉのｉ層の製膜初期の結晶粒が成長面内方向に成長する領域５１のみにカウンタードープを行う。 - 特許庁

A metal layer 1a, which is molten by reacting to a solution for liquid phase epitaxial growth, comprising one part of the epitaxial growing layer is formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1 (a).例文帳に追加

（ａ）半導体基板１の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層１ａを形成する。 - 特許庁

Thereafter, an intermediate layer 13 having the facets 15 is formed by again epitaxially growing the III nitride so that the nitride may bury the initial epitaxially grown layer 16 and may have a flat surface.例文帳に追加

その後、初期エピタキシャル成長層１６を埋設し、平坦化するようにして再度前記III族窒化物をエピタキシャル成長させ、ファセット１５を有する中間層１３を形成する。 - 特許庁

An lower layer portion 13a consisting of GaN is grown, a growing temperature (1,020°C) is being kept, supply of material gas of Ga is stopped for 3 minutes, and the surface of the lower layer portion 13a is etched.例文帳に追加

ＧａＮよりなる下層部１３ａを成長させ、成長温度（１０２０℃）は保持しつつＧａの原料ガスの供給を３分間停止して下層部１３ａの表面をエッチングする。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor light-emitting device that prevents evaporation and heat deterioration in an active layer when growing the wide gap layer in a ZnO-based semiconductor, and has excellent light-emitting characteristics and reliability.例文帳に追加

ZnO系半導体のワイドギャップ層成長時における活性層の蒸発や熱劣化を防ぎ、発光特性と信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor that can reduce mixing of Al when an aluminum compound semiconductor layer and a nitride semiconductor layer are both formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物半導体層及び窒素化合物半導体層の両方の形成に際してＡｌの混入を低減可能な、化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor contains acceptors such as carbon (C), iron (Fe) and zinc (Zn) in the spacer layer, and mixes the acceptors such as carbon (C), iron (Fe) and zinc (Zn) in growing the spacer layer by an MOCVD method.例文帳に追加

このような電界効果トランジスタは、ＭＯＣＶＤ法によるスペーサー層の成長時に、炭素（Ｃ）鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）などのアクセプターを混入させることより得ることができる。 - 特許庁

The lithium battery 1 has a blocking layer 16 physically blocking the growth of lithium crystals in a position blocking a growing route of lithium crystals on the surface of the solid electrolyte layer 15.例文帳に追加

このリチウム電池1は、固体電解質層15の表面におけるリチウム結晶の成長ルートを遮断する位置に、リチウム結晶の成長を物理的に塞き止める遮断層16を有する。 - 特許庁

The vegetation layer 6 is belt-shaped along the longitudinal direction of the walkway 3 and the curbstones 4, and a greened area 17 is formed with plants 7 growing in the vegetation layer 6.例文帳に追加

植生層６は、歩道３及び縁石４の長手方向に沿ってベルト状に形成され、植生層６において生育する植物７によって緑化領域１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer such as a GaN layer grown in excellent crystal having a small number of through dislocations and a semiconductor light emitting device formed through the same.例文帳に追加

貫通転移の少ない良質な結晶を成長させることができるＧａＮ層などの半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the InGaN layer, under conditions that a growing temperature is 700°C to 790°C, a growing speed is 30 Å/min to 93 Å/min, and a flow rate of trimethyl indium is 1.76×10^-5 mol/min to 3.53×10^-5 mol/min, the InGaN layer is grown.例文帳に追加

本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００℃〜７９０℃の成長温度、３０Å／分〜９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０^−５モル／分〜３．５３×１０^−５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。 - 特許庁

In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59.例文帳に追加

Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。 - 特許庁

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask.例文帳に追加

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4.例文帳に追加

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 - 特許庁

Thus, when the surface of the intermediate layer (IL) is made into a roughened surface, in the case of growing the recording layer (RL), grain isolation in the recording layer is promoted, but since the intermediate layer (IL) has little columnar structures, paths of water or corrosive decrease more than before.例文帳に追加

そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。 - 特許庁

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing.例文帳に追加

活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。 - 特許庁

The method for the producing the graphite nanofiber comprises forming an Al layer 2 on the surface of a substrate 1, then forming a catalyst layer 3 on the Al layer 2, and vapor-growing the graphite nanofiber 4 on the catalyst layer 3 at a low temperature under below the atmospheric pressure by supplying a mixed gas of a carbon atom-containing gas and hydrogen gas.例文帳に追加

基板１の表面にＡｌ層２を形成し、このＡｌ層上に触媒層３を形成し、この触媒層上に炭素原子含有ガスと水素ガスとの混合ガスを供給して、低温で大気圧以下で気相成長せしめる。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

As the first embodiment, a metallic bond layer 22 and a porous ZeO2 based ceramic layer 23 are laminated in turn, on a base material 21, while a fine crack 24, expanding (growing) in the thickness direction of the ceramic layer 23, is formed.例文帳に追加

本発明の第一の態様として、基材２１の上に金属結合層２２および多孔質のＺｒＯ_2系セラミックス層２３が順次積層されており、セラミックス層２３には厚さ方向に伸びる微細なき裂２４が生じている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 13 is formed by an epitaxial growing method so as to retain the recess of the trench 12 on the inner wall of the trench 12, and a p-type semiconductor layer 14 is similarly formed on the surface of the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

トレンチ１２の内壁上にトレンチ１２の凹みを残すようにＮ型半導体層１３をエピタキシャル成長法により形成し、同様にＮ型半導体層１３の表面上にＰ型半導体層１４を形成する。 - 特許庁

To realize the enhancement of medium functions such as high output and low noise by improving the orientation of a magnetic recording layer in a perpendicular magnetic recording medium and reducing the initial growing layer in the magnetic recording layer.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体における磁気記録層の配向性を改善し、さらに磁気記録層における初期成長層を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現すること。 - 特許庁

Growing of a p---type high-resistance layer 24 is made by stopping of the B2H6 gas supply into the reacting furnace and by continuing supplying of SiHCl3 gas.例文帳に追加

反応炉内へのＢ_2 Ｈ_6 ガスの供給を停止し、ＳｉＨＣｌ_3 ガスの供給を継続して、ｐ^--型の高抵抗層２４を成長させる。 - 特許庁

The current density in growing the plated layer 4 supporting the diamond abrasive grains 5L is set ranging from 0.03 to 0.1 (A/dmm^2).例文帳に追加

ダイヤモンド砥粒５Ｌ…を支持するメッキ層４を成長させていくときの電流密度を、０．０３〜０．１〔Ａ／ｄｍｍ^２〕の範囲に設定する。 - 特許庁

This coat is made of more than one of heat resistant layers at least one layer of which is αAl_2O_3 showing a strong growing structure along <001>.例文帳に追加

この被膜は、少なくとも１層が＜００１＞に沿う強い成長組織を示すαＡｌ_２Ｏ_３である１層以上の耐熱層からなる。 - 特許庁

Then a second grown layer 22 is grown so that the growth rate in the direction perpendicular to the growing surface may become ≤10 μm/h.例文帳に追加

そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor growing apparatus which improves uniformity of a composition of a semiconductor layer and can improve a manufacturing yield.例文帳に追加

本発明の実施形態は、半導体層の組成の均一性を向上させ製造歩留りを改善できる半導体成長装置を提供する。 - 特許庁

In the temperature reducing process after growing a contact layer 509 of p-type GaAs, supply of the material gas, which contains AsH3, is stopped, and only the carrier gas is supplied.例文帳に追加

p型GaAsコンタクト層５０９成膜後の降温過程においては、AsH_3を含む原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみを供給する。 - 特許庁

To provide a method of growing a GaN thick film of high quality suitable for use as a regrown substrate for a homoepitaxial element layer.例文帳に追加

ホモエピタキシャル素子層の再成長基板として使用するのに好適な高品質のＧａＮ厚膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, which is based on a solution method and by which morphology of the surface of a crystal growth layer can be improved.例文帳に追加

溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。 - 特許庁

After a step 110 of growing an active layer 4, a step 111 of interrupting growth is provided to raise the temperature of a substrate during the period of the step 111.例文帳に追加

活性層４を成長する工程１１０の後、成長中断工程１１１を設けてその期間中に基板温度を昇温する。 - 特許庁

GROWING METHOD OF NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。 - 特許庁

A metal oxide layer is deposited on the substrate by reacting a precursor with an oxidant gas in a chemical gas phase growing chamber.例文帳に追加

化学気相成長チャンバ中で、前駆物質を酸化体ガスと反応させることによって、基板上に金属酸化物層を堆積させる。 - 特許庁

The organism- growing layer 2 has many granules 5 suitable for growth or inhabitation of the animals and plants stored in a net-like body 4.例文帳に追加

生物育成層２においては、網状体４内に、動植物の育成ないしは生息に適した多数の粒状物５が収納されている。 - 特許庁

growing a crystal layer of one mineral on the crystal base of another mineral in such a manner that its crystalline orientation is the same as that of the substrate 例文帳に追加

結晶配向がその基質と同じであるような方法でもう1つの結晶基盤の鉱物の上で、鉱物の結晶層を栽培すること - 日本語WordNet

In a method for growing CNT wherein a substrate having a layer of a catalyst metal oxide is used as a catalyst layer for growing CNT and CNT is grown on the substrate by supplying a process gas for growing CNT to the substrate, the catalyst metal oxide is reduced by the process gas and CNT is grown on the catalyst metal during the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 - 特許庁

To provide a new plant-growing container in which merit can be expanded and demerit can be corrected and to provide a plant-growing container having high stability without damaging a water-proof layer, or the like, even when installed on the rooftop of a building.例文帳に追加

植物育成容器のメリットを伸張させ、デメリットを是正できる新たな植物育成容器の提供、ビル屋上に設置しても防水層等を傷つけることなく、また安定性が高い植物育成容器を提供すること。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加

本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

In the control method of magnetic anisotropy, a heterostructure is prepared on a single crystal ferroelectric layer by epitaxially growing a ferromagnetic layer, and the magnetic anisotropy of the ferromagnetic is changed by a distortion occurring on the junction interface of the ferroelectric layer and the ferromagnetic layer by applying a voltage to the ferroelectric layer.例文帳に追加

単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 - 特許庁

The heat dissipation structure includes a substrate, a surface layer formed on both surfaces or one surface of the substrate and comprising Al or an Al alloy layer, and an aluminum carbide whisker layer growing outward from the surface layer, wherein a melting point of the surface layer is lower than the melting point of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の両面又は片面に形成されたＡl又はＡl合金層からなる表面層と、及び該表面層から外側に向かって成長している炭化アルミニウムウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱構造により、上記課題が解決される。 - 特許庁