| 意味 | 例文 |
insulating substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9601件
A semiconductor module comprises: an insulating substrate 4; a plurality of semiconductor chips 1 arranged on a surface of the insulating substrate 4 apart from one another; a solder layer 9 formed only at a position corresponding to a position at which each semiconductor chip 1 is arranged on the back side of the insulating substrate 4; and a base plate 6 connected to the insulating substrate 4 via the solder layer 9.例文帳に追加
半導体モジュールは、絶縁基板4と、絶縁基板4表面において互いに離間して配置された、複数の半導体チップ1と、絶縁基板4裏面側において、各半導体チップ1が配置された位置に対応する位置にのみ形成された、はんだ層9と、はんだ層9を介して、絶縁基板4と接続されたベース板6とを備える。 - 特許庁
Furthermore, wiring layers 18 are formed on the insulating substrate 13 and the conductors 16, the metal substrate 15 and insulating resin layer 11 are peeled off to obtain an inspecting jig which has the projecting inspection electrodes on one surface of the insulating substrate 13 and also has the inspecting electrodes 16a and wiring layers 18 fixed to the insulating substrate 13 in caulked structure.例文帳に追加
さらに、絶縁基板13及び導体16上に配線層18を形成し、金属基板15及び絶縁樹脂層11を剥離・除去することで絶縁基板13の一方の面に突出した検査電極16aが形成され、検査電極16a及び配線層18がカシメ構造にて絶縁基板13に固定された検査治具を得る。 - 特許庁
Electrodes 23 and 24 are formed at specified positions on the opposing surfaces of a lower insulating substrate 21 and an upper insulating substrate 22, opposite end faces of a thermoelectric element 25 are soldered to the electrodes 23 and 24, respectively, and then a plurality of thermoelectric elements 25 are secured between the lower insulating substrate 21 and the upper insulating substrate 22 thus forming a thermoelectric module 20.例文帳に追加
下側絶縁基板21と上側絶縁基板22における対向する面の所定箇所に電極23,24を形成し、電極23,24にそれぞれ熱電素子25の両端面をハンダ付けすることにより、下側絶縁基板21と上側絶縁基板22の間に複数の熱電素子25を固定して熱電モジュール20を形成した。 - 特許庁
The SOI 100 includes: a silicon substrate 101; a first insulating film 102 formed on the silicon substrate 101; a second insulating film 103 formed on the first insulating film 102; a third insulating film 104 formed on the second insulating film 103; and a silicon layer 106 formed on the third insulating film 104.例文帳に追加
シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成された第1絶縁膜102と、第1絶縁膜102上に形成された第2絶縁膜103と、第2絶縁膜103上に形成された第3絶縁膜104と、第3絶縁膜104上に形成されたシリコン層106とからなるSOI基板100の構成を有する。 - 特許庁
In a specific region of an interlayer insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, an insulating film projection part 3 or insulating film recessed part is formed, and the wiring layer 4 is arranged to cover the insulating film projection part 3 or insulating film recessed part.例文帳に追加
シリコン基板1上に形成した層間絶縁膜2の所定の領域に絶縁膜凸部3あるいは絶縁膜凹部が形成され、上記絶縁膜凸部3あるいは絶縁膜凹部を被覆するようにして配線層4が配設される。 - 特許庁
A transparent substrate 20 consisting of a glass substrate or a transparent resin substrate is sealed onto the lower surface of the insulating film 2 being exposed via the pit 19.例文帳に追加
次に、ピット19を介して露出された絶縁膜2の下面にガラス基板または透明樹脂基板からなる透明基板20を固着する。 - 特許庁
As the substrate S, a nitrogen-containing gate insulating film substrate is employed on which a film forming side is formed on the substrate body.例文帳に追加
基板Sを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。 - 特許庁
To inhibit the release electrostatic charging of a substrate when exfoliating the substrate from a conductive hot plate while heating an insulating substrate by contacting to a heating plate.例文帳に追加
絶縁性基板を発熱プレートに接触させて加熱すると共に、基板を導電性のホットプレートから剥離する際に、基板の剥離帯電を抑制する。 - 特許庁
The insulating substrate 8 includes a substrate body 6 formed of silicon, and a thermally-oxidized silicon film 5 stacked on the surface of the substrate body 6.例文帳に追加
前記絶縁基板8は、シリコンで形成された基板本体6と、前記基板本体6の表面に積層された熱酸化シリコン膜5を備える。 - 特許庁
To decrease manufacturing defects of a substrate for a display device, by preventing a flexible plastic insulating substrate from bending in the manufacturing process of the substrate for the display device.例文帳に追加
表示装置用基板の製造過程でフレキシブルなプラスチック絶縁基板が撓むことを防止し、表示装置用基板の製造不良を減少させる。 - 特許庁
To effectively dissipate the heat produced in a silicon layer to the outside of an SOI substrate through a substrate insulating film and a support substrate.例文帳に追加
特許文献1に記載のSOI基板においては、絶縁膜の熱伝導率が高くても、厚い支持基板によって放熱が妨げられてしまう。 - 特許庁
This manufacturing method of a substrate is a method comprises a patterning process wherein a semiconductor substrate 1 on an insulating layer 4 formed with a recessed part 7 is polished and the substrate 1 is left only in the recessed part 7.例文帳に追加
凹部7が形成された絶縁層4上の半導体基板1を研磨し、凹部7内にのみ半導体基板1を残すパターニング工程を行う。 - 特許庁
To enable the insulating substrate of a thermistor device composed of the substrate and a thermistor layer of thermistor material formed on the substrate to be more improved in mechanical strength.例文帳に追加
電気絶縁性の基板にサーミスタ材料よりなるサーミスタ層を形成してなるサーミスタ素子において、更なる基板強度の向上を実現する。 - 特許庁
The substrate for semiconductor devices is provided with a substrate 1, and an electrical insulating film 3 formed on at least one part of the surface of the substrate 1.例文帳に追加
半導体装置用基板は、基材1と、この基材1の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜3とを備える。 - 特許庁
The other end of the local electrode extends along a side surface of the insulating substrate to external connection substrate wiring formed on the connection substrate.例文帳に追加
局部電極の他端は、前記絶縁基板の側面に沿って、前記外部接続基板上に形成された外部接続基板上配線にまで延在する。 - 特許庁
After a gate insulating film 2 and a first lower electrode 3 are formed on the channel area 6 of a silicon substrate 1, a BPSG interlayer insulating film 7 is formed on the substrate 1 so as to cover the electrode 3 and insulating film 2 and a contact hole 8 is made on the insulating film 7.例文帳に追加
シリコン基板1のチャネル領域6上にゲート絶縁膜2及び第1の下部電極3が形成され、第1の下部電極3及びゲート絶縁膜2を覆うようにシリコン基板1上にBPSGからなる層間絶縁膜7が形成される。 - 特許庁
An insulating film laminate 8 wherein the first insulating film 1 to the sixth insulating film 6 are laminated is formed on a substrate, and the first layer internal wire 21 comprising copper electrically insulated from the substrate is formed inside the second insulating film 2.例文帳に追加
基板の上に第1の絶縁膜1から第6の絶縁膜6が積層された絶縁膜積層体8が形成されており、第2の絶縁膜2の内部には、基板と電気的に絶縁された銅からなる第1の層内配線21が形成されている。 - 特許庁
A space part 18 is provided above the electrodes 4, 5, 5' provided on an insulating substrate 1 by a spacer 11.例文帳に追加
絶縁性基板上に設けた電極上に、スペーサによって空間部を設ける。 - 特許庁
An insulating layer may be applied between the substrate and the electrically conductive layer by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加
化学蒸着法により、絶縁層を基材と導電層との間に塗布してもよい。 - 特許庁
An insulating film 101 is formed on a surface of a substrate, and a first wiring layer 102 is formed.例文帳に追加
基板の表面に絶縁膜101を形成し、第1配線層102を形成する。 - 特許庁
LEAD TERMINAL AND INSULATING SUBSTRATE WITH LEAD TERMINAL AND PACKAGE FOR HOUSING ELEMENT例文帳に追加
リード端子およびそれを備えたリード端子付き絶縁基体ならびに素子収納用パッケージ - 特許庁
Organic EL element-driving TFTs 101 are formed on an insulating substrate 100.例文帳に追加
絶縁性基板100上に有機EL素子駆動用のTFT101が形成される。 - 特許庁
A conductive film is formed on the data lines of a TFT substrate via an insulating layer.例文帳に追加
またTFT基板上のデータ線上に絶縁層を介した導電膜を形成する。 - 特許庁
To suppress the cracking of an insulating substrate of a semiconductor device and the embrittling of lead-free solder.例文帳に追加
半導体装置の絶縁基板のクラックや鉛フリーはんだの脆化を抑制する。 - 特許庁
Finally, the substrate is cut at an intermediate position of the insulating paste, thus producing individual IC packages.例文帳に追加
その後で絶縁性ペーストの中間位置で切断し1個1個のICパッケージとする。 - 特許庁
An active pattern 104 and a gate insulating film 106 are formed on a transparent substrate 100.例文帳に追加
透明基板100上にアクティブパターン104と、ゲート絶縁膜106を形成する。 - 特許庁
A plurality of single crystal silicon integrated circuits 61 are formed on the insulating substrate 201.例文帳に追加
絶縁性基板201上に、単結晶シリコン集積回路61…が形成される。 - 特許庁
The wire conductor 12 is laid down while meandering on the insulating substrate 11.例文帳に追加
線路導体12は、絶縁基板11の上面において蛇行するように敷設されている。 - 特許庁
A well area 12 and a field insulating film 14 are formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加
基板10の表面にウエル領域12及びフィールド絶縁膜14を形成する。 - 特許庁
(b) The recess is filled with an insulating film having a coefficient of thermal expansion smaller than that of a silicon substrate.例文帳に追加
(b)凹部に、シリコン基板より熱伝導係数の小さい絶縁性の膜を埋め込む。 - 特許庁
The whole of the side and back of the semiconductor substrate 2 is covered with an insulating film 10.例文帳に追加
半導体基板2の側面及び裏面全体は絶縁膜10で被覆されている。 - 特許庁
A stacked structure of interlayer insulating films 105 to 109 are formed on a substrate 101.例文帳に追加
基板101上に層間絶縁膜105〜109の積層構造が形成されている。 - 特許庁
To provide an insulating heat-radiating substrate with excellent thermal conductivity and improved reliability.例文帳に追加
熱伝導性が良好で、かつ信頼性が向上した絶縁放熱基板を提供する。 - 特許庁
THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE MANUFACTURING METHOD AND INSULATING SUBSTRATE APPLIED TO THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
熱電変換モジュールの製造方法およびその製造方法に適用される絶縁性基板 - 特許庁
To provide a joining method between an insulating body and an Si substrate of different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加
熱膨張係数の異なる絶縁体とSi基板との接合方法を提供する。 - 特許庁
This infrared ray detecting device is provided with a insulating substrate 201 having large-heat conductivity.例文帳に追加
赤外線検出装置は、熱伝導率が大きく、絶縁性の基板201を備えている。 - 特許庁
The pedestal part 13 comprising an insulating layer 35 and metal is formed on a support substrate 11.例文帳に追加
支持基板11上に絶縁層35と、金属からなる台座部13を形成する。 - 特許庁
The temperature detecting plate 30 has a temperature sensor 50 which is fixed to the insulating substrate 31.例文帳に追加
温度検出プレート30は、絶縁基板31に温度センサー50を固定している。 - 特許庁
An n-type drift layer 3 is formed through an insulating film 2 on a support substrate 1.例文帳に追加
支持基板1上に絶縁膜2を介してn型ドリフト層3が設けられている。 - 特許庁
First, a cooler 40, a stress relaxing material 30, and an insulating substrate 20 are brazed.例文帳に追加
まず,冷却器40と,応力緩和材30と,絶縁基板20とをろう付けする。 - 特許庁
The surface of the insulating film 14 is substantially equal to that of a silicon substrate 11.例文帳に追加
素子分離絶縁膜14の表面は、シリコン基板11の表面に実質的に等しい。 - 特許庁
An insulating substrate 2 is joined onto a main surface of a heatsink 1 made of a copper material.例文帳に追加
銅材で構成されるヒートシンク1の主面上に、絶縁基板2が接合されている。 - 特許庁
A plurality of layers of the interlayer insulating films 7 are laminated and formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上に複数層の層間絶縁膜7が積層形成されている。 - 特許庁
A first insulation film formed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の上に、絶縁性材料からなる第1の絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
The electronic component having insulating resins formed on both surfaces of the ceramic substrate is also used.例文帳に追加
また、セラミックス基板の両面に絶縁性樹脂が形成された電子部品を用いる。 - 特許庁
The insulating substrate 30 is provided between a radiator 20 and a semiconductor device 50.例文帳に追加
絶縁基板30は、放熱器20と半導体装置50の間に設けられている。 - 特許庁
An insulating substrate 7 is fixed onto the coupling agent layer 5 via a resin sheet 6 therebetween.例文帳に追加
このカップリング剤層5の上に、樹脂シート6を介して絶縁性基板7を固定する。 - 特許庁
A pair of electrodes 4 having almost U-shaped sections are formed on facing edges of an insulating substrate 2.例文帳に追加
絶縁基板2の対向する縁に断面略コ字状の電極4を一対設ける。 - 特許庁
A gate insulating film 105 and a gate electrode 107 are successively formed on a substrate 101.例文帳に追加
基板101上にゲート絶縁膜105とゲート電極107を順に設ける。 - 特許庁
An interlayer insulating film pattern for demarcating a hole region is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上にホール領域を画定する層間絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁
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