「initial formation process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Deformation of a wafer 110 for a channel formation substrate is regulated in the initial process by changing the conditions in annealing such as the temperature, time period, or the like, thus guiding or minimizing deformation of the wafer 110 for a channel formation substrate to a desired range in a process for forming a piezoelectric element.例文帳に追加

アニール処理における温度及び時間等の条件を変化させることにより、初期工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を調整し、圧電素子を形成する工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を所望の範囲に誘導（抑制）する。 - 特許庁

To provide a grinding process for generating a mineral dispersion with a low initial viscosity, a high solid content and minimum viscosity increase with lapse of time (that is, minimum gel formation).例文帳に追加

低い初期粘度、高い固体含有量および時間の経過による最小の粘度増加（すなわち、最小のゲル形成）の鉱物分散物を生じさせる粉砕方法を提供する。 - 特許庁

In the early stage of the second etching process, the initial groove mask 54 covers a portion of the upper surface of the bottom formation layer 42 in a region where the second portion is scheduled to be formed.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

In a process for cooling the molten metal, the temperature is wholly and uniformly lowered from the wall surface to the center part of the vessel without developing the latent heat with the formation of the solidified layer at the initial stage.例文帳に追加

溶融金属を冷却する工程で初期凝固層の形成による潜熱の発生なしに容器の壁面から中心部にわたって全体的に均一に温度が低下する。 - 特許庁

In a process for cooling the molten metal, the temperature is wholly and uniformly lowered from the wall surface to the central part of the vessel without developing the latent heat caused by the formation of the solidified layer at the initial stage.例文帳に追加

溶融金属を冷却する工程で初期凝固層の形成による潜熱の発生なしに容器の壁面から中心部にわたって全体的に均一に温度が低下する。 - 特許庁

To solve the following problems: the conventional dicing device which divides semiconductor chips at an element formation portion cannot be used since a thick peripheral portion is left in a final process in a process of manufacturing a semiconductor wafer in which only the element formation portion is made thin and the peripheral portion still has the initial thickness of a semiconductor substrate, and a new facility investment is necessary.例文帳に追加

素子形成部のみ薄化し周辺部は初期の半導体基板の厚みを残した半導体ウエハの製造工程においては、最終工程で厚い周辺部が残るため、素子形成部の半導体チップを分割する従来のダイシング装置を用いることができず、新たな設備投資が必要となる。 - 特許庁

To provide a motor drive circuit and a motor drive method which do not require formation of a cutaway portion with a mechanical process, assure operation of initial start of a rotor and improve the working efficiency of a motor.例文帳に追加

機械的な加工による切欠部を形成する必要がなく、ロータの初期起動の動作を行うことができ、モータの作動効率を改善することができるモータの駆動回路およびモータの駆動方法を提供すること。 - 特許庁

Formation of an advanced control block 56 is initiated by creating an initial function control block having generic control logic 102 and control inputs and outputs communicatively connected to process outputs and inputs.例文帳に追加

アドバンスド制御ブロック５６は、汎用制御論理１０２を有し、プロセス出力および入力に通信可能に接続された制御入力および出力とを有する初期機能制御ブロックを作成することで形成が開始される。 - 特許庁

In one aspect, formation of a thin titanium nitride protective film on an initial film is found by depositing the initial film of titanium using an arbitrary prior art process, e.g. CVD, PVD or IMP (ion metal plasma), and then heating it at about 450°C in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

一面においては、ＣＶＤ、ＰＶＤ或いはＩＭＰ（イオン金属プラズマ）などの任意の従来の過程を用いてチタンの初期膜を堆積し、次にこのデバイスを窒素雰囲気内で約４５０度Ｃの温度に加熱することで、この初期膜の表面上に窒化チタンの薄い保護層を形成できることが発見された。 - 特許庁

When the image forming characteristic fluctuated in a direction where developing characteristic is increased by the cumulative operation of the process cartridge, image- formation which is closer to the reference values of an image is performed, by making initial variation large and timing of variation short from gradually asymptotic characteristic.例文帳に追加

プロセスカートリッジの累積動作により現像特性が増加する方向に変動する画像形成特性は、徐々に漸近する特性から、初期の変更量を大きく、変更のタイミングを短くして、より画像の基準値に近い画像形成を行なう。 - 特許庁

When the seed layer is formed by an ionization PVD process, the power for plasma formation and RF bias are adjusted, and an initial seed layer where the bottom of the opening is formed is resputtered for depositing onto the side wall of the opening, thus forming the seed layer with the superior side-wall step coverage characteristics.例文帳に追加

イオン化ＰＶＤ工程によるシード層の形成の時、プラズマ形成用の電力およびＲＦバイアスを調節してオープニングの底の形成される初期シード層をリスパッタリングしてオープニングの側壁に再蒸着して、側壁ステップカバレージ特性が優秀なシード層を形成できる。 - 特許庁

When the protective film is formed on a sliding resistant member using a plasma CVD process with gaseous hydrocarbon as a raw material, a bias potential of >-500 V is applied to the sliding resistant member at the initial stage of forming a protective film, and a bias potential of ≤-500 V is applied, so as to perform film formation at the final stage of the film deposition.例文帳に追加

炭化水素ガスを原料としたプラズマＣＶＤ法を用いて耐摺動部材上に保護膜を形成するにあたり、保護膜の成膜初期は耐摺動部材に−５００Ｖを超えるバイアス電位を印加し、成膜終期には−５００Ｖ以下のバイアス電位を印加して成膜することを特徴とする。 - 特許庁

As an initial manufacturing process of ink jet head, a drive circuit and the terminals thereof are formed on a silicon substrate followed by formation of an oxide film, wiring electrodes, fine resistors (heating elements 15) of Ta-Si-SiO, for example, and electrodes (common electrode 12, individual wiring electrodes 14) of Ni, for example, before determining the position and shape of the heating element 15.例文帳に追加

インクジェットヘッド製造の最初の工程としてシリコン基板に駆動回路とその端子を形成し、酸化膜と配線電極を形成し、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯなどの微細抵抗（発熱素子１５）、Ｎｉなどによる電極（共通電極１２、個別配線電極１４）を形成して発熱素子１５の位置と形状を決める。 - 特許庁