「growing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND COMPOSITION FOR GROWING POLYPHYLETIC METALLIC OR METALLIC COMPOUND LAYER例文帳に追加

多元金属又は金属化合物層の成長のための方法及び組成物 - 特許庁

This invention realizes a GaN layer growing method capable of realizing a GaN layer growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and provides the semiconductor element having the growing GaN layer just above the Si substrate.例文帳に追加

本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 - 特許庁

To provide a GaN layer growing method capable of realizing a GaN growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and to provide a semiconductor having a GaN layer growing just above an Si substrate.例文帳に追加

半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GROWING EPITAXIAL LAYER ON WAFER BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

化学蒸着によりウェハ上にエピタキシャル層を成長させる装置および方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlInGaN LAYER AND, OPTOELECTRONIC, PHOTOVOLTAIC AND ELECTRONIC DEVICES例文帳に追加

ＡｌＩｎＧａＮ層の成長方法、光電子装置、光電池装置、および電子装置 - 特許庁

In this case, indium starting material is supplied into an atmosphere for growing the p-type clad layer 107, and a temperature for growing the p-type clad layer is kept in a range between 800°C to 1,000°C.例文帳に追加

この場合、ｐ型クラッド層１０７の成長雰囲気中にインジウム原料を供給し、ｐ型クラッド層の成長温度を８００℃〜１０００℃の範囲とする。 - 特許庁

The method further comprises the step of growing an SiC spacer layer 105 at this temperature by using an SiH4 (silane) and C3H8 (propane).例文帳に追加

この温度でSiH_4（シラン）およびC_3H_8（プロパン）を用い、SiCスペーサ層１０５を成長する。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING DEVICE AND METHOD OF FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

化合物半導体結晶成長装置及び化合物半導体層の成膜方法 - 特許庁

The method for growing the SiC layer comprises the steps of growing an InGaAs channel layer 104, then switching a carrier gas to a hydrogen containing the nitrogen of 20% from a hydrogen, and heating a board to 1,000°C.例文帳に追加

InGaAsチャネル層１０４を成長した後、AsH_3を供給したままで、キャリアガスを水素から20％の窒素を含む水素に切り換え、基板温度を1000℃まで昇温する。 - 特許庁

In the state, a p layer (third semiconductor layer) 14 is epitaxially grown (figure 1(c): second growing step).例文帳に追加

この状態で、ｐ層（第３の半導体層）１４をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ）：第２成長工程）。 - 特許庁

A second layer of a second conductivity type is formed in a recessed part of the mesa structure of the first layer by a liquid-phase growing method.例文帳に追加

第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。 - 特許庁

To form an AlGaN layer having such a thickness that the layer can sufficiently function as a crystal growing base layer with a low defect density.例文帳に追加

結晶成長下地層として充分に機能する程度の厚みを有する低欠陥密度のＡｌＧａＮ層を形成すること。 - 特許庁

The root growing layer forming member F is like a rolled mat made mainly of fibers and can contain the amount of water required for growing plants.例文帳に追加

根生育層形成材Ｆは主として繊維製のロールマット状であり、植物の生育に必要な量の含水が可能なものである。 - 特許庁

To avoid an operation trouble accompanied by the generation and growing of a powder adhesion layer.例文帳に追加

パウダー固着層の生成、成長に伴う操業トラブルを回避できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor layer, the crystal defect density of which is low.例文帳に追加

結晶欠陥密度が低い窒化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the film thickness of the GaN layer 16 being growing is measured in real time.例文帳に追加

したがって、成長中のＧａＮ層１６の膜厚をリアルタイムで測定することができる。 - 特許庁

To further improve a film forming speed in forming a thin film using an atomic layer growing method.例文帳に追加

原子層成長法による薄膜の形成において、成膜速度をより向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, EPITAXIAL WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を成長する方法、エピタキシャルウエハ、および半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR PHASE GROWING BORON PHOSPHIDE LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素層の気相成長方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁

To form a semiconductor layer which is thicker than in a conventional manner with one time epitaxial growing process.例文帳に追加

１回のエピタキシャル成長工程で従来よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.例文帳に追加

次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁

The surface of the intermediate treatment layer 2 has a hydroxyapatite layer 3 growing thickly by immersing it in Hanks solution.例文帳に追加

中間処理層２の表面に、Hanks溶液に浸漬させることにより、密に成長したハイドロキシアパタイト層３を有している。 - 特許庁

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

A method of growing a nitride semiconductor layer includes: preparing a substrate; forming nitride semiconductor dots on the substrate: and growing a nitride semiconductor layer on the nitride semiconductor dots.例文帳に追加

基板を準備し、該基板上に窒化物半導体ドットを形成し、窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法である。 - 特許庁

To provide a technology for growing a thick single-crystal layer on a semiconductor wafer without growing a crystal layer in an angulated shape on an end surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。 - 特許庁

In a substrate 1 or in the neighborhood thereof, V/III ratio of a semiconductor layer A growing the crystal previously is set smaller than V/III ratio of a semiconductor layer B growing the crystal subsequently.例文帳に追加

基板１またはその付近では、先に結晶成長させる半導体層ＡのＶ／III 比を後から結晶成長させる半導体層ＢのＶ／III 比よりも小さく設定する。 - 特許庁

In the GaN layer growing method using a CVD method to grow a GaN layer just above the Si substrate, the GaN layer is grown in ≤100 Torr growing pressure.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B.例文帳に追加

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 - 特許庁

This method includes step for: forming an amorphous carbon layer 102 on a graphite substrate 101; growing a c-axis orientation film 103 of AlN by a MOCVD method on the amorphous carbon layer; forming a low-temperature growing buffer layer 104 formed of GaN on the c-axis orientation AlN; and forming a GaN layer 105 on the low-temperature growing GaN buffer layer.例文帳に追加

グラファイト基板１０１上にアモルファスカーボン層１０２を設け、該アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜１０３を成長させた後、該ｃ軸配向ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層１０４を形成し、該低温成長ＧａＮバッファ層上にＧａＮ層１０５を形成する。 - 特許庁

A seed layer 14 is formed on the barrier metal layer 13 deposited on the base of the groove 12a to serve as nucleuses for growing crystals, when the wiring layer 15 is formed.例文帳に追加

シード層１４は、溝１２ａの底部に形成されたバリアメタル１３上に形成され、配線層１５を形成する際の結晶成長の核となる。 - 特許庁

By now growing this seed layer with atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD), a high quality layer can be grown.例文帳に追加

ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。 - 特許庁

Then a contact buffering layer 106 containing at least an Si epitaxial layer formed by epitaxially growing Si is formed on the epitaxial layer 104.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層１０４上に、少なくとも、Ｓｉをエピタキシャル成長させて成るＳｉエピタキシャル層を含むコンタクト緩衝層１０６を形成する。 - 特許庁

Then, the temperature is raised to 1,000°C or higher, for growing the GaN layer by 1 μm for example.例文帳に追加

その後、１０００℃以上まで昇温してＧａＮ層を例えば１μｍ成長させる。 - 特許庁

The root growing layer forming member F is unfolded to cross the narrow and long supporting member B orthogonally and is fixed.例文帳に追加

根生育層形成材Ｆを、細長支持材Ｂに直交するように展開し、固定する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of increasing an amount of the nitrogen in the carrier gas to 50%, and growing an n+-type SIC contact layer 107.例文帳に追加

キャリアガス中の窒素の量を50%に増加させ、ｎ^+-SiCコンタクト層１０７を成長する。 - 特許庁

To provide a method of growing crystal for a compound semiconductor having high quality which also controls monoatomic layer.例文帳に追加

単原子層も制御する、良質な化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group III-V layer on silicon using a nano-scale orientation pattern.例文帳に追加

配向ナノスケールパターンを用いて、シリコン上にIII−Ｖ族層を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer for the semiconductor light emitting element is formed on the main surface of the growing substrate.例文帳に追加

半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 - 特許庁

METHOD AND ROTARY DISK TYPE REACTOR FOR GROWING UNIFORM EPITAXIAL LAYER ON THE SURFACE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基板の表面に均一なエピタキシャル層を成長させる方法および回転ディスク式反応器 - 特許庁

GROWING METHOD OF ALUMINUM NITRIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＡｌＮ層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING EPITAXIAL LAYER OF NITRIDE OF GROUP III ON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶基板上に第３族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置 - 特許庁

To provide a base for use in growing an epitaxial layer, and to provide a method of use thereof.例文帳に追加

本発明は、エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes an Si-layer formation process, an Si-layer sealing process, a heating process, and a growing process.例文帳に追加

半導体ウエハの製造方法は、Ｓｉ層形成工程と、Ｓｉ層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。 - 特許庁

The apparatus 100 for growing has a hollow cylindrical shape and is provided with a carbon nanotube producing layer 20 and a power generating layer 30.例文帳に追加

成長用基板１００は、中空円筒状を有しており、カーボンナノチューブ生成層２０と、発電層３０とを備える。 - 特許庁